KR100878263B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

절연 기판 위에 하부의 투명 도전막과 상부의 불투명 도전막의 이중막으로 이루어진 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트선 사이에 투명 도전막으로 이루어진 유지 용량 전극이 형성되어 있다. 게이트 배선 및 유지 용량 전극 위에 게이트 절연막이 형성되어 있고, 게이트 절연막 위에 반도체층 및 저항성 접촉층이 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉층 위에 데이터선, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있으며, 그 위에 보호막이 형성되어 있다. 보호막에는 드레인 전극, 게이트 패드 및 데이터 패드를 각각 노출시키는 접촉 구멍이 형성되어 있으며, 보호막 위에 유지 용량 전극과 중첩하는 화소 전극과 게이트 패드 및 데이터 패드와 각각 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드가 형성되어 있다. 유지 용량 전극은 절연막을 사이에 두고 화소 전극과 중첩하여 유지 용량을 형성하며, 투명 도전막으로 형성되어 있으므로 개구율이 감소하지 않는다.
유지 용량 전극, 투명 도전막, 개구율

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법{thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method thereof}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 2는 도 1에서 Ⅱ-Ⅱ 선에 대한 단면도이고,
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판을 도시한 단면도이고,
도 3b 및 도 3c는 도 3a 다음 단계에서의 공정을 그 순서에 따라 차례로 도시한 단면도이고,
도 4a는 도 3c 다음 단계에서의 배치도이고,
도 4b는 도 4a에서 Ⅳb-Ⅳb 선에 대한 단면도이고,
도 5a는 도 4a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 5b는 도 5a에서 Ⅴb-Ⅴb 선에 대한 단면도이고,
도 6a는 도 5a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 6b는 도 6a에서 Ⅵb-Ⅵb 선에 대한 단면도이고,
도 7a는 도 6a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 7b는 도 7a에서 Ⅶb-Ⅶb 선에 대한 단면도이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고,
도 9는 도 8에서 Ⅸ-Ⅸ 선에 대한 단면도이고,
도 10a는 본 발명의 제2 실시예에 따라 제조하는 첫 단계에서의 박막 트랜지스터 기판을 도시한 단면도이고,
도 10b 및 도 10c는 도 10a 다음 단계에서의 공정을 그 순서에 따라 차례로 도시한 단면도이고,
도 11a는 도 10c 다음 단계에서의 배치도이고,
도 11b는 도 11a에서 XⅠb-XⅠb 선에 대한 단면도이고,
도 12a는 도 11a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 12b는 도 12a에서 XⅡb-XⅡb 선에 대한 단면도이고,
도 13a는 도 12a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 13b는 도 13a에서 XⅢb-XⅢb 선에 대한 단면도이고,
도 14a는 도 13a 다음 단계에서의 배치도이고,
도 14b는 도 14a에서 XⅣb-XⅣb 선에 대한 단면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 개구율을 향상시키는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 유리 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 있으며, 두 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시켜 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
이러한 액정 표시 장치의 한 기판은 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 갖는 것이 일반적이며, 이러한 박막 트랜지스터 기판에는 박막 트랜지스터 외에도 게이트선 및 데이터선을 포함하는 배선, 외부로부터 신호를 인가받아 게이트선 및 데이터선으로 각각 전달하는 게이트 패드 및 데이터 패드가 형성되어 있다. 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의되는 화소 영역에는 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.
이러한 액정 표시 장치에서 유지 용량을 형성하기 위해 전단의 게이트선을 이용하거나 게이트선 또는 데이터선과 동일한 층으로 유지 용량 배선을 형성한 후 절연막을 사이에 두고 화소 전극과 중첩시킨다. 이때, 게이트선 및 데이터선이 불투명 도전 물질로 형성되어 있으므로 화소 전극과 중첩되는 만큼의 개구율이 감소하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 표시 장치의 개구율을 향상시키는 것이다.
이러한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에서는 투명 도전막을 사용하여 유지 용량 전극을 형성한다.
본 발명에 따르면, 절연 기판 위에 하부의 투명 도전막과 상부의 불투명 도전막으로 이루어진 게이트선 및 게이트선의 일부인 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트선 사이에는 투명 도전막으로 이루어진 유지 용량 전극이 형성되어 있다. 게이트 배선 및 유지 용량 전극은 게이트 절연막으로 덮여 있으며, 게이트 절연막 위에 반도체층 및 저항성 접촉층이 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉층 위에 데이터선, 데이터선의 일부인 소스 전극 및 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있다. 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 갖는 보호막이 형성되어 있고, 보호막 위에 유지 용량 전극과 중첩되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.
여기서, 유지 용량 전극은 게이트선과 연결되어 있을 수 있다.
한편, 유지 용량 전극은 게이트선 사이에 투명 도전막으로 형성되어 있으며, 유지 용량선에 연결되어 있을 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조할 때 먼저, 절연 기판 위에 투명 도전막과 불투명 도전막을 차례로 형성하고, 위치에 따라 두께가 다른 감광막 패턴을 형성한다. 다음, 감광막 패턴을 마스크로 하여 불투명 도전막과 투명 도전막을 식각하여 투명 도전막과 불투명 도전막의 이중막으로 이루어진 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 투명 도전막으로 이 루어진 유지 용량 전극을 형성한다. 다음, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 차례로 형성한다. 다음, 데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하고, 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 갖는 보호막을 형성한다. 다음, 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
이때, 감광막 패턴은 유지 용량 전극 상부에 위치하는 제1 부분, 제1 부분보다 두꺼운 두께를 가지며 게이트 배선 상부에 위치하는 제2 부분, 두께가 없으며 제1 및 제2 부분을 제외한 나머지 부분에 위치하는 제3 부분으로 이루어지며, 감광막 패턴을 형성할 때 사용하는 광마스크는 제1 영역, 제1 영역보다 낮은 투과율을 가지는 제2 영역 및 제1 영역보다 높은 투과율을 가지는 제3 영역을 포함하며, 광마스크의 제1, 제2 및 제3 영역은 감광막 패턴의 제1, 제2 및 제3 부분에 각각 대응하도록 정렬되는 것이 바람직하다.
이러한 본 발명에서는 유지 용량 전극을 투명 도전막으로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있다.
그러면, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 도시한 배치도이고, 도 2는 도 1에서 Ⅱ-Ⅱ 선에 대한 단면도이다.
도 1 및 도 2에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명 도전막(211)과 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy), 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐 합금(MoW)과 같은 불투명 도전막(212)의 이중막으로 이루어진 게이트 배선(21, 22, 23)이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21), 게이트선(21)의 일부인 게이트 전극(22), 게이트선(21)의 끝에 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함한다. 기판(10) 위에 게이트 배선(21, 22, 23)의 투명 도전막(211)과 동일한 층으로 이루어진 유지 용량 전극(25, 26)이 게이트선(21)으로부터 세로 방향으로 뻗어 있다.
게이트 배선(21, 22, 23) 및 유지 용량 전극(25, 26) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)이 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(52, 53)이 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 형성되어 있다.
저항성 접촉층(52, 53) 위에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금, 크롬, 탄탈륨 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 데이터 배선(61, 62, 63, 64)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(61), 데이터선(61)의 일부인 소스 전극(62), 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(62)과 마주하는 드레인 전극(63), 데이터선(61)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(61)에 전달하는 데이터 패드(64)를 포함한다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64)은 단일층으로 형성할 수 있지만, 이중층이나 삼중층으로 형성할 수도 있다. 이중층 이상으로 형성하는 경우에는 한 층은 저항이 작은 물질로 형성하고 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64) 및 게이트 절연막(30) 위에는 질화 규소 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다. 보호막(70)은 게이트 절연막(30)과 함께 게이트 패드(23)를 노출시키는 접촉 구멍(73)을 가지고 있을 뿐만 아니라, 데이터 패드(64)를 노출시키는 접촉 구멍(74)과 드레인 전극(63)을 노출시키는 접촉 구멍(72)을 가지고 있다.
보호막(70) 위에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 형성되어 있다.
화소 전극(80)은 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(63)과 연결되어 화상 신호를 전달받으며, 전단의 게이트선(21)과 연결되어 있는 유지 용량 전극(25, 26)과 중첩되어 유지 용량을 형성하고 있다. 보조 게이트 패드(83)와 보조 데이터 패드(84)는 접촉 구멍(73, 74)을 통해 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)와 각각 연결되어 있으며, 이들은 패드(23, 64)와 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하고 패드(23, 64)를 보호하는 역할을 한다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예에서는 화소 전극(80)이 유지 용량 전극(25, 26)과 중첩되어 유지 용량을 형성하며, 이때 유지 용량 전극(25, 26)이 게이트 배선(21, 22, 23)의 하부막(211)인 투명 도전막으로 이루어져 있어서 유지 용량 전극(25, 26)으로 인하여 개구율이 저하되지 않는다.
그러면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 3a 내지 도 7b, 앞서의 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 3a에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막(211)과 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금과 같은 불투명 도전막(212)을 차례로 증착하고 감광막을 도포한다. 다음, 위치에 따라 투과율이 다른 마스크(100)를 사용하여 감광막에 빛을 조사한 후 현상하여 위치에 따라 두께가 다른 감광막 패턴(112, 114)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(112, 114) 중에서 유지 용량 전극(25, 26)이 형성될 부분(C)에 위치한 제2 부분(114)의 두께는 게이트 배선(21, 22, 23)이 형성될 부분(A)에 위치한 제1 부분(112)보다 두께가 얇으며, 그 외 기타 부분(B)의 감광막은 제거되어 도전막(212)이 노출되어 있다.
이와 같이, 위치에 따라 감광막의 두께를 달리하는 방법으로 여러 가지가 있을 수 있으며, C 영역의 빛 투과량을 조절하기 위하여 주로 슬릿(slit)이나 격자 형태의 패턴을 형성하거나 반투과막을 사용한다.
다음, 감광막 패턴(112, 114) 및 도전막(211, 212)에 대한 식각을 진행한다.
먼저, 도 3b에서와 같이, 감광막 패턴(112, 114)으로 가리지 않은 불투명 도 전막(212) 및 투명 도전막(211)을 습식 식각으로 차례로 식각한다.
다음, 도 3c에서와 같이, 감광막 패턴(112, 114)을 애싱(ashing)하여 C 부분의 감광막 패턴(114)을 제거하여 불투명 도전막(212)을 드러낸 후, 남아 있는 감광막 패턴(112)을 제거하면 도 4a 및 도 4b에서와 같이, 이중막(211, 212)으로 이루어진 게이트선(21), 게이트 전극(22) 및 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선과 투명 도전막(211)으로 이루어진 유지 용량 전극(25, 26)이 형성된다.
다음, 도 5a 및 도 5b에서와 같이, 게이트 절연막(30), 비정질 규소층 및 n형 불순물이 도핑된 비정질 규소층을 화학 기상 증착법(CVD : chemical vapor deposition) 따위를 이용하여 각각 1,500Å 내지 5,000Å, 500Å 내지 1,500Å 및 300Å 내지 600Å의 두께로 차례로 증착하고, 상부의 두 층을 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 반도체층(41) 및 저항성 접촉층(51)을 형성한다.
다음, 도 6a 및 도 6b에서와 같이, 데이터 배선용 도전체 또는 금속을 스퍼터링 따위의 방법으로 1,500Å 내지 3,000Å의 두께로 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선(61), 소스 전극(62), 드레인 전극(63) 및 데이터 패드(64)를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 다음, 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)으로 가리지 않은 저항성 접촉층(51)을 제거하여 두 부분(52, 53)으로 분리한다.
다음, 도 7a 및 도 7b에서와 같이, 질화 규소를 증착하거나 유기 절연막을 코팅하여 보호막(70)을 형성한 후, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 드레인 전극(63), 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)를 각각 노출시키는 접촉 구멍(72, 73, 74)을 형성한다.
다음, 앞서의 도 1 및 도 2에서와 같이, 보호막(70) 위에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질을 스퍼터링 따위의 방법으로 400Å 내지 500Å의 두께로 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)를 형성한다.
본 발명의 제1 실시예에서는 유지 용량 전극(25, 26)이 게이트선(21) 사이에 데이터선(61)과 인접하여 화소 영역마다 한 쌍씩 형성되어 있는 경우를 예로 들었으나, 유지 용량 전극의 모양은 여러 가지 다른 모양으로 형성될 수 있다. 그 중 한 예로, 전단의 게이트선(21)이 부분적으로 폭이 확장되어 유지 용량 전극을 이루고 이 부분이 화소 전극과 중첩되는 형태를 들 수 있다.
다음, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 설명한다.
도 8 및 도 9에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막(211)과 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금과 같은 불투명 도전막(212)의 이중막으로 이루어진 게이트 배선(21, 22, 23)이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(21), 게이트선(21)의 일부인 게이트 전극(22), 게이트선(21)의 끝에 연결되어 외부로부터 주사 신호를 인가받아 게이트선(21)으로 전달하는 게이트 패드(23)를 포함한다. 게이트선(21) 사이에는 게이트 배선(21, 22, 23)의 하부막(211)으로 이루어진 유지 용량선(25)이 게이트선(21)과 나란하게 형성되어 있으며, 유지 용량선(25)의 가지 선인 유지 용량 전극(26)이 형성되어 있다.
게이트 배선(21, 22, 23), 유지 용량선(25) 및 유지 용량 전극(26) 위에는 질화 규소 따위로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 반도체층(41)이 형성되어 있으며, 반도체층(41) 위에는 인(P)과 같은 n형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 규소 따위의 반도체로 이루어진 저항성 접촉층(52, 53)이 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 형성되어 있다.
저항성 접촉층(52, 53) 위에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금, 크롬, 탄탈륨 등의 금속 또는 도전체로 이루어진 데이터 배선(61, 62, 63, 64)이 형성되어 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 뻗어 있는 데이터선(61), 데이터선(61)의 일부인 소스 전극(62), 게이트 전극(22)을 중심으로 소스 전극(62)과 마주하는 드레인 전극(63), 데이터선(61)에 연결되어 외부로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(61)에 전달하는 데이터 패드(64)를 포함한다.
데이터 배선(61, 62, 63, 64) 및 게이트 절연막(30) 위에는 질화 규소 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다. 보호막(70)에는 드레인 전극(63), 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)를 노출시키는 접촉 구멍(72, 73, 74)이 형성되어 있다.
보호막(70) 위에는 접촉 구멍(72)을 통해 드레인 전극(63)과 연결되며 유지 용량선(25) 및 유지 용량 전극(26)과 중첩되어 유지 용량을 형성하는 화소 전극(80), 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)와 각각 접촉 구멍(73, 74)을 통해 연결되어 있는 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)가 형성되어 있다.
그러면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 도 10a 내지 도 14b, 앞서의 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.
먼저, 도 10a에서와 같이, 절연 기판(10) 위에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막(211)과 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴-텅스텐 합금과 같은 불투명 도전막(212)을 차례로 증착하고 감광막을 도포한다. 다음, 위치에 따라 투과율이 다른 마스크(100)를 사용하여 감광막에 빛을 조사한 후 현상하여 위치에 따라 두께가 다른 감광막 패턴(112, 114)을 형성한다. 이때, 감광막 패턴(112, 114) 중에서 유지 용량선(25) 및 유지 용량 전극(26)이 형성될 부분(C)에 위치한 제2 부분(114)의 두께는 게이트 배선(21, 22, 23)이 형성될 부분(A)에 위치한 제1 부분(112)보다 두께가 얇으며, 그 외 기타 부분(B)의 감광막은 제거되어 도전막(212)이 노출되어 있다.
위치에 따라 감광막의 두께를 달리하는 방법으로 본 발명의 제1 실시예에서와 같이, C 영역의 빛 투과량을 조절하기 위하여 슬릿이나 격자 형태의 패턴을 형성하거나 반투과막을 사용하면 된다.
다음, 감광막 패턴(112, 114) 및 도전막(211, 212)에 대한 식각을 진행한다.
먼저, 도 10b에서와 같이, 감광막 패턴(112, 114)으로 가리지 않은 불투명 도전막(212) 및 투명 도전막(211)을 습식 식각으로 차례로 식각한다.
다음, 도 10c에서와 같이, 감광막 패턴(112, 114)을 애싱(ashing)하여 C 부 분의 감광막 패턴(114)을 제거하여 불투명 도전막(212)을 드러낸 후, 남아 있는 감광막 패턴(112)을 제거하면 도 11a 및 도 11b에서와 같이, 이중막(211, 212)으로 이루어진 게이트선(21), 게이트 전극(22) 및 게이트 패드(23)를 포함하는 게이트 배선과 투명 도전막(211)으로 이루어진 유지 용량선(25) 및 유지 용량 전극(26)이 형성된다.
다음, 도 12a 및 도 12b에서와 같이, 게이트 절연막(30), 비정질 규소층 및 n형 불순물이 도핑된 비정질 규소층을 화학 기상 증착법 따위를 이용하여 차례로 증착하고, 상부의 두 층을 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 반도체층(41) 및 저항성 접촉층(51)을 형성한다.
다음, 도 13a 및 도 13b에서와 같이, 데이터 배선용 도전체 또는 금속을 스퍼터링 따위의 방법으로 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 데이터선(61), 소스 전극(62), 드레인 전극(63) 및 데이터 패드(64)를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 다음, 소스 전극(62)과 드레인 전극(63)으로 가리지 않은 저항성 접촉층(51)을 제거하여 두 부분(52, 53)으로 분리한다.
다음, 도 14a 및 도 14b에서와 같이, 질화 규소를 증착하거나 유기 절연막을 코팅하여 보호막(70)을 형성한 후, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 드레인 전극(63), 게이트 패드(23) 및 데이터 패드(64)를 각각 노출시키는 접촉 구멍(72, 73, 74)을 형성한다.
다음, 앞서의 도 8 및 도 9에서와 같이, 보호막(70) 위에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전 물질을 스퍼터링 따위의 방법으로 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 화소 전극(80), 보조 게이트 패드(83) 및 보조 데이터 패드(84)를 형성한다.
이와 같이 본 발명에서는 유지 용량을 형성하는 배선을 투명 도전막으로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있다.

Claims (5)

  1. 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 하부의 투명 도전막과 상부의 불투명 도전막으로 이루어진 게이트선 및 상기 게이트선의 일부인 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 투명 도전막으로 이루어지며 상기 게이트선과 연결되어 있는 유지 용량 전극,
    상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 전극을 덮고 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,
    상기 반도체층 위에 형성되어 있는 저항성 접촉층,
    상기 저항성 접촉층 위에 형성되어 있는 소스 전극을 가지는 데이터선, 상기 소스 전극과 분리되어 있으며 상기 저항성 접촉층 위에 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 위에 형성되어 있는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 유지 용량 전극과 중첩되어 있는 화소 전극
    을 포함하고,
    상기 화소 전극의 세로변은 상기 데이터선과 상기 유지 용량 전극 사이에 위치하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  2. 삭제
  3. 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 하부의 투명 도전막과 상부의 불투명 도전막으로 이루어진 게이트선 및 상기 게이트선의 일부인 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,
    상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 투명 도전막으로 이루어지며 상기 게이트선 사이에 위치하며 유지 용량 전극을 가지는 유지 용량선,
    상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 전극을 덮고 있는 게이트 절연막,
    상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층,
    상기 반도체층 위에 형성되어 있는 저항성 접촉층,
    상기 저항성 접촉층 위에 형성되어 있는 소스 전극을 가지는 데이터선, 상기 소스 전극과 분리되어 있으며 상기 저항성 접촉층 위에 형성되어 있는 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,
    상기 데이터 배선 위에 형성되어 있는 보호막,
    상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 유지 용량 전극과 중첩되어 있는 화소 전극
    을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  4. 절연 기판 위에 투명 도전막과 불투명 도전막을 차례로 형성하는 단계,
    상기 불투명 도전막 위에 제1 부분과 상기 제1 부분보다 두께가 두꺼운 제2 부분을 가지는 감광막 패턴을 형성하는 단계,
    상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 불투명 도전막과 상기 투명 도전막을 식각하여 상기 투명 도전막과 상기 불투명 도전막의 이중막으로 이루어진 게이트선 및 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 상기 투명 도전막으로 이루어지며 상기 게이트선과 연결되어 있는 유지 용량 전극을 형성하는 단계,
    상기 게이트 배선 및 상기 유지 용량 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,
    상기 게이트 절연막 위에 반도체층을 형성하는 단계,
    상기 반도체층 위에 저항성 접촉층을 형성하는 단계,
    상기 저항성 접촉층 및 상기 게이트 절연막 위에 소스 전극을 가지는 데이터선 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 형성하는 단계,
    상기 데이터 배선 위에 상기 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 갖는 보호막을 형성하는 단계,
    상기 보호막 위에 상기 드레인 전극과 상기 접촉 구멍을 통하여 연결되며 세로변이 상기 데이터선과 상기 유지 용량 전극 사이에 위치하도록 화소 전극을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 감광막 패턴의 상기 제1 부분은 상기 게이트 배선 및 유지 용량 전극과 대응하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  5. 제4항에서,
    상기 감광막 패턴을 형성하는 단계에서 사용하는 광마스크는 제1 영역, 상기 제1 영역보다 낮은 투과율을 가지는 제2 영역 및 상기 제1 영역보다 높은 투과율을 가지는 제3 영역을 포함하며, 상기 광마스크의 제1 및 제2 영역은 상기 감광막 패턴의 제1 및 제2 부분에 각각 대응하도록 정렬되는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
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