JPH08102547A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
光電変換装置及びその製造方法Info
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- JPH08102547A JPH08102547A JP6259809A JP25980994A JPH08102547A JP H08102547 A JPH08102547 A JP H08102547A JP 6259809 A JP6259809 A JP 6259809A JP 25980994 A JP25980994 A JP 25980994A JP H08102547 A JPH08102547 A JP H08102547A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンパクトな構造を有し、且つ低廉化が図れ
ると共に、良好な集光機能を有する光電変換装置を提供
する。 【構成】 光電変換半導体層としてのｉ−Ｓｉ膜５の上
方に上部ゲート絶縁膜１０を介してＩＴＯでなる上部ゲ
ート電極１１Ａを形成し、この上部ゲート電極１１Ａの
上にＡｌ−Ｔｉ膜をパターニングした後、このＡｌ−Ｔ
ｉ膜を陽極酸化してＳｉ2Ｏ3でなるレンズ部１２Ｂに変
化させる。Ａｌ−Ｔｉ膜は陽極酸化により、断面が半円
状のレンズとして適した形状となる。このため、良好な
集光機能の有し、且つレンズ一体型のコンパクトな光電
変化装置を得ることができる。
ると共に、良好な集光機能を有する光電変換装置を提供
する。 【構成】 光電変換半導体層としてのｉ−Ｓｉ膜５の上
方に上部ゲート絶縁膜１０を介してＩＴＯでなる上部ゲ
ート電極１１Ａを形成し、この上部ゲート電極１１Ａの
上にＡｌ−Ｔｉ膜をパターニングした後、このＡｌ−Ｔ
ｉ膜を陽極酸化してＳｉ2Ｏ3でなるレンズ部１２Ｂに変
化させる。Ａｌ−Ｔｉ膜は陽極酸化により、断面が半円
状のレンズとして適した形状となる。このため、良好な
集光機能の有し、且つレンズ一体型のコンパクトな光電
変化装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光電変換装置及びそ
の製造方法に関し、さらに詳しくは、集光機能を備えた
光電変換装置及びその製造方法に係る。
の製造方法に関し、さらに詳しくは、集光機能を備えた
光電変換装置及びその製造方法に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光電変換装置としては、
ＭＯＳ型のフォトセンサをはじめとして各種のものが知
られている。その一例として、光電変換半導体層の上下
にゲート電極を有する所謂ダブルゲート構造の光電変換
装置がある。この光電変換装置は、光電変換半導体層上
のゲート絶縁膜及び上方のゲート電極が光透過性を有
し、これらを通して光電変換半導体層へ受光させるよう
になっている。このような光電変換装置を複数配列した
フォトセンサを２次元イメージセンサとして文字などの
読み取りに用いる場合、文字とセンサとのギャップによ
って文字などの像がぼけるという問題があった。この問
題の対策として、フォトセンサの各画素となる光電変換
装置に対応するレンズ部を複数有する、ロッドレンズア
レイや光ファイバアレイなどの光学系を、フォトセンサ
に組み合わせて各画素に像を結ばせるという手段が講じ
られている。
ＭＯＳ型のフォトセンサをはじめとして各種のものが知
られている。その一例として、光電変換半導体層の上下
にゲート電極を有する所謂ダブルゲート構造の光電変換
装置がある。この光電変換装置は、光電変換半導体層上
のゲート絶縁膜及び上方のゲート電極が光透過性を有
し、これらを通して光電変換半導体層へ受光させるよう
になっている。このような光電変換装置を複数配列した
フォトセンサを２次元イメージセンサとして文字などの
読み取りに用いる場合、文字とセンサとのギャップによ
って文字などの像がぼけるという問題があった。この問
題の対策として、フォトセンサの各画素となる光電変換
装置に対応するレンズ部を複数有する、ロッドレンズア
レイや光ファイバアレイなどの光学系を、フォトセンサ
に組み合わせて各画素に像を結ばせるという手段が講じ
られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たロッドレンズアレイや光ファイバアレイなどの光学系
を組み合わせるためには、精度の高い位置合わせ技術が
必要である。また、これらの光学系は高価であるため、
低廉な光学系の開発が望まれている。さらに、これらの
光学系では、フォトセンサの表面に組み付ける構造であ
るため、装置の奥行きが長くなる問題があった。この発
明が解決しようとする課題は、良好な集光機能を有し、
且つコンパクトな構造で、しかも低廉化が図れる光電変
換装置を得るにはどのような手段を講じればよいかとい
う点にある。
たロッドレンズアレイや光ファイバアレイなどの光学系
を組み合わせるためには、精度の高い位置合わせ技術が
必要である。また、これらの光学系は高価であるため、
低廉な光学系の開発が望まれている。さらに、これらの
光学系では、フォトセンサの表面に組み付ける構造であ
るため、装置の奥行きが長くなる問題があった。この発
明が解決しようとする課題は、良好な集光機能を有し、
且つコンパクトな構造で、しかも低廉化が図れる光電変
換装置を得るにはどのような手段を講じればよいかとい
う点にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１記載の
発明は、光電変換半導体層の上方にメタルの陽極酸化膜
でなるレンズを形成したことを、その解決手段としてい
る。また、請求項２記載の発明は、前記メタルがＡｌ−
Ｔｉ合金であることを特徴としている。さらに、請求項
３記載の発明は、光電変換半導体層の上方にメタル膜を
形成する工程と、該メタル膜を陽極酸化して該光電変換
半導体層の上方にレンズを形成する工程と、を備えるこ
とを、特徴としている。
発明は、光電変換半導体層の上方にメタルの陽極酸化膜
でなるレンズを形成したことを、その解決手段としてい
る。また、請求項２記載の発明は、前記メタルがＡｌ−
Ｔｉ合金であることを特徴としている。さらに、請求項
３記載の発明は、光電変換半導体層の上方にメタル膜を
形成する工程と、該メタル膜を陽極酸化して該光電変換
半導体層の上方にレンズを形成する工程と、を備えるこ
とを、特徴としている。
【０００５】
【作用】この発明においては、光電変換半導体層の上方
に、メタル膜を陽極酸化して形成したレンズを配置した
ため、このレンズを通過する光を集光させて光電変換半
導体層上に像を結ばせる作用を有する。ここで、メタル
膜をＡｌ−Ｔｉ合金となし、これを陽極酸化することに
より、Ａｌ−Ｔｉは体積が増加し断面半円形状となる。
そして、Ａｌ−Ｔｉ合金はこの陽極酸化により主にＡｌ
2Ｏ3になり、透明に変化するため、光電変換半導体層へ
確実に光を集める作用を有する。
に、メタル膜を陽極酸化して形成したレンズを配置した
ため、このレンズを通過する光を集光させて光電変換半
導体層上に像を結ばせる作用を有する。ここで、メタル
膜をＡｌ−Ｔｉ合金となし、これを陽極酸化することに
より、Ａｌ−Ｔｉは体積が増加し断面半円形状となる。
そして、Ａｌ−Ｔｉ合金はこの陽極酸化により主にＡｌ
2Ｏ3になり、透明に変化するため、光電変換半導体層へ
確実に光を集める作用を有する。
【０００６】
【実施例】以下、この発明に係る光電変換装置の製造方
法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。な
お、本実施例は、所謂ダブルゲート構造のＭＯＳ型フォ
トセンサの製造方法に本発明を適用した例である。本実
施例の光電変換装置を製造するには、まずガラス基板１
の上にＡｌ−Ｔｉ膜（図示省略する）をスパッタ法にて
所定膜厚（例えば３３００Å程度）となるように堆積さ
せる。このＡｌ−Ｔｉ膜をフォトリソグラフィー技術及
びエッチング技術を用いてパターニングし、さらにこれ
を陽極酸化して、図１に示すような下部ゲート電極２と
陽極酸化膜３とを形成する。このように、パターニング
されたＡｌ−Ｔｉ膜を陽極酸化することにより、Ａｌ−
Ｔｉ膜の表面に形成された陽極酸化膜３の肩部が丸くな
り、それに伴い下部ゲート電極２の肩部も丸くなる。こ
のため、後記する下部ゲート絶縁膜４のステップカバレ
ージが向上する。なお、本実施例では、下部ゲート電極
２に陽極酸化を施したが、通常のように陽極酸化を行わ
ずに、断面矩形状の電極を形成してもよい。
法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。な
お、本実施例は、所謂ダブルゲート構造のＭＯＳ型フォ
トセンサの製造方法に本発明を適用した例である。本実
施例の光電変換装置を製造するには、まずガラス基板１
の上にＡｌ−Ｔｉ膜（図示省略する）をスパッタ法にて
所定膜厚（例えば３３００Å程度）となるように堆積さ
せる。このＡｌ−Ｔｉ膜をフォトリソグラフィー技術及
びエッチング技術を用いてパターニングし、さらにこれ
を陽極酸化して、図１に示すような下部ゲート電極２と
陽極酸化膜３とを形成する。このように、パターニング
されたＡｌ−Ｔｉ膜を陽極酸化することにより、Ａｌ−
Ｔｉ膜の表面に形成された陽極酸化膜３の肩部が丸くな
り、それに伴い下部ゲート電極２の肩部も丸くなる。こ
のため、後記する下部ゲート絶縁膜４のステップカバレ
ージが向上する。なお、本実施例では、下部ゲート電極
２に陽極酸化を施したが、通常のように陽極酸化を行わ
ずに、断面矩形状の電極を形成してもよい。
【０００７】次に、図１に示すように、窒化シリコン
（ＳｉＮ）でなる下部ゲート絶縁膜４、光電変換半導体
層としてのイントリンシック−アモルファスシリコン
（以下、ｉ−Ｓｉと称する）膜５、エッチングの際にブ
ロッキング層となるＳｉＮ膜６をプラズマ−ＣＶＤ法を
用いて順次連続的に堆積させる。続いて、ＳｉＮ膜６
を、ｉ−Ｓｉ膜５の受光部となる部分の上に残すように
パターニングした後、全面にｎ+のドープトアモルファ
スシリコン膜７を全面に堆積させる。次に、フォトリソ
グラフィー技術及びドライエッチング技術を用いて、ド
ープトアモルファスシリコン膜７がｉ−Ｓｉ膜５の受光
部の両側に位置するソース・ドレインとなるように加工
すると共に、ｉ−Ｓｉ膜５がデバイス形成領域分だけ残
るように加工する。ここで、ＳｉＮ膜６はドライエッチ
ングからｉ−Ｓｉ膜５の受光部（チャネル形成領域）を
保護する作用がある。
（ＳｉＮ）でなる下部ゲート絶縁膜４、光電変換半導体
層としてのイントリンシック−アモルファスシリコン
（以下、ｉ−Ｓｉと称する）膜５、エッチングの際にブ
ロッキング層となるＳｉＮ膜６をプラズマ−ＣＶＤ法を
用いて順次連続的に堆積させる。続いて、ＳｉＮ膜６
を、ｉ−Ｓｉ膜５の受光部となる部分の上に残すように
パターニングした後、全面にｎ+のドープトアモルファ
スシリコン膜７を全面に堆積させる。次に、フォトリソ
グラフィー技術及びドライエッチング技術を用いて、ド
ープトアモルファスシリコン膜７がｉ−Ｓｉ膜５の受光
部の両側に位置するソース・ドレインとなるように加工
すると共に、ｉ−Ｓｉ膜５がデバイス形成領域分だけ残
るように加工する。ここで、ＳｉＮ膜６はドライエッチ
ングからｉ−Ｓｉ膜５の受光部（チャネル形成領域）を
保護する作用がある。
【０００８】次に、ソース・ドレイン電極のバリア層と
してのクロム（Ｃｒ）膜８と、ソース・ドレイン電極と
なるＡｌ−Ｔｉ膜９とを順次堆積させ、これらの膜をフ
ォトリソグラフィー技術及びウェットエッチング技術を
用いて、図１に示すようにソース・ドレインの上に積み
重ねた形状に加工する。その後、全面にＳｉＮでなる上
部ゲート絶縁膜１０を堆積させる。
してのクロム（Ｃｒ）膜８と、ソース・ドレイン電極と
なるＡｌ−Ｔｉ膜９とを順次堆積させ、これらの膜をフ
ォトリソグラフィー技術及びウェットエッチング技術を
用いて、図１に示すようにソース・ドレインの上に積み
重ねた形状に加工する。その後、全面にＳｉＮでなる上
部ゲート絶縁膜１０を堆積させる。
【０００９】次に、図２に示すように、上部ゲート絶縁
膜１０の上に、ＩＴＯ膜１１を例えばスパッタ法にて堆
積させる。次いで、本実施例では、図３に示すように、
ＩＴＯ膜１１の上にフォトレジストを塗布し、露光・現
像を行って、画素部分の上部ゲート電極となる部分と、
上部ゲート電極の配線ラインとなる部分と、を覆うレジ
ストパターン１２を形成する。なお、図３は画素部分の
上部ゲート電極となるＩＴＯ膜１１を覆うレジストパタ
ーン１２を示す断面図である。次に、このレジストパタ
ーン１２ををマスクとしてエッチングを行って図４に示
すような上部ゲート電極１１Ａを形成する。なお、図４
はレジストパターン１２を剥離した状態を示している。
膜１０の上に、ＩＴＯ膜１１を例えばスパッタ法にて堆
積させる。次いで、本実施例では、図３に示すように、
ＩＴＯ膜１１の上にフォトレジストを塗布し、露光・現
像を行って、画素部分の上部ゲート電極となる部分と、
上部ゲート電極の配線ラインとなる部分と、を覆うレジ
ストパターン１２を形成する。なお、図３は画素部分の
上部ゲート電極となるＩＴＯ膜１１を覆うレジストパタ
ーン１２を示す断面図である。次に、このレジストパタ
ーン１２ををマスクとしてエッチングを行って図４に示
すような上部ゲート電極１１Ａを形成する。なお、図４
はレジストパターン１２を剥離した状態を示している。
【００１０】その後、図５に示すように、全面にＡｌ−
Ｔｉ膜１２を堆積させた後、このＡｌ−Ｔｉ膜１２を、
上記したＩＴＯ膜１１のパターニングと同様の露光マス
クを用いてパターニングを行い、上部ゲート電極１１Ａ
上にＡｌ−Ｔｉ膜１２を残す。なお、Ａｌ−Ｔｉ膜１２
とＩＴＯ膜１１とを連続してエッチングしない理由は、
Ａｌ−Ｔｉ膜１２ＡがＩＴＯ膜１２のエッチングの際に
ダメージを受けないようにするためである。
Ｔｉ膜１２を堆積させた後、このＡｌ−Ｔｉ膜１２を、
上記したＩＴＯ膜１１のパターニングと同様の露光マス
クを用いてパターニングを行い、上部ゲート電極１１Ａ
上にＡｌ−Ｔｉ膜１２を残す。なお、Ａｌ−Ｔｉ膜１２
とＩＴＯ膜１１とを連続してエッチングしない理由は、
Ａｌ−Ｔｉ膜１２ＡがＩＴＯ膜１２のエッチングの際に
ダメージを受けないようにするためである。
【００１１】ここで、このままＡｌ−Ｔｉ膜１２Ａの陽
極酸化を行うと上部ゲート電極の配線ライン上までレン
ズが形成されてしまうため、画素部分のみを露出させる
必要がある。このため、図６に示すように配線ライン部
分ＡにはＡｌ−Ｔｉ膜１２Ａ覆うようにＣｒ膜１３をパ
ターニングする。なお、同図中１４は、配線ライン上に
Ｃｒ膜１３をパターニングするためのレジストパターン
である。
極酸化を行うと上部ゲート電極の配線ライン上までレン
ズが形成されてしまうため、画素部分のみを露出させる
必要がある。このため、図６に示すように配線ライン部
分ＡにはＡｌ−Ｔｉ膜１２Ａ覆うようにＣｒ膜１３をパ
ターニングする。なお、同図中１４は、配線ライン上に
Ｃｒ膜１３をパターニングするためのレジストパターン
である。
【００１２】そして、この状態でＡｌ−Ｔｉ膜１２Ａに
電流を流して陽極酸化を行うと、図７に示すように、画
素部分ＢのＡｌ−Ｔｉ膜１２Ａが陽極酸化物（主にＡｌ
2Ｏ3）に変化してレンズ部１２Ｂになる。ここで、Ａｌ
−Ｔｉ膜１２Ａは、陽極酸化されることにより堆積が増
加して断面が半円状になり、またＡｌ−Ｔｉが主にＡｌ
2Ｏ3となることにより透明になる。なお、ここで陽極酸
化が不十分の場合はレンズが曇るため、十分な陽極酸化
を行う。その後、配線ライン上のレジストパターン１４
を剥離し、Ｃｒ膜１３をウェットエッチングで除去する
ことにより、本実施例の光電変換装置が完成する。
電流を流して陽極酸化を行うと、図７に示すように、画
素部分ＢのＡｌ−Ｔｉ膜１２Ａが陽極酸化物（主にＡｌ
2Ｏ3）に変化してレンズ部１２Ｂになる。ここで、Ａｌ
−Ｔｉ膜１２Ａは、陽極酸化されることにより堆積が増
加して断面が半円状になり、またＡｌ−Ｔｉが主にＡｌ
2Ｏ3となることにより透明になる。なお、ここで陽極酸
化が不十分の場合はレンズが曇るため、十分な陽極酸化
を行う。その後、配線ライン上のレジストパターン１４
を剥離し、Ｃｒ膜１３をウェットエッチングで除去する
ことにより、本実施例の光電変換装置が完成する。
【００１３】図８は、このようにして製造された光電変
換装置の画素部の断面図である。以下、本実施例の光電
変換装置の構成を説明する。図８に示すように、ガラス
基板１の上に下部ゲート電極２が形成されている。この
下部ゲート電極２の上方には、下部ゲート絶縁膜４等を
介して光電変換半導体層としてのｉ−Ｓｉ膜５が形成さ
れている。さらに、ｉ−Ｓｉ膜５のゲート長方向の両脇
部分の上には、ソース・ドレインとしてのドープトアモ
ルファスシリコン膜７と、クロム膜８と、ソース・ドレ
イン電極としてのＡｌ−Ｔｉ膜９とが順次積層して形成
されている。そして、ｉ−Ｓｉ膜５の受光部の上方に上
部ゲート絶縁膜１０を介して、ＩＴＯ膜でなる上部ゲー
ト電極１１Ａが形成されている。この上部ゲート電極１
１Ａの上にＡｌ−Ｔｉ膜を陽極酸化してなるレンズ部１
２Ｂが形成されている。
換装置の画素部の断面図である。以下、本実施例の光電
変換装置の構成を説明する。図８に示すように、ガラス
基板１の上に下部ゲート電極２が形成されている。この
下部ゲート電極２の上方には、下部ゲート絶縁膜４等を
介して光電変換半導体層としてのｉ−Ｓｉ膜５が形成さ
れている。さらに、ｉ−Ｓｉ膜５のゲート長方向の両脇
部分の上には、ソース・ドレインとしてのドープトアモ
ルファスシリコン膜７と、クロム膜８と、ソース・ドレ
イン電極としてのＡｌ−Ｔｉ膜９とが順次積層して形成
されている。そして、ｉ−Ｓｉ膜５の受光部の上方に上
部ゲート絶縁膜１０を介して、ＩＴＯ膜でなる上部ゲー
ト電極１１Ａが形成されている。この上部ゲート電極１
１Ａの上にＡｌ−Ｔｉ膜を陽極酸化してなるレンズ部１
２Ｂが形成されている。
【００１４】本実施例の光電変換装置においては、レン
ズ部１２Ｂが光電変換半導体層であるｉ−Ｓｉ膜５の受
光部の直上に配設されているため、ｉ−Ｓｉ膜５の受光
部に光を集めて入射させる作用を持ち、像を確実にｉ−
Ｓｉ膜５の受光部に結ばせることが可能となる。このた
め、本実施例の光電変換装置を用いれば精度の高い読み
取りを可能にすると共に、ＭＯＳ構造のフォトセンサの
感度を大きく向上させることができる。また、本実施例
によれば、別途ロッドレンズアレイや光ファイバアレイ
等の高価な光学系を組み合わせる必要がなくなり、低廉
でコンパクトな光電変換装置を得ることができる。ま
た、このように光学系を用いないため、大面積のセンサ
面を有する光電変換装置を実現することが可能となる。
ズ部１２Ｂが光電変換半導体層であるｉ−Ｓｉ膜５の受
光部の直上に配設されているため、ｉ−Ｓｉ膜５の受光
部に光を集めて入射させる作用を持ち、像を確実にｉ−
Ｓｉ膜５の受光部に結ばせることが可能となる。このた
め、本実施例の光電変換装置を用いれば精度の高い読み
取りを可能にすると共に、ＭＯＳ構造のフォトセンサの
感度を大きく向上させることができる。また、本実施例
によれば、別途ロッドレンズアレイや光ファイバアレイ
等の高価な光学系を組み合わせる必要がなくなり、低廉
でコンパクトな光電変換装置を得ることができる。ま
た、このように光学系を用いないため、大面積のセンサ
面を有する光電変換装置を実現することが可能となる。
【００１５】以上、実施例について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随す
る各種の設計変更が可能である。例えば、上記実施例で
はＭＯＳ型フォトセンサに本発明を適用したが、光電変
換半導体層を備える、例えばＣＣＤ等のイメージャーに
適用することも勿論可能である。また、上記実施例で
は、メタルとしてＡｌ−Ｔｉ合金を用いたが、この他Ｆ
ｅ系合金などを適用することも可能である。
はこれに限定されるものではなく、構成の要旨に付随す
る各種の設計変更が可能である。例えば、上記実施例で
はＭＯＳ型フォトセンサに本発明を適用したが、光電変
換半導体層を備える、例えばＣＣＤ等のイメージャーに
適用することも勿論可能である。また、上記実施例で
は、メタルとしてＡｌ−Ｔｉ合金を用いたが、この他Ｆ
ｅ系合金などを適用することも可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、光電変換半導体層の上にメタルを陽極酸化
したレンズを形成したため、光電変換半導体層へ光を集
めて入射させることができる。このため、この光電変換
装置をイメージセンサに用いることにより、被検出物か
らの像を光電変換半導体層に確実に結ぶことが可能にな
り、イメージセンサの読み取り精度を向上させる効果を
奏する。また、光電変換半導体層上に形成したメタル膜
を陽極酸化処理するだけでレンズが形成できるため、製
造プロセスが容易となる利点がある。さらに、この発明
によれば、別途光学系を要することがないため、光学系
にしばられることなくセンサ面を大型化できると共に、
装置の奥行き寸法を削減でき、しかも価格の低廉化を達
成する効果がある。
明によれば、光電変換半導体層の上にメタルを陽極酸化
したレンズを形成したため、光電変換半導体層へ光を集
めて入射させることができる。このため、この光電変換
装置をイメージセンサに用いることにより、被検出物か
らの像を光電変換半導体層に確実に結ぶことが可能にな
り、イメージセンサの読み取り精度を向上させる効果を
奏する。また、光電変換半導体層上に形成したメタル膜
を陽極酸化処理するだけでレンズが形成できるため、製
造プロセスが容易となる利点がある。さらに、この発明
によれば、別途光学系を要することがないため、光学系
にしばられることなくセンサ面を大型化できると共に、
装置の奥行き寸法を削減でき、しかも価格の低廉化を達
成する効果がある。
【００１７】
【図１】本発明の実施例の製造工程を示す要部断面図。
【図２】本発明の実施例の製造工程を示す要部断面図。
【図３】本発明の実施例の製造工程を示す要部断面図。
【図４】本発明の実施例の製造工程を示す要部断面図。
【図５】本発明の実施例の製造工程を示す要部断面図。
【図６】本発明の実施例における上部ゲート電極の配線
ライン部分と画素部分とを示す斜視図。
ライン部分と画素部分とを示す斜視図。
【図７】本発明の実施例における上部ゲート電極の配線
ライン部分と画素部分とを示す斜視図。
ライン部分と画素部分とを示す斜視図。
【図８】本発明の実施例に係る光電変換装置の要部断面
図。
図。
５ ｉ−Ｓｉ膜（光電変換半導体層） １０ 上部ゲート絶縁膜 １１ ＩＴＯ膜 １１Ａ 上部ゲート電極 １２、１２Ａ Ａｌ−Ｔｉ膜（メタル膜） １２Ｂ レンズ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 光電変換半導体層の上方にメタルの陽極
酸化膜でなるレンズを形成したことを特徴とする光電変
換装置。 - 【請求項２】 前記メタルはＡｌ−Ｔｉ合金であること
を特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項３】 光電変換半導体層の上方にメタル膜を形
成する工程と、該メタル膜を陽極酸化して該光電変換半
導体層の上方にレンズを形成する工程と、を備えること
を特徴とする光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6259809A JPH08102547A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6259809A JPH08102547A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102547A true JPH08102547A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17339308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6259809A Pending JPH08102547A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 光電変換装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102547A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006004991A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Casio Comput Co Ltd | 撮像装置及び生体高分子分析チップ |
| JP2007086805A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体レンズの製造方法 |
| JP2007108777A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体レンズの製造方法 |
| JP2007108776A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体レンズの製造方法 |
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- 1994-09-30 JP JP6259809A patent/JPH08102547A/ja active Pending
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