JPH01270280A - イメージセンサおよびその製造方法 - Google Patents
イメージセンサおよびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はファクシミリ、ＯＣＲ，イメージスキャナなど
の読取部として用いられる長尺のイメージセンサに関す
るものである。
の読取部として用いられる長尺のイメージセンサに関す
るものである。
従来、この種のイメージセンサとしては非晶質シリコン
窒化膜、非晶質シリコン膜の積層（例えば信学技報ＥＤ
８６−８６）、あるいは成膜条件の異なる非晶質シリコ
ンを積層したもの（特公昭６１−８８５５９号公報）な
どがある。
窒化膜、非晶質シリコン膜の積層（例えば信学技報ＥＤ
８６−８６）、あるいは成膜条件の異なる非晶質シリコ
ンを積層したもの（特公昭６１−８８５５９号公報）な
どがある。
また、この種のイメージセンサの製造方法としては基板
上に非晶質シリコンを堆積する際先ず大きな放電電力で
堆積を行い、次に放電電力を徐々に減少させながら、堆
積を継続する方法（例えば特公昭６１−８５８５９号公
報）あるいは、非晶質シリコン窒化膜、非晶質シリコン
の順に積層する方法（信学技報ＥＤ８６−８６）などが
ある。
上に非晶質シリコンを堆積する際先ず大きな放電電力で
堆積を行い、次に放電電力を徐々に減少させながら、堆
積を継続する方法（例えば特公昭６１−８５８５９号公
報）あるいは、非晶質シリコン窒化膜、非晶質シリコン
の順に積層する方法（信学技報ＥＤ８６−８６）などが
ある。
第４図を参照して従来のイメージセンサの一例を説明す
ると、ガラス基板２１上に非晶質シリコン窒化膜２２．
非晶質シリコン膜２３．リンドープ非晶質シリコン２４
をプラズマＣＶＤで、クロム２５をスパッタで、順に積
層する。
ると、ガラス基板２１上に非晶質シリコン窒化膜２２．
非晶質シリコン膜２３．リンドープ非晶質シリコン２４
をプラズマＣＶＤで、クロム２５をスパッタで、順に積
層する。
次にフォトリソグラフィー、エツチングの工程を経てリ
ンドープ非晶質シリコン２４と凹凸形状で且つ対抗させ
て互いに入り組ませて配置するクロム２５とをパターン
化して電極とする。
ンドープ非晶質シリコン２４と凹凸形状で且つ対抗させ
て互いに入り組ませて配置するクロム２５とをパターン
化して電極とする。
従来のイメージセンサは、光信号が小さい、あるいは受
光部の非晶質シリコンが露出しているため耐環境性、信
頼性に劣るなどの欠点があった。
光部の非晶質シリコンが露出しているため耐環境性、信
頼性に劣るなどの欠点があった。
本発明のイメージセンサは絶縁基板上に第１の非晶質シ
リコン窒化膜、非晶質シリコン膜、第２の非晶質シリコ
ン窒化膜をこの順に積層させた受光部と、非晶質シリコ
ン膜にオーミック接触となるように接続させた電極とを
有している。
リコン窒化膜、非晶質シリコン膜、第２の非晶質シリコ
ン窒化膜をこの順に積層させた受光部と、非晶質シリコ
ン膜にオーミック接触となるように接続させた電極とを
有している。
また、本発明のイメージセンサの製造方法は、絶縁基板
上に、プラズマＣＶＤにより第１の非晶質シリコン窒化
膜、非晶質シリコン、第２の非晶質シリコン窒化膜をこ
の順に真空を破らずに連続的に成膜する工程と、非晶質
シリコンにオーミック接触する電極を設ける工程とを有
している。
上に、プラズマＣＶＤにより第１の非晶質シリコン窒化
膜、非晶質シリコン、第２の非晶質シリコン窒化膜をこ
の順に真空を破らずに連続的に成膜する工程と、非晶質
シリコンにオーミック接触する電極を設ける工程とを有
している。
本発明のイメージセンサでは非晶質シリコン窒化膜、非
晶質シリコン、非晶質シリコン窒化膜の三層構造となっ
ている。ガラス基板側の第１の非晶質シリコン窒化膜は
ガラス基板と非晶質シリコンとの密着性を向上させるた
め、あるいはイメージセンサ素子の出力を均一化するた
めに用いられている。
晶質シリコン、非晶質シリコン窒化膜の三層構造となっ
ている。ガラス基板側の第１の非晶質シリコン窒化膜は
ガラス基板と非晶質シリコンとの密着性を向上させるた
め、あるいはイメージセンサ素子の出力を均一化するた
めに用いられている。
ところで非晶質シリコン窒化膜と非晶質シリコンとの積
層構造をとると光出力が増加する。したがって、非晶質
シリコン窒化膜、非晶質シリコン、非晶質シリコン窒化
膜の三層構造とすることにより非晶質シリコン窒化膜と
非晶質シリコンの界面が二つできることになり光信号が
増加し、光信号が小さいという問題点が解決できる。ま
た、本発明のイメージセンサでは電極部以外の非晶質シ
リコンが第２の非晶質シリコン窒化膜で覆われているた
め、この第２の非晶質シリコン窒化膜がパッシベーショ
ン膜も兼ね、耐環境性、信頼性の改善がはかれる。
層構造をとると光出力が増加する。したがって、非晶質
シリコン窒化膜、非晶質シリコン、非晶質シリコン窒化
膜の三層構造とすることにより非晶質シリコン窒化膜と
非晶質シリコンの界面が二つできることになり光信号が
増加し、光信号が小さいという問題点が解決できる。ま
た、本発明のイメージセンサでは電極部以外の非晶質シ
リコンが第２の非晶質シリコン窒化膜で覆われているた
め、この第２の非晶質シリコン窒化膜がパッシベーショ
ン膜も兼ね、耐環境性、信頼性の改善がはかれる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
Ａ−Ａ’線線断断面図ある。ガラス基板１上に第１の非
晶質シリコン２をＳｉＨ４とＮＨ３を用いて、非晶質シ
リコン３をＳｉＨ４を用いて、また第２の非晶質シリコ
ン窒化膜４をＳｉＨ＋とＮ Ｈ３を用いてそれぞれプラ
ズマＣＶＤ法で真空を破らずに連続的に成膜した。
Ａ−Ａ’線線断断面図ある。ガラス基板１上に第１の非
晶質シリコン２をＳｉＨ４とＮＨ３を用いて、非晶質シ
リコン３をＳｉＨ４を用いて、また第２の非晶質シリコ
ン窒化膜４をＳｉＨ＋とＮ Ｈ３を用いてそれぞれプラ
ズマＣＶＤ法で真空を破らずに連続的に成膜した。
膜厚はそれぞれ７００人、１０，０００人、７００人で
ある。次にＮ、Ｎとなるべき部分の非晶質シリコン窒化
膜４をＣＦ ４と０２を用いたドライエツチングで除去
した。そしてオーミック接触を形成するためのりンドー
プ非晶質シリコン５をＳｉＨ＜とＰＨ３を用いてプラズ
マＣＶＤ法で５００ｎｍ、クロム６をスパッタ法で３０
００人基板全面に被着した。その後リンドープ非晶質シ
リコン５とクロム６を第１図の如き電極形状にエツチン
グした。
ある。次にＮ、Ｎとなるべき部分の非晶質シリコン窒化
膜４をＣＦ ４と０２を用いたドライエツチングで除去
した。そしてオーミック接触を形成するためのりンドー
プ非晶質シリコン５をＳｉＨ＜とＰＨ３を用いてプラズ
マＣＶＤ法で５００ｎｍ、クロム６をスパッタ法で３０
００人基板全面に被着した。その後リンドープ非晶質シ
リコン５とクロム６を第１図の如き電極形状にエツチン
グした。
さらにマトリクス駆動用の多層配線を形成してイメージ
センサデバイスを作成した。
センサデバイスを作成した。
非晶質シリコン窒化膜２，４と非晶質シリコン膜３を真
空を破らず連続的に成膜すると大気に曝した場合に比べ
て約１０倍の光信号が得られた。
空を破らず連続的に成膜すると大気に曝した場合に比べ
て約１０倍の光信号が得られた。
また、本発明のように第１の非晶質シリコン窒化膜２．
非晶質シリコン膜３．第２の非晶質シリコン窒化膜４の
三層を真空を破らず連続的に成膜することにより第１．
第２の非晶質シリコン窒化膜２．４と非晶質シリコン膜
３の成膜の間にそれぞれ大気に曝す場合に比べて約２０
倍の光信号が得られた。
非晶質シリコン膜３．第２の非晶質シリコン窒化膜４の
三層を真空を破らず連続的に成膜することにより第１．
第２の非晶質シリコン窒化膜２．４と非晶質シリコン膜
３の成膜の間にそれぞれ大気に曝す場合に比べて約２０
倍の光信号が得られた。
また、本発明によれば電極部以外の非晶質シリコンが第
２の非晶質シリコン窒化膜で覆われているため、非晶質
シリコン３上の水分の吸着による特性の劣化を防止でき
、耐環境性の改善をはかることができた。
２の非晶質シリコン窒化膜で覆われているため、非晶質
シリコン３上の水分の吸着による特性の劣化を防止でき
、耐環境性の改善をはかることができた。
また、非晶質シリコン窒化膜の屈折率をｎ、膜厚をｄ、
入射光の波長をλとすると、ｎｄ＝λ／４×ｍ （ｍは
整数）の関係が成立するとき反射が最低となる。したが
って光入射側の非晶質シリコン窒化膜４の膜厚を適当に
選ぶことにより反射防止膜としての機能をもたせること
ができた。本発明では非晶質シリコン窒化膜の屈折率が
２．０であるので非晶質シリコン窒化膜の厚さが７００
人のとき、ファクシミリ用の光源として用いられるピー
ク波長５７０ｎｍのＬＥＤに対して反射率が最小となっ
た。
入射光の波長をλとすると、ｎｄ＝λ／４×ｍ （ｍは
整数）の関係が成立するとき反射が最低となる。したが
って光入射側の非晶質シリコン窒化膜４の膜厚を適当に
選ぶことにより反射防止膜としての機能をもたせること
ができた。本発明では非晶質シリコン窒化膜の屈折率が
２．０であるので非晶質シリコン窒化膜の厚さが７００
人のとき、ファクシミリ用の光源として用いられるピー
ク波長５７０ｎｍのＬＥＤに対して反射率が最小となっ
た。
第３図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
ガラス基板１上に第１の非晶質シリコン窒化膜２、非晶
質シリコン膜３．第２の非晶質シリコン窒化膜４をこの
順に積層し、これをストライプ状にパターン化した。こ
の時、段差切れ、コンタクト不良などを防ぐため、端面
を垂直か、望ましくはテーパー形状にエツチングする必
要がある。次にオーミック接触を形成するためのりンド
ープ非晶質シリコン５．クロム６を全面に被着し、前記
リンドープ非晶質シリコン５とクロム６をフォトリソグ
ラフィーにより電極形状にパターン化した。
質シリコン膜３．第２の非晶質シリコン窒化膜４をこの
順に積層し、これをストライプ状にパターン化した。こ
の時、段差切れ、コンタクト不良などを防ぐため、端面
を垂直か、望ましくはテーパー形状にエツチングする必
要がある。次にオーミック接触を形成するためのりンド
ープ非晶質シリコン５．クロム６を全面に被着し、前記
リンドープ非晶質シリコン５とクロム６をフォトリソグ
ラフィーにより電極形状にパターン化した。
この後、マトリクス駆動のための多層配線を形成する工
程を経て、イメージセンサデバイスを作成した。
程を経て、イメージセンサデバイスを作成した。
本実施例の場合にも、前記実施例の場合と同様に、従来
の方法に比べて約１桁大きい光信号が得られた。
の方法に比べて約１桁大きい光信号が得られた。
なお、電極６として前述のクロムの他にチタン、アルミ
ニウム、モリブデン、あるいは前記金属と金の二層電極
を用いても同様な効果が得られる。
ニウム、モリブデン、あるいは前記金属と金の二層電極
を用いても同様な効果が得られる。
以上説明したように本発明のイメージセンサは、第１の
非晶質シリコン窒化膜、非晶質シリコン。
非晶質シリコン窒化膜、非晶質シリコン。
第２の非晶質シリコン窒化膜の積層構造となっているた
め、大きな光信号が得られる効果がある。
め、大きな光信号が得られる効果がある。
また、電極部以外の非晶質シリコンが第２の非晶質シリ
コン窒化膜により被覆されているため高い信頼性が得ら
れる効果がある。また光入射側の非晶質シリコン窒化膜
の膜厚を適当に選ぶことにより反射防止膜の機能をもた
せることもできる。
コン窒化膜により被覆されているため高い信頼性が得ら
れる効果がある。また光入射側の非晶質シリコン窒化膜
の膜厚を適当に選ぶことにより反射防止膜の機能をもた
せることもできる。
更に、本発明の製造方法によれば、イメージセンサは第
１の非晶質シリコン窒化膜、非晶質シリコン、第２の非
晶質シリコン窒化膜をプラズマＣＶＤで真空を破らずに
連続成膜するため、大きな光信号が得られる効果がある
。
１の非晶質シリコン窒化膜、非晶質シリコン、第２の非
晶質シリコン窒化膜をプラズマＣＶＤで真空を破らずに
連続成膜するため、大きな光信号が得られる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるイメージセンサの平面
図、第２図は第１図のＡ−Ａ’での断面図、第３図は本
発明の他の実施例の縦断面図、第４図は従来のイメージ
センサの縦断面図である。 １．２１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・第１
の非晶質シリコン窒化膜、３，２３・・・・・・非晶質
シリコン膜、４・・・・・・第２の非晶質シリコン窒化
膜、５，２４・・・・・・りンドープ非晶質シリコン、
６．２５・・・・・・クロム、２２・・・・・・非晶質
シリコン窒化膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ａ′ 第１図 第２図
図、第２図は第１図のＡ−Ａ’での断面図、第３図は本
発明の他の実施例の縦断面図、第４図は従来のイメージ
センサの縦断面図である。 １．２１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・第１
の非晶質シリコン窒化膜、３，２３・・・・・・非晶質
シリコン膜、４・・・・・・第２の非晶質シリコン窒化
膜、５，２４・・・・・・りンドープ非晶質シリコン、
６．２５・・・・・・クロム、２２・・・・・・非晶質
シリコン窒化膜。 代理人 弁理士 内 原 晋 Ａ′ 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板上に第１の非晶質シリコン窒化膜と非晶質
シリコン膜と第２の非晶質シリコン窒化膜とをこの順に
積層させた受光部と、前記非晶質シリコン膜の２カ所に
オーミック接触となるように接続させた電極とを有する
ことを特徴とするイメージセンサ。 ２、前記第１、第２の非晶質シリコン窒化膜の内光入射
側のものが入射光に対する反射率が最低となるような膜
厚であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イメージセンサ。 ３、絶縁基板上にプラズマＣＶＤにより第１の非晶質シ
リコン窒化膜、非晶質シリコン、第２の非晶質シリコン
窒化膜をこの順に真空を破らずに連続的に成膜する工程
と、前記非晶質シリコンの２カ所にオーミック接触する
電極を設ける工程とを有することを特徴とするイメージ
センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098707A JP2730047B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098707A JP2730047B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270280A true JPH01270280A (ja) | 1989-10-27 |
| JP2730047B2 JP2730047B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=14226983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098707A Expired - Lifetime JP2730047B2 (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | イメージセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2730047B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747388A (en) * | 1992-09-18 | 1998-05-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Antireflection layer and process for lithographically structuring a layer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693380A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of photoelectric conversion device |
| JPS58140153A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学読取りセンサの製造方法 |
| JPS631077A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出装置 |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP63098707A patent/JP2730047B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693380A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of photoelectric conversion device |
| JPS58140153A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光学読取りセンサの製造方法 |
| JPS631077A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747388A (en) * | 1992-09-18 | 1998-05-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Antireflection layer and process for lithographically structuring a layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2730047B2 (ja) | 1998-03-25 |
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