CN111668234A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括基板、薄膜晶体管层、反射层和迷你发光二极管，薄膜晶体管层设置于基板上，反射层设置于薄膜晶体管层上，反射层由两种不同折射率的材料交替层叠设置形成，反射层具有通孔，通孔暴露薄膜晶体管层，迷你发光二极管设置于通孔中以电连接薄膜晶体管层。在本申请中，反射层采用两种不同折射率的材料形成，将反射层与迷你发光二极管结合，提高了光的利用率，并降低了功耗，进而提高了显示面板的性能。
Description
技术领域
本申请及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
在现有技术中，作为液晶显示器的背光，为提高发光二极管的光利用率，通常采用将反射膜贴在发光二极管基板上，使其将发光二极管出射的光及其上方扩散膜反射回来的光重新反射到液晶显示器中，但，贴附的反射膜的厚度比较厚，使得发光二极管的光利用率降低，进而成本增高，并影响显示面板的性能；且反射膜的制备工艺与常规晶体管制程不兼容，造成成本增加，且产品的生产周期长。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法，以提高显示面板的性能。
本申请提供一种显示面板，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置于所述基板上；
反射层，所述反射层由若干第一分层和若干第二分层依次交替层叠设置于所述薄膜晶体管层上形成，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成，所述反射层具有通孔，所述通孔暴露所述薄膜晶体管层；以及
迷你发光二极管，所述迷你发光二极管设置于所述通孔中，所述迷你发光二极管与所述薄膜晶体管层电连接。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一种折射率材料的折射率大于所述第二种折射率材料的折射率。
在本申请所提供的显示面板中，若干所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，若干所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合，所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
本申请提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上依次交替层叠设置若干第一分层和若干第二分层形成反射层，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成若干，所述第二分层由第二种折射率材料形成；
对所述反射层进行蚀刻形成通孔，所述通孔暴露所述薄膜晶体管层；
将迷你发光二极管设置于所述通孔中，所述迷你发光二极管与所述薄膜晶体管层电连接。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述第一种折射率材料的折射率大于所述第二种折射率材料的折射率。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，若干所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，若干所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合，所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、薄膜晶体管层、反射层和迷你发光二极管，所述薄膜晶体管层设置于所述基板上，所述反射层设置于所述薄膜晶体管层上，所述反射层由两种不同折射率的材料交替层叠设置形成，所述反射层具有通孔，所述通孔暴露所述薄膜晶体管层，所述迷你发光二极管设置于所述通孔中以电连接所述薄膜晶体管层。在本申请中，反射层采用两种不同的折射率的材料交替层叠设置形成，将反射层与迷你发光二极管结合，提高了迷你发光二极管背光的亮度，进而提高了光的利用率，并降低了功率消耗，进而提高了显示面板的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的显示面板的结构剖视图。
图2为本申请所提供的薄膜晶体管的结构剖视图
图3为本申请提供的反射层的结构剖视图。
图4为本申请提供的反射层的反射率曲线示意图。
图5为本申请提供的显示面板的制备方法的流程剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种显示面板。请参阅图1，图1为本申请所提供的显示面板的剖视图。所述显示面板10包括基板100、薄膜晶体管层200、反射层300、和迷你发光二极管400。
所述基板100可以为玻璃基板。
请参阅图2，图2为本申请所提供的薄膜晶体管的结构剖视图。所述薄膜晶体管层200设置于所述基板100上。所述薄膜晶体管层200覆盖所述基板100。所述薄膜晶体管层200包括薄膜晶体管210。所述薄膜晶体管210包括栅极201、第一保护层202、栅极绝缘203、有源层204、源极205、漏极206和第二保护层207。所述第一保护层202覆盖所述栅极201。所述栅极201的材料包括Mo、Al、Ti、In和Ga中的一种或几种组合。所述栅极绝缘层203设置于所述第一保护层202上。所述栅极绝缘层203的材料包括Al2O3、SiOx和SiNX中的一种或几种组合。所述有源层设204置于所述栅极绝缘层203上。所述有源层204的材料包括非晶硅。所述源极205设置于所述栅极绝缘层203的一端及所述有源层204的一端。所述漏极206设置于所述栅极绝缘层203的另一端及所述有源层204的另一端。所述源极205与所述漏极206相互绝缘。所述第二保护层207覆盖所述源极205、所述漏极206及所述栅极绝缘层203。所述第二保护层207用于保护所述薄膜晶体管层200的结构，避免其他结构或水氧对所述薄膜晶体管层200的影响。所述薄膜晶体管210除图2中所示出的结构外，还包括其他结构，此处不一一列出。
请参阅图3，图3为本申请提供的反射层的结构剖视图。在所述薄膜晶体管层200上设置有反射层300。所述反射层300覆盖所述薄膜晶体管层200。所述反射层300为分布式布拉格反射层。所述分布式布拉格反射层是当光经过不同的介质时在界面的地方会反射的反射层。所述反射层300由两种不同折射率的材料依次交替层叠形成若干第一分层301及若干第二分层302。在本实施例中，所述反射层300具有8层分层，即由两种不同折射率的材料交替层叠形成共8层分层。后续的6层分层、10层分层和16分层亦如此，具体地，在所述薄膜晶体管层200上依次层叠设置第一分层301、第二分层302、第三分层303、第四分层304、第五分层305、第六分层306、第七分层307和第八分层308。所述第一分层301、所述第三分层303、所述第五分层305和所述第七分层307由第一种折射率材料形成。所述第二分层302、所述第四分层304、所述第六分层306和所述第八分层308由第二种折射率材料形成。所述第一种折射率材料的折射率大于所述第二种折射率材料的折射率。所述反射层300具有通孔390。所述通孔390暴露所述薄膜晶体管层200。
在另一实施例中，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2。所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
在另一实施例中，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合。所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
在另一实施例中，若干所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米。若干所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
请参阅图4，图4为本申请提供的反射层的反射率曲线示意图。反射层因由两种不同的折射率材料交替层叠形成，当光线经过反射层300时，将会对光线进行反射，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，得到强烈的反射光，提高了迷你发光二极管的光利用率，并降低功率的消耗，进而提高了显示面板的性能。当反射层300的分层层数不同时，反射层300对光线的反射率不同，6层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率为75％及75％以上；8层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率达到85％及85％以上；10层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率达到90％及90％以上；16层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率达到97％及97％以上。
在本申请中，所述反射层对蓝光反射率高，可作为蓝光的反射镜，与量子点结合形成高色域的量子点显示器。
所述通孔390设置有迷你发光二极管400以电连接所述薄膜晶体管层200。
所述迷你发光二极管400可以为蓝光迷你发光二极管。所述迷你发光二极管400的底部设置有一金属膏层500。将带有所述金属膏层500的迷你发光二极管400设置于所述通孔390中。所述金属膏层500的材料包括Sn、In、Bi、Cu、Al和Mo中的一种或几种组合。在本实施例中，所述金属膏层500为锡膏层。
在本申请中，将迷你发光二极管设置于金属膏层上，因金属膏层具有流动性和粘附性的特性，之后固化金属膏层，进而将迷你发光二极管固定于金属膏层上，进而将所述迷你发光二极管固定于所述薄膜晶体管层上，避免迷你发光二极管在制备或使用的过程中丢失，影响了显示面板的性能。
本申请提供一种显示面板，在所述显示面板中，将所述反射层与所述迷你发光二极管结合，因所述反射层的结构设置成由两种不同折射率材料交替层叠形成，当光线经过反射层时，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，得到强烈的反射光，提高了光的反射率，进而提高了迷你发光二极管的光利用率，降低了功率消耗，进而提高了显示面板的性能，并降低了显示面板的制备成本，且，所述反射层对蓝光反射率高，可作为蓝光的反射镜，与量子点结合形成高色域的量子点显示器，
请参阅图5，图5为本申请提供的显示面板的制备方法的流程剖视图。本申请还提供一种显示面板10的制备方法，包括：
11、在所述基板100上形成薄膜晶体管层200。
提供一基板100。所述基板100可以为玻璃基板。在所述基板100上形成薄膜晶体管层200。所述薄膜晶体管层200包括薄膜晶体管210，所述薄膜晶体管210包括栅极201、第一保护层202、栅极绝缘203、有源层204、源极205、漏极206和第二保护层207。所述第一保护层202覆盖所述栅极201。所述栅极201的材料包括Mo、Al、Ti、In和Ga中的一种或几种组合。所述栅极绝缘层203设置于所述第一保护层202上。所述栅极绝缘层203的材料包括Al2O3、SiOx和SiNX中的一种或几种组合。所述有源层204设置于所述栅极绝缘层203上。所述有源层204的材料包括非晶硅。所述源极205设置于所述栅极绝缘层203的一端及所述有源层204的一端。所述漏极206设置于所述栅极绝缘层203的另一端及所述有源层204的另一端。所述源极205与所述漏极206相互绝缘。所述第二保护层207覆盖所述源极205、所述漏极206及所述栅极绝缘层203。所述第二保护层207用于保护所述薄膜晶体管层200的结构，避免其他结构或水氧对所述薄膜晶体管层200的影响。所述薄膜晶体管210除图2中所示出的结构外，还包括其他结构，此处不一一列出。
12、在所述薄膜晶体管层200上依次交替层叠设置若干第一分层301和若干第二分层302形成反射层300。
在所述薄膜晶体管层200上交替层叠沉积第一种折射率材料和第二种折射率材料，形成多层分层的反射层300。所述反射层300的层数不限制。在本实施例中，所述反射层300的分层为8层。即，由两种不同折射率的材料交替层叠形成共8层分层的反射层。所述反射层300包括第一分层301、第二分层302、第三分层303、第四分层304、第五分层305、第六分层306、第七分层307和第八分层308。所述第一分层301、所述第三分层303、所述第五分层305和所述第七分层307由所述第一种折射率材料形成。所述第一分层301、所述第三分层303、所述第五分层305和所述第七分层307的厚度为55纳米-65纳米。所述第二分层302、所述第四分层304、所述第六分层306和所述第八分层308由第二种折射率材料形成。所述第二分层302、所述第四分层304、所述第六分层306和所述第八分层308的厚度为65纳米-85纳米。所述第一种折射率材料的折射率大于所述第一种折射率材料的折射率。
在另一实施例中，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2。所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
在另一实施例中，在另一实施例中，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合。所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
13、对所述反射层300进行蚀刻形成通孔390。
对所述反射层进行干法蚀刻或湿法蚀刻形成通孔390。所述蚀刻方法不限制，可根据具体需求采用相应的蚀刻方法。所述通孔390贯穿所述反射层300以暴露所述薄膜晶体管层200。
14、将所述迷你发光二极管400设置于所述通孔390中。
所述迷你发光二极管400可以为蓝光发光二极管。所述迷你发光二极管400与所述薄膜晶体管层200电连接。所述迷你发光二极管400的底部设置有一金属膏层500。将带有所述金属膏层500的迷你发光二极管400设置于所述通孔390中。所述金属膏层500的材料包括Sn、In、Bi、Cu、Al和Mo中的一种或几种组合。在本实施例中，所述金属膏层500为锡膏层。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，在所述显示面板的制备方法中，所述反射层的结构采用两种不同的折射率材料依次交替层叠设置于所述薄膜晶体管层，在本申请中，所述反射层结构简单，与薄膜晶体管层制程兼容性较好，成本低，易制备，进而提高了显示面板的制备效率，并降低了显示面板的制备成本。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置于所述基板上；
反射层，所述反射层由若干第一分层和若干第二分层依次交替层叠设置于所述薄膜晶体管层上形成，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成，所述反射层具有通孔，所述通孔暴露所述薄膜晶体管层；以及
迷你发光二极管，所述迷你发光二极管设置于所述通孔中，所述迷你发光二极管与所述薄膜晶体管层电连接。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一种折射率材料的折射率大于所述第二种折射率材料的折射率。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，若干所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，若干所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合，所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上依次交替层叠设置若干第一分层和若干第二分层形成反射层，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成；
对所述反射层进行蚀刻形成通孔，所述通孔暴露所述薄膜晶体管层；
将迷你发光二极管设置于所述通孔中，所述迷你发光二极管与所述薄膜晶体管层电连接。
7.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一种折射率材料的折射率大于所述第二种折射率材料的折射率。
8.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，若干所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，若干所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
9.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
10.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合，所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
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