CN111668233A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111668233A
CN111668233A CN202010511266.8A CN202010511266A CN111668233A CN 111668233 A CN111668233 A CN 111668233A CN 202010511266 A CN202010511266 A CN 202010511266A CN 111668233 A CN111668233 A CN 111668233A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
refractive index
film transistor
hole
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010511266.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111668233B (zh
Inventor
张鑫
冼志科
李吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202010511266.8A priority Critical patent/CN111668233B/zh
Priority to US17/045,495 priority patent/US11430920B2/en
Priority to PCT/CN2020/101815 priority patent/WO2021248617A1/zh
Publication of CN111668233A publication Critical patent/CN111668233A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111668233B publication Critical patent/CN111668233B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括基板、薄膜晶体管层、反射层、附加层和迷你发光二极管，薄膜晶体管层设置于基板上，反射层设置于薄膜晶体管层上，反射层由两种不同折射率的材料交替层叠设置形成，反射层具有第一通孔，第一通孔暴露薄膜晶体管层，附加层设置于反射层上，附加层具有第二通孔，第一通孔与第二通孔贯通以暴露薄膜晶体管层，附加层包括微粒，迷你发光二极管设置于第一通孔和第二通孔中以电连接薄膜晶体管层。在本申请中，在反射层上设置附加层，提高了光的利用率，并提高了光线的均匀性，进而提高了显示面板的性能。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
在现有技术中，为提高发光二极管的光利用率，通常采用将反射膜贴在发光二极管基板，使其将发光二极管出射的光及其上方扩散膜反射回来的光重新反射到液晶显示器中，但，贴附的反射膜的厚度比较厚，影响显示面板的性能，且成本高，不利于减小产品的周期；且反射膜的制备与常规薄膜晶体管制程不兼容，进而生产成本增高。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法，以提高显示面板的性能。
本申请提供一种显示面板，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置于所述基板上；
反射层，所述反射层设置于所述薄膜晶体管层上，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，若干所述第一分层和若干所述第二分层依次层叠设置，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成，所述反射层具有第一通孔，所述第一通孔暴露所述薄膜晶体管层；
附加层，所述附加层设置于所述反射层上，所述附加层具有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔贯通以暴露所述薄膜晶体管层，所述附加层包括微粒；以及
迷你发光二极管，所述迷你发光二极管设置于所述第一通孔和所述第二通孔中以电连接所述薄膜晶体管层。
在本申请所提供的显示面板中，所述微粒包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、SiO2和TiO2中的一种或几种组合。
在本申请所提供的显示面板中，所述微粒的直径为5微米-30微米。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一种折射率材料的折射率材料大于所述第二种折射率材料的折射率材料，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
本申请提供一种显示面板的制备方法，包括：
基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上依次交替层叠设置若干第一分层和若干第二分层形成反射层，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成；
在所述反射层上形成附加层，所述附加层包括微粒；
对所述反射层和所述附加层进行蚀刻形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔贯通以暴露所述薄膜晶体管层；以及
在所述第一通孔和所述第二通孔中设置迷你发光二极管以电连接所述薄膜晶体管层。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述微粒包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、SiO2和TiO2中的一种或几种组合。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述微粒的直径为5微米-30微米。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
在本申请所提供显示面板的制备方法中，所述第一种折射率材料的折射率材料大于所述第二种折射率材料的折射率材料，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，显示面板包括基板、薄膜晶体管层、反射层、附加层和迷你发光二极管，薄膜晶体管层设置于基板上，反射层设置于薄膜晶体管层上，反射层由两种不同折射率的材料交替层叠设置形成，反射层具有第一通孔，第一通孔暴露薄膜晶体管层，附加层设置于反射层上，附加层具有第二通孔，第一通孔与第二通孔贯通以暴露薄膜晶体管层，附加层包括微粒，迷你发光二极管设置于第一通孔和第二通孔中以电连接薄膜晶体管层。在本申请中，通过交替层叠设置不同折射率的材料形成反射层，再通过在反射层上设置附加层，提高了光的利用率，并提高了光线的均匀性，进而提高了显示面板的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的显示面板的结构剖视图。
图2为本申请所提供的薄膜晶体管的结构剖视图
图3为本申请提供的反射层的结构剖视图。
图4为本申请提供的反射层的反射率曲线示意图。
图5为本申请提供的反射层和附加层的第一种结构剖视图。
图6为本申请提供的反射层和附加层的第二种结构剖视图。
图7为本申请提供的显示面板的制备方法的流程剖视图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种显示面板。请参阅图1，图1为本申请所提供的显示面板的剖视图。所述显示面板10包括基板100、薄膜晶体管层200、反射层300、附加层400和迷你发光二极管500。
所述基板100可以为玻璃基板。
请参阅图2，图2为本申请所提供的薄膜晶体管的结构剖视图。所述薄膜晶体管层200设置于所述基板100上。所述薄膜晶体管层200覆盖所述基板100。所述薄膜晶体管层200包括薄膜晶体管210。所述薄膜晶体管210包括栅极201、第一保护层202、栅极绝缘203、有源层204、源极205、漏极206和第二保护层207。所述第一保护层202覆盖所述栅极201。所述栅极201的材料包括Mo、Al、Ti、In和Ga中的一种或几种组合。所述栅极绝缘层203设置于所述第一保护层202上。所述栅极绝缘层203的材料包括Al2O3、SiOx和SiNX中的一种或几种组合。所述有源层设204置于所述栅极绝缘层203上。所述有源层204的材料包括非晶硅。所述源极205设置于所述栅极绝缘层203的一端及所述有源层204的一端。所述漏极206设置于所述栅极绝缘层203的另一端及所述有源层204的另一端。所述源极205与所述漏极206相互绝缘。所述第二保护层207覆盖所述源极205、所述漏极206及所述栅极绝缘层203。所述第二保护层207用于保护所述薄膜晶体管210中的结构，避免其他结构或水氧对所述薄膜晶体管210的影响。所述薄膜晶体管210除图2中所示出的结构外，还包括其他结构，此处不一一列出。
请参阅图3，图3为本申请提供的反射层的结构剖视图。在所述薄膜晶体管层200上设置有反射层300。所述反射层300为分布式布拉格反射层。所述分布式布拉格反射层是一种当光经过不同介质时在界面的地方进行反射的结构。所述反射层300包括若干第一分层301和若干第二分层302。若干所述第一分层301和若干所述第二分层302依次交替层叠设置。所述第一分层301由第一种折射率材料形成。所述第二分层302由第二种折射率材料形成。所述第一种折射率材料的折射率大于所述第二种折射率材料的折射率。所述反射层300具有第一通孔390。所述第一通孔390暴露所述薄膜晶体管层200。
在另一实施例中，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2。所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
在另一实施例中，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合。所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
在另一实施例中，所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米。所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
请参阅图4，图4为本申请提供的反射层的反射率曲线示意图。反射层因由两种不同的折射率材料交替层叠形成，光线经过反射层300时，将会对光线进行反射，由于各层膜厚满足四分之一波长，各个界面的反射光相互干涉增强，从而提高反射率，提高了迷你发光二极管的光利用率，并降低功率的消耗，进而提高了显示面板的性能。当反射层300的分层层数不同时，反射层300对光线的反射率不同，6层分层的反射层结构，即由两种不同折射率的材料交替层叠形成共6层分层。后续的8层分层、10层分层和16层分层亦如此，在波长440纳米-490纳米处的反射率为75％及75％以上；8层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率达到85％及85％以上；10层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率达到90％及90％以上；16层分层的反射层结构，在波长440纳米-490纳米处的反射率达到97％及97％以上。
在本申请中，所述反射层结构蓝光反射率高，可作为蓝光的反射镜，与量子点结合形成高色域的量子点显示器。
请参阅图5和图6，图5为本申请提供的反射层和附加层的第一种结构剖视图。图6为本申请提供的反射层和附加层的第二种结构剖视图。在所述反射层300上设置附加层400。所述附加层400覆盖所述反射层300。所述附加层400包括微粒。所述微粒的直径为5微米-30微米。所述微粒包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、SiO2和TiO2中的一种或几种组合。所述微粒的形状包括规则的几何图形和不规则的几何图形中的一种或几种组合。规则的几何图形如三角形、正方形、矩形、菱形、平行四边形和圆形等。所述附加层400具有第二通孔401。所述第一通孔390与所述第二通孔401贯通以暴露所述薄膜晶体管层200。
在本申请中，将反射层结构与附加层结合，当光线经过反射层时，光线经过反射层的反射后，光线到达附加层，光线经过附加层的反射、折射和散射的作用，解决了反射层结构镜面反射的问题，提高了光的均匀性，进而提高了显示面板的性能。
在所述第一通孔390和所述第二通孔401中设置有所述迷你发光二极管500以电连接所述薄膜晶体管层200。
所述迷你发光二极管500可以为蓝光迷你发光二极管。
在另一实施例中，所述迷你发光二极管500的底部设置有一金属膏层600。所述金属膏层600的材料包括Sn、In、Bi、Cu、Al和Mo中的一种或几种组合。在本实施例中，所述金属膏层为锡膏层。所述金属膏层具有粘附性和流动性，利用所述金属膏层600具有的流动性和粘附性，将所述迷你发光二极管500设置于所述金属膏层600上，之后固化所述金属膏层600，进而将所述迷你发光二极管500固定于金属膏层600上，进而使得所述迷你发光二极管500固定于所述薄膜晶体管层200上。将设置有所述金属膏层600的迷你发光二极管500设置于所述第一通孔390和所述第二通孔401中。所述迷你发光二极管500与所述薄膜晶体管层200电连接。
在本申请中，在迷你发光二极管设置于金属膏层上，利用金属膏层的流动性和粘附性，之后固化金属膏层，进而将所述迷你发光二极管固定于所述薄膜晶体管层上，避免迷你发光二极管在制备或使用的过程中丢失，影响了显示面板的性能。
本申请提供一种显示面板，在所述显示面板中，将所述反射层与所述附加层结合，所述反射层的结构设置成由两种不同折射率材料形成，当光线经过反射层时，由于各层反射回来的光因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，得到强烈的反射光，然后，反射光经过附加层，通过附加层的反射、散射和折射作用，使得光均匀的落在显示面板中，提高了光的均匀性，并提高了光的反射率，进而提高了迷你发光二极管的发光效率和光利用率，并降低了功耗，进而提高了显示面板的性能，并降低了显示面板的制备成本，且，所述反射层蓝光反射率高，可作为蓝光的反射镜，与量子点结合形成高色域的量子点显示器，
请参阅图7，图7为本申请提供的显示面板的制备方法的流程剖视图。本申请还提供一种显示面板10的制备方法，包括：
11、在所述基板100上形成薄膜晶体管层200。
提供一基板100。所述基板100可以为玻璃基板。在所述基板100上形成薄膜晶体管层200。所述薄膜晶体管层200包括薄膜晶体管210，所述薄膜晶体管210包括栅极201、第一保护层202、栅极绝缘203、有源层204、源极205、漏极206和第二保护层207。所述第一保护层202覆盖所述栅极201。所述栅极201的材料包括Mo、Al、Ti、In和Ga中的一种或几种组合。所述栅极绝缘层203设置于所述第一保护层202上。所述栅极绝缘层203的材料包括Al2O3、SiOx和SiNX中的一种或几种组合。所述有源层204设置于所述栅极绝缘层203上。所述有源层204的材料包括非晶硅。所述源极205设置于所述栅极绝缘层203的一端及所述有源层204的一端。所述漏极206设置于所述栅极绝缘层203的另一端及所述有源层204的另一端。所述源极205与所述漏极206相互绝缘。所述第二保护层207覆盖所述源极205、所述漏极206及所述栅极绝缘层203。所述第二保护层207用于保护所述薄膜晶体管210的结构，避免其他结构或水氧对所述薄膜晶体管210的影响。所述薄膜晶体管210除图2中所示出的结构外，还包括其他结构，此处不一一列出。
12、在所述薄膜晶体管层200上依次交替层叠设置若干第一分层301和若干第二分层302形成反射层300。
在所述薄膜晶体管层200上交替层叠沉积第一种折射率材料和第二种折射率材料，形成多层分层的反射层300。所述反射层300的层数不限制。在本实施例中，所述反射层300的分层为8层。即由两种不同折射率的材料交替层叠形成共8层分层。后续的6层分层、10层分层和16分层亦如此，所述反射层300包括第一分层301、第二分层302、第三分层303、第四分层304、第五分层305、第六分层306、第七分层307和第八分层308。所述第一分层301、所述第三分层303、所述第五分层305和所述第七分层307由所述第一种折射率材料形成。所述第一分层301、所述第三分层303、所述第五分层305和所述第七分层307的厚度为55纳米-65纳米。所述第二分层302、所述第四分层304、所述第六分层306和所述第八分层308由第二种折射率材料形成。所述第二分层302、所述第四分层304、所述第六分层306和所述第八分层308的厚度为65纳米-85纳米。所述第一种折射率材料的折射率大于所述第一种折射率材料的折射率。
在另一实施例中，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2。所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
在另一实施例中，在另一实施例中，所述第一种折射率材料包括SiNx、TiO2、ZnS和Al2O3中的一种或几种组合。所述第二种折射率材料包括SiO2和MgF2中的一种或两种组合。
13、在所述反射层300上形成附加层400。
在所述反射层300上设置微粒，形成附加层400。所述微粒的直径为5微米-30微米。所述微粒包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、SiO2和TiO2中的一种或几种组合。所述微粒的形状包括规则的几何图形和不规则的几何图形，规则的几何图形如三角形、正方形、矩形、菱形、平行四边形和圆形等。
14、对所述反射层300和所述附加层400进行蚀刻形成第一通孔390和第二通孔401。
所述第一通孔390与所述第二通孔401贯通以暴露所述薄膜晶体管层200。所述蚀刻方法不限制，可根据具体需求采用相应的蚀刻方法。
15、在所述第一通孔390和所述第二通孔401中设置迷你发光二极管500。
具体的，将所述迷你发光二极管500设置于一金属膏层600上，将设置有金属膏层600的迷你发光二极管500设置于所述第一通孔390和所述第二通孔401中。所述迷你发光二极管500可以为蓝光发光二极管。所述迷你发光二极管500与所述薄膜晶体管层200电连接。所述金属膏层600的材料包括Sn、In、Bi、Cu、Al和Mo中的一种或几种组合。在本实施例中，所述金属膏层600为锡膏层。
在本申请中，利用金属膏层的流动性和粘附性，在迷你发光二极管设置于金属膏层上，之后固化金属膏层，进而将所述迷你发光二极管固定于所述金属膏层上，进而将所述迷你发光二极管固定于所述薄膜晶体管层上，避免迷你发光二极管在制备或使用的过程中丢失，影响了显示面板的性能。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，在所述显示面板的制备方法中，所述反射层的结构采用两种不同折射率的材料依次交替层叠设置于所述薄膜晶体管层，在本申请中，所述反射层结构简单，与薄膜晶体管层制程兼容性较好，成本低，易制备，进而提高了显示面板的制备效率，并降低了显示面板的制备成本。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层设置于所述基板上；
反射层，所述反射层设置于所述薄膜晶体管层上，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，若干所述第一分层和若干所述第二分层依次交替层叠设置，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成，所述反射层具有第一通孔，所述第一通孔暴露所述薄膜晶体管层；
附加层，所述附加层设置于所述反射层上，所述附加层具有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔贯通以暴露所述薄膜晶体管层，所述附加层包括微粒；以及
迷你发光二极管，所述迷你发光二极管设置于所述第一通孔和所述第二通孔中以电连接所述薄膜晶体管层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微粒包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、SiO2和TiO2中的一种或几种组合。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述微粒的直径为5微米-30微米。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一种折射率材料的折射率材料大于所述第二种折射率材料的折射率材料，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层；
在所述薄膜晶体管层上依次交替层叠设置若干第一分层和若干第二分层形成反射层，若干所述第一分层由第一种折射率材料形成，若干所述第二分层由第二种折射率材料形成；
在所述反射层上形成附加层，所述附加层包括微粒；
对所述反射层和所述附加层进行蚀刻形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔贯通以暴露所述薄膜晶体管层；以及
在所述第一通孔和所述第二通孔中设置迷你发光二极管以电连接所述薄膜晶体管层。
7.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述微粒包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、SiO2和TiO2中的一种或几种组合。
8.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述微粒的直径为5微米-30微米。
9.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一分层的厚度为55纳米-65纳米，所述第二分层的厚度为65纳米-85纳米。
10.如权利要求6所述显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一种折射率材料的折射率材料大于所述第二种折射率材料的折射率材料，所述第一种折射率材料的折射率为1.7-2.2，所述第二种折射率材料的折射率为1.35-1.55。
CN202010511266.8A 2020-06-08 2020-06-08 显示面板及其制备方法 Active CN111668233B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010511266.8A CN111668233B (zh) 2020-06-08 2020-06-08 显示面板及其制备方法
US17/045,495 US11430920B2 (en) 2020-06-08 2020-07-14 Display panel and manufacturing method thereof
PCT/CN2020/101815 WO2021248617A1 (zh) 2020-06-08 2020-07-14 显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010511266.8A CN111668233B (zh) 2020-06-08 2020-06-08 显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111668233A true CN111668233A (zh) 2020-09-15
CN111668233B CN111668233B (zh) 2023-06-30

Family

ID=72385776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010511266.8A Active CN111668233B (zh) 2020-06-08 2020-06-08 显示面板及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111668233B (zh)
WO (1) WO2021248617A1 (zh)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979405A (zh) * 2015-07-22 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN106684098A (zh) * 2017-01-06 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其修复方法
CN107424524A (zh) * 2017-07-25 2017-12-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种微型led显示面板
US20180190878A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 PlayNitride Inc. Display device
CN108535916A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 直下式背光模组及其制作方法
US20190006559A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode and display panel
US20190035987A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
CN109300919A (zh) * 2018-10-15 2019-02-01 上海天马微电子有限公司 Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置
CN109427936A (zh) * 2017-08-24 2019-03-05 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
CN109817658A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led显示面板
CN110571346A (zh) * 2019-08-06 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
US20200159073A1 (en) * 2018-11-19 2020-05-21 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device and display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101064026B1 (ko) * 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
CN101764146A (zh) * 2009-12-31 2010-06-30 四川虹视显示技术有限公司 一种amoled显示器件
CN108336126B (zh) * 2015-02-13 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法
KR20200025618A (ko) * 2018-08-31 2020-03-10 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN109360493A (zh) * 2018-11-21 2019-02-19 厦门天马微电子有限公司 一种背光模组、显示面板及电子设备
KR20200026666A (ko) * 2019-04-30 2020-03-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979405A (zh) * 2015-07-22 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
US20180190878A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 PlayNitride Inc. Display device
CN106684098A (zh) * 2017-01-06 2017-05-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其修复方法
US20190006559A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 PlayNitride Inc. Micro light emitting diode and display panel
CN107424524A (zh) * 2017-07-25 2017-12-01 深圳市华星光电技术有限公司 一种微型led显示面板
US20190035987A1 (en) * 2017-07-25 2019-01-31 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
CN109427936A (zh) * 2017-08-24 2019-03-05 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
CN109817658A (zh) * 2017-11-20 2019-05-28 超微晶科技(深圳)有限公司 微型led显示面板
CN108535916A (zh) * 2018-04-20 2018-09-14 武汉华星光电技术有限公司 直下式背光模组及其制作方法
CN109300919A (zh) * 2018-10-15 2019-02-01 上海天马微电子有限公司 Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置
US20200159073A1 (en) * 2018-11-19 2020-05-21 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device and display device
CN110571346A (zh) * 2019-08-06 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111668233B (zh) 2023-06-30
WO2021248617A1 (zh) 2021-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108257949B (zh) 可实现光效提取和色彩转换微米级led显示装置及制造方法
TWI731394B (zh) 發光裝置
CN112820724A (zh) 图像显示元件及图像显示元件的制造方法
US20050032383A1 (en) Method for producing light emitting diode
US9893319B2 (en) Radiation-emitting organic component
JP2010028106A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
US9513415B2 (en) Optical filter configured to transmit light of a predetermined wavelength
CN110571346A (zh) 显示面板及其制作方法
WO2018120521A1 (zh) 一种光学膜及其制作方法
CN105870290B (zh) 发光二极管及其制作方法
CN114709311A (zh) 一种倒装发光二极管芯片及制备方法
TW200926462A (en) Light-emitting device
CN107068830A (zh) 一种应用于紫外led的全角度高反射率dbr结构
CN111668233A (zh) 显示面板及其制备方法
CN111668235B (zh) 显示面板及其制备方法
US20230092504A1 (en) Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof
CN102263181B (zh) 衬底、具有该衬底的led外延片、芯片及发光装置
CN111668234A (zh) 显示面板及其制备方法
CN211670204U (zh) 一种具有dbr分层结构的led芯片
CN111463232B (zh) 显示面板及其制备方法
US10707381B2 (en) Light emitting diode and fabrication method thereof
US20210384381A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof
CN111463231A (zh) 显示面板及其制备方法
KR20210057811A (ko) 복합 절연 반사층
CN117096238B (zh) 一种复合衬底及其制备方法、led芯片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant