CN111463231B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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- CN111463231B CN111463231B CN202010285188.4A CN202010285188A CN111463231B CN 111463231 B CN111463231 B CN 111463231B CN 202010285188 A CN202010285188 A CN 202010285188A CN 111463231 B CN111463231 B CN 111463231B
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 204
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004502 smoke tin Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical group [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、反射层、薄膜晶体管和迷你发光二极管，所述反射层覆盖所述基板，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，每一所述第一分层和每一所述第二分层依次交替层叠设置，所述第一分层的折射率和所述第二分层的折射率不同，所述薄膜晶体管设置于所述反射层上，所述迷发光二极管设置于所述薄膜晶体管上。在本申请中，将薄膜晶体管设置于所述反射层上，进而将进入背光源中的紫外光反射掉，进而降低了混光对薄膜晶体管器件的干扰，并提高发光二极管的光利用率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
目前，在玻璃基板上进行薄膜晶体管工艺驱动迷你发光二极管显示为一个新的领域，但由于玻璃基板透明，容易造成光的损失，且光直接照射在薄膜晶体管上会造成薄膜晶体管I-V曲线向右偏移严重，进而造成发光二极管灯损失严重，且发光二极管的光利用率降低。
发明内容
本申请提供一种显示面板，以降低混光对薄膜晶体管的干扰及提高迷你发光二极管的光利用率。
本申请提供一种显示面板，包括：
基板；
反射层，所述反射层覆盖所述基板，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，每一所述第一分层和每一所述第二分层依次交替层叠设置，所述第一分层的折射率和所述第二分层的折射率不同；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置于所述反射层上；以及
迷你发光二极管，所述迷你发光二极管设置于所述薄膜晶体管上以电连接所述薄膜晶体管。
在本申请所提供的显示面板中，所述反射层的厚度为1000埃-10000埃。
在本申请所提供的显示面板中，所述每一第一分层和所述每一第二分层的厚度均为大于等于紫外光波长的四分之一。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一分层和第二分层的材料选自透明绝缘材料。
在本申请所提供的显示面板中，所述第一分层和第二分层的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化铝、石墨烯、氟化锂、碳化硅、硫化锌和硅。
本申请提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供一基板；
在所述基板上设置依次交替层叠设置两种不同的折射率材料形成若干第一分层及若干第二分层，所述若干第一分层和所述若干第二分层形成反射层；
在所述反射层上形成薄膜晶体管；以及
在所述薄膜晶体管上设置迷你发光二极管。
在本身申请所提供的显示面板的制备方法中，所述反射层的厚度为1000埃-10000埃。
在本身申请所提供的显示面板的制备方法中，所述每一第一分层和所述每一第二分层的厚度均为大于等于紫外光波长的四分之一。
在本身申请所提供的显示面板的制备方法中，所述第一分层和第二分层的材料选自透明绝缘材料。
在本身申请所提供的显示面板的制备方法中，所述在所述反射层上形成薄膜晶体管的步骤之后，还包括在所述薄膜晶体管上形成平坦层。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、反射层、薄膜晶体管和迷你发光二极管，所述反射层覆盖所述基板，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，每一所述第一分层和每一所述第二分层依次交替层叠设置，所述第一分层的折射率和所述第二分层的折射率不同，所述薄膜晶体管设置于所述反射层上，所述迷你发光二极管设置于所述薄膜晶体管上，并与所述薄膜晶体管电连接。在本申请中，将反射层设置于所述基板与薄膜晶体管之间，进而将进入背光源中的紫外光反射掉，进而降低了混光对薄膜晶体管器件的干扰，且对迷你发光二极管出射的光进行发射，进而提高发光二极管的光利用率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的显示面板的结构剖视图。
图2为本申请所提供的显示面板的制备方法的流程图。
图3为本申请所提供的显示面板的制备方法的流程剖视图。
具体实施方式
请参阅图1，图1为本申请所提供的显示面板的结构剖视图。本申请提供一种显示面板10。所述显示面板10包括基板100、反射层200、薄膜晶体管300和迷你发光二极管400。
所述基板100包括玻璃基板、石英基板和树脂基板等。
所述反射层200设置于所述基板100上。所述反射层的厚度为1000埃-10000埃。所述反射层200包括若干第一分层210和若干第二分层220。每一所述第一分层210和每一所述第二分层220依次交替层叠设置。所述反射层200的分层层数不限制。如，所述反射层200的分层层数可以为2层、3层、4层、5层、6层和7层等。在本实施例中，所述反射层200的分层层数为2层，即，所述反射层200包括第一分层210和第二分层230。所述第一分层210的折射率和所述第二分层220的折射率不同。所述第一分层210及所述第二分层220的材料选自透明绝缘材料。
在另一实施例中，所述第一分层210和所述第二分层220的厚度均为大于等于紫外光波长的四分之一。
在另一实施例中，所述第一分层210和第二分层220的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化铝、石墨烯、氟化锂、碳化硅、硫化锌和硅中的一种或几种组合。
所述薄膜晶体管300设置于所述反射层200上。所述薄膜晶体管300包括第一金属层310、保护层320、有源层330、掺杂层340、源极350、漏极360和键合层370。所述第一金属层310设置于所述反射层200上。所述第一金属层310包括第一部分311和第二部分312。所述第一金属层310的材料包括Al、Mo和Cu等。所述保护层320设置于所述第一金属层310和所述反射层200上。所述有源层330设置于所述保护层320上，并位于所述第二部分312之上。所述有源层330的材料包括非晶硅。所述掺杂层340包括P型掺杂区341和N型掺杂区342。所述P型掺杂区341位于所述有源层330的一侧。所述N型掺杂区342位于所述有源层330的另一侧。所述源极350和所述漏极360覆盖所述掺杂层340和有源层330上。所述源极350位于所述P型掺杂区341或N型掺杂区342上，并与所述保护层320的一侧相接触。所述漏极360位于所述P型掺杂区341或N型掺杂区342上，并与所述保护层320的另一侧相接触。所述键合层370与所述有源层330同层设置于所述保护层320上。
在另一实施例中，所述显示面板10还包括平坦层500。所述平坦层500设置于所述薄膜晶体管300上。
在另一实施例中，所述平坦层500包括第二通孔510和第一通孔520。所述第二通孔510贯穿所述平坦层500及所述保护层320以暴露所述第一金属层310。所述第一通孔520贯穿所述平坦层500以暴露所述键合层370及所述保护层320。
在本申请中，在键合层上及第二通孔中设置迷你发光二极管，避免迷你发光二极管在制备或使用的过程中移位，进而影响显示面板的性能，且，所述键合层可以降低阻抗作用，并提高电子迁移率。
在另一实施例中，所述显示面板10还包括氧化铟锡层600。所述氧化铟锡层600填充于所述第二通孔510中以电连接所述第一部分311。所述氧化铟锡层600用于保护金手指。
所述迷你发光二极管400设置于所述第一通孔520中。所述迷你发光二极管400电连接于所述薄膜晶体管300，需要说明的是，图1中的箭头表示光线的路径。
在本申请中，所述迷你发光二极管为主动矩阵式迷你发光二极管，在基板上设置反射层，将反射层的分层厚度设置为大于等于紫外光波长的四分之一，在反射层上设置薄膜晶体管，所述薄膜晶体管驱动所述迷你发光二极管，当迷你发光二极管的光线出射至薄膜晶体管上时，因薄膜晶体管的底部设置有反射层，光线经反射层反射，进而提高迷你发光二极管的光利用率；因薄膜晶体管的底部设置的反射层的分层厚度设置为大于等于紫外光波长的四分之一，可将进入背光源中的紫外光反射掉，降低了混光对薄膜晶体管的干扰，进而降低了混光对薄膜晶体管的I-V曲线向右移的影响，
本申请提供一种显示面板，在所述反射层上设置所述薄膜晶体管，利用反射层将背光源中的紫外光反射掉，进而降低混光对所述薄膜晶体管干扰，并对迷你发光二极管的出射的光线进行反射，进而提高迷你发光二极管的光利用率。
请参阅图2和图3，图2为本申请所提供的显示面板的制备方法的流程图。图3为本申请所提供的显示面板的制备方法的流程剖视图。本申请提供一种显示面板10的制备方法，包括：
20、提供一基板100。
所述基板100包括玻璃基板、石英基板和树脂基板等。
30、在所述基板100上设置依次交替层叠设置两种不同的折射率材料形成若干第一分层210及若干第二分层220，所述若干第一分层210和所述若干第二分层220形成反射层200。
在所述基板100上设置依次交替层叠沉积两种不同的折射率材料形成若干第一分层210及若干第二分层220。若干所述第一分层210及若干所述第二分层220形成反射层200。所述反射层的厚度为1000埃-10000埃。所述反射层200包括若干第一分层210和若干第二分层220。每一所述第一分层210和每一所述第二分层220依次交替层叠设置。所述反射层200的分层层数不限制。如，所述反射层200的分层层数可以为2层、3层、4层、5层、6层和7层等。在本实施例中，所述反射层200的分层层数为2层，即，所述反射层200包括第一分层210和第二分层230。所述第一分层210的折射率和所述第二分层220的折射率不同。所述第一分层210及所述第二分层220的材料选自透明绝缘材料。
在另一实施例中，所述第一分层210和所述第二分层220的厚度均为大于等于紫外光波长的四分之一。
在显示面板10中设置反射层200，将反射层200的分层厚度设置为大于等于紫外光波长的四分之一，可将紫外光反射掉，降低了混光对薄膜晶体管300的干扰，进而降低了混光对薄膜晶体管300的I-V曲线向右移的影响，即降低混光对薄膜晶体管的影响，并提高发光二极管的光利用率。
在另一实施例中，所述第一分层210和第二分层220的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化铝、石墨烯、氟化锂、碳化硅、硫化锌和硅中的一种或几种组合。
40、在所述反射层200上形成薄膜晶体管300。
所述薄膜晶体管300包括第一金属层310、保护层320、有源层330、掺杂层340、源极350、漏极360和键合层370。
具体地，在所述反射层200上沉积第一金属层310材料，对所述第一金属材料进行蚀刻形成第一金属层310。所述第一金属层310包括第一部分311和第二部分312。所述第一金属层310的材料包括Al、Mo和Cu等。在所述第一金属层310和所述反射层200上沉积所述保护层320材料，形成所述保护层320。在所述保护层320上沉积所述有源层330材料，对所述有源层330材料进行蚀刻，形成所述有源层330，所述有源层330位于所述第二部分312之上。所述有源层330的材料包括非晶硅。在所述有源层330上及所述保护层320上沉积掺杂层340材料，对所述掺杂层340进行蚀刻形成掺杂层340。所述掺杂层340位于所述有源层330上。所述掺杂层340包括P型掺杂区341和N型掺杂区342。所述P型掺杂区341位于所述有源层330的一侧。所述N型掺杂区342位于所述有源层330的另一侧。在所述掺杂层340上、有源层330和保护层320上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行蚀刻，形成源极350、漏极360及键合层370。所述源极350覆盖所述掺杂层340的一侧及所述有源层330的一侧，并与所述保护层320的一侧相接触。所述漏极360覆盖所述掺杂层340的另一侧及所述有源层330的另一侧，并于所述保护层320的另一侧相接触。
在另一实施例中，在所述保护层320上依次层叠沉积有源层330材料及掺杂层340材料，蚀刻形成有源层330及掺杂层340。
在另一实施例中，在所述反射层200上形成薄膜晶体管300的步骤之后，还包括在所述薄膜晶体管300上沉积平坦层500材料，蚀刻形成平坦层500。
在另一实施例中，在所述薄膜晶体管300上形成平坦层500的步骤之后还包括对所述平坦层500和所述保护层320进行蚀刻，形成第二通孔510和第一通孔520。所述第二通孔510贯穿所述平坦层500及所述保护层320以暴露所述第一部分311。所述第一通孔520贯穿所述平坦层500以暴露所述键合层370及所述保护层320。所述键合层用370于固定所述迷你发光二极管。
在本申请中，所述键合层用于键合所迷你述发光二极管，避免迷你发光二极管在制备或使用的过程中移位，进而影响显示面板的性能，且所述键合层可以降低阻抗，并提高电子的迁移率。
在另一实施例中，在所述平坦层500和所述保护层320上形成第一通孔500和第二通孔610的步骤之后，还包括在所述第二通孔510填充氧化铟锡层600材料形成氧化铟锡层600。所述氧化铟锡层600填充于所述第二通孔510中以电连接所述第一部分311。所述氧化铟锡层600的材料包括氧化铟锡，所述氧化烟锡层还可用氧化铟锌等替代。
50、在所述薄膜晶体管300上设置迷你发光二极管400。
在所述第一通孔520中设置迷你发光二极管400。所述迷你发光二极管400与所述薄膜晶体管300电连接。
本申请提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括基板、反射层、薄膜晶体管和迷你发光二极管，所述反射层覆盖所述基板，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，每一所述第一分层和每一所述第二分层依次交替层叠设置，所述第一分层的折射率和所述第二分层的折射率不同，所述薄膜晶体管设置于所述反射层上，所述迷你发光二极管设置于所述薄膜晶体管上，并与所述薄膜晶体管电连接。在本申请中，在反射层上设置有薄膜晶体管，可将到达薄膜晶体管的迷你发光二极管的光线反射，进而提高了迷你发光二极管的光利用率，并且因反射层的分层的厚度设置为大于等于紫外光波长的四分之一，可将进入背光源中的紫外光反射掉，进而降低了混光对薄膜晶体管器件的干扰。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
反射层，所述反射层覆盖所述基板，所述反射层包括若干第一分层和若干第二分层，每一所述第一分层和每一所述第二分层依次交替层叠设置，所述第一分层的折射率和所述第二分层的折射率不同；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置于所述反射层上；以及
迷你发光二极管，所述迷你发光二极管设置于所述薄膜晶体管上以电连接所述薄膜晶体管；
其中，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及键合层，所述源极和漏极设置于所述有源层上，所述键合层与所述有源层同层设置，所述迷你发光二极管设置在所述键合层上。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述反射层的厚度为1000埃-10000埃。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每一所述第一分层和每一所述第二分层的厚度均为大于等于紫外光波长的四分之一。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一分层和第二分层的材料选自透明绝缘材料。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一分层和第二分层的材料选自二氧化硅、氮化硅、氧化铝、石墨烯、氟化锂、碳化硅、硫化锌和硅。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上设置依次交替层叠设置两种不同的折射率材料形成若干第一分层及若干第二分层，所述若干第一分层和所述若干第二分层形成反射层；
在所述反射层上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极以及键合层，所述源极和漏极设置于所述有源层上，所述键合层与所述有源层同层设置；
在所述键合层与上设置迷你发光二极管。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述反射层的厚度为1000埃-10000埃。
8.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，每一所述第一分层和每一所述第二分层的厚度均为大于等于紫外光波长的四分之一。
9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一分层和第二分层的材料选自透明绝缘材料。
10.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述反射层上形成薄膜晶体管的步骤之后，还包括在所述薄膜晶体管上形成平坦层。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010285188.4A CN111463231B (zh) | 2020-04-13 | 2020-04-13 | 显示面板及其制备方法 |
| PCT/CN2020/090470 WO2021208176A1 (zh) | 2020-04-13 | 2020-05-15 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010285188.4A CN111463231B (zh) | 2020-04-13 | 2020-04-13 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111463231A CN111463231A (zh) | 2020-07-28 |
| CN111463231B true CN111463231B (zh) | 2023-10-17 |
Family
ID=71678606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010285188.4A Active CN111463231B (zh) | 2020-04-13 | 2020-04-13 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111463231B (zh) |
| WO (1) | WO2021208176A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023068654A1 (ko) * | 2021-10-19 | 2023-04-27 | 고려대학교 산학협력단 | 발광소자-박막트랜지스터 인테그레이션 구조 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TWI559510B (zh) * | 2014-06-23 | 2016-11-21 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
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| CN104979405B (zh) * | 2015-07-22 | 2019-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置 |
| CN106229338A (zh) * | 2016-08-24 | 2016-12-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制备方法 |
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-
2020
- 2020-04-13 CN CN202010285188.4A patent/CN111463231B/zh active Active
- 2020-05-15 WO PCT/CN2020/090470 patent/WO2021208176A1/zh active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021208176A1 (zh) | 2021-10-21 |
| CN111463231A (zh) | 2020-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |