CN114167656A - 无机电致变色器件和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种无机电致变色器件和显示装置,无机电致变色器件包括相对设置的第一基板、第二基板和电解质层,第一基板包括层叠设置的第一衬底、驱动电路层、绝缘层、像素电极层以及电致变色层,电致变色层包括厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,第一电致变色层反射红光形成红色子像素,第二电致变色层反射绿光形成绿色子像素,第三电致变色层反射蓝光形成蓝色子像素,第二基板包括层叠设置的第二衬底、公共电极层以及电致变色对电极层,在未通电时电致变色层呈褪色态,在通电时电致变色层呈显色态,显示与通电电流对应的目标灰阶。本申请实现了无机电致变色器件的全彩显示。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种无机电致变色器件和显示装置。
背景技术
电致变色器件在外加电场作用下能发生稳定、可逆的颜色变化的器件,由于其优越的性能,成为显示领域的热门。电致变色器件主要包括无机电致变色器件和有机电致变色器件,目前虽然对无机电致变色器件存在一定研究,但无法实现全彩显示,使其发展较为受限。
所以,现有的无机电致变色器件存在无法实现全彩显示的技术问题,需要改进。
发明内容
本申请实施例提供一种无机电致变色器件和显示装置,用以缓解现有无机电致变色器件中无法实现全彩显示的技术问题。
本申请实施例提供一种无机电致变色器件,包括相对设置的第一基板、第二基板和填充在所述第一基板和所述第二基板之间的电解质层;
在靠近所述电解质层的方向上,所述第一基板包括层叠设置的第一衬底、驱动电路层、绝缘层、像素电极层以及电致变色层,所述电致变色层包括厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,所述第一电致变色层反射红光形成红色子像素,所述第二电致变色层反射绿光形成绿色子像素,所述第三电致变色层反射蓝光形成蓝色子像素;
在靠近所述电解质层的方向上,所述第二基板包括层叠设置的第二衬底、公共电极层以及电致变色对电极层;
其中,在所述像素电极层和所述公共电极层未通电时,所述电致变色层呈褪色态;在所述像素电极层和所述公共电极层通电时,所述电致变色层呈显色态,显示与通电电流对应的目标灰阶。
在一种实施例中,所述电致变色层材料包括三氧化钨,所述电解质层包括锂离子。
在一种实施例中,所述第二电致变色层的厚度大于所述第三电致变色层的厚度,所述第三电致变色层的厚度大于所述第一电致变色层的厚度。
在一种实施例中,所述第一电致变色层的厚度范围为154±15纳米,所述第二电致变色层的厚度为225±15纳米,所述第三电致变色层的厚度为185±15纳米。
在一种实施例中,所述像素电极层材料为钨。
在一种实施例中,所述第一基板还包括设置在所述第二电致变色层远离所述像素电极层一侧的增强层,所述增强层覆盖所述第二电致变色层的出光面。
在一种实施例中,所述增强层材料为银。
在一种实施例中,所述增强层的厚度为10±2纳米。
在一种实施例中,所述像素电极层厚度不小于50纳米。
本申请实施例还提供一种显示装置,包括上述任一项所述的无机电致变色器件。
有益效果:本申请提供一种无机电致变色器件和显示装置,无机电致变色器件包括相对设置的第一基板、第二基板和填充在第一基板和第二基板之间的电解质层,在靠近电解质层的方向上,第一基板包括层叠设置的第一衬底、驱动电路层、绝缘层、像素电极层以及电致变色层,电致变色层包括厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,第一电致变色层反射红光形成红色子像素,第二电致变色层反射绿光形成绿色子像素,第三电致变色层反射蓝光形成蓝色子像素,在靠近电解质层的方向上,第二基板包括层叠设置的第二衬底、公共电极层以及电致变色对电极层;其中,在像素电极层和公共电极层未通电时,电致变色层呈褪色态;在像素电极层和公共电极层通电时,电致变色层呈显色态,显示与通电电流对应的目标灰阶。本申请的无机电致变色器件,通过设置厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,使其可以分别反射红光、绿光和蓝光,从而可作为红绿蓝三种子像素使用,而通过改变通过电流的大小,可以实现各子像素显示不同的灰阶,因此可以较低的成本和较为简单的结构实现无机电致变色器件的全彩显示,容易实现量产化。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的无机电致变色器件中第一基板的膜层结构示意图。
图2为本申请实施例提供的无机电致变色器件中第二基板的膜层结构示意图。
图3为本申请实施例提供的无机电致变色器件的第一种膜层结构示意图。
图4为图3中无机电致变色器件的电致变色层的反射光谱模拟示意图。
图5为图3中无机电致变色器件的反射光色域模拟示意图。
图6为本申请实施例提供的无机电致变色器件的第二种膜层结构示意图。
图7为图6中无机电致变色器件的电致变色层的反射光谱模拟示意图。
图8为图6中无机电致变色器件的反射光色域模拟示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例提供一种无机电致变色器件和显示装置,用以缓解现有无机电致变色器件中无法实现全彩显示的技术问题。
如图3所示,为本申请实施例提供的无机电致变色器件的第一种膜层结构示意图,无机电致变色器件包括相对设置的第一基板、第二基板以及填充在第一基板和第二基板之间的电解质层30。第一基板作为电致变色基板,第二基板作为对电极基板,第一基板和第二基板分别制备后,中间添加液态电解质或凝胶电解质,通过真空贴合工艺组合成为完整的无机电致变色器件。
结合图1和图3所示,在靠近电解质层30的方向上,第一基板包括层叠设置的第一衬底11、驱动电路层、绝缘层16、像素电极层以及电致变色层,电致变色层包括厚度不同的第一电致变色层181、第二电致变色层182、以及第三电致变色层183,第一电致变色层181反射红光形成红色子像素,第二电致变色层182反射绿光形成绿色子像素,第三电致变色层183反射蓝光形成蓝色子像素。
第一衬底11可以是刚性衬底,如玻璃、透明树脂等,也可以是柔性衬底,如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、多芳基化合物或玻璃纤维增强塑料等,本申请对第一衬底11的材料不做限制。
驱动电路层形成在第一衬底11一侧,包括多个薄膜晶体管,多个薄膜晶体管形成多个像素驱动电路,每个像素驱动电路驱动一个子像素发光。以底栅型薄膜晶体管为例,驱动电路层包括层叠设置在第一衬底11上的栅极层、栅极绝缘层13、有源层14和源漏极层。栅极层的材料通常为钼、铝、铜,但不以此为限,还可以是铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料,栅极层图案化形成薄膜晶体管的栅极12和扫描线。栅极绝缘层13的材料可为氧化硅、氮化硅等无机材料。有源层13的材料为金属氧化物,例如铟镓锌氧化物(IGZO),但不以此为限,还可以是铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)等。此外,有源层13还可以是多晶硅材料或其它材料。源漏极层图案化形成薄膜晶体管的源极151、漏极152和数据线,源极151和漏极152与有源层14连接。对上述驱动电路层中各膜层结构的说明以底栅型薄膜晶体管为例,当然,驱动电路层的结构不以此为限,还可以包括顶栅型薄膜晶体。
绝缘层16形成在驱动电路层远离第一衬底11的一侧,绝缘层16包括钝化层和平坦化层,钝化层的材料可以是氧化硅和氮化硅中的至少一种,平坦化层的材料可以是光刻胶。
在绝缘层16远离驱动电路层的一侧形成有像素电极层,像素电极层图案化形成阵列设置且相互独立的多个像素电极17,像素电极117通过绝缘层16中的过孔与薄膜晶体管的漏极152连接。
电致变色层包括同层设置且厚度不同的多个第一电致变色层181、多个第二电致变色层182、以及多个第三电致变色层183,每个第一电致变色层181、第二电致变色层182以及第三电致变色层183分别与一个像素电极17连接。电致变色层由电致变色材料制备得到,电致变色指材料的光学属性(反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象,在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化,具有电致变色性能的材料为电致变色材料。
在本申请实施例中,三类电致变色层的厚度不同,因此外部光源照射到三类电致变色层上会发生不同的干涉,从而使三类电致变色层反射不同颜色的光,以显示不同的颜色。具体地,第一电致变色层181反射红光,第二电致变色层182反射绿光,第三电致变色层183反射蓝光,因此可以通过设置厚度不同的三类电致变色层,将其分别作为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,实现显示功能。
结合图2和图3所示,在靠近电解质层30的方向上,第二基板包括层叠设置的第二衬底21、公共电极层以及电致变色对电极层。
第二衬底21可以是刚性衬底,如玻璃、透明树脂等,也可以是柔性衬底,如聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、多芳基化合物或玻璃纤维增强塑料等,本申请对第二衬底21的材料不做限制。公共电极层形成在第二衬底21靠近电解质层30的一侧,通过物理气相沉积工艺形成整层的公共电极22,公共电极22的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氟离子掺杂氧化锡等。电致变色对电极层形成在公共电极层远离第二衬底21的一侧,通过物理气相沉积工艺形成整层的电致变色对电极23。
电解质层30填充在第一基板和第二基板之间,电解质层30为液态电解质或凝胶电解质,其提供阳离子,电解质可以与电致变色层发生氧化还原反应。
电致变色层具有褪色态和着色态,当像素电极层与公共电极层之间未通电时,电解质层30中的阳离子未注入电致变色层的晶格,电致变色层呈褪色态,此时电致变色层呈现出与各自厚度对应的颜色,当像素电极层与公共电极层之间通电时,电解质层30中的阳离子注入电致变色层的晶格,从而使电致变色层呈着色态,使电致变色层向黑色转变,且根据通电电流的大小不同,阳离子的注入程度不同,则显示的亮度也不同,从而可以显示与通电电流大小对应的目标灰阶,在通电电流大时,目标灰阶值小,在通电电流小时,目标灰阶值大。因此通过控制通电电流的大小可使得第一电致变色层181显示红色子像素对应的多个灰阶,第二电致变色层182显示绿色子像素对应的多个灰阶,第二电致变色层183显示蓝色子像素对应的多个灰阶,三者共同配合,实现无机电致变色器件的全彩显示。
根据上述内容可知,本申请的无机电致变色器件,通过设置厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,使其可以分别反射红光、绿光和蓝光,从而可作为红绿蓝三种子像素使用,而通过改变通过电流的大小,可以实现各子像素显示不同的灰阶,因此可以较低的成本和较为简单的结构实现无机电致变色器件的全彩显示,容易实现量产化。
在一种实施例中,电致变色层材料包括三氧化钨WO3,电解质层30的成分为含有锂离子的溶液体系,锂离子可通过高氯酸锂提供,溶剂为PMMA(polymethyl methacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯)或PVB(Polyvinyl butyral,聚乙烯醇缩丁醛),电致变色对电极层的材料为NiO。在通电时,各种厚度的WO3均可以变为嵌锂的着色态LiWO3,其颜色均会由红绿蓝向黑色转变。
在一种实施例中,像素电极层的材料为金属钨W,电致变色层的材料包括三氧化钨WO3,W和WO3均通过物理气相沉积工艺镀膜,再通过光刻工艺图案化。在像素电极层的镀膜过程中使用金属钨作为靶材,在Ar气氛下实现金属钨成膜,在电致变色层的镀膜过程中,在气氛中添加O2来实现WO3成膜,从而整个过程无需更换靶材,起到节约成本的作用。
在一种实施例中,像素电极层的厚度不小于50纳米,像素电极层除了在通电时作为导电层外,同时还作为反射层,将光源的光线反射给电致变色层。设置像素电极层的厚度不小于50纳米,可以保证外部光源自第二基板外侧照射至无机电致变色器件内部时,光线在像素电极层发生全反射,尽可能多地进入到像素电极层上方的电致变色层中,增强全彩显示的效果。
在一种实施例中,第二电致变色层182的厚度大于第三电致变色层183的厚度,第三电致变色层183的厚度大于第一电致变色层181的厚度。当用D65光源照射无机电致变色器件时,每个电致变色层的上、下表面反射(或折射)的光束会相遇而产生干涉。由于光源发出的光为白光,而白光中每种色光的波长不同,在电致变色层处于某个厚度或厚度范围内,某一波长的反射光会互相加强,则会出现这种色光的亮纹。在本申请实施例中,由于电致变色层的厚度不同,其对不同波长的光的反射率也不同,材料为WO3的三类电致变色层中,第二电致变色层182的厚度最大,当用D65光源照射时,其对绿光的反射率最大,因此可作为绿色子像素;第三电致变色层183的厚度次之,当用D65光源照射时,其对蓝光的反射率最大,因此可作为蓝色子像素;第一电致变色层181的厚度最小,当用D65光源照射时,其对红光的反射率最大,因此可作为红色子像素。
在一种实施例中,第一电致变色层181的厚度范围为154±15纳米,第二电致变色层182的厚度为225±15纳米,第三电致变色层183的厚度为185±15纳米。如图4所示,为图3中无机电致变色器件的电致变色层的反射光谱模拟示意图,其中横坐标为波长,纵坐标为反射率,各电致变色层材料均为WO3,用R表示第一电致变色层181膜厚为154纳米时的反射光谱,G表示第二电致变色层182膜厚为225纳米时的反射光谱,B表示第三电致变色层183膜厚为185纳米时的反射光谱。由图4可以看出,第一电致变色层181对波长为656纳米的光的反射率最高,该波长属于红光的波段(640~750纳米),第二电致变色层182对波长为524纳米的光的反射率最高,该波长属于绿光的波段(480~550纳米),第三电致变色层183对波长为452纳米的光的反射率最高,该波长属于蓝光的波段(450~480纳米)。当各电致变色层采用上述三个厚度时,对特定波长光的反射率均可达50%及以上,因此完全可作为红绿蓝三色子像素来使用,实现全彩反射显示。
如图5所示,为图3中无机电致变色器件的反射光色域模拟示意图,各电致变色层材料均为WO3,其中粗实线围成的大三角为NTSC标准下红绿蓝三原色在CIE 1931XYZ色度图中的位置,用“NTSC”表示,大三角中各顶点的坐标分别为红光对应的坐标(0.670,0.330)、绿光对应的坐标(0.210,0.710)、以及蓝光对应的坐标(0.140,0.080),细实线围成的小三角为电致变色层为图4中厚度时对应最大反射率的红绿蓝三色在CIE 1931XYZ色度图中的位置,用“EC Reflection”表示,小三角中各顶点的坐标分别为红光对应的坐标(0.424,0.325)、绿光对应的坐标(0.315,0.444)、以及蓝光对应的坐标(0.233,0.180)。将小三角的面积与大三角的面积相除可知,本申请设置上述厚度的三类电致变色层后,无机电致变色器件的色域可高达12.4%NTSC。
如图6所示,为本申请实施例提供的无机电致变色器件的第二种膜层结构示意图,与图3中结构不同之处在于,本实施例中,第一基板还包括设置在第二电致变色层182远离像素电极层一侧的增强层19,增强层19覆盖第二电致变色层182的出光面,增强层19用于提升绿色子像素的饱和度。
在一种实施例中,增强层19的材料为银,厚度为10±2纳米。如图7所示,为图6中无机电致变色器件的电致变色层的反射光谱模拟示意图,其中横坐标为波长,纵坐标为反射率,各电致变色层材料均为WO3,用R表示第一电致变色层181膜厚为154纳米时的反射光谱,G表示第二电致变色层182膜厚为240纳米,且出光面覆盖10纳米银层时的反射光谱,B表示第三电致变色层183膜厚为185纳米时的反射光谱。由图7可以看出,相对于图4,图7中在第一电致变色层182上增加材料为银的增强层19后,可进一步提升绿光的反射率,接近70%。
如图8所示,为图6中无机电致变色器件的反射光色域模拟示意图,各电致变色层材料均为WO3,其中粗实线围成的大三角为NTSC标准下红绿蓝三原色在CIE 1931XYZ色度图中的位置,用“NTSC”表示,大三角中各顶点的坐标分别为红光对应的坐标(0.670,0.330)、绿光对应的坐标(0.210,0.710)、以及蓝光对应的坐标(0.140,0.080),细实线围成的小三角为电致变色层或电致变色层和银层的组合为图6中厚度时对应最大反射率的红绿蓝三色在CIE1931XYZ色度图中的位置,用“EC Reflection”表示,小三角中各顶点的坐标分别为红光对应的坐标(0.424,0.325)、绿光对应的坐标(0.272,0.459)、以及蓝光对应的坐标(0.233,0.180)。将小三角的面积与大三角的面积相除可知,本申请设置上述厚度的三类电致变色层,且在第二电致变色层182上设置银层后,无机电致变色器件的色域可进一步提升至14.8%NTSC。
通过上述实施例可知,本申请的无机电致变色器件,不在原有电致变色器件物理气相沉积制程中引入其他靶材,结构简单,成本低廉。可通过目前普通LCD生产线生产,易实现量产化。可实现全彩反射显示,反射率达50%以上,高于目前市面上绝大多数反射显示产品。色域高达12.4%NTSC,且通过膜层改进色域可进一步提高至14.8%NTSC。
本申请还提供一种显示装置,包括上述任一实施例所述的无机电致变色器件,显示装置可以是智能手表、平板电脑、笔记本电脑、个人计算机(PC,Personal Computer)、微型处理盒子等具有显示功能的设备,可以较低的成本和较为简单的结构实现全彩显示。
根据上述实施例可知:
本申请提供一种无机电致变色器件和显示装置,无机电致变色器件包括相对设置的第一基板、第二基板和填充在第一基板和第二基板之间的电解质层,在靠近电解质层的方向上,第一基板包括层叠设置的第一衬底、驱动电路层、绝缘层、像素电极层以及电致变色层,电致变色层包括厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,第一电致变色层反射红光形成红色子像素,第二电致变色层反射绿光形成绿色子像素,第三电致变色层反射蓝光形成蓝色子像素,在靠近电解质层的方向上,第二基板包括层叠设置的第二衬底、公共电极层以及电致变色对电极层;其中,在像素电极层和公共电极层未通电时,电致变色层呈褪色态;在像素电极层和公共电极层通电时,电致变色层呈显色态,显示与通电电流对应的目标灰阶。本申请的无机电致变色器件,通过设置厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,使其可以分别反射红光、绿光和蓝光,从而可作为红绿蓝三种子像素使用,而通过改变通过电流的大小,可以实现各子像素显示不同的灰阶,因此可以较低的成本和较为简单的结构实现无机电致变色器件的全彩显示,容易实现量产化。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种无机电致变色器件和显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种无机电致变色器件,其特征在于,包括相对设置的第一基板、第二基板和填充在所述第一基板和所述第二基板之间的电解质层;
在靠近所述电解质层的方向上,所述第一基板包括层叠设置的第一衬底、驱动电路层、绝缘层、像素电极层以及电致变色层,所述电致变色层包括厚度不同的第一电致变色层、第二电致变色层、以及第三电致变色层,所述第一电致变色层反射红光形成红色子像素,所述第二电致变色层反射绿光形成绿色子像素,所述第三电致变色层反射蓝光形成蓝色子像素;
在靠近所述电解质层的方向上,所述第二基板包括层叠设置的第二衬底、公共电极层以及电致变色对电极层;
其中,在所述像素电极层和所述公共电极层未通电时,所述电致变色层呈褪色态;在所述像素电极层和所述公共电极层通电时,所述电致变色层呈显色态,显示与通电电流对应的目标灰阶。
2.如权利要求1所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述电致变色层材料包括三氧化钨,所述电解质层包括锂离子。
3.如权利要求2所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述第二电致变色层的厚度大于所述第三电致变色层的厚度,所述第三电致变色层的厚度大于所述第一电致变色层的厚度。
4.如权利要求3所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述第一电致变色层的厚度范围为154±15纳米,所述第二电致变色层的厚度为225±15纳米,所述第三电致变色层的厚度为185±15纳米。
5.如权利要求2所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述像素电极层材料为钨。
6.如权利要求2所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述第一基板还包括设置在所述第二电致变色层远离所述像素电极层一侧的增强层,所述增强层覆盖所述第二电致变色层的出光面。
7.如权利要求6所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述增强层材料为银。
8.如权利要求6所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述增强层的厚度为10±2纳米。
9.如权利要求1所述的无机电致变色器件,其特征在于,所述像素电极层厚度不小于50纳米。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的无机电致变色器件。
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