JPS6355789B2 - - Google Patents
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- JPS6355789B2 JPS6355789B2 JP56139373A JP13937381A JPS6355789B2 JP S6355789 B2 JPS6355789 B2 JP S6355789B2 JP 56139373 A JP56139373 A JP 56139373A JP 13937381 A JP13937381 A JP 13937381A JP S6355789 B2 JPS6355789 B2 JP S6355789B2
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透光性基板の一主面に半導体層を配
置した受光体を備えた受光装置の製造方法に係
り、更に詳しくは上記受光体の配線を含めた枠体
への組込み方法に関する。
置した受光体を備えた受光装置の製造方法に係
り、更に詳しくは上記受光体の配線を含めた枠体
への組込み方法に関する。
受光装置は従来から幅広く使用されてきたが、
最近オプトエレクトロニクス技術の利用が活発に
なるにつれ、更に多方面に需要が拡大している。
最近オプトエレクトロニクス技術の利用が活発に
なるにつれ、更に多方面に需要が拡大している。
第１図は現存する受光装置を示し同図に於い
て、１はシリコンSi等の単結晶から成る一導電型
例えばＮ型の半導体基板、２は該基板１の受光面
から拡散形成された逆導電型例えばＰ型の拡散
層、３，４は上記半導体基板１及び拡散層２と
夫々連なるアルミニウムAl等の電極層で、PN接
合型フオトダイオードの受光体５を構成してい
る。６はセラミツク等絶縁体から成る枠体で、そ
の中央部には凹所７が形成せしめられ、斯る凹所
７に上記受光体５が配置固着される。８，８は上
記枠体６の凹所７から露出した電極で、該電極
８，８は受光体５の電極層３，４とワイヤリード
９，９の超音波ボンデイング若しくは銀ペースト
等の導電性接着剤により接続されている。１０は
上記受光体５を枠体６の凹所７内にモールドする
モールド体で、受光体５に光照射を招くべく透光
性エポキシ樹脂等から成つている。
て、１はシリコンSi等の単結晶から成る一導電型
例えばＮ型の半導体基板、２は該基板１の受光面
から拡散形成された逆導電型例えばＰ型の拡散
層、３，４は上記半導体基板１及び拡散層２と
夫々連なるアルミニウムAl等の電極層で、PN接
合型フオトダイオードの受光体５を構成してい
る。６はセラミツク等絶縁体から成る枠体で、そ
の中央部には凹所７が形成せしめられ、斯る凹所
７に上記受光体５が配置固着される。８，８は上
記枠体６の凹所７から露出した電極で、該電極
８，８は受光体５の電極層３，４とワイヤリード
９，９の超音波ボンデイング若しくは銀ペースト
等の導電性接着剤により接続されている。１０は
上記受光体５を枠体６の凹所７内にモールドする
モールド体で、受光体５に光照射を招くべく透光
性エポキシ樹脂等から成つている。
斯る構造の受光装置によると、受光体５の電極
層３，４と枠体６の電極８，８とはワイヤリード
９，９を介して接続せしめられる為に、機械的強
度に欠けモールド体１０が充填せしめられる際に
断線したり接続箇所が剥離する接続不良を招く危
惧を有している。
層３，４と枠体６の電極８，８とはワイヤリード
９，９を介して接続せしめられる為に、機械的強
度に欠けモールド体１０が充填せしめられる際に
断線したり接続箇所が剥離する接続不良を招く危
惧を有している。
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであつ
て、以下に本発明の実施例につき詳述する。
て、以下に本発明の実施例につき詳述する。
第２図は本発明製造方法に基づき製造された受
光装置の一実施例を示し、１１は受光体であつ
て、該受光体１１は、ガラス若しくはアクリル樹
脂等の耐熱絶縁体から成る透光性基板１２と、該
基板１２の一主面に被着された酸化スズ
（SnO2）、酸化インジウム（In2O3）、酸化インジ
ウム・スズ（In2O3−SnO2）等の透明電極層１３
と、該透明電極層１３の大部分を被覆するPN接
合、PIN接合、シヨツトキ接合若しくはヘテロフ
エイス接合を有する非晶質半導体層１４と、該半
導体層１４上に設けられたAl等の第１の電極層
１５と、該第１の電極層１５と同時に形成され透
明電極層１３の露出部１３ａと同一面上で結合す
る第２の電極層１６と、から構成されている。１
７は従来例を示した第１図と同じセラミツク等絶
縁体から成る枠体で、その中央部には電極１８，
１８が露出した凹所１９が設けられている。２
０，２０は上記枠体１７の凹所１９に組込まれた
受光体１１の第１・第２の電極層１５，１６と電
極１８，１８とを電気的に接続する導電性接続体
で、該接続体２０，２０は第１・第２の電極層１
５，１６の形成材によりAgペースト等の導電性
接着剤若しくは半田が適宜選択される。例えば
Alから成る場合導電性接着剤が選択され、また
AlにAg、ニツケルNi、銅Cu、金Au等の金属が
被着されたものにあつては半田が使用される。２
１はエポキシ樹脂等のモールド体で、枠体１７の
凹所１９下部に形成された空間に該空間から外部
と連通した注入孔２２を介して注入される。尚、
２３はモールド体２１が空間に注入される際の排
気孔である。
光装置の一実施例を示し、１１は受光体であつ
て、該受光体１１は、ガラス若しくはアクリル樹
脂等の耐熱絶縁体から成る透光性基板１２と、該
基板１２の一主面に被着された酸化スズ
（SnO2）、酸化インジウム（In2O3）、酸化インジ
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と、該透明電極層１３の大部分を被覆するPN接
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導体層１４上に設けられたAl等の第１の電極層
１５と、該第１の電極層１５と同時に形成され透
明電極層１３の露出部１３ａと同一面上で結合す
る第２の電極層１６と、から構成されている。１
７は従来例を示した第１図と同じセラミツク等絶
縁体から成る枠体で、その中央部には電極１８，
１８が露出した凹所１９が設けられている。２
０，２０は上記枠体１７の凹所１９に組込まれた
受光体１１の第１・第２の電極層１５，１６と電
極１８，１８とを電気的に接続する導電性接続体
で、該接続体２０，２０は第１・第２の電極層１
５，１６の形成材によりAgペースト等の導電性
接着剤若しくは半田が適宜選択される。例えば
Alから成る場合導電性接着剤が選択され、また
AlにAg、ニツケルNi、銅Cu、金Au等の金属が
被着されたものにあつては半田が使用される。２
１はエポキシ樹脂等のモールド体で、枠体１７の
凹所１９下部に形成された空間に該空間から外部
と連通した注入孔２２を介して注入される。尚、
２３はモールド体２１が空間に注入される際の排
気孔である。
而して、本発明製造方法による受光装置は受光
体１１の第１・第２の電極層１５，１６を枠体１
７の電極１８，１８に対し従来装置の如きワイヤ
リード９，９を介さず直接結合した点に特徴を有
する。即ち、非晶質半導体層１４は透光性基板１
１上に直接特公昭53−37718号公報にて周知の如
くプラズマ雰囲気中でのグロー放電によつてミク
ロンオーダ若しくはそれ以下の薄膜状に形成する
ことができ、しかも光照射に対し悪影響を与えな
い裏面に於いて同一面上に第１・第２の電極層１
５，１６が配置されるので、上述の如き電極１
８，１８の直接結合が可能となる。
体１１の第１・第２の電極層１５，１６を枠体１
７の電極１８，１８に対し従来装置の如きワイヤ
リード９，９を介さず直接結合した点に特徴を有
する。即ち、非晶質半導体層１４は透光性基板１
１上に直接特公昭53−37718号公報にて周知の如
くプラズマ雰囲気中でのグロー放電によつてミク
ロンオーダ若しくはそれ以下の薄膜状に形成する
ことができ、しかも光照射に対し悪影響を与えな
い裏面に於いて同一面上に第１・第２の電極層１
５，１６が配置されるので、上述の如き電極１
８，１８の直接結合が可能となる。
また上記第１・第２の電極層１５，１６と電極
１８，１８とは導電性接着剤若しくは半田により
接続せしめられるが、半田は導電性接着剤に比べ
機械的強度に富む為に半田付が望ましい。斯る半
田付は枠体１７の電極１８，１８露出面に半田か
ら成る導電性接続体２０，２０を予備接着後、受
光体１１の第１・第２の電極層１５，１６を下方
にした状態で凹所１９に嵌入し上記第１・第２の
電極層１５，１６と導電性接続体２０，２０とを
当接せしめ、上記電極１８，１８を外部から加熱
し、予備接着された導電性接続体２０を溶融する
ことにより行なわれる。
１８，１８とは導電性接着剤若しくは半田により
接続せしめられるが、半田は導電性接着剤に比べ
機械的強度に富む為に半田付が望ましい。斯る半
田付は枠体１７の電極１８，１８露出面に半田か
ら成る導電性接続体２０，２０を予備接着後、受
光体１１の第１・第２の電極層１５，１６を下方
にした状態で凹所１９に嵌入し上記第１・第２の
電極層１５，１６と導電性接続体２０，２０とを
当接せしめ、上記電極１８，１８を外部から加熱
し、予備接着された導電性接続体２０を溶融する
ことにより行なわれる。
更に本発明者は非晶質半導体の分光感度に着目
した。即ち、グロー放電によつて形成されたPIN
接合型非晶質シリコンは第３図に於いて一点鎖線
で示す如く略580nｍに感度ピークが存在する。
一方、人間の視感度は第３図実線に示す如き
555nｍに感度ピークが存在する比視感度曲線を
描く。ところが、第１図の従来装置に於けるPN
接合型単結晶シリコンは第３図破線の如き感度ピ
ークは800〜900nｍに存在する。従つて、人間の
視感度領域のセンサ例えばカメラ用として受光装
置が使用される場合、感度ピークが800〜900nｍ
に存在する従来装置にあつては感度波長を補正す
るフイルタを必要としていた。斯るフイルタは光
学フイルタである為に高価でありコストアツプの
要因となつていた。
した。即ち、グロー放電によつて形成されたPIN
接合型非晶質シリコンは第３図に於いて一点鎖線
で示す如く略580nｍに感度ピークが存在する。
一方、人間の視感度は第３図実線に示す如き
555nｍに感度ピークが存在する比視感度曲線を
描く。ところが、第１図の従来装置に於けるPN
接合型単結晶シリコンは第３図破線の如き感度ピ
ークは800〜900nｍに存在する。従つて、人間の
視感度領域のセンサ例えばカメラ用として受光装
置が使用される場合、感度ピークが800〜900nｍ
に存在する従来装置にあつては感度波長を補正す
るフイルタを必要としていた。斯るフイルタは光
学フイルタである為に高価でありコストアツプの
要因となつていた。
然るに、本発明の如き非晶質半導体は第３図か
ら明らかな如く比視感度と感度ピークが略一致す
るから視感度領域のセンサとして使用される場合
上記高価なフイルタを必要とせず非晶質半導体の
安価と相俟つて特に有利である。また、必要とあ
れば非晶質半導体の感度ピークと比視感度のピー
クとの差は僅かであるので、該非晶質半導体のバ
ンドギヤツプを変更することによつて上記比視感
度に非晶質半導体の感度を合致せしめることも容
易に実現可能である。
ら明らかな如く比視感度と感度ピークが略一致す
るから視感度領域のセンサとして使用される場合
上記高価なフイルタを必要とせず非晶質半導体の
安価と相俟つて特に有利である。また、必要とあ
れば非晶質半導体の感度ピークと比視感度のピー
クとの差は僅かであるので、該非晶質半導体のバ
ンドギヤツプを変更することによつて上記比視感
度に非晶質半導体の感度を合致せしめることも容
易に実現可能である。
尚、第２図に示す如く透光性基板１２で枠体１
７の凹所１９を覆蓋すれば、非晶質半導体層１４
は実質的に密閉された空間内に於いてモールドさ
れる為に、モールド体１０が大気と接触した従来
装置に比べ遥かに耐湿性を向上せしめることがで
きる。
７の凹所１９を覆蓋すれば、非晶質半導体層１４
は実質的に密閉された空間内に於いてモールドさ
れる為に、モールド体１０が大気と接触した従来
装置に比べ遥かに耐湿性を向上せしめることがで
きる。
また以上の説明に於ける非晶質半導体層１４は
PIN接合、シヨツトキ接合等の接合形態を有し、
光照射に対し光起電力を発生せしめる光起電力効
果を利用したものであつたが、斯る接合形態を持
たず光照射によつて導電率が上昇する光導電効果
を利用したものであつても本発明の作用効果を妨
げるものではない。
PIN接合、シヨツトキ接合等の接合形態を有し、
光照射に対し光起電力を発生せしめる光起電力効
果を利用したものであつたが、斯る接合形態を持
たず光照射によつて導電率が上昇する光導電効果
を利用したものであつても本発明の作用効果を妨
げるものではない。
本発明受光装置の製造方法は以上の説明から明
らかな如く、電極が露出した枠体の凹所に、受光
体の電極層を臨ませた状態で組込むことによつ
て、該受光体の電極層と枠体の電極とを直接結合
せしめたので、従来の単結晶半導体から成る受光
装置からワイヤリードを削除することができ、斯
るワイヤリードの存在に起因する作業性の煩雑
さ、機械的強度の低下及び断線、剥離事故を回避
することができるばかりか、受光体を構成する透
光性基板は枠体の凹所を覆蓋する蓋体としても作
用し、半導体層の耐湿性の向上が図れる。
らかな如く、電極が露出した枠体の凹所に、受光
体の電極層を臨ませた状態で組込むことによつ
て、該受光体の電極層と枠体の電極とを直接結合
せしめたので、従来の単結晶半導体から成る受光
装置からワイヤリードを削除することができ、斯
るワイヤリードの存在に起因する作業性の煩雑
さ、機械的強度の低下及び断線、剥離事故を回避
することができるばかりか、受光体を構成する透
光性基板は枠体の凹所を覆蓋する蓋体としても作
用し、半導体層の耐湿性の向上が図れる。
第１図は従来装置の断面図、第２図は本発明製
造方法による受光装置の一実施例断面図、第３図
は比視感度分布及び従来装置、本発明製造方法に
よる受光装置の分光感度特性を示す曲線図で、１
１は受光体、１２は透光性基板、１４は非晶質半
導体層、１５，１６は第１・第２の電極層、１７
は枠体、１８は電極、１９は凹所、を夫々示して
いる。
造方法による受光装置の一実施例断面図、第３図
は比視感度分布及び従来装置、本発明製造方法に
よる受光装置の分光感度特性を示す曲線図で、１
１は受光体、１２は透光性基板、１４は非晶質半
導体層、１５，１６は第１・第２の電極層、１７
は枠体、１８は電極、１９は凹所、を夫々示して
いる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板、該基板の一主面に被着された半
導体層、該半導体層と結合した電極層、とから成
る受光体を、電極が露出した枠体の凹所に、受光
体の電極層が枠体の電極と対向して組込み、当該
電極層と枠体の電極を結合すると共に、上記受光
体の透光性基板で枠体の凹所を覆蓋したことを特
徴とする受光装置の製造方法。 ２ 上記半導体層は比視感度と感度ピークが略一
致する非晶質半導体から成る特許請求の範囲第１
項記載の受光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56139373A JPS5840870A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 受光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56139373A JPS5840870A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 受光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840870A JPS5840870A (ja) | 1983-03-09 |
| JPS6355789B2 true JPS6355789B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=15243806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56139373A Granted JPS5840870A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840870A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024077A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| FR2626408B1 (fr) * | 1988-01-22 | 1990-05-11 | Thomson Csf | Capteur d'image a faible encombrement |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551116A (en) * | 1978-06-16 | 1980-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP56139373A patent/JPS5840870A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551116A (en) * | 1978-06-16 | 1980-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840870A (ja) | 1983-03-09 |
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