JPS6244532Y2 - - Google Patents
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- JPS6244532Y2 JPS6244532Y2 JP1981148887U JP14888781U JPS6244532Y2 JP S6244532 Y2 JPS6244532 Y2 JP S6244532Y2 JP 1981148887 U JP1981148887 U JP 1981148887U JP 14888781 U JP14888781 U JP 14888781U JP S6244532 Y2 JPS6244532 Y2 JP S6244532Y2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は非晶質半導体装置に係り、更に詳しく
はリード線の接続構造に関する。
はリード線の接続構造に関する。
太陽の光エネルギーを電気エネルギーに変換す
る太陽電池や、光信号を電気信号として検出する
光センサに単結晶半導体に代つて製造コストが極
めて廉価な非晶質半導体が脚光を浴びるに至つて
来た。
る太陽電池や、光信号を電気信号として検出する
光センサに単結晶半導体に代つて製造コストが極
めて廉価な非晶質半導体が脚光を浴びるに至つて
来た。
第１図はこの種非晶質半導体装置を示し、同図
Ａは平面図、ＢはＡに於けるＢ−B′線断面図、Ｃ
はＡに於けるＣ−C′線断面図である。上記第１
図に於いて、１はガラス・耐熱性アクリル樹脂等
の絶縁体から成る透光性基板、２は該基板１上に
設けられた酸化錫・酸化インジウム・酸化インジ
ウム錫等の透光性の第１の電極膜、３は該第１の
電極膜２上に被着された非晶質半導体膜で、該非
晶質半導体膜３は特公昭53−37718号公報等に開
示された如くシランSiH4等のシリコン化合物雰
囲気中でのプラズマ反応により形成され、ジボラ
ンB1H6、フオスフインPH3等の不純物ガスを適宜
添加することによつてＰ型Ｎ型制御が可能で、斯
る方法により例えばPIN接合型水素化非晶質シリ
コンを得る。尚、上記シリコン化合物雰囲気中に
メタンCH4を加えることにより非晶質シリコンカ
ーバイドを、弗素F2、酸素O2を夫々混入すれば
弗素化非晶質シリコン、非晶質シリコンオキサイ
ド等適宜の非晶質シリコン化合物を形成すること
ができる。４は上記非晶質半導体膜３上に設けら
れたアルミニウム等の金属から成る第２の電極膜
で、該第２の電極膜４の一部は透光性基板１上に
延出した延出部４ａを具えている。２ａは第１の
電極膜２の一部が非晶質半導体膜３から露出した
露出部、５は該露出部２ａの表面に形成された電
極パツドで、第２の電極膜４と同材料から構成さ
れている。６，７は上記第１の電極膜２の電極パ
ツド５と第２の電極膜４の延出部４ａの夫々に銀
ペースト等の導電性接着剤８，８を介して接続さ
れた第１・第２のリード線である。
Ａは平面図、ＢはＡに於けるＢ−B′線断面図、Ｃ
はＡに於けるＣ−C′線断面図である。上記第１
図に於いて、１はガラス・耐熱性アクリル樹脂等
の絶縁体から成る透光性基板、２は該基板１上に
設けられた酸化錫・酸化インジウム・酸化インジ
ウム錫等の透光性の第１の電極膜、３は該第１の
電極膜２上に被着された非晶質半導体膜で、該非
晶質半導体膜３は特公昭53−37718号公報等に開
示された如くシランSiH4等のシリコン化合物雰
囲気中でのプラズマ反応により形成され、ジボラ
ンB1H6、フオスフインPH3等の不純物ガスを適宜
添加することによつてＰ型Ｎ型制御が可能で、斯
る方法により例えばPIN接合型水素化非晶質シリ
コンを得る。尚、上記シリコン化合物雰囲気中に
メタンCH4を加えることにより非晶質シリコンカ
ーバイドを、弗素F2、酸素O2を夫々混入すれば
弗素化非晶質シリコン、非晶質シリコンオキサイ
ド等適宜の非晶質シリコン化合物を形成すること
ができる。４は上記非晶質半導体膜３上に設けら
れたアルミニウム等の金属から成る第２の電極膜
で、該第２の電極膜４の一部は透光性基板１上に
延出した延出部４ａを具えている。２ａは第１の
電極膜２の一部が非晶質半導体膜３から露出した
露出部、５は該露出部２ａの表面に形成された電
極パツドで、第２の電極膜４と同材料から構成さ
れている。６，７は上記第１の電極膜２の電極パ
ツド５と第２の電極膜４の延出部４ａの夫々に銀
ペースト等の導電性接着剤８，８を介して接続さ
れた第１・第２のリード線である。
斯る構造によると第１・第２のリード線６，７
は上述の如く電極パツド５並びに延出部４ａに対
して導電性接着剤８，８によつて接続せしめられ
ている為に固着強度が弱く度々接触不良事故を誘
発し信頼性を損なう原因となつていた。特に非晶
質半導体膜２は高温に弱く、従つて導電性接着剤
８，８は略100度以下の低温硬化型のものしか使
用できず、硬化するまでの間に第１・第２のリー
ド線６，７が剥離する危惧をも有していた。
は上述の如く電極パツド５並びに延出部４ａに対
して導電性接着剤８，８によつて接続せしめられ
ている為に固着強度が弱く度々接触不良事故を誘
発し信頼性を損なう原因となつていた。特に非晶
質半導体膜２は高温に弱く、従つて導電性接着剤
８，８は略100度以下の低温硬化型のものしか使
用できず、硬化するまでの間に第１・第２のリー
ド線６，７が剥離する危惧をも有していた。
本考案は斯る点に鑑み上記第１・第２のリード
線６，７の接続構造に改良を施した非晶質半導体
装置を提供するものである。以下に第２図Ａ，Ｂ
を参照して本考案の一実施例につき詳述する。
線６，７の接続構造に改良を施した非晶質半導体
装置を提供するものである。以下に第２図Ａ，Ｂ
を参照して本考案の一実施例につき詳述する。
第２図Ａ並びにＢは第１図Ｂ及びＣに対応し同
一のものについては同番号が付してある。即ち、
１は透光性絶縁基板、２は透光性の第１の電極
膜、２ａは該第１の電極膜２の露出部、３は例え
ばPIN接合型水素化非晶質シリコンから成る非晶
質半導体膜、４は第２の電極膜、４ａは該第２の
電極膜４の延出部、５は上記露出部２ａ表面に形
成された電極パツド、６，７は第１・第２のリー
ド線、８は低温硬化型の銀ペースト等の導電性接
着剤で、異なるところは上記第１・第２のリード
線６，７の機械的な接続をエポキシ系等の低温硬
化型絶縁性接着剤９で行なうべく、該絶縁性接着
剤９を第１・第２のリード線６，７と電極パツド
５並びに延出部４ａとの間に夫々配置せしめた点
にある。従つて、第１・第２のリード線６，７は
第１・第２の電極膜２，４の電極パツド５並びに
延出部４ａに対して、導電性接着剤８，８によつ
て主として電気的な接続が行なわれ、また機械的
強度及び硬化特性に富む絶縁性接着剤９により機
械的強固な結合が行なわれる。
一のものについては同番号が付してある。即ち、
１は透光性絶縁基板、２は透光性の第１の電極
膜、２ａは該第１の電極膜２の露出部、３は例え
ばPIN接合型水素化非晶質シリコンから成る非晶
質半導体膜、４は第２の電極膜、４ａは該第２の
電極膜４の延出部、５は上記露出部２ａ表面に形
成された電極パツド、６，７は第１・第２のリー
ド線、８は低温硬化型の銀ペースト等の導電性接
着剤で、異なるところは上記第１・第２のリード
線６，７の機械的な接続をエポキシ系等の低温硬
化型絶縁性接着剤９で行なうべく、該絶縁性接着
剤９を第１・第２のリード線６，７と電極パツド
５並びに延出部４ａとの間に夫々配置せしめた点
にある。従つて、第１・第２のリード線６，７は
第１・第２の電極膜２，４の電極パツド５並びに
延出部４ａに対して、導電性接着剤８，８によつ
て主として電気的な接続が行なわれ、また機械的
強度及び硬化特性に富む絶縁性接着剤９により機
械的強固な結合が行なわれる。
而して、透光性基板１の裏面方面から照射され
た光は該透光性基板１並びに第１の電極膜２を透
過し非晶質半導体膜３に到達する。そして、非晶
質半導体膜３に到達した光は主にＩ層に於いて吸
収され電子と正孔から成る自由キヤリアを誘起す
る。斯る自由キヤリアは非晶質半導体膜３が作る
PIN接合電界に引かれて第１・第２の電極２，４
に向つて夫々移動し、電気的且機械的強固に接続
された第１・第２のリード線６，７間に太陽電池
にあつては光起電力が発生し、また光センサにあ
つては光電流が流れる。
た光は該透光性基板１並びに第１の電極膜２を透
過し非晶質半導体膜３に到達する。そして、非晶
質半導体膜３に到達した光は主にＩ層に於いて吸
収され電子と正孔から成る自由キヤリアを誘起す
る。斯る自由キヤリアは非晶質半導体膜３が作る
PIN接合電界に引かれて第１・第２の電極２，４
に向つて夫々移動し、電気的且機械的強固に接続
された第１・第２のリード線６，７間に太陽電池
にあつては光起電力が発生し、また光センサにあ
つては光電流が流れる。
尚、以上の説明に於いては第１の電極膜２の露
出部２ａ表面には透光性基板１の裏面方向、即ち
光照射方向から見て第１のリード線６の接続状況
を遮蔽すること及び位置決め等を目的として電極
パツド５が設けられていたが、斯る電極パツド５
を配置せず第１のリード線６を露出部２ａに対し
て直接導電性接着剤８並びに絶縁性接着剤９を用
いて接続しても良い。
出部２ａ表面には透光性基板１の裏面方向、即ち
光照射方向から見て第１のリード線６の接続状況
を遮蔽すること及び位置決め等を目的として電極
パツド５が設けられていたが、斯る電極パツド５
を配置せず第１のリード線６を露出部２ａに対し
て直接導電性接着剤８並びに絶縁性接着剤９を用
いて接続しても良い。
本考案非晶質半導体装置は以上の説明から明ら
かな如く、非晶質半導体膜の第１・第２の電極膜
に対し外部に出力を導出する第１・第２のリード
線の少なくとも一方を、導電性接着剤並びに絶縁
性接着剤を介して接続せしめたので、両者を電気
的且つ機械的強固に結合せしめることができ、リ
ード線の接触不良及び導電性接着剤の硬化中に於
けるリード線の剥離事故を回避し極めて信頼性の
高い装置を得ることができる。
かな如く、非晶質半導体膜の第１・第２の電極膜
に対し外部に出力を導出する第１・第２のリード
線の少なくとも一方を、導電性接着剤並びに絶縁
性接着剤を介して接続せしめたので、両者を電気
的且つ機械的強固に結合せしめることができ、リ
ード線の接触不良及び導電性接着剤の硬化中に於
けるリード線の剥離事故を回避し極めて信頼性の
高い装置を得ることができる。
第１図Ａ〜Ｃは従来装置を示し、同図Ａは平面
図、ＢはＡに於けるＢ−B′線断面図、ＣはＡに於
けるＣ−C′線断面図、第２図Ａ及びＢは本考案
装置の一実施例に於ける断面図である。 １……透光性基板、３……非晶質半導体膜、
６，７……第１・第２のリード線、８……導電性
接着剤、９……絶縁性接着剤。
図、ＢはＡに於けるＢ−B′線断面図、ＣはＡに於
けるＣ−C′線断面図、第２図Ａ及びＢは本考案
装置の一実施例に於ける断面図である。 １……透光性基板、３……非晶質半導体膜、
６，７……第１・第２のリード線、８……導電性
接着剤、９……絶縁性接着剤。
Claims (1)
- 透孔性基板、該基板の一主面に形成された透光
性の第１の電極膜、該第１の電極膜の一部を露出
せしめた状態で順次積層された非晶質半導体膜及
び第２の電極膜、上記第１・第２の電極膜の夫々
に導通し上記非晶質半導体膜の光電変換出力を外
部に導出する第１・第２のリード線、から成り、
上記第１・第２のリード線の少なくとも一方は第
１・第２の電極膜若しくはそれに固着された電極
パツドに対し導電性接着剤並びに絶縁性接着剤に
よつて電気的且つ機械的に強固に接続されている
ことを特徴とする非晶質半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14888781U JPS5853159U (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 非晶質半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14888781U JPS5853159U (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 非晶質半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853159U JPS5853159U (ja) | 1983-04-11 |
| JPS6244532Y2 true JPS6244532Y2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=29941686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14888781U Granted JPS5853159U (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 非晶質半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853159U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61193488A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-27 | Teijin Ltd | 非晶質太陽電池の製造方法 |
| JPH065773B2 (ja) * | 1987-11-16 | 1994-01-19 | 株式会社富士電機総合研究所 | 薄膜太陽電池 |
| JP2011003936A (ja) * | 2010-09-30 | 2011-01-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力モジュール及び光起電力素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333061A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Seiko Epson Corp | Packaging method of semiconductor integrated circuits |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP14888781U patent/JPS5853159U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333061A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Seiko Epson Corp | Packaging method of semiconductor integrated circuits |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5853159U (ja) | 1983-04-11 |
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