JPH01187984A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01187984A
JPH01187984A JP63012864A JP1286488A JPH01187984A JP H01187984 A JPH01187984 A JP H01187984A JP 63012864 A JP63012864 A JP 63012864A JP 1286488 A JP1286488 A JP 1286488A JP H01187984 A JPH01187984 A JP H01187984A
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insulating
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junction
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Susumu Yoshida
進 吉田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、信頼性の高い電極構造を有する半導体装置
に関するものである。
〔従来の技術］ 第２図は、例えば従来の充電変換機能を有する半導体装
置を示す断面図であり、この図において、１ａはｎ形Ｇ
ａＡｓ基板、２はこのｎ形ＧａＡｓ基板１ａ上に形成さ
れたｎ形ＧａＡｓ層、３はｐ形ＧａＡｓ層、４はｐ形Ａ
ｆＬＧａＡｓ層、５はｐｎ接合、６は前記ｐ型ＡｕＧａ
Ａｓ層４上に形成された反射防止膜であり、膜厚６００
〜ａ。
０人の窒化シリコン膜である。７ａ、８ａは前記ｐ形Ｇ
ａＡｓ層３とｎ形ＧａＡｓ基板１ａにオーミック接触す
る電極である。
従来のこの種の光電変換機能を有する半導体装置は上記
のように構成されており、第２図の紙面上から入射した
陽光は、ｐ形ＡｕＧａＡｓ層４上に形成された反射防止
膜６を通過し、ｐ形ＧａＡｓ層３およびｎ形ＧａＡｓ層
２で光電変換され、発生した光電流は電極７ａ、８ａか
ら取り出すようになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のような従来の光電変換機能を有する半導体装置で
は、オーミック接合を形成する電極７ａが直接光電変換
機能を有するｐ形ＧａＡｓ層３上に形成され、しかもｐ
形ＧａＡｓ層３は光電変換効率および宇宙環境における
耐放射線性を大きくするために、通常０．５μｍ程度の
膜厚となっている。したがって、電極７ａと外部リード
端子（図示せず）を溶接、熱圧着ボンディング等の方法
により接続するときに、光電変換の重要な役割を担うｐ
形ＧａＡｓ層３．ｎ形ＧａＡｓ層２およびｐｎ接合５に
大きなストレスが加わることになり、この結果、光電変
換効率の低下および素子の信頓性の低下等の問題点があ
った。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、半導体層の機械的損傷を低減せしめるとともに、電
極強度の増加をはかり、高信頼性の半導体装置を得るこ
とを目的としている。
（課題を解決するための手段） この発明に係る半導体装置は、半絶縁性または絶縁性の
基板と、この基板上の一部に形成されたｐｎ接合を形成
するための第１および第２の半導体層と、基板上から第
２の半導体層上まで、ｐｎ接合を絶縁する絶縁膜を介し
て形成され、第２の半導体層とオーミック接触するＳｌ
の電極と、第１の半導体層とオーミック接触する第２の
電極とから構成したものである。
〔イ乍用） この発明においては、第１の電極の半絶縁性または絶縁
性の基板上に形成された領域に、外部リード端子が溶接
、超音波ボンディング、あるいは熱圧着ボンディング等
の方法によって接続される。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示す光電変換機能を有す
る半導体装置の断面図であり、この図において、１は例
えばクロームドープの半絶縁性ＧａＡｓ基板、２は液相
エピタキシャル法あるいは有機金属気相エピタキシャル
法（Ｍｅｔａｌ　ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌ　Ｖ
ａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　＝　Ｍ　ＯＣＶ　Ｄ
　）によって形成された第１の半導体層としてのｎ形Ｇ
ａＡｓ層、３は第２の半導体層としてのｐ形ＧａＡｓ層
で、ｎ形ＧａＡｓ層２への、例えば亜鉛。
ベリリウム、マグネシウムなどのＩＩ族元素による拡散
、あるいはＭＯＣＶＤによって直接形成されている。４
は亜鉛、ベリリウム、マグネシウムなどのＩＩ族元素が
ドープされたｐ形ＡｆｌＧａＡＳ層、５は前記ｎ形Ｇａ
Ａｓ層２とｐ形ＧａＡｓ層３で形成されたｐｎ接合、６
は例えば窒化シリコン膜からなる反射防止膜、７は前記
ｐ形ＧａＡｓ層３上にオーミック接合を形成する第１の
電極で、半絶縁性ＧａＡｓ基板１上から形成されている
。８は前記半絶縁性ＧａＡｓ基板１の表面にオーミック
接合を形成する第２の電極、９は前記ｐｎ接合５を構成
するｎ形ＧａＡｓ層２およびｐ形ＧａＡｓＮ３の端面に
形成された窒化シリコン膜、酸化シリコン膜あるいはポ
リイミド等からなる耐熱性の絶縁膜であり、電極７とｐ
ｎ接合５の短絡を防止するためのものである。
この実施例の光電変換機能を有する半導体装置は、上記
のように構成され、第１図の紙面上方から陽光等の光を
照射すると、ｎ形ＧａＡｓ層２とｐ形ＧａＡｓ層３で構
成されるｐｎ接合５で光が吸収されて電気に変換される
が、光電流発生に有効な光キャリアはほとんどｐ形Ｇａ
Ａｓ層３内で発生する。発生した光キャリアによる光電
流は、電極７と電８ｉ８に外部リード端子を接合するこ
とにより外部に取り出されることになる。前述の従来の
ものでは、ｐ形ＧａＡｓ層３にオーミック接触された電
極７ａと外部リード端子（図示せず）′が直接にｐ形Ｇ
ａＡｓ層３上でボンディングされるために、ｐ形ＧａＡ
ｓ層３およびｐｎ接合５への機械的損傷が発生し易くな
っていたが、この実施例の電極構造においては、外部リ
ード端子（図示せず）の電極７への接続を半絶縁性Ｇａ
Ａ　ｓ基板１へ配線された電極７の位置で行うことによ
って、光電変換機能を有するｐ形Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｎ　
３、ｎ形ＧａＡｓ層２およびｐｎ接合５への機械的損傷
を小さくすることができる。
なお、上記実施例では　ＧａＡｓ光電変換素子の場合に
ついて述べたが、半絶縁性基板あるいは絶縁性基板上に
能動層（ｐｎ接合）を有するものであれば、上記以外の
半導体素子についても適用できる。
（発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、半絶縁性または絶縁性
の基板と、この基板上の一部に形成されたｐｎ接合を形
成するための第１および第２の半導体層と、基板上から
第２の半導体層上までｐｎ接合を絶縁する絶縁膜を介し
て形成され、第２の半導体層とオーミック接触する第１
の電極と、第１の半導体層とオーミック接触する第２の
電極とから構成したので、外部リード端子との接続のた
めのホンディングを第１の電極の基板上の領域で行うこ
とができ、ボンディングによるｐｎ接合の機械的損傷が
なくなり、信頼性の高い半導体装置を得ることができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す断面図
、第２図は従来の光電変換機能を有する半導体装置の断
面図である。 図において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ形Ｇａ
Ａｓ層、３はｐ形ＧａＡｓ層、４はｐ形ＡＪＺＧａＡｓ
層、５はｐｎ接合、６は反射防止膜、７．８は第１およ
び第２の電極、９は絶縁膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　　（外２名）第１図 第２図 手続補正書（自発） １、事件の表示　　　特願昭６３−１２８６４号２、発
明の名称　　半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　　　　東京都千代田区丸のカニ丁目２番３号名
　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志　岐　
守　哉 ４４代理人 住　所　　　　東京都千代田区丸の内二丁目２番３冴三
菱電機株式会社内 氏名　（７３７５）弁理士大岩増雄 （連絡先０３　（２１３）　３４２１特許部）５、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６゜補正の内容 （１）明細書第２頁１０行、第５頁１６行の「陽光」を
、それぞれ「太陽光」と補正する。 （２）同じく第５頁１２行、第６頁９行、１０行の１−
電極７」を、いずれも「第１の電極７」と補正ずろ。 （３）　　同じく第６頁１行の［電極７と電極８Ｊを、
１−第１の電極７と第２の電極８］と補正する。 以　　上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半絶縁性または絶縁性の基板と、この基板上の一部に
    形成されたｐｎ接合を形成するための第１および第２の
    半導体層と、前記基板上から前記第２の半導体層上まで
    、前記ｐｎ接合を絶縁する絶縁膜を介して形成され、前
    記第２の半導体層とオーミック接触する第１の電極と、
    前記第１の半導体層とオーミック接触する第２の電極と
    から構成したことを特徴とする半導体装置。
JP63012864A 1988-01-22 1988-01-22 半導体装置 Pending JPH01187984A (ja)

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