JPS6042974A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6042974A JPS6042974A JP58150989A JP15098983A JPS6042974A JP S6042974 A JPS6042974 A JP S6042974A JP 58150989 A JP58150989 A JP 58150989A JP 15098983 A JP15098983 A JP 15098983A JP S6042974 A JPS6042974 A JP S6042974A
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- Japan
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- image sensor
- sensor chip
- transparent member
- chip
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、半導体イメージセンサチップを用いて構成
されるイメージセンサに関する。
されるイメージセンサに関する。
し発明の技術的背景とその問題点コ
ファクシミリやＯＣＲ等に用いられるイメージセンサに
は、ＣＯＤやＭＯＳ型センサ等の単結晶シリコンからな
る半導体イメージセンサチップを用いるものと、アモル
ファスシリコンやＣｄ−Ｓ系の半導体薄膜を用いるもの
とが知られているが、現在では半導体イメージセンサチ
ップを用いるものが主に使用されている。半導体イメー
ジセン１ノチツプを用いたイメージセンサでは、センサ
面に原稿面からの光が良好に導入されること、および半
導体イメージセンサチップが外気から遮断されることの
二点が要求される。これらの要求を；箇たすため、従来
の半導体イメージセンサチップを用いたイメージセンサ
は、第１図に示すように半導体イメージセンサチップを
周囲に凸部３を持つセラミック基板２上にワイヤボンデ
ィング等により実装し、この凸部３の上面に平板ガラス
４を低融点ガラス等で封着し、そして基板２と凸部３と
平板ガラス４で囲まれる空間５に！−（ｅ、Ｎ２等の不
活性ガスを封入する構造を有している。
は、ＣＯＤやＭＯＳ型センサ等の単結晶シリコンからな
る半導体イメージセンサチップを用いるものと、アモル
ファスシリコンやＣｄ−Ｓ系の半導体薄膜を用いるもの
とが知られているが、現在では半導体イメージセンサチ
ップを用いるものが主に使用されている。半導体イメー
ジセン１ノチツプを用いたイメージセンサでは、センサ
面に原稿面からの光が良好に導入されること、および半
導体イメージセンサチップが外気から遮断されることの
二点が要求される。これらの要求を；箇たすため、従来
の半導体イメージセンサチップを用いたイメージセンサ
は、第１図に示すように半導体イメージセンサチップを
周囲に凸部３を持つセラミック基板２上にワイヤボンデ
ィング等により実装し、この凸部３の上面に平板ガラス
４を低融点ガラス等で封着し、そして基板２と凸部３と
平板ガラス４で囲まれる空間５に！−（ｅ、Ｎ２等の不
活性ガスを封入する構造を有している。
しかし、このような構造では周囲に凸部を有するセラミ
ック基板を製造するのに、まず平坦なセラミック基板に
半導体イメージセンサチップを実装するための配線を厚
膜印刷等で行なった後、凸部を形成し焼成を行なうとい
う複雑な工程が必要である。このため低ＩＩｉ格化が難
しく、また密着型イメージセンサのような大形のデバイ
スが作りにくいという欠点があった。
ック基板を製造するのに、まず平坦なセラミック基板に
半導体イメージセンサチップを実装するための配線を厚
膜印刷等で行なった後、凸部を形成し焼成を行なうとい
う複雑な工程が必要である。このため低ＩＩｉ格化が難
しく、また密着型イメージセンサのような大形のデバイ
スが作りにくいという欠点があった。
この発明の、目的は、製造コストが低く、大形デバイス
の実現も容易である半導体イメージセンサチップを用い
たイメージセンサを提供することにある。
の実現も容易である半導体イメージセンサチップを用い
たイメージセンサを提供することにある。
［発明の概要］
この発明は、基板として平坦な基板を用い、その上に半
導体イメージセンサチップを実装づるとともに、このイ
メージセン１ノチツブを収容する凹部を有しこのイメー
ジセンサチップを封止するように設けられた透光性部材
を１′１着してなることを特徴としている。
導体イメージセンサチップを実装づるとともに、このイ
メージセン１ノチツブを収容する凹部を有しこのイメー
ジセンサチップを封止するように設けられた透光性部材
を１′１着してなることを特徴としている。
［発明の効果］
この発明によれば、基板としては従来のような凸部を有
する複雑な形状をもたず、単純な平坦形状のものを使用
できるので、製造コストを大きく低減でき、しかも密着
イメージセンサのような光電変換素子のアレイ長のＥい
人形デバイスの製１゛「も容易となる。
する複雑な形状をもたず、単純な平坦形状のものを使用
できるので、製造コストを大きく低減でき、しかも密着
イメージセンサのような光電変換素子のアレイ長のＥい
人形デバイスの製１゛「も容易となる。
すなわち、この発明で用いる平坦な基板はセラミックや
ガラス板等の上にイメージセンサ゛の実装のための配線
を施すだけで容易に作製でき、Ｌ方、透光性部材も例え
ば平板ガラスのプレス加工やメタクリル酸樹脂の成型加
工等で製造できるので、いずれもその製造コストは比較
的安い。また、人形化も容易である。
ガラス板等の上にイメージセンサ゛の実装のための配線
を施すだけで容易に作製でき、Ｌ方、透光性部材も例え
ば平板ガラスのプレス加工やメタクリル酸樹脂の成型加
工等で製造できるので、いずれもその製造コストは比較
的安い。また、人形化も容易である。
さらに、イメージセンサデツプへの光導入作用やイメー
ジセンサチップの封止効果も何等損われない。
ジセンサチップの封止効果も何等損われない。
［発明の実施例］
第２図（ａ）はこの発明の一実施例に係るイメージセン
サの分解斜視図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を
示す断面図である。
サの分解斜視図であり、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を
示す断面図である。
図において、１２は例えばセラミックからなる平坦な基
板であり、厚膜または薄膜からなる配線１３が形成され
ている。この基板１２上にＣＯＤまたはＭＯＳ等を用い
て梠成されたライン状の半導体イメージセンサデツプ１
１が実装されている。
板であり、厚膜または薄膜からなる配線１３が形成され
ている。この基板１２上にＣＯＤまたはＭＯＳ等を用い
て梠成されたライン状の半導体イメージセンサデツプ１
１が実装されている。
このイメージセンサチップ１１は配線１３を介して外部
装置との接続のための端子１４に接続されている。
装置との接続のための端子１４に接続されている。
そして、基板１２上にはさらにイメージセンサデツプ１
１を収容する四部を有する断面略Ｕ字状の透光性部材１
５が体融点ガラス、半田、右は樹脂等によって封着され
ている。基板１１どこの透光性部材１５との間の空間１
６には１−１ｅ、Ｎ２等の不活性ガスが封入されている
。
１を収容する四部を有する断面略Ｕ字状の透光性部材１
５が体融点ガラス、半田、右は樹脂等によって封着され
ている。基板１１どこの透光性部材１５との間の空間１
６には１−１ｅ、Ｎ２等の不活性ガスが封入されている
。
図示しない原稿面からの画像情報に応じた光は、図示し
ない結像レンズによって３透光性部材１５を通して半導
体イメージセン」ノチツプ１１のレンリー面上に結像さ
れる。
ない結像レンズによって３透光性部材１５を通して半導
体イメージセン」ノチツプ１１のレンリー面上に結像さ
れる。
ここで、透光性部材１５は例えは第３図（ａ）（ｂ）に
示すように周囲を治具２２で固定された平板ガラス２１
をプレス型２３にＪ：リブ、レス加圧することによって
製造される。この揚台、透光性部材１５のイメージセン
１ノチツブ１１への大剣光通過領域となる平面部にはプ
レス型が接触することはないので、この平面部の表面粗
さが劣化づることはない。従って、１６ドツト／ ｍｍ
の分子ｌＩｉ！能が要求されるような場合でも、原稿面
からの情報光をなんら歪めることなくイメージ廿ンリー
チップに伝達することができるため、光学的研磨の必要
はない。また、透光性部材１５のイメージセンサチップ
ｌ＼の入側光通過領域は平板カラス２１のプレス加工峙
に若干のブレを生じるが、断面形状の曲率半径を３０ｍ
ｍ以下に押えれ（，１、情報光の歪みはほぼなくなるこ
とが確められた。
示すように周囲を治具２２で固定された平板ガラス２１
をプレス型２３にＪ：リブ、レス加圧することによって
製造される。この揚台、透光性部材１５のイメージセン
１ノチツブ１１への大剣光通過領域となる平面部にはプ
レス型が接触することはないので、この平面部の表面粗
さが劣化づることはない。従って、１６ドツト／ ｍｍ
の分子ｌＩｉ！能が要求されるような場合でも、原稿面
からの情報光をなんら歪めることなくイメージ廿ンリー
チップに伝達することができるため、光学的研磨の必要
はない。また、透光性部材１５のイメージセンサチップ
ｌ＼の入側光通過領域は平板カラス２１のプレス加工峙
に若干のブレを生じるが、断面形状の曲率半径を３０ｍ
ｍ以下に押えれ（，１、情報光の歪みはほぼなくなるこ
とが確められた。
第４図はこの発明の他の実施例を示すもので、断面形状
が半弧状の透光性部材２５を用いた点が前記実施例と異
なっている。この透光性部材２５は例えば第５図に示す
ように、両端が封止されたガラス管を長さ方向に沿って
切断して作製されたもので、その曲率半径はやはり３０
履以下となっている。この実施例によっても前記実施例
と同様の効果が得られる。
が半弧状の透光性部材２５を用いた点が前記実施例と異
なっている。この透光性部材２５は例えば第５図に示す
ように、両端が封止されたガラス管を長さ方向に沿って
切断して作製されたもので、その曲率半径はやはり３０
履以下となっている。この実施例によっても前記実施例
と同様の効果が得られる。
この発明はその他、要旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施が可能であり、例えば実施例では基板上に１個の
半導体イメージセンサチップを実装したが、複数個のイ
メージセンサチップを一直線上に、あるいは千鳥状に配
列して実装してもよい。また、透光性部材の材質はメタ
クリル酸樹脂等の有ＢＩＡ樹脂であってもよく、その断
面形状もイメージセンサチップへの情報光入射領域が情
報光を歪めない形状を有したものであればよい。
て実施が可能であり、例えば実施例では基板上に１個の
半導体イメージセンサチップを実装したが、複数個のイ
メージセンサチップを一直線上に、あるいは千鳥状に配
列して実装してもよい。また、透光性部材の材質はメタ
クリル酸樹脂等の有ＢＩＡ樹脂であってもよく、その断
面形状もイメージセンサチップへの情報光入射領域が情
報光を歪めない形状を有したものであればよい。
第１図は従来のイメージセンサの断面図、第２図（ａ）
（ｂ）゛はこの発明の一実施例に係わるイメージセンサ
の分解斜視図およびＡ−Ａ断面図、第３図（ａ＞（ｂ）
は同実施例におｔノる透光性部材の製造方法を示す図、
第４図はこの発明の他の実施例に係わるイメージセン（
）゛の断面図、第５図は同実施例における透光性部材の
製造方法を承り図である。 １１・・・半導体イメージセンサチップ１２・・・基板 １３・・・配線 １４・・・端子 １５．２５・・・透光性部材 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ ｒ；ｉｌ 第２図 （ａ） ２ （ｂ） 第３ Ｕ’＋ １ （ｂ） １ 第４図 第５図
（ｂ）゛はこの発明の一実施例に係わるイメージセンサ
の分解斜視図およびＡ−Ａ断面図、第３図（ａ＞（ｂ）
は同実施例におｔノる透光性部材の製造方法を示す図、
第４図はこの発明の他の実施例に係わるイメージセン（
）゛の断面図、第５図は同実施例における透光性部材の
製造方法を承り図である。 １１・・・半導体イメージセンサチップ１２・・・基板 １３・・・配線 １４・・・端子 １５．２５・・・透光性部材 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ ｒ；ｉｌ 第２図 （ａ） ２ （ｂ） 第３ Ｕ’＋ １ （ｂ） １ 第４図 第５図
Claims (4)
- （１）平坦な基板上に半導体イメージセンサチップを実
装するとともに、このイメージセンサチップを収容する
凹部を有しこのイメージセンサチップを封止する透光性
部材を封着してなることを特徴とするイメージセンサ。 - （２）イメージセンサチップはライン状の光電変換素子
アレイを有するものであることを特徴とする特Ｒ’ｆ請
′求の範囲第１項記載のイメージセンナ。 - （３）透光性部材は半導体イメージセンサチップへの入
射光の通過領域の前筒形状が平面または゛□曲率半径３
０ｍｍ以下の曲面を有するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載のイメージセン
サ。 - （４）透光性部材はイメージセンサへの入射光通過領域
はプレス型に接触することのないように平板ガラスをプ
レス加工することによって得られたものであることを特
徴とする特許 ３項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150989A JPS6042974A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58150989A JPS6042974A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042974A true JPS6042974A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15508849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58150989A Pending JPS6042974A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042974A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234159A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139423A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Canon Inc | Pickup device |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58150989A patent/JPS6042974A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54139423A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-29 | Canon Inc | Pickup device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61234159A (ja) * | 1985-04-10 | 1986-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
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