JP2948956B2 - センサー素子収納用パッケージ - Google Patents

センサー素子収納用パッケージ

Info

Publication number
JP2948956B2
JP2948956B2 JP3249678A JP24967891A JP2948956B2 JP 2948956 B2 JP2948956 B2 JP 2948956B2 JP 3249678 A JP3249678 A JP 3249678A JP 24967891 A JP24967891 A JP 24967891A JP 2948956 B2 JP2948956 B2 JP 2948956B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor element
insulating base
frame
package
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3249678A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0590432A (ja
Inventor
暎一 橋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP3249678A priority Critical patent/JP2948956B2/ja
Publication of JPH0590432A publication Critical patent/JPH0590432A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2948956B2 publication Critical patent/JP2948956B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ等において
使用される画像情報を電気信号に変換するセンサー素子
を収容するためのセンサー素子収納用パッケージの改良
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、画像情報を電気信号に変換するセ
ンサー素子を収容するためのセンサー素子収納用パッケ
ージは、上面中央部にセンサー素子が載置固定される載
置部を有する矩形状の絶縁基体と、該絶縁基体のセンサ
ー素子載置部を囲繞するように中央部に開孔を有する枠
体と、内部に収容するセンサー素子を外部電気回路に電
気的に接続するための多数の外部リード端子とから構成
されており、絶縁基体の上面に外部リード端子及び枠体
を順次載置させ、各々を低融点ガラス等の接着材で接着
固定することによって製作されている。
【0003】かかる従来のセンサー素子収納用パッケー
ジは枠体の開孔内に位置する絶縁基体のセンサー素子載
置部にセンサー素子を載置固定した後、該センサー素子
の各電極をボンデングワイヤを介して外部リード端子に
接続させるとともに枠体の上部にガラスから成る透光性
蓋体を封止材を介して接合し、内部にセンサー素子を気
密に封止することによってセンサー装置となる。
【0004】尚、前記センサー素子収納用パッケージに
おける絶縁基体及び枠体は通常、アルミナセラミックス
等の電気絶縁材料から成り、アルミナ、シリカ、カルシ
ア、マグネシア等のセラミック原料粉末に適当な有機溶
剤、溶媒を添加混合し、しかる後、これを従来周知のプ
レス成形法により所定形状に成形するとともに高温(約1
600℃) で焼成することによって製作される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の固体撮像素子収納用パッケージにおいては、センサ
ー素子の載置固定される絶縁基体がセラミック原料粉末
をプレス成形法により成形するとともに該成形品を焼成
することによって製作されており、焼成時の収縮により
約150 μm 程度のソリが発生していること、及び近時、
センサー素子の長さが15mm以上の長いものとなってきて
いること等から絶縁基体の上面にセンサー素子を載置固
定し、パッケージ内部にセンサー素子を収容した場合、
センサー素子が絶縁基体の上面に傾いて固定され、その
結果、センサー素子と画像情報とが対向せず、センサー
素子における画像情報の電気信号への変換が極めて不正
確なものとなる欠点を有していた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は長さ15mm以上
のセンサー素子が載置固定される載置部を有する絶縁基
板と枠体とを、その間に多数の外部リード端子を挟んで
取着して成るセンサー素子収納用パッケージにおいて、
前記絶縁基体の少なくともセンサー素子が載置固定され
る載置部のソリが80μm 以下であることを特徴とするも
のである。
【0007】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき説明する。図
1 及び図2は本発明のセンサー素子収納用パッケージの
一実施例を示す断面図であり、1 は絶縁基体、2 は枠
体、3 は外部リード端子である。
【0008】前記絶縁基体1 は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体体、
炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面
中央部にセンサー素子4 が載置固定される載置部A を有
し、該載置部A にはセンサー素子4 がガラス、有機樹脂
等の接着材を介し固定される。
【0009】また前記絶縁基板1 はその表面のソリが80
μm以下に加工されており、これによって絶縁基体1 の
センサー素子載置部A に長尺のセンサー素子4 を載置固
定したとしてもセンサー素子4 が絶縁基体1 上に傾いて
固定されることはなく、その結果、センサー素子4 を常
に画像情報に対向させることが可能となる。
【0010】尚、前記表面のソリが80μm 以下に加工さ
れた絶縁基体1 は従来周知のプレス成形法及び機械的研
磨加工法を採用することよって形成され、例えば絶縁基
体1が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、まず図1
、図2 に示すような矩形形状の絶縁基体1 に対応した
形状を有するプレス型内にアルミナ(AL2 O 3 ) 、シリ
カ(SiO2 ) 、カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等の原
料粉末を充填させるとともに一定圧力を印加して成形
し、次に前記成形体を約1600℃の温度で焼成して酸化ア
ルミニウム質焼結体となし、最後に前記酸化アルミニウ
ム質焼結体をその表面のソリが80μm 以下となるように
平面研削機等より機械的研磨加工することによって製作
される。
【0011】また前記絶縁基体1 はその表面のソリが80
μmを越えた場合、絶縁基体1 の上面に長さ15mm以上の
長尺なセンサー素子4 を載置固定する際、センサー素子
4 が絶縁基体1 のソリに起因して絶縁基体1 の上面に対
し傾きをもって固定され、センサー素子4 に画像情報を
電気信号に正確に変換させることができなくなる。従っ
て、前記絶縁基体1 はその表面のソリが80μm 以下のも
のに特定される。
【0012】前記絶縁基体1 の上面にはまた外部リード
端子3 を間に挟んで枠体2 が、ガララス、樹脂等の接着
材5 を介して取着されている。
【0013】前記枠体2 はその中央部に開孔B が形成さ
れており、絶縁基体1 のセンサー素子4 が載置固定され
る載置部A を囲繞するような枠状の形状となっている。
この枠体2 はその中央部の開孔B と絶縁基体1 の上面と
でセンサー素子4 を内部に収容するための空所を形成す
る。
【0014】前記枠体2 は酸化アルミニウム質焼結体、
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪
素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、前述の絶縁基体
1 と同様の方法、即ち、酸化アルミニウム質焼結体から
なる場合にはアルミナ(AL2 O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、
カルシア(CaO) 、マグネシア(MgO) 等の原料粉末をプレ
ス成形法により枠状に成形するとともに該成形体を約16
00℃の温度で焼成することによって製作される。
【0015】また前記絶縁基体1 と枠体2 との間に配さ
れる外部リード端子3 はコバール金属(Fe-Ni-Co 合金)
や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成り、該外部リー
ド端子3 にはセンサー素子4 の各電極がボンディングワ
イヤ6 を介して電気的に接続され、外部リード端子3 を
外部電気回路に電気的に接続することによってセンサー
素子4 はボンディングワイヤ6 及び外部リード端子3 を
介し外部電気回路と接続されることとなる。
【0016】尚、前記外部リード端子3 はその露出する
外表面にニッケル、金、錫、半田等の金属をメッキによ
り0.1 乃至30.0μm の厚みに層着させておくと外部リー
ド端子3 へのボンディングワイヤ6 の接合及び外部リー
ド端子3 の外部電気回路への接続が極めて良好となる。
従って、外部リード端子3 の露出する外表面にはニッケ
ル、金、錫、半田等の金属をメッキにより0.1 乃至30.0
μm の厚みに層着させておくことが好ましい。
【0017】また前記絶縁基体1 と枠体2 とを取着する
接着材5 は、ガラスやエポキシ樹脂等から成り、例えば
ガラスから成る場合、酸化鉛50.0乃至70.0重量%、酸化
珪素1.0 乃至7.0 重量%、酸化ホウ素4.0 乃至14.0重量
%、酸化亜鉛5.0 乃至15.0重量%にフィラーとしてのジ
ルコンを10.0乃至30.0重量%含有させたものが好適に使
用される。
【0018】更に前記接着材5 による絶縁基体1 と枠体
2 との取着は、絶縁基体1 の上面及び枠体2 の下面に予
め接着材5 を塗布しておき、絶縁基体1 の上面に外部リ
ード端子3 及び枠体2 を順次載置させた後、加熱し、絶
縁基体1 と枠体2 に予め塗布させておいた接着材を一体
的に熱硬化、或いは溶融一体化させることによって行わ
れる。
【0019】前記絶縁基体1 上に取着された枠体2 の上
面にはまた透光性の蓋体7 が樹脂やガラス等から成る封
止材を介して接合され、これによって内部にセンサー素
子4が気密に収容される。
【0020】前記透光性蓋体7 はサフャイヤやガラス等
の光を透過し得る透光性の材料から成り、外部の画像情
報を内部に収容するセンサー素子4に照射する作用を為
す。
【0021】尚、前記透光性蓋体7 は、例えばガラスか
ら成る場合、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化カルシ
ウム、酸化バリウム等のガラス成分粉末を溶融冷却すと
ともに平板状に形成することによって製作される。
【0022】かくしてこのセンサー素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体1 のセンサー素子載置部A にセン
サー素子4 を接着材を介し載置固定するとともに該セン
サー素子4 の各電極をボンディングワイヤ6 を介し外部
リード端子3 に電気的に接続した後、枠体2 の上面にガ
ラス等から成る透光性の蓋体7 をガラス、樹脂等の封止
材で接合させ、内部にセンサー素子4 を気密に封止する
ことによって最終製品としてのセンサー装置となる。
【0023】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々
の変更は可能であり、例えば内部に収容するセンサー素
子の各電極を外部電気回路に接続するために絶縁基体1
の上面から側面を介し底面にかけてメタライズ配線層を
被着導出させておき、これをコバール金属等から成る外
部リード端子の代わりに使用してもよい。この場合、メ
タライズ配線層は銀バラジウム、銀 白金、金等の金属
が使用され、従来周知のスクリーン印刷等の厚膜手法を
採用することによって絶縁基体1 に被着される。
【0024】
【発明の効果】本発明のセンサー素子収納用パッケージ
によればセンサー素子が載置固定される絶縁基体のソリ
を80μm 以下の平坦なものとしたことから絶縁基体上に
長さが15mm以上の長尺なセンサー素子を載置固定する
際、センサー素子が絶縁基体に傾きをもって固定される
ことはなく、その結果、センサー素子を常に画像情報に
対向させ、センサー素子における画像情報の電気信号へ
の変換を極めて正確なものとなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセンサー素子収納用パッケージの一実
施例を示す平面図である。
【図2】図1のX−X線断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基体 2・・・・・枠体 3・・・・・外部リード端子 4・・・・・センサー素子 5・・・・・接着材 A・・・・・センサー素子載置部

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】長さ15mm以上のセンサー素子が載置固
    定される載置部を有する絶縁基板と、枠体とを、その間
    に多数の外部リード端子を挟んで取着して成るセンサー
    素子収納用パッケージにおいて、前記絶縁基体の少なく
    ともセンサー素子が載置固定される載置部のソリを80
    μm以下とするとともに絶縁基体と枠体との取着を酸化
    鉛50.0乃至70.0重量%、酸化珪素1.0乃至
    7.0重量%、酸化ホウ素4.0乃至14.0重量%、
    酸化亜鉛5.0乃至15.0重量%に、フィラーとして
    のジルコンを10.0乃至30.0重量%含有させたガ
    ラスで行うことを特徴とするセンサー素子収納用パッケ
    ージ。
JP3249678A 1991-09-27 1991-09-27 センサー素子収納用パッケージ Expired - Fee Related JP2948956B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3249678A JP2948956B2 (ja) 1991-09-27 1991-09-27 センサー素子収納用パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3249678A JP2948956B2 (ja) 1991-09-27 1991-09-27 センサー素子収納用パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0590432A JPH0590432A (ja) 1993-04-09
JP2948956B2 true JP2948956B2 (ja) 1999-09-13

Family

ID=17196580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3249678A Expired - Fee Related JP2948956B2 (ja) 1991-09-27 1991-09-27 センサー素子収納用パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2948956B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0590432A (ja) 1993-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06132425A (ja) 半導体装置
JP2948956B2 (ja) センサー素子収納用パッケージ
JP2801448B2 (ja) センサー素子収納用パッケージ
JP3046148B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2002107254A (ja) 圧力検出装置用パッケージ
JP2750237B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2685083B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージの製造方法
JP2851733B2 (ja) センサー素子収納用パッケージ
JP2962939B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP3340035B2 (ja) イメージセンサー装置
JP2549768Y2 (ja) 固体撮像素子収納用パッケージ
JP2792638B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2735753B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2728593B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2851738B2 (ja) イメージセンサ素子収納用パッケージ
JP2873130B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2514911Y2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2866962B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージの製造方法
JP3181011B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2555178Y2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2931481B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2746802B2 (ja) 半導体装置
JPH05326738A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH08222653A (ja) 半導体装置
JPH0574830A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees