JP2801448B2 - センサー素子収納用パッケージ - Google Patents

センサー素子収納用パッケージ

Info

Publication number
JP2801448B2
JP2801448B2 JP3304525A JP30452591A JP2801448B2 JP 2801448 B2 JP2801448 B2 JP 2801448B2 JP 3304525 A JP3304525 A JP 3304525A JP 30452591 A JP30452591 A JP 30452591A JP 2801448 B2 JP2801448 B2 JP 2801448B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor element
frame
insulating base
package
metallized wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3304525A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05144955A (ja
Inventor
暎一 橋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP3304525A priority Critical patent/JP2801448B2/ja
Publication of JPH05144955A publication Critical patent/JPH05144955A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2801448B2 publication Critical patent/JP2801448B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16195Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリ等において
使用される画像情報を電気信号に変換するセンサー素子
を収容するためのセンサー素子収納用パッケージの改良
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、画像情報を電気信号に変換するセ
ンサー素子を収容するためのセンサー素子収納用パッケ
ージは、上面中央部にセンサー素子が載置固定される載
置部と該載置部周辺から長辺側側面を介し底面かけて導
出されている複数個のメタライズ配線層を有する矩形形
状の絶縁基体と、該絶縁基体のセンサー素子載置部を囲
繞するように中央部に開孔を有する矩形形状の枠体とか
ら構成されており、絶縁基体の上面外周部にガラスから
成る接着材を介して枠体を載置させ、接着材のガラスを
溶融させることによって枠体は絶縁基体の上面に取着さ
れている。
【0003】かかる従来のセンサー素子収納用パッケー
ジは枠体の開孔内に位置する絶縁基体のセンサー素子載
置部にセンサー素子を載置固定するとともに該センサー
素子の各電極をボンディングワイヤを介してメタライズ
配線層に接続し、しかる後、枠体の上部にガラスから成
る透光性蓋体を封止材を介して接合し、内部にセンサー
素子を気密に封止することによってセンサー装置とな
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のセンサー素子収納用パッケージにおいては、通常、
絶縁基体と枠体の外形寸法が同じであり、そのため絶縁
基体の上面外周部に枠体をガラスから成る接着材を介し
て取着すると取着時、溶融ガラスの一部が絶縁基体の側
面から底面にかけて流出するとともに絶縁基体の側底面
に被着させたメタライズ配線層の表面を覆ってしまい、
その結果、メタライズ配線層を外部電気回路基板の配線
導体に強固に接続させるのが不可となって内部に収容す
るセンサー素子を外部電気回路に確実、強固に電気的接
続することができないという欠点を有していた。
【0005】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は内部に収容するセンサー素子を外部電気
回路に確実に電気的接続することができるセンサー素子
収納用パッケージを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上面から長辺側
側面を介し底面にかけて複数個のメタライズ配線層を被
着形成した矩形状絶縁基体の上面外周部にガラスから成
る接着材を介して矩形状枠体を取着したセンサー素子収
納用パッケージであって、前記絶縁基体の上面に枠体
を、該枠体の長辺側側面が絶縁基体の長辺側側面より少
なくとも0.3mm 以上内側となるようにして取着したこと
を特徴とするものである。
【0007】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図1 及び図2 は本発明のセンサー素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、1は矩形形状の絶縁基体、2 は
同じく矩形形状の枠体である。
【0008】前記絶縁基体1は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面中
央部にセンサー素子3 が載置固定される載置部A を有
し、該載置部A にはセンサー素子3 がガラス、有機樹脂
等の接着材を介し固定される。
【0009】前記絶縁基体1 は例えば、酸化アルミニウ
ム質焼結体から成る場合、まずアルミナ(Al 2 O 3 ) 、
シリカ(SiO2 ) 、マグネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等
の原料粉末を矩形形状のプレス型内に充填させるととも
に一定圧力を印加して形成し、次に前記成形体を約1500
℃の温度で焼成することによって製作される。
【0010】尚、前記絶縁基体1 はその上面の反りを80
μm以下としておくとセンサー素子3 の長さが例えば15m
m以上の長いものであっても絶縁基体1 の上面に水平に
固定でき、センサー素子3における画像情報から電気信
号への変換を正確となすことができる。従って、前記絶
縁基体1 はその上面の反りを80μm 以下としておくこと
が好ましい。
【0011】また前記絶縁基体1 にはセンサー素子載置
部A 周辺から側面を介し底面に導出されている複数個の
メタライズ配線層4 が被着されており、該メタライズ配
線層4 のセンサー素子載置部A 周辺部にはセンサー素子
3 の各電極がボンディングワイヤ5 を介して電気的に接
続され、また絶縁基体1 の底面部は外部電気回路基板の
配線導体に接続される。
【0012】前記メタライズ配線層4 はタングステン、
モリブデン−マンガン、銀−パラジウム等の金属材料か
ら成り、該金属材料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加
混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 のセンサー素子
載置部A 周辺から底面にかけて従来周知のスクリーン印
刷法等の厚膜手法を採用して印刷塗布するとともにこれ
を高温で焼き付けることによって形成される。
【0013】尚、前記メタライズ配線層4 は銀(Ag)70.0
乃至90.0重量%、パラジウム(Pd)10.0乃至30.0重量%、
ビスマス(Bi)1.0 乃至5.0 重量%の金属で形成しておく
とメタライズ金属層4 を絶縁基体1 に強固に被着させる
ことができるとともにメタライズ配線層4 の導通抵抗を
低い値として、且つ耐酸化性を優れたものとなすことが
でき、後述する絶縁基体1 の上面に枠体2 をガラスから
成る接着材を介して取着してもメタライズ配線層4 の表
面にガラスの溶融熱によって酸化物膜が形成されること
はなく、メタライズ配線層4 とボンディングワイヤ5 と
の電気的接続及びメタライズ配線層4 と外部電気回路基
板の配線導体との接続を極めて強固となすことができ
る。従って、前記メタライズ配線層4 は銀(Ag)70.0乃至
90.0重量%、パラジウム(Pd)10.0乃至30.0重量%、ビス
マス(Bi)1.0 乃至5.0 重量%の金属で形成しておくこと
が好ましい。
【0014】前記絶縁基体1 の上面外周部にはまた矩形
形状の枠体2 がガラスから成る接着材6 を介して取着さ
れており、該枠体2 は絶縁基体1 のセンサー素子3 が載
置固定される載置部A を囲繞するような枠状の形状とな
っている。この枠体2 はその中央部の開孔と絶縁基体1
の上面とでセンサー素子3 を内部に収容するための空所
を形成する。
【0015】前記枠体2 は酸化アルミニウム質焼結体、
ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪
素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、前述の絶縁基体
1 と同様の方法、即ち、酸化アルミニウム質焼結体から
成る場合にはアルミナ(Al 2 O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 、
マグネシア(MgO) 、カルシア(CaO) 等の原料粉末をプレ
ス成形法により枠状に成形するとともに該成形体を約16
00℃の温度で焼成することによって製作される。
【0016】また前記枠体2 は図2 に示す如く、その長
辺側側面が絶縁基体1 の長辺側側面より0.3m以上の距離
t をもって内側に配されるように絶縁基体1 上に取着さ
れており、これによって枠体2 の絶縁基体1 への取着が
絶縁基体1 の外周部より若干内側となり、その結果、絶
縁基体1 上に枠体2 をガラスから成る接着材6 を介して
取着する際、接着材6 を構成するガラスの一部が絶縁基
体1 の底面に流出して絶縁基体1 の底面部のメタライズ
配線層4 を覆うことはなく、メタライズ配線層4 を常に
外部電気回路基板の配線導体に強固に接続させて内部に
収容するセンサー素子3 を外部電気回路に確実、且つ強
固に電気的接続することができる。
【0017】尚、前記絶縁基体1 の長辺側側面と枠体2
の長辺側側面との間の距離t は0.3mm 未満となると絶縁
基体1 と枠体2 とを取着させる接着材6 が絶縁基体1 の
底面に流出してメタライズ配線層4 を外部電気回路基板
の配線導体に強固に接続させることができなくなる。従
って、前記絶縁基体1 の長辺側側面と枠体2の長辺側側
面との間の距離t は0.3mm 以上としておくことが好まし
い。
【0018】また前記絶縁基体1 と枠体2 とを取着する
接着材6 はガラスから成り、例えば酸化鉛50.0乃至70.0
重量%、酸化珪素1.0 乃至7.0 重量%、酸化ホウ素4.0
乃至14.0重量%、酸化亜鉛5.0 乃至15.0重量%にフィラ
ーとしてのジルコンを10.0乃至30.0重量%含有させたも
のが好適に使用される。
【0019】前記接着材6 による絶縁基体1 と枠体2 の
取着は、まず絶縁基体1 の上面もしくは枠体2 の下面に
予め接着材6 を塗布しておき、次に前記絶縁基体1 の上
面に枠体2 を間に接着材6 を挟むようにして載置させ、
最後にこれを約450 ℃の温度に加熱し、絶縁基体1 もし
くは枠体2 に予め塗布させておいた接着材を溶融させる
ことによって行われる。この場合、接着材6 は枠体2 の
長辺側側面が絶縁基体1 の長辺側側面より所定距離内側
となっていることから接着材6 が絶縁基体1 の底面に流
出することはなく、メタライズ配線層4 の絶縁基体1 底
面部が接着材6のガラスで被覆されるのを皆無としてメ
タライズ配線層4 を常に外部電気回路基板の配線導体に
強固に接続させることが可能となる。
【0020】前記絶縁基体1 上に取着された枠体2 の上
面にはまた透光性の蓋体7 が樹脂等から成る封止材を介
して接合され、これによって内部にセンサー素子3 が気
密に収容される。
【0021】前記透光性蓋体7 はサファイヤやガラス等
の光を透過し得る透光性の材料から成り、外部の画像情
報を内部に収容するセンサー素子3に照射する作用を為
す。
【0022】尚、前記透光性蓋体7 は、例えばガラスか
ら成る場合、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化カルシ
ウム、酸化バリウム等のガラス成分粉末を溶融冷却する
とともに平板状に形成することによって製作される。
【0023】また前記透光性蓋体7 が接合される枠体2
の上面を平坦加工し、反りを80μm以下となしておくと
枠体2 に透光性材料から成る蓋体7 を封止材B を介して
接合させる際、枠体2 と蓋体7 との間に介在する封止材
B の量を全体にわたって略均等となすことができ、その
結果、枠体2 と蓋体7 との接合強度を強くしてパッケー
ジ内の気密封止を完全となし、内部に収容するセンサー
素子3を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができる。
【0024】更に前記透光性蓋体7 が接合される枠体2
の上面を平坦加工し、反りを80μm以下となしておくと
枠体2 に透光性材料から成る蓋体7 を封止材B を介して
接合させると透光性蓋体7 が内部に収容するセンサー素
子3 の上面と実質的に平行となり、その結果、画像情報
を透光性蓋体7 を介してセンサー素子3 に照射した際、
該画像情報は透光性蓋体7 で歪みを発生することなくそ
のままの状態でセンサー素子3 に照射され、センサー素
子3 に画像情報に対応した正確な電気信号への変換を起
こさせることができる。
【0025】かくしてこのセンサー素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体1 のセンサー素子載置部A にセン
サー素子3 を接着材を介して載置固定するとともに該セ
ンサー素子3 の各電極をボンディングワイヤ5 を介しメ
タライズ配線層4 に電気的に接続した後、枠体2 の上面
にガラス等から成る透光性の蓋体7 を樹脂等の封止材B
で接合させ、内部にセンサー素子3 を気密に封止するこ
とによって最終製品としてのセンサー装置となる。
【0026】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えばメタライズ配線層4 の表
面に金(Au)、白金(Pt)等の金属を被着させておいてもよ
い。
【0027】
【発明の効果】本発明のセンサー素子収納用パッケージ
によれば、矩形形状の絶縁基体上面に矩形形状の枠体
を、枠体の長辺側側面が絶縁基体の長辺側側面より0.3m
m 以上の距離をもって内側に配されるように取着したこ
とから絶縁基体に枠体を取着する接着材の一部が絶縁基
体の底面に流出し、絶縁基体の底面部に位置するメタラ
イズ配線層を覆うことはなく、その結果、メタライズ配
線層を常に外部電気回路基板の配線導体に強固に接続さ
せて内部に収容するセンサー素子を外部電気回路に確
実、且つ強固に電気的接続することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のセンサー素子収納用パッケージの一実
施例を示す拡大断面図である。
【図2】図1に示すパッケージの枠体を取着させた絶縁
基体の平面図である。
【符号の説明】 1・・・・・絶縁基体 2・・・・・枠体 3・・・・・センサー素子 4・・・・・メタライズ配線層 6・・・・・ガラスから成る接着材 A・・・・・センサー素子載置部 B・・・・・封止材

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上面から長辺側側面を介し底面にかけて複
    数個のメタライズ配線層を被着形成した矩形状絶縁基体
    の上面外周部にガラスから成る接着材を介して矩形状枠
    体を取着したセンサー素子収納用パッケージであって、
    前記絶縁基体の上面に枠体を、該枠体の長辺側側面が絶
    縁基体の長辺側側面より少なくとも0.3mm以上内側とな
    るようにして取着したことを特徴とするセンサー素子収
    納用パッケージ。
JP3304525A 1991-11-20 1991-11-20 センサー素子収納用パッケージ Expired - Fee Related JP2801448B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3304525A JP2801448B2 (ja) 1991-11-20 1991-11-20 センサー素子収納用パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3304525A JP2801448B2 (ja) 1991-11-20 1991-11-20 センサー素子収納用パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05144955A JPH05144955A (ja) 1993-06-11
JP2801448B2 true JP2801448B2 (ja) 1998-09-21

Family

ID=17934068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3304525A Expired - Fee Related JP2801448B2 (ja) 1991-11-20 1991-11-20 センサー素子収納用パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2801448B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4565728B2 (ja) * 2000-10-10 2010-10-20 三洋電機株式会社 中空気密パッケージ型の半導体装置
JP5105695B2 (ja) * 2001-11-05 2012-12-26 カミヤチョウ アイピー ホールディングス 固体イメージセンサおよびその製造方法
US7640647B2 (en) * 2005-01-29 2010-01-05 Astrium Limited Method of assembling a packaged high frequency circuit module

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05144955A (ja) 1993-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2801448B2 (ja) センサー素子収納用パッケージ
JP2851733B2 (ja) センサー素子収納用パッケージ
EP0275122B1 (en) Chip package transmissive to ultraviolet light
JP2948956B2 (ja) センサー素子収納用パッケージ
JP3046148B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2792638B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2685083B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージの製造方法
JP2922682B2 (ja) 固体撮像素子収納用パッケージ
JP2792637B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP3495245B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2514094Y2 (ja) 半導体素子収納用パッケ―ジ
JP2549768Y2 (ja) 固体撮像素子収納用パッケージ
JP2006041270A (ja) 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置
JP3176251B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2510571Y2 (ja) ガラス封止型半導体素子収納用パッケ―ジ
JP2948991B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP3176267B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH07153864A (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2746802B2 (ja) 半導体装置
JP2728593B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2750255B2 (ja) 電子部品収納用パッケージ
JP2750256B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH0637196A (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JPH0574830A (ja) 半導体装置
JPH05326738A (ja) 半導体素子収納用パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees