JPH0955489A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0955489A JPH0955489A JP7227232A JP22723295A JPH0955489A JP H0955489 A JPH0955489 A JP H0955489A JP 7227232 A JP7227232 A JP 7227232A JP 22723295 A JP22723295 A JP 22723295A JP H0955489 A JPH0955489 A JP H0955489A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state image
- peltier
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ペルチェ素子を備えた固体撮像装置におい
て、著しく大型化することなく且つ高価格化を伴うこと
なくペルチェ素子による固体撮像素子に対する冷却或い
は加熱の効果を高める。 【解決手段】リードフレーム４の表側に固体撮像素子２
を設け、裏側にペルチェ素子８を設け、該固体撮像素子
２及び上記ペルチェ素子８を該ペルチェ素子８の反固体
撮像素子側の面が外部に露出するように樹脂からなるパ
ッケージ１に実装する。
て、著しく大型化することなく且つ高価格化を伴うこと
なくペルチェ素子による固体撮像素子に対する冷却或い
は加熱の効果を高める。 【解決手段】リードフレーム４の表側に固体撮像素子２
を設け、裏側にペルチェ素子８を設け、該固体撮像素子
２及び上記ペルチェ素子８を該ペルチェ素子８の反固体
撮像素子側の面が外部に露出するように樹脂からなるパ
ッケージ１に実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置、特
にペルチェ素子により固体撮像素子の温度コントロール
可能な固体撮像装置に関する。
にペルチェ素子により固体撮像素子の温度コントロール
可能な固体撮像装置に関する。
【０００２】
【背景技術】固体撮像素子は、パッケージ材料からのα
線等により損傷を受け、画像欠陥を生じることがあると
いうことが広く知られている。そして、そのような画像
欠陥による影響を少なくするのに、固体撮像素子を収納
するパッケージにペルチェ素子を設け、該ペルチェ素子
により使用中の固体撮像素子を冷却して画像欠陥のレベ
ルを低減する方法を採ることが有効であることも知られ
ている。また、固体撮像素子の休止中にペルチェ素子に
より固体撮像素子を加熱（供給する電流の極性を冷却す
る場合と逆にすることにより為し得る。）し、画像欠陥
をアニールすることにより消滅ないし軽減することも可
能であることが知られている。
線等により損傷を受け、画像欠陥を生じることがあると
いうことが広く知られている。そして、そのような画像
欠陥による影響を少なくするのに、固体撮像素子を収納
するパッケージにペルチェ素子を設け、該ペルチェ素子
により使用中の固体撮像素子を冷却して画像欠陥のレベ
ルを低減する方法を採ることが有効であることも知られ
ている。また、固体撮像素子の休止中にペルチェ素子に
より固体撮像素子を加熱（供給する電流の極性を冷却す
る場合と逆にすることにより為し得る。）し、画像欠陥
をアニールすることにより消滅ないし軽減することも可
能であることが知られている。
【０００３】ところで、ペルチェ素子を有した固体撮像
装置として、図６に示すものが考えられる。図面におい
て、１ａはセラミックパッケージ、２は該パッケージ１
ａの固体撮像素子載置領域上にダイボンドペースト３に
より接着された固体撮像素子、４はリードフレーム、４
ｃはリード、５はリード４ｃの内端と固体撮像素子２の
電極とを接続する金からなるワイヤ、６はシールガラス
で、シール用樹脂７を介してパッケージ１ａ上面の段部
に接着されている。８はペルチェ素子で、セラミックか
らなるパッケージ１ａの底面に半田或いは高熱伝導性樹
脂などからなる接着材９を介して接着されている。
装置として、図６に示すものが考えられる。図面におい
て、１ａはセラミックパッケージ、２は該パッケージ１
ａの固体撮像素子載置領域上にダイボンドペースト３に
より接着された固体撮像素子、４はリードフレーム、４
ｃはリード、５はリード４ｃの内端と固体撮像素子２の
電極とを接続する金からなるワイヤ、６はシールガラス
で、シール用樹脂７を介してパッケージ１ａ上面の段部
に接着されている。８はペルチェ素子で、セラミックか
らなるパッケージ１ａの底面に半田或いは高熱伝導性樹
脂などからなる接着材９を介して接着されている。
【０００４】この図６に示すものは、パッケージ１ａの
外面にペルチェ素子８を接着したものであるが、ペルチ
ェ素子８をパッケージ１ａの内部に設けることも考えら
れ得る。図７はそのような固体撮像装置を示す。該固体
撮像装置はセラミックパッケージ１ａの固体撮像素子載
置領域上にペルチェ素子８を介して固体撮像素子２を設
け、固体撮像素子２と共にペルチェ素子８をもシールし
た点でのみ図６に示すものと異なっており、それ以外の
点では共通している。
外面にペルチェ素子８を接着したものであるが、ペルチ
ェ素子８をパッケージ１ａの内部に設けることも考えら
れ得る。図７はそのような固体撮像装置を示す。該固体
撮像装置はセラミックパッケージ１ａの固体撮像素子載
置領域上にペルチェ素子８を介して固体撮像素子２を設
け、固体撮像素子２と共にペルチェ素子８をもシールし
た点でのみ図６に示すものと異なっており、それ以外の
点では共通している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示す
ものは、ペルチェ素子８と固体撮像素子２との間にセラ
ミックからなるパッケージ１ａが介在し、その間の熱抵
抗が大きく、そのため、所要の温度に固体撮像素子２を
冷却（或いは加熱）するには大電流を必要とするという
問題がある。図７に示すものは、ペルチェ素子８と固体
撮像素子２とが直接接着されており、その間にセラミッ
クパッケージ１ａが介在していないので、その間の熱抵
抗は小さく、固体撮像素子２に対する冷却（或いは加
熱）効率を高めることができるという利点がある。しか
し、このタイプの固体撮像装置には、パッケージ１ａ内
にペルチェ素子８を収納するが故にパッケージ１ａ自体
が大きくなり、固体撮像装置に要求される小型化の要請
に大きく背くという問題を有する。
ものは、ペルチェ素子８と固体撮像素子２との間にセラ
ミックからなるパッケージ１ａが介在し、その間の熱抵
抗が大きく、そのため、所要の温度に固体撮像素子２を
冷却（或いは加熱）するには大電流を必要とするという
問題がある。図７に示すものは、ペルチェ素子８と固体
撮像素子２とが直接接着されており、その間にセラミッ
クパッケージ１ａが介在していないので、その間の熱抵
抗は小さく、固体撮像素子２に対する冷却（或いは加
熱）効率を高めることができるという利点がある。しか
し、このタイプの固体撮像装置には、パッケージ１ａ内
にペルチェ素子８を収納するが故にパッケージ１ａ自体
が大きくなり、固体撮像装置に要求される小型化の要請
に大きく背くという問題を有する。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、ペルチェ素子を備えた固体撮像装置
において、大型化することなく且つ高価格化を伴うこと
なくペルチェ素子による固体撮像素子に対する冷却或い
は加熱の効率を高めることを目的とする。
されたものであり、ペルチェ素子を備えた固体撮像装置
において、大型化することなく且つ高価格化を伴うこと
なくペルチェ素子による固体撮像素子に対する冷却或い
は加熱の効率を高めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明固体撮像装置は、
リードフレームの表側に固体撮像素子を設け、該リード
フレームの反固体撮像素子側にペルチェ素子を設け、該
固体撮像素子及び上記ペルチェ素子を該ペルチェ素子の
反固体撮像素子側の面が外部に露出するように樹脂から
なるパッケージに実装したことを特徴とする。従って、
本発明固体撮像装置によれば、固体撮像素子とペルチェ
素子とがリードフレームを挟んで或いは直接に設けるこ
とができるので、固体撮像素子・ペルチェ素子間の熱抵
抗を小さくすることができる。従って、ペルチェ素子に
よる固体撮像素子に対する冷却（加熱）効率を高めるこ
とができる。
リードフレームの表側に固体撮像素子を設け、該リード
フレームの反固体撮像素子側にペルチェ素子を設け、該
固体撮像素子及び上記ペルチェ素子を該ペルチェ素子の
反固体撮像素子側の面が外部に露出するように樹脂から
なるパッケージに実装したことを特徴とする。従って、
本発明固体撮像装置によれば、固体撮像素子とペルチェ
素子とがリードフレームを挟んで或いは直接に設けるこ
とができるので、固体撮像素子・ペルチェ素子間の熱抵
抗を小さくすることができる。従って、ペルチェ素子に
よる固体撮像素子に対する冷却（加熱）効率を高めるこ
とができる。
【０００８】そして、ペルチェ素子をその反固体撮像素
子側の面が露出するように樹脂封止するので、固体撮像
素子をペルチェ素子で冷却する場合における放熱の効率
を高めることができ、また、樹脂によるパッケージを徒
らに大きくしなくても固体撮像素子と共にペルチェ素子
を封止することができる。従って、固体撮像装置を徒ら
に大きくすることなく冷却（加熱）効率を高めたり、固
体撮像素子を冷却する場合における放熱効果を高めるこ
とができる。
子側の面が露出するように樹脂封止するので、固体撮像
素子をペルチェ素子で冷却する場合における放熱の効率
を高めることができ、また、樹脂によるパッケージを徒
らに大きくしなくても固体撮像素子と共にペルチェ素子
を封止することができる。従って、固体撮像装置を徒ら
に大きくすることなく冷却（加熱）効率を高めたり、固
体撮像素子を冷却する場合における放熱効果を高めるこ
とができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施の形態に
従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）及び図２は
本発明固体撮像装置の第１の実施の形態を説明するため
のもので、図１（Ａ）は断面図、（Ｂ）はペルチェ素子
の電極取り出し部を示す拡大断面図である。図面におい
て、１は樹脂からなるパッケージ、２は固体撮像素子
で、熱伝導性の良いダイポンドペースト３によりリード
フレーム４のダイパッド４ａに接着されている。４ｃは
リードフレーム４によるリード、５はリード４の内端と
固体撮像素子２の電極とを接続する金線からなるワイ
ヤ、６はシールガラスで、シール用樹脂７を介してパッ
ケージ１ａ上面の段部に接着されている。
従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）及び図２は
本発明固体撮像装置の第１の実施の形態を説明するため
のもので、図１（Ａ）は断面図、（Ｂ）はペルチェ素子
の電極取り出し部を示す拡大断面図である。図面におい
て、１は樹脂からなるパッケージ、２は固体撮像素子
で、熱伝導性の良いダイポンドペースト３によりリード
フレーム４のダイパッド４ａに接着されている。４ｃは
リードフレーム４によるリード、５はリード４の内端と
固体撮像素子２の電極とを接続する金線からなるワイ
ヤ、６はシールガラスで、シール用樹脂７を介してパッ
ケージ１ａ上面の段部に接着されている。
【００１０】８はペルチェ素子で、リードフレームの上
記ダイパッドの反固体撮像素子２側の面に半田或いは高
熱伝導性及び高耐熱性を有する樹脂等からなる接着材９
を介して接着されている。そして、該ペルチェ素子８は
その表面（図１における下側の面）を露出する状態で上
記樹脂からなるパッケージ１に封止されており、該パッ
ケージ１のリードフレームを介して固体撮像素子２を載
置する部分における肉厚は略ペルチェ素子８の厚さと等
しくなっている。
記ダイパッドの反固体撮像素子２側の面に半田或いは高
熱伝導性及び高耐熱性を有する樹脂等からなる接着材９
を介して接着されている。そして、該ペルチェ素子８は
その表面（図１における下側の面）を露出する状態で上
記樹脂からなるパッケージ１に封止されており、該パッ
ケージ１のリードフレームを介して固体撮像素子２を載
置する部分における肉厚は略ペルチェ素子８の厚さと等
しくなっている。
【００１１】このように、ペルチェ素子８が固体撮像素
子２の裏面にリードフレームのダイパッドを介して接着
され、その間にパッケージ１が介在していない点で、本
固体撮像装置は図６に示す固体撮像装置と異なってい
る。そして、ペルチェ素子８が樹脂からなるパッケージ
１により封止され、ペルチェ素子８の反固体撮像素子２
側の面が露出している点で、図７に示す固体撮像装置と
異なっており、従って、固体撮像装置自体を大きくする
ことなくペルチェ素子８を内蔵することができる。そし
て、パッケージ１がセラミックという高価な材料でなく
樹脂という低価格な材料により形成されているので、パ
ッケージ１を安価にできる。依って、著しく大型化する
ことなく（特に高さを高くすることなく）且つ高価格化
を伴うことなくペルチェ素子による固体撮像素子に対す
る冷却或いは加熱効率を高めることができるのである。
子２の裏面にリードフレームのダイパッドを介して接着
され、その間にパッケージ１が介在していない点で、本
固体撮像装置は図６に示す固体撮像装置と異なってい
る。そして、ペルチェ素子８が樹脂からなるパッケージ
１により封止され、ペルチェ素子８の反固体撮像素子２
側の面が露出している点で、図７に示す固体撮像装置と
異なっており、従って、固体撮像装置自体を大きくする
ことなくペルチェ素子８を内蔵することができる。そし
て、パッケージ１がセラミックという高価な材料でなく
樹脂という低価格な材料により形成されているので、パ
ッケージ１を安価にできる。依って、著しく大型化する
ことなく（特に高さを高くすることなく）且つ高価格化
を伴うことなくペルチェ素子による固体撮像素子に対す
る冷却或いは加熱効率を高めることができるのである。
【００１２】次に、図１（Ｂ）及び図２を参照してペル
チェ素子８の電極取り出しについて説明する。図１
（Ｂ）は電極取り出し部を拡大して示す断面図であり、
図２は固体撮像装置から後述する固体撮像装置固定用板
金及びその接着剤を取り除いて示す固体撮像装置の底面
図である。１０は固体撮像装置裏面に設けられた固体撮
像装置固定用板金であり、それには高熱伝導性接着剤１
１を介してペルチェ素子８の反固体撮像素子側の面が接
着されている。該固体撮像装置固定用板金１０はＳＵ
Ｓ、Ａｌ、Ｃｕ或いはパーマロイ等の金属からなり、固
体撮像装置を例えばビデオカメラ等の装置に取り付ける
取り付け手段として機能するのみならず、放熱経路とし
ての役割をも果たす。
チェ素子８の電極取り出しについて説明する。図１
（Ｂ）は電極取り出し部を拡大して示す断面図であり、
図２は固体撮像装置から後述する固体撮像装置固定用板
金及びその接着剤を取り除いて示す固体撮像装置の底面
図である。１０は固体撮像装置裏面に設けられた固体撮
像装置固定用板金であり、それには高熱伝導性接着剤１
１を介してペルチェ素子８の反固体撮像素子側の面が接
着されている。該固体撮像装置固定用板金１０はＳＵ
Ｓ、Ａｌ、Ｃｕ或いはパーマロイ等の金属からなり、固
体撮像装置を例えばビデオカメラ等の装置に取り付ける
取り付け手段として機能するのみならず、放熱経路とし
ての役割をも果たす。
【００１３】１２、１２はペルチェ素子８の反固体撮像
素子側の面（下面）に形成された電極を外部に取り出す
ためのリードである。１３、１３は例えば銅からなる配
線が形成されたところの樹脂をベースとするフィルムリ
ードで、その裏面が上記固体撮像装置固定用板金１０の
上面に固定されている。１４、１４は該フィルムリード
１３、１３の銅配線の露出部であり、該露出部１４、１
４が異方性導電膜１５、１５を介して上記リード１２、
１２に電気的に接続されている。しかして、ペルチェ素
子８の電極は上記リード１２、１２、異方性導電膜１
５、１５及びフィルムリード１３、１３を介して外部に
導出することができ、延いてはペルチェ素子８に電流を
供給することにより固体撮像素子１の冷却或いは加熱を
することができる。
素子側の面（下面）に形成された電極を外部に取り出す
ためのリードである。１３、１３は例えば銅からなる配
線が形成されたところの樹脂をベースとするフィルムリ
ードで、その裏面が上記固体撮像装置固定用板金１０の
上面に固定されている。１４、１４は該フィルムリード
１３、１３の銅配線の露出部であり、該露出部１４、１
４が異方性導電膜１５、１５を介して上記リード１２、
１２に電気的に接続されている。しかして、ペルチェ素
子８の電極は上記リード１２、１２、異方性導電膜１
５、１５及びフィルムリード１３、１３を介して外部に
導出することができ、延いてはペルチェ素子８に電流を
供給することにより固体撮像素子１の冷却或いは加熱を
することができる。
【００１４】そして、固体撮像素子２を冷却する場合に
おけるペルチェ素子８から外部への放熱は上記固体撮像
装置固定用板金１０を通じて行うことができ、放熱経路
の熱抵抗を極めて小さくすることができる。このような
固体撮像装置は、リードフレームのダイパッド４ａにペ
ルチェ素子８を接着し、次いで、その状態で樹脂封止を
してパッケージ１を形成し、次いで、上記ダイパッド４
ａの反ペルチェ素子８側の面に固体撮像素子２をチップ
ボンディングをし、その後、ワイヤボンディングをし、
しかる後、シールガラス６を接着するという方法で主要
部を製造することができる。
おけるペルチェ素子８から外部への放熱は上記固体撮像
装置固定用板金１０を通じて行うことができ、放熱経路
の熱抵抗を極めて小さくすることができる。このような
固体撮像装置は、リードフレームのダイパッド４ａにペ
ルチェ素子８を接着し、次いで、その状態で樹脂封止を
してパッケージ１を形成し、次いで、上記ダイパッド４
ａの反ペルチェ素子８側の面に固体撮像素子２をチップ
ボンディングをし、その後、ワイヤボンディングをし、
しかる後、シールガラス６を接着するという方法で主要
部を製造することができる。
【００１５】その後、ペルチェ素子８の電極取り出しの
ためのリード１２、１２の形成、異方性導電膜１５、１
５の形成、フィルムリード１３、１３付き固体撮像装置
固定用板金１０の接着等を行えば固体撮像装置が完成す
る。尚、パッケージ１を１回の樹脂封止工程で行うので
はなく、リードフレームよりも下の部分を形成する樹脂
封止工程と、リードフレームよりも上の部分を形成する
樹脂封止工程を行い、そして、その工程でできた二つの
樹脂成形品同士を貼り合わせるようにしても良い。いわ
ゆる２色成形技術を駆使するようにしても良いのであ
る。
ためのリード１２、１２の形成、異方性導電膜１５、１
５の形成、フィルムリード１３、１３付き固体撮像装置
固定用板金１０の接着等を行えば固体撮像装置が完成す
る。尚、パッケージ１を１回の樹脂封止工程で行うので
はなく、リードフレームよりも下の部分を形成する樹脂
封止工程と、リードフレームよりも上の部分を形成する
樹脂封止工程を行い、そして、その工程でできた二つの
樹脂成形品同士を貼り合わせるようにしても良い。いわ
ゆる２色成形技術を駆使するようにしても良いのであ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図３、図４は本発明固体撮像装置
の第２の実施の形態を示すもので、図３は断面図、図４
はペルチェ素子８の電極取り出しの説明図である。本実
施の形態は、ペルチェ素子２の電極をリードフレーム４
のダイパッド４ａ、４ａに接続するようにしたものであ
り、リードフレーム４として一つの固体撮像素子載置部
を成すダイパッドを二つ４ａ、４ａに分割したものを用
い、その一方４ａにペルチェ素子２の一方の電極を接続
し、他方４ａにペルチェ素子２の他方の電極を接続する
ようにしたものである。従って、本実施の形態によれ
ば、第１の実施の形態におけるようにペルチェ素子２の
電極のある側の面を下側（固体撮像装置裏面側）にする
ことは必要ではない。また、ペルチェ素子２の下側の面
をパッケージ１の下面と面一（ツライチ）にすることも
必要ではなく、ペルチェ素子２の下部をパッケージ１か
ら大きく突出させて放熱性をより高めることも可能であ
る。尚、１６、１６はペルチェ素子８の電極である。
の第２の実施の形態を示すもので、図３は断面図、図４
はペルチェ素子８の電極取り出しの説明図である。本実
施の形態は、ペルチェ素子２の電極をリードフレーム４
のダイパッド４ａ、４ａに接続するようにしたものであ
り、リードフレーム４として一つの固体撮像素子載置部
を成すダイパッドを二つ４ａ、４ａに分割したものを用
い、その一方４ａにペルチェ素子２の一方の電極を接続
し、他方４ａにペルチェ素子２の他方の電極を接続する
ようにしたものである。従って、本実施の形態によれ
ば、第１の実施の形態におけるようにペルチェ素子２の
電極のある側の面を下側（固体撮像装置裏面側）にする
ことは必要ではない。また、ペルチェ素子２の下側の面
をパッケージ１の下面と面一（ツライチ）にすることも
必要ではなく、ペルチェ素子２の下部をパッケージ１か
ら大きく突出させて放熱性をより高めることも可能であ
る。尚、１６、１６はペルチェ素子８の電極である。
【００１７】図５は電極の取り出しの別の例の説明図で
ある。本例は固体撮像素子載置用のダイパッドを有さず
固体撮像装置１個当たり２個のリードをペルチェ素子の
電極取り出し用リード４ｂ、４ｂとしたものをリードフ
レーム４として用い、それにペルチェ素子８の電極１
６、１６を接続し、そのペルチェ素子８の電極１６、１
６のある側の面に固体撮像素子２を接続したものであ
る。固体撮像素子２はペルチェ素子８の電極１６、１６
のないところに接続する必要があるので、ペルチェ素子
８として固体撮像素子２よりも適宜大きいものを選ぶ必
要がある。この場合、固体撮像素子２とペルチェ素子８
とは、リードフレーム４のダイパッドを介することなく
直接接続されるので、その間の熱抵抗はより小さくでき
る。
ある。本例は固体撮像素子載置用のダイパッドを有さず
固体撮像装置１個当たり２個のリードをペルチェ素子の
電極取り出し用リード４ｂ、４ｂとしたものをリードフ
レーム４として用い、それにペルチェ素子８の電極１
６、１６を接続し、そのペルチェ素子８の電極１６、１
６のある側の面に固体撮像素子２を接続したものであ
る。固体撮像素子２はペルチェ素子８の電極１６、１６
のないところに接続する必要があるので、ペルチェ素子
８として固体撮像素子２よりも適宜大きいものを選ぶ必
要がある。この場合、固体撮像素子２とペルチェ素子８
とは、リードフレーム４のダイパッドを介することなく
直接接続されるので、その間の熱抵抗はより小さくでき
る。
【００１８】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明固体撮像装
置によれば、固体撮像素子とペルチェ素子とがリードフ
レームを挟んで或いは直接に設けられるので、固体撮像
素子・ペルチェ素子間の熱抵抗を小さくすることができ
る。従って、ペルチェ素子による固体撮像素子に対する
冷却（加熱）効率を高めることができる。そして、ペル
チェ素子をその反固体撮像素子側の面が露出するように
樹脂パッケージにより封止するので、固体撮像素子をペ
ルチェ素子で冷却する場合における放熱の効率を高める
ことができ、また、樹脂によるパッケージを徒らに大き
くしなくても固体撮像素子と共にペルチェ素子を封止す
ることができ、固体撮像装置を徒らに大きくすることな
く冷却（加熱）効率を高めたり、固体撮像素子を冷却す
る場合における放熱効果を高めることができる。
置によれば、固体撮像素子とペルチェ素子とがリードフ
レームを挟んで或いは直接に設けられるので、固体撮像
素子・ペルチェ素子間の熱抵抗を小さくすることができ
る。従って、ペルチェ素子による固体撮像素子に対する
冷却（加熱）効率を高めることができる。そして、ペル
チェ素子をその反固体撮像素子側の面が露出するように
樹脂パッケージにより封止するので、固体撮像素子をペ
ルチェ素子で冷却する場合における放熱の効率を高める
ことができ、また、樹脂によるパッケージを徒らに大き
くしなくても固体撮像素子と共にペルチェ素子を封止す
ることができ、固体撮像装置を徒らに大きくすることな
く冷却（加熱）効率を高めたり、固体撮像素子を冷却す
る場合における放熱効果を高めることができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明固体撮像装置の第１の
実施の形態を示すもので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はペ
ルチェ素子の電極取り出し部を示す拡大断面図である。
実施の形態を示すもので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はペ
ルチェ素子の電極取り出し部を示す拡大断面図である。
【図２】上記第１の実施の形態の固体撮像装置固定用板
金を取り除いて示す底面図である。
金を取り除いて示す底面図である。
【図３】本発明固体撮像装置の第２の実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】上記第２の実施の形態の電極取り出しの説明図
である。
である。
【図５】電極取り出しの別の例の説明図である。
【図６】一つの背景技術を示す断面図である。
【図７】他の背景技術の断面図である。
１ 樹脂からなるパッケージ ２ 固体撮像素子 ４ リードフレーム ４ａ ダイパッド ４ｃ リード ８ ペルチェ素子
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームの表面側に固体撮像素子
を設け、 上記リードフレームの反固体撮像素子側にペルチェ素子
を設け、 上記固体撮像素子及び上記ペルチェ素子を該ペルチェ素
子の反固体撮像素子側の面が外部に露出するように樹脂
からなるパッケージにより実装してなることを特徴とす
る固体撮像装置 - 【請求項２】 リードフレームのダイパッドの表面に固
体撮像素子を接着し、 リードフレームのダイパッドの裏面にペルチェ素子を接
着してなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装
置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227232A JPH0955489A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227232A JPH0955489A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955489A true JPH0955489A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16857586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7227232A Pending JPH0955489A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955489A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1148558A2 (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-24 | Omnivision Technologies Inc. | Image sensor integrated circuit package having cooling |
| KR100600213B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2006-07-13 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| US7402898B2 (en) | 2004-08-06 | 2008-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP7227232A patent/JPH0955489A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1148558A2 (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-24 | Omnivision Technologies Inc. | Image sensor integrated circuit package having cooling |
| EP1148558A3 (en) * | 2000-03-29 | 2003-11-26 | Omnivision Technologies Inc. | Image sensor integrated circuit package having cooling |
| KR100600213B1 (ko) * | 2000-08-14 | 2006-07-13 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| US7402898B2 (en) | 2004-08-06 | 2008-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5691567A (en) | Structure for attaching a lead frame to a heat spreader/heat slug structure | |
| US20050116138A1 (en) | Method of manufacturing a solid state image sensing device | |
| JPH0685222A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP0828298A2 (en) | Imaging apparatus and process for producing the same | |
| TWI395316B (zh) | 多晶片模組封裝件 | |
| US5434449A (en) | Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink | |
| JPH08191114A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08298303A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3239640B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JPH08139218A (ja) | 混成集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0955489A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03151666A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP2905609B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000286401A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US10269583B2 (en) | Semiconductor die attachment with embedded stud bumps in attachment material | |
| JPH11307721A (ja) | パワーモジュール装置およびその製造方法 | |
| JPH10144898A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH065726A (ja) | 樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置 | |
| JP2792377B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002100710A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3048707B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH065717B2 (ja) | 固 体 撮 像 装 置 | |
| JPH0332048A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000124401A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2841822B2 (ja) | 混成集積回路の製造方法 |