JPH06194382A - 容量式加速度センサ - Google Patents

容量式加速度センサ

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JPH06194382A
JPH06194382A JP4342491A JP34249192A JPH06194382A JP H06194382 A JPH06194382 A JP H06194382A JP 4342491 A JP4342491 A JP 4342491A JP 34249192 A JP34249192 A JP 34249192A JP H06194382 A JPH06194382 A JP H06194382A
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sensor chip
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sensor
acceleration sensor
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▲高▼砂  晃
Akira Takasago
Akio Yasukawa
彰夫 保川
Norio Ichikawa
範男 市川
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Hitachi Ltd
Hitachi Automotive Systems Engineering Co Ltd
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Hitachi Automotive Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0828Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板とセンサチップとの間隔を離し、基板お
よびセンサチップが温度変化を受けたときに生じるゼロ
点シフトを防止する。 【構成】 センサチップ1は、可動電極形成層12が固
定電極形成層11と固定電極形成層13とに挟まれた三
層構造に形成され、固定電極形成層11,13に固定さ
れた固定電極14A,14Bと、支持部材16で支持さ
れた可動電極15とを有する。このセンサチップ1は接
着剤2によって基板4上に接着され固定されている。セ
ンサチップ1を基板4上に接着するときに、接着剤2は
外部に漏れだしその厚さが薄くなってしまうので、閉じ
た形状の枠3が基板4上に設けられ、この枠3内に接着
剤2が充填されている。これにより、接着剤2の層厚を
厚く維持することができ、基板4とセンサチップ1との
間隔を離すことできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は加速度センサに係り、特
に固定電極と可動電極とが設けられ、両電極間の隙間が
変化したときの静電容量の変化から加速度を検出する容
量式加速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、容量式加速度センサは、例えば
特開平1−152369号公報に示されているように、
固定電極と可動電極とを有するセンサチップが基板上に
接着され、固定電極と可動電極間の隙間が変化したとき
の前記両電極間の静電容量の変化から加速度を検出する
ようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の容量式加速度センサでは、基板上にセンサチッ
プを接着する際に接着層の厚みを調整することの配慮が
なされておらず、接着層が薄くなってしまう欠点があ
る。接着層が薄くなると基板とセンサチップとの間隔が
狭くなるので、基板およびセンサチップが熱膨張したと
きに両者の熱膨張差の影響が現われる。すなわち、基板
およびセンサチップの熱膨張率の相違により、温度が変
化したときに基板およびセンサチップの伸縮量がそれぞ
れ異り、基板およびセンサチップに反り変形が生じてし
まうことになる。特にセンサチップに反り変形が生じる
と内部に設けられた可動電極と固定電極間の隙間が変化
し、加速度がかかっていない状態でも加速度がかってい
るような静電容量の差分が検出されるような状態とな
り、その結果、ゼロ点がシフトしてしまう。
【0004】本発明の目的は、温度変化により基板およ
びセンサチップが熱膨張しても、ゼロ点がシフトしてし
まうことがない容量式加速度センサを提供することであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板と、該基板上に接着固定され、固定
電極と可動電極とが所定の隙間を有して配置されたセン
サチップとを備え、前記隙間が変化したときの前記両電
極間の静電容量の変化から加速度を検出する容量式加速
度センサにおいて、前記センサチップを前記基板上に接
着固定したときの接着層の厚さを、センサチップの熱変
形を吸収しセンサチップの反りを回避する厚さ以上に維
持する手段を設けたものである。
【0006】また、本発明は、基板と、該基板上に接着
固定され、固定電極と可動電極とが所定の隙間を有して
配置されたセンサチップとを備え、前記隙間が変化した
ときの前記両電極間の静電容量の変化から加速度を検出
する容量式加速度センサにおいて、前記センサチップを
前記基板上に接着固定したときに接着剤が接着面より外
部に漏れだすことを防止する手段を設けたものである。
【0007】また、本発明は、基板と、該基板上に接着
剤により接着固定され、固定電極と可動電極とが所定の
隙間を有して配置されたセンサチップとを備え、前記隙
間が変化したときの前記両電極間の静電容量の変化から
加速度を検出する容量式加速度センサにおいて、前記セ
ンサチップよりも大きく且つ閉じた枠を前記基板上に形
成し、該枠内に前記接着剤を充填したものである。
【0008】さらに、本発明は、基板と、該基板上に接
着剤により接着固定され、固定電極と可動電極とが所定
の隙間を有して配置されたセンサチップとを備え、前記
隙間が変化したときの前記両電極間の静電容量の変化か
ら加速度を検出する容量式加速度センサにおいて、前記
基板上の前記センサチップ搭載位置にくぼみを設け、該
くぼみ内に前記接着剤を充填したものである。
【0009】さらにまた、本発明は、基板と、該基板上
に接着剤により接着固定され、固定電極と可動電極とが
所定の隙間を有して配置されたセンサチップとを備え、
前記隙間が変化したときの前記両電極間の静電容量の変
化から加速度を検出する容量式加速度センサにおいて、
前記センサチップの外周部に対応させて前記基板上に部
分的に複数個の突起を設け、該突起で囲まれた空間内に
前記接着剤を充填するとともに、前記突起の材料とし
て、線膨張係数が前記接着剤とほぼ同じ材料を使用した
ものである。
【0010】
【作用】接着層の厚さを、センサチップの熱変形を吸収
しセンサチップの反りを回避できる厚さ以上にすれば、
センサチップと基板の熱膨張率の違いによってそれぞれ
の伸縮量に相違が生じても、その伸縮量の相違は接着層
により吸収され、センサチップに反り変形が生じること
を防止できる。このため、センサチップに設けられた可
動電極と固定電極間の隙間の変化を小さく押さえること
ができ、温度変化による容量式加速度センサのゼロ点が
シフトすることを防止できる。
【0011】接着層の厚さを厚く維持するためには、セ
ンサチップを基板上に接着固定するための接着剤が接着
面より外部に漏れだすのを防止する手段を設ける。具体
的には、センサチップよりも大きく且つ閉じた枠を基板
上に形成し、この枠内に接着剤を充填したり、基板上の
センサチップ搭載位置にくぼみを設け、このくぼみ内に
接着剤を充填したりすることによって、接着剤が接着面
より外部に漏れだすのを防止することができる。
【0012】また、センサチップの外周部に対応させて
基板上に部分的に複数個の突起を設け、これらの突起で
囲まれた空間内に接着剤を充填してもよい。このような
構成にすると、複数個の突起によりセンサチップを支持
することができ、センサチップの自重によって接着層が
薄くなってしまうのを防ぐことができる。なお、この場
合は、突起の材料の線膨張係数は接着剤の線膨張係数と
ほぼ同じになるようして、接着剤の収縮による影響を緩
和する必要がある。
【0013】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面に従って説明
する。 (第1実施例)図1および図2は本発明の第1実施例を
示し、図1は容量式加速度センサの縦断面図(図2にお
けるB−B断面)、図2はその横断面図(図1における
A−A断面)である。
【0014】容量式加速度センサのセンサチップ1は、
可動電極形成層12が固定電極形成層11と固定電極形
成層13とに挟まれた三層構造に形成されている。可動
電極形成層12の中央には支持部材16で支持された可
動電極15が設けられ、この可動電極15の両面に所定
の間隔をもって一対の固定電極14A,14Bが固定電
極形成層11,13上にそれぞれ設けられている。
【0015】そして、上記センサチップ1に電極面に対
して垂直方向の加速度が加わると、可動電極15に慣性
力が加わり支持部材16が弾性変形して可動電極15が
変位するので、可動電極15と固定電極14Aとの隙間
が変化し両電極間の静電容量が変化するとともに、可動
電極15と固定電極14Bとの隙間も変化して両電極間
の静電容量も変化する。これらの静電容量の変化を検出
することにより加速度を検出できる。
【0016】可動電極形成層12は材料としてシリコン
単結晶が用いられ、これをエッチングによって加工する
ことにより、図2に示すような形状に形成されている。
また、固定電極形成層11,13は材料として固定部に
ガラスが用いられている。そして、固定電極形成層1
1,13で可動電極形成層12を両側から挟み、両者を
陽極接合法により接合して、センサチップ1が一体的に
形成されている。
【0017】上記センサチップ1は接着剤2によって基
板4上に接着固定されている。センサチップ1を接着固
定するときに接着剤2が接着面から外部に漏れるのを防
ぐために、基板4上にはセンサチップ1の接着位置に閉
じた形状の枠3が設けられている。
【0018】基板4の材料としてはアルミナを、また枠
3の材料としては銀パラジウムをそれぞれ用いる。この
ようにすると、基板4上に周辺回路同様のスクリーン印
刷を施すだけで、枠3を形成することができ、従来の製
造工程に特別な工程を付加する必要がなく製造上極めて
有利となる。
【0019】ここで、本発明の容量式加速度センサの特
徴を従来のものと比較しながら説明する。従来の容量式
加速度センサでは、図4(a)および図4(b)に示すよ
うにセンサチップ1を基板4に接着すると、センサチッ
プ1の自重により接着剤2の層厚が薄くなってしまう。
接着剤2の層厚が薄くなると、温度変化があったときに
センサチップ1と基板4の熱膨張差による影響を強く受
けることになり、図4(c)のように、センサチップ1
および基板4に反り変形が生じてしまう。特に反り変形
がセンサチップ1に生じると、加速度が加わっていなく
ても、センサチップ1の支持部材16の傾きが変化して
可動電極15が変位し、固定電極14A,14Bと可動
電極15との隙間が変化し、静電容量の変化が出力され
ることになる。すなわちゼロ点シフトが生じることにな
る。
【0020】これに対して本発明の容量式加速度センサ
では、センサチップ1を基板4に接着する工程におい
て、図3(a)に示すように、予め基板4に枠3が設け
られているので、液体状態の接着剤2が充填(または塗
布)されたとき、接着剤2が外部へ流れ出ることがな
い。さらに、図3(b)に示すように、センサチップ1
を接着剤2にのせ、センサチップ1の重さが接着剤2に
加わった状態においても、接着剤2の表面張力により、
センサチップ1を接着剤2の表面に浮かせることができ
る。この状態で接着剤2を硬化させることにより、均一
でかつ十分な厚さをもつ接着層を形成することができ
る。このように、接着層の厚みを確保できる状態で接着
固定することが可能になるので、図4(c)に示すよう
なセンサチップの反り変形は起こりにくくなり、問題と
なるようなゼロ点シフトが生じることがない。
【0021】本発明の効果を裏付けるために有限要素法
により接着剤厚みと温度変化によって生じる可動電極と
固定電極との隙間の変化量の関係を計算した。その結果
を図5に示す。図5より、接着剤の厚みを10μm以上
とすれば、60℃の温度変化が加わっても隙間の変化を
0.01μm以下とできることがわかる。測定最大加速
度がかかったとき、すなわちフルスケール時の隙間の変
化を1μmと設定すれは、60℃の温度変化によるゼロ
点のシフトは、フルスケールの1%以下とできる。20
℃を基準に設定すれば、±60℃すなわち−40℃から
80℃の間で環境温度が変化してもゼロ点シフトは±1
%の範囲内とすることができ、一般の応用を考えた場
合、実用上十分な精度を確保できることになる。
【0022】枠の材料として銀パラジウム導体を用い、
基板に導体印刷するときの導体ペーストの粘度を適正に
調整することにより、焼成後の枠の厚さを例えば14±
4μmに制御することができる。すなわち枠の厚さを1
0μm以上とできるので、接着剤の厚さも10μm以上
確保できることになる。
【0023】本実施例によれば、枠3の形状を接着剤2
が漏れだすことのない閉じた、つまり切れ目のない枠に
することで、接着剤2の厚さを一定にすることができる
とともに、センサチップ1を基板4に接着する製造工程
において、枠3がセンサチップ1の接着位置を決める機
能があり、センサチップ1が曲がって接着されることを
防止できるので、量産時のセンサチップの接着工程にお
ける不良品発生の低減を図ることが可能である。
【0024】(第2実施例)図6および図7は本発明の
第2実施例を示し、図6は容量式加速度センサの縦断面
図(図7におけるD−D断面)、図7はその横断面図
(図6におけるC−C断面)である。
【0025】センサチップ1は三層構造に形成され、か
つその内部に可動電極15と固定電極14A,14Bを
有する点は第1実施例と同じである。本実施例の特徴
は、基板4側にくぼみ4Aを設け、センサチップ1を接
着固定するための接着剤2をくぼみ4A内に充填したこ
とである。このようなくぼみ4Aを設けることで接着剤
2が外部に漏れだすのを防止することができる。
【0026】基板4は配線が具備された配線基板であ
り、その表面には表面保護膜5が設けられているが、セ
ンサチップ1が接着される位置には表面保護膜5を設け
ないようにすることによってくぼみ4Aを形成すること
ができる。また、くぼみ4Aを形成するにあたって、表
面保護膜5の材料としてガラスを用いれば、従来の製造
工程にあるように配線形成後のガラスコートの工程を利
用することができる。さらに、本実施例でも第1実施例
の場合と同様にガラスペーストの粘度を調整することに
より、ガラス膜厚を14μm±4μmに制御できるの
で、接着層はそれ以上の厚みを確保できることになるの
で、ゼロ点シフトを実用上十分小さくすることができ
る。
【0027】本実施例によれば、接着剤2が漏れだすこ
とを防止できるので、接着剤2を十分な厚さに確保で
き、既述したようなセンサチップ1の反り変形は起こり
にくく、ゼロ点シフトが生じることを防止できる。ま
た、くぼみ4Aの形成も従来の製造工程に特別な工程を
付加することなくできるので、製造コストを増加させる
ことなくゼロ点シフト防止の効果を上げることができ
る。
【0028】(第3実施例)図8および図9は本発明の
第3実施例を示し、図8は容量式加速度センサの縦断面
図(図9におけるF−F断面)、図9はその横断面図
(図8におけるE−E断面)である。
【0029】センサチップ1は三層構造に形成され、か
つその内部に可動電極15と固定電極14A,14Bを
有する点は第1・2実施例と同じである。本実施例の特
徴は、基板4上のセンサチップ1を接着する位置に、セ
ンサチップ下面四隅に対応させて接着剤2の厚みを確保
する機能を備えた突起6を設け、突起6で囲まれた空間
内に接着剤2を充填したことと、突起6と接着剤2の線
膨張係数が同じ材料を使用ことである。
【0030】本実施例によれば、センサチップ1を基板
4に接着するとき、突起6がセンサチップ1を支えるの
で、センサチップ1の自重により接着剤2の厚みが薄く
なることはなく、図10(a)および図10(b)のよう
に、少なくとも突起6の高さ分は接着剤2の厚みを確保
することができる。しかし、これだけでは温度変化によ
ってゼロ点シフトが生じる恐れがある。それは接着剤2
自身の膨張収縮に対しての考慮がなされていないことに
よる。特に低温時に接着剤2が収縮するときに、突起6
が妨げとなり、センサチップ1の周辺の突起6が存在す
るところは接着剤2の収縮の影響を受けず、中央部分は
接着剤2の収縮の影響を受けることになるので、結果と
して図10(c)に示すようなセンサチップ1の中央部
が基板4側にたわむような反りが生じることである。そ
の反り変形によってゼロ点シフトが生じる問題がある。
【0031】そこで、本実施例では、突起6と接着剤2
の線膨張係数を同じ材料にすることで、センサチップ1
におよぼす反り変形の影響を緩和している。このように
突起6と接着剤2の熱膨張差をなくすことにより、温度
変化によって生じる突起6と接着剤2の膨張収縮が同じ
になり、図10(d)に示すように、接着剤2が収縮し
てもセンサチップ1に反り変形が生じることを防止で
き、温度変化によるゼロ点シフトを防ぐことができる。
【0032】突起6の材料としては銀パラジウムを用い
る。これによって、周辺回路の配線と同様にスクリーン
印刷で突起6を形成することができ、生産性上で極めて
有利である。
【0033】また接着剤2の材料としては、ポリイミド
系樹脂、特にPIQを用いることにより、既述の突起材
料に近い線膨張係数を実現でき、また良好な接着性も確
保できる。
【0034】なお、突起6はセンサチップ1の下面四隅
に対応した位置だけでなく、センサチップ1の下面外周
部に対応した位置に複数個設けられていればよい。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
センサチップと基板とを接着するための接着剤の層厚を
厚く維持することにより、センサチップと基板との間隔
を離すことができるため、温度変化を受けてもセンサチ
ップは反り変形せず、ゼロ点シフトの小さい容量式加速
度センサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による容量式加速度センサ
の縦断面図である。
【図2】図1の容量式加速度センサの横断面図である。
【図3】図1の容量式加速度センサの作用を示した説明
図である。
【図4】従来の容量式加速度センサの作用を示した説明
図である。
【図5】可動電極・固定電極間の隙間と接着剤の厚みと
の関係を示した図である。
【図6】本発明の第2実施例による容量式加速度センサ
の縦断面図である。
【図7】図6の容量式加速度センサの横断面図である。
【図8】本発明の第3実施例による容量式加速度センサ
の縦断面図である。
【図9】図8の容量式加速度センサの横断面図である。
【図10】図8の容量式加速度センサの作用を示した説
明図である。
【符号の説明】
1 センサチップ 2 接着剤 3 枠 4 基板 4A くぼみ 5 表面保護膜 6 突起 11,13 固定電極形成層 12 可動電極形成層 14A,14B 固定電極 15 可動電極 16 支持部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 保川 彰夫 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 市川 範男 茨城県勝田市大字高場字鹿島谷津2477番地 3 日立オートモティブエンジニアリング 株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、該基板上に接着固定され、固定
    電極と可動電極とが所定の隙間を有して配置されたセン
    サチップとを備え、前記隙間が変化したときの前記両電
    極間の静電容量の変化から加速度を検出する容量式加速
    度センサにおいて、 前記センサチップを前記基板上に接着固定したときの接
    着層の厚さを、センサチップの熱変形を吸収しセンサチ
    ップの反りを回避する厚さ以上に維持する手段を設けた
    ことを特徴とする容量式加速度センサ。
  2. 【請求項2】 基板と、該基板上に接着固定され、固定
    電極と可動電極とが所定の隙間を有して配置されたセン
    サチップとを備え、前記隙間が変化したときの前記両電
    極間の静電容量の変化から加速度を検出する容量式加速
    度センサにおいて、 前記センサチップを前記基板上に接着固定したときに接
    着剤が接着面より外部に漏れだすことを防止する手段を
    設けたことを特徴とする容量式加速度センサ。
  3. 【請求項3】 基板と、該基板上に接着剤により接着固
    定され、固定電極と可動電極とが所定の隙間を有して配
    置されたセンサチップとを備え、前記隙間が変化したと
    きの前記両電極間の静電容量の変化から加速度を検出す
    る容量式加速度センサにおいて、 前記センサチップよりも大きく且つ閉じた枠を前記基板
    上に形成し、該枠内に前記接着剤を充填したことを特徴
    とする容量式加速度センサ。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の容量式加速度センサにお
    いて、 前記枠は、前記基板上に形成された配線と同様な導体材
    料で形成されていることを特徴とする容量式加速度セン
    サ。
  5. 【請求項5】 基板と、該基板上に接着剤により接着固
    定され、固定電極と可動電極とが所定の隙間を有して配
    置されたセンサチップとを備え、前記隙間が変化したと
    きの前記両電極間の静電容量の変化から加速度を検出す
    る容量式加速度センサにおいて、 前記基板上の前記センサチップ搭載位置にくぼみを設
    け、該くぼみ内に前記接着剤を充填したことを特徴とす
    る容量式加速度センサ。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の容量式加速度センサにお
    いて、 前記くぼみは、前記基板上の表面保護膜を部分的に設け
    ないことにより形成されていることを特徴とする容量式
    加速度センサ。
  7. 【請求項7】 基板と、該基板上に接着剤により接着固
    定され、固定電極と可動電極とが所定の隙間を有して配
    置されたセンサチップとを備え、前記隙間が変化したと
    きの前記両電極間の静電容量の変化から加速度を検出す
    る容量式加速度センサにおいて、 前記センサチップの外周部に対応させて前記基板上に部
    分的に複数個の突起を設け、該突起で囲まれた空間内に
    前記接着剤を充填するとともに、前記突起の材料とし
    て、線膨張係数が前記接着剤とほぼ同じ材料を使用した
    ことを特徴とする容量式加速度センサ。
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