JP2001235485A - 加速度センサ - Google Patents

加速度センサ

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JP2001235485A
JP2001235485A JP2000049049A JP2000049049A JP2001235485A JP 2001235485 A JP2001235485 A JP 2001235485A JP 2000049049 A JP2000049049 A JP 2000049049A JP 2000049049 A JP2000049049 A JP 2000049049A JP 2001235485 A JP2001235485 A JP 2001235485A
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acceleration
chip
acceleration detection
main surface
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Teruaki Nagahara
輝明 長原
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 加速度検出チップと信号処理チップとを備え
る加速度センサにおいて、両チップの配置を改善して加
速度センサの小型化を図る。 【解決手段】 加速度検出チップＡＣａを、信号処理チ
ップＳＣａに設けられた貫通孔ＨＬ１の内部に配置す
る。また、キャップＣＰａを設けて樹脂封入パッケージ
を形成する際に加速度検出部ＡＳに樹脂が流入しないよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自動車のエアバ
ッグシステムやアンチロックブレーキングシステム、ナ
ビゲーションシステム、またはその他の民生用機器等に
用いられる加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば多くの自動車にエアバッグ
システムが搭載されるようになってきている。そして、
エアバッグシステムを構成する重要なデバイスの一つと
して、衝撃を検知するための加速度センサが挙げられ
る。加速度センサとは、物体に加わる加速度を電気信号
に変換して出力するセンサデバイスのことである。
【０００３】加速度センサは近年では、フォトリソグラ
フィ技術やエッチング技術、マイクロマシン形成技術等
により加工された半導体基板を含む電子デバイスとして
形成されることが多い。そして、このような加速度セン
サは一般に、加速度を検出して電気信号として出力する
加速度検出チップと、加速度検出チップの出力信号を処
理して例えば加速度を数値化して出力する信号処理チッ
プとを備えていることが多い。
【０００４】また、小型化・低コスト化への要求に答え
るために、加速度センサのパッケージも金属ケースから
樹脂封入したものへと置き換わりつつある。
【０００５】図２２および図２３に加速度センサの備え
る加速度検出チップの一例を示す。なお、図２２は上面
図であり、図２３は図２２中の切断線Ｃ−Ｃにおける断
面図を示している。この加速度検出チップＡＣｇは、表
面に加速度検出部ＡＳが形成された半導体基板ＳＢを備
えている。なお、半導体基板ＳＢには例えばシリコン基
板等が採用される。
【０００６】加速度検出部ＡＳには、例えば、可動電極
ＭＥと、可動電極ＭＥを挟むようにして形成された二つ
の固定電極ＦＥ１，ＦＥ２とを備える構造が採用され
る。固定電極ＦＥ１，ＦＥ２はそれぞれ、加速度検出チ
ップＡＣｇが衝撃を受けても容易には揺れ動かないよ
う、その側面部及び底面部が半導体基板ＳＢの表面に固
着されている。一方、可動電極ＭＥは、その底面部の大
半は半導体基板ＳＢとは固着されずにほとんど側面部の
みで半導体基板ＳＢに固着され、図２２に示す方向Ｐの
向きの衝撃に対し揺れ動きやすいように形成されてい
る。
【０００７】半導体基板ＳＢの表面には、固定電極ＦＥ
１に接続された配線ＩＬｃ、固定電極ＦＥ２に接続され
た配線ＩＬｄおよび可動電極ＭＥに接続された配線ＩＬ
ｅと、ワイヤボンディング用に各配線ＩＬｃ〜ＩＬｅの
それぞれに接続されたパッド電極ＰＤａとが形成されて
いる。
【０００８】このような加速度検出チップＡＣｇによれ
ば、図２２に示す方向Ｐの向きの衝撃を受けたときに、
可動電極ＭＥと固定電極ＦＥ１，ＦＥ２のそれぞれとの
間の距離が増加あるいは減少する。よって、可動電極Ｍ
Ｅと固定電極ＦＥ１との間の静電容量の値および可動電
極ＭＥと固定電極ＦＥ２との間の静電容量の値が変化す
るので、この容量値の変化量から加速度を検出すること
ができる。
【０００９】図２４は、加速度検出チップＡＣｇととも
に信号処理チップＳＣｇが搭載されたダイパッド（チッ
プが搭載される台座）ＤＰｃを、リードＬＤとともに樹
脂パッケージＰＫに封入して形成した加速度センサを示
した図である。加速度検出チップＡＣｇおよび信号処理
チップＳＣｇは、例えばシリコン樹脂やエポキシ樹脂、
低融点ガラス等の絶縁性の接着剤によりダイパッドＤＰ
ｃに接着される。なお、信号処理チップＳＣｇは、表面
に信号処理用の配線や回路素子等（図示せず）が形成さ
れた半導体基板を備えている。また、ここでは加速度セ
ンサがＳＯＰ（Small Outline Package）形である場合
を例示している。
【００１０】信号処理チップＳＣｇの表面には、加速度
検出チップＡＣｇのパッド電極ＰＤａからの出力を受け
るためのパッド電極ＰＤｂと処理後の信号をリードＬＤ
を介して外部に出力するためのパッド電極ＰＤｃとが形
成されている。なお、各パッド電極とリードＬＤとの間
および各パッド電極間はＡｕ等からなるボンディングワ
イヤＷＲで接続されている。
【００１１】また、加速度検出チップＡＣｇ上には、樹
脂パッケージＰＫの封入時に可動電極ＭＥの形成部分に
樹脂が入り込まないようにするための保護キャップＣＰ
ｄが形成されている。この保護キャップＣＰｄは導電性
であって、加速度検出チップＡＣｇ上にさらに形成され
たパッド電極ＰＤｆを介して外部から接地電位を与えら
れ、加速度検出部ＡＳをシールドする機能も有してい
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図２４に示した従来の
加速度センサの構造では、加速度検出チップＡＣｇと信
号処理チップＳＣｇとをダイパッドＤＰｃ上に並べて配
置するために、面積の大きいダイパッドを用いざるを得
ず、その結果、加速度センサの小型化を図ることは困難
であった。
【００１３】そこで、この発明の課題は、加速度検出チ
ップと信号処理チップとを備える加速度センサにおい
て、両チップの配置を改善して加速度センサの小型化を
図ることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、加速度に応じて変位する可動部を含む加速度検出部
を有し、前記可動部の変位に応じた電気信号を出力する
加速度検出チップと、貫通孔を有し、前記加速度検出チ
ップの出力する前記電気信号を処理する回路が形成され
た信号処理チップと、前記加速度検出チップおよび前記
信号処理チップが接着されたダイパッドとを備え、前記
ダイパッド上において前記加速度検出チップは前記信号
処理チップの有する前記貫通孔内に配置された加速度セ
ンサである。
【００１５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の加速度センサであって、前記貫通孔を覆うよう前記信
号処理チップに接着されたキャップと、少なくとも前記
信号処理チップと前記キャップとの接着部を覆う樹脂封
入パッケージとをさらに備える加速度センサである。
【００１６】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の加速度センサであって、前記キャップは平板状であっ
て、その周縁に切れ込み部を有し、前記切れ込み部にお
いて前記加速度検出チップと前記信号処理チップとの間
の電気的接続がなされ、前記切れ込み部には絶縁材が充
填される加速度センサである。
【００１７】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の加速度センサであって、前記加速度検出チップの前記
加速度検出部を覆うよう前記加速度検出チップに接着さ
れたキャップと、少なくとも前記加速度検出チップと前
記キャップとの接着部を覆う樹脂封入パッケージとをさ
らに備える加速度センサである。
【００１８】請求項５に記載の発明は、第１主面と、前
記第１主面に対向する第２主面とを有し、加速度に応じ
て変位する可動部を含む加速度検出部が前記第１主面に
形成され、前記可動部の変位に応じた電気信号を出力す
る加速度検出チップと、第１主面と、前記第１主面に対
向する第２主面と、前記加速度検出チップの出力する前
記電気信号を処理する回路とを有する信号処理チップ
と、前記加速度検出チップの前記第２主面が接着される
ダイパッドと、樹脂封入パッケージとを備え、前記信号
処理チップの前記第２主面が前記加速度検出部を覆いつ
つ前記加速度検出チップの前記第１主面に接着され、前
記樹脂封入パッケージは少なくとも前記加速度検出チッ
プおよび前記信号処理チップの接着部を覆う加速度セン
サである。
【００１９】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の加速度センサであって、前記信号処理チップの前記第
２主面に窪み部が形成され、前記加速度検出チップの前
記加速度検出部は前記信号処理チップの前記窪み部に収
まるよう形成された加速度センサである。
【００２０】請求項７に記載の発明は、請求項５に記載
の加速度センサであって、前記加速度検出チップは、前
記電気信号を出力するための第１電極と、第２電極と、
前記第２電極に電気的に接続され、前記信号処理チップ
に覆われない第３電極とを前記第１主面上にさらに有
し、前記信号処理チップは、前記加速度検出チップの前
記第１電極に接続される第１電極と、前記加速度検出チ
ップの前記第２電極に接続される第２電極とを前記第２
主面上にさらに有し、少なくとも前記加速度検出部を囲
むよう前記加速度検出チップの前記第１主面上に枠状に
形成された接着剤により、前記信号処理チップの前記第
２主面が前記加速度検出チップの前記第１主面に接着さ
れた加速度センサである。
【００２１】請求項８に記載の発明は、第１主面と、前
記第１主面に対向する第２主面とを有し、加速度に応じ
て変位する可動部を含む加速度検出部が前記第１主面に
形成され、前記可動部の変位に応じた電気信号を出力す
る加速度検出チップと、前記加速度検出チップの出力す
る前記電気信号を処理する回路を有する信号処理チップ
と、前記加速度検出チップの前記第１主面が接着される
第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを有す
るダイパッドと、少なくとも前記加速度検出チップと前
記ダイパッドとの接着部を覆う樹脂封入パッケージとを
備える加速度センサである。
【００２２】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の加速度センサであって、前記信号処理チップは前記ダ
イパッドの前記第２主面に接着され、前記ダイパッドに
は貫通孔が形成され、前記加速度検出チップは、前記電
気信号を前記信号処理チップに出力するための電極を前
記ダイパッドの前記貫通孔に露出するように前記第１主
面上にさらに有する加速度センサである。
【００２３】請求項１０に記載の発明は、請求項８に記
載の加速度センサであって、前記加速度検出チップは前
記第１主面に窪み部を有し、前記加速度検出部は前記窪
み部に形成される加速度センサである。
【００２４】請求項１１に記載の発明は、請求項８に記
載の加速度センサであって、前記信号処理チップは前記
加速度検出チップの前記第２主面に接着される加速度セ
ンサである。
【００２５】請求項１２に記載の発明は、請求項８に記
載の加速度センサであって、少なくとも前記加速度検出
部を囲むよう前記加速度検出チップの前記第１主面上に
枠状に形成された接着剤により、前記加速度検出チップ
の前記第１主面が前記ダイパッドの前記第１主面に接着
された加速度センサである。
【００２６】
【発明の実施の形態】＜実施の形態１＞図１ないし図３
はこの発明の実施の形態１に係る加速度センサを示す図
である。なお、図１は斜視図であり、図２は図１中の切
断線Ａ１−Ａ１における断面図を、図３は図１中の切断
線Ｂ１−Ｂ１における断面図をそれぞれ示している。
【００２７】この加速度センサは、ダイパッドＤＰａと
リードＬＤとを備えている。また、ダイパッドＤＰａ上
には、加速度検出チップＡＣｇと同様、加速度検出部Ａ
Ｓを備える加速度検出チップＡＣａと、信号処理チップ
ＳＣａとが搭載されている。加速度検出チップＡＣａお
よび信号処理チップＳＣａは、例えばシリコン樹脂やエ
ポキシ樹脂、低融点ガラス等の絶縁性の接着剤によりダ
イパッドＤＰａに接着される。そして、ダイパッドＤＰ
ａ、リードＬＤ、加速度検出チップＡＣａおよび信号処
理チップＳＣａが樹脂封入パッケージＰＫにより封入さ
れている。
【００２８】ただし、図１においては、表示が煩瑣にな
るのを避けるため、リードＬＤ、リードＬＤに接続され
るボンディングワイヤＷＲおよび樹脂封入パッケージＰ
Ｋについては表示していない。なお、本実施の形態にお
いても、図２４に示した従来の加速度センサと同様、加
速度センサがＳＯＰ形である場合を例示している。
【００２９】加速度検出チップＡＣａの表面には、加速
度検出部ＡＳから出力される電気信号を出力するための
パッド電極ＰＤａが設けられ、信号処理チップＳＣａの
表面には、加速度検出チップＡＣａのパッド電極ＰＤａ
からの出力を受けるためのパッド電極ＰＤｂと処理後の
信号をリードＬＤを介して外部に出力するためのパッド
電極ＰＤｃとが形成されている。なお、信号処理チップ
ＳＣａの表面には、信号処理チップＳＣｇと同様、信号
処理のための配線や回路素子等（図示せず）が形成され
ている。そして、パッド電極ＰＤａとパッド電極ＰＤｂ
との間およびパッド電極ＰＤｃとリードＬＤとの間が、
Ａｕ等からなるボンディングワイヤＷＲで接続されてい
る。
【００３０】さて、本実施の形態にかかる加速度センサ
においては、両チップの配置は図２４に示した従来の加
速度センサの場合とは異なる。すなわち、加速度検出チ
ップＡＣａは、信号処理チップＳＣａに設けられた貫通
孔ＨＬ１の内部に配置される。このように、信号処理チ
ップＳＣａに設けられた貫通孔ＨＬ１の内部に加速度検
出チップＡＣａを配置すれば、加速度検出チップを信号
処理チップと並べてダイパッド上に配置する場合よりも
ダイパッドの面積を小さくできる。よって、加速度セン
サを小型化することができる。
【００３１】なお、もちろん信号処理チップＳＣａの表
面のうち貫通孔ＨＬ１の存在するところには信号処理用
の回路は形成されていない。また、図１では加速度検出
チップＡＣａと信号処理チップＳＣａとは、いくらかの
空間を隔てて設けられているが、両者が接触するように
配置されても、各チップに形成された回路間の絶縁性が
保たれておれば問題はない。
【００３２】なお、貫通孔ＨＬ１は、例えば、信号処理
チップＳＣａの表面に信号処理用の回路を形成した後、
表面をフォトレジスト等で保護し、信号処理チップの裏
面からエッチングを行うことで形成される。このエッチ
ングを行う際には、フォトリソグラフィ技術が用いられ
る。すなわち、フォトレジストでエッチングマスクを形
成し、エッチングマスクにパターニングを行った後、エ
ッチャントに信号処理チップＳＣａを曝すことでエッチ
ングが行われる。
【００３３】また、本実施の形態にかかる加速度センサ
は、樹脂封入パッケージＰＫの形成時に加速度検出部Ａ
Ｓに樹脂が流入するのを防ぐために貫通孔ＨＬ１を覆う
キャップＣＰａをも有している。なお、図１では貫通孔
ＨＬ１内の様子を示すために、キャップＣＰａを破線で
表示している。
【００３４】このキャップＣＰａは、信号処理チップＳ
Ｃａの表面の配線や回路を短絡しないように絶縁性素材
で形成されており、信号処理チップＳＣａの表面のうち
貫通孔ＨＬ１付近にシリコン樹脂やエポキシ樹脂、低融
点ガラス等の絶縁性の接着剤で接着される。
【００３５】なお、キャップＣＰａに加速度検出部ＡＳ
をシールドする機能を持たせたい場合には、信号処理チ
ップＳＣａに接する部分を除いてキャップＣＰａの表面
を金属メッキするなどして、キャップＣＰａに導電性材
料を形成すればよい。
【００３６】本実施の形態にかかる加速度センサを用い
れば、加速度検出チップＡＣａが信号処理チップＳＣａ
の有する貫通孔ＨＬ１内に配置されるので、加速度検出
チップを信号処理チップと並べてダイパッド上に配置す
る場合よりも加速度センサを小型化することができる。
【００３７】＜実施の形態２＞本実施の形態は、実施の
形態１にかかる加速度センサの変形例であり、具体的に
は、加速度検出チップおよび信号処理チップ上のパッド
電極の位置とキャップの形状とが実施の形態１とは異な
っている。
【００３８】図４ないし図６はこの発明の実施の形態２
に係る加速度センサを示す図である。なお、図４は斜視
図であり、図５は図４中の切断線Ａ２−Ａ２における断
面図を、図６は図４中の切断線Ｂ２−Ｂ２における断面
図をそれぞれ示している。また、図４ないし図６では実
施の形態１にかかる加速度センサと同様の機能を有する
要素については同一符号を付している。
【００３９】この加速度センサは、ダイパッドＤＰａと
リードＬＤとを備えている。また、ダイパッドＤＰａ上
には、加速度検出チップＡＣａと同様、加速度検出部Ａ
Ｓを備える加速度検出チップＡＣｂと、信号処理チップ
ＳＣｂとが接着されている。加速度検出チップＡＣｂお
よび信号処理チップＳＣｂは、例えばシリコン樹脂等の
接着剤によりダイパッドＤＰａに接着される。また、信
号処理チップＳＣｂには貫通孔ＨＬ１が設けられ、貫通
孔ＨＬ１の内部に加速度検出チップＡＣｂが配置されて
いる。また、貫通孔ＨＬ１を覆うようにキャップＣＰｂ
が信号処理チップＳＣｂの表面に設けられている。そし
て、ダイパッドＤＰａ、リードＬＤ、加速度検出チップ
ＡＣｂ、信号処理チップＳＣｂおよびキャップＣＰｂが
樹脂封入パッケージＰＫにより封入されている。
【００４０】ただし、図４においては、表示が煩瑣にな
るのを避けるため、リードＬＤ、リードＬＤに接続され
るボンディングワイヤＷＲおよび樹脂封入パッケージＰ
Ｋについては表示していない。また、キャップＣＰｂに
ついては破線で表示している。なお、本実施の形態にお
いても、実施の形態１にかかる加速度センサと同様、加
速度センサがＳＯＰ形である場合を例示している。
【００４１】加速度検出チップＡＣｂの表面には、加速
度検出部ＡＳから出力される電気信号を出力するための
パッド電極ＰＤａが設けられ、信号処理チップＳＣｂの
表面には、加速度検出チップＡＣｂのパッド電極ＰＤａ
からの出力を受けるためのパッド電極ＰＤｂと処理後の
信号をリードＬＤを介して外部に出力するためのパッド
電極ＰＤｃとが形成されている。なお、信号処理チップ
ＳＣｂの表面には、信号処理チップＳＣａと同様、信号
処理のための配線や回路素子等（図示せず）が形成され
ている。そして、パッド電極ＰＤａとパッド電極ＰＤｂ
との間およびパッド電極ＰＤｃとリードＬＤとの間が、
Ａｕ等からなるボンディングワイヤＷＲで接続されてい
る。
【００４２】さて、本実施の形態における加速度センサ
においては、キャップＣＰｂの形状が、実施の形態１に
かかる加速度センサにおいて示したキャップＣＰａの形
状と異なって平板状であり、その周縁に切れ込み部ＮＴ
が設けられている。そして、切れ込み部ＮＴにおいてパ
ッド電極ＰＤａとパッド電極ＰＤｂとの間のボンディン
グワイヤＷＲによる接続がなされ、切れ込み部ＮＴを埋
めるように高粘性の絶縁材ＩＳが設けられている。図４
ないし図６では例として、加速度検出チップＡＣｂの四
隅にパッド電極ＰＤａが設けられ、パッド電極ＰＤａに
接続される信号処理チップＳＣｂのパッド電極ＰＤｂが
貫通孔ＨＬ１の四隅の近傍に設けられている。
【００４３】このように、平板状であって、その周縁に
切れ込み部が設けられたキャップＣＰｂを用いれば、実
施の形態１において用いられたキャップＣＰａよりもそ
の高さを低く抑えることができる。よって、厚みの少な
い加速度センサを実現することができる。また、切れ込
み部には絶縁材ＩＳが充填されるので、樹脂封入してパ
ッケージ化する際に加速度検出チップの加速度検出部に
樹脂が流入することはない。なお、絶縁材ＩＳは高粘性
であるので加速度検出部に到達することはない。
【００４４】なお、このキャップＣＰｂはキャップＣＰ
ａと同様、信号処理チップＳＣｂの表面の配線や回路を
短絡しないように絶縁性素材で形成されており、信号処
理チップＳＣｂの表面のうち貫通孔ＨＬ１付近にシリコ
ン樹脂等の接着剤で接着される。
【００４５】なお、キャップＣＰｂに加速度検出部ＡＳ
をシールドする機能を持たせたい場合には、キャップＣ
Ｐａと同様、信号処理チップＳＣｂに接する部分を除い
てキャップＣＰｂの表面を金属メッキするなどして、キ
ャップＣＰｂに導電性材料を形成すればよい。
【００４６】その他の構成は実施の形態１にかかる加速
度センサと同様のため、説明を省略する。
【００４７】＜実施の形態３＞本実施の形態は、実施の
形態１にかかる加速度センサの変形例であり、具体的に
は、貫通孔を覆うキャップの代わりに、加速度検出部の
みを覆うキャップを採用する点のみが異なっている。
【００４８】図７ないし図９はこの発明の実施の形態３
に係る加速度センサを示す図である。なお、図７は斜視
図であり、図８は図７中の切断線Ａ３−Ａ３における断
面図を、図９は図７中の切断線Ｂ３−Ｂ３における断面
図をそれぞれ示している。また、図７ないし図９では実
施の形態１にかかる加速度センサと同様の機能を有する
要素については同一符号を付している。
【００４９】さて、本実施の形態における加速度センサ
においては、キャップＣＰｃが、実施の形態１にかかる
加速度センサにおいて示したキャップＣＰａと異なって
加速度検出部ＡＳのみを覆うよう加速度検出チップＡＣ
ａ上に設けられる。キャップがこのような構造であって
も、樹脂封入してパッケージ化する際に加速度検出チッ
プＡＣａの加速度検出部ＡＳに樹脂が流入することはな
い。
【００５０】なお、このキャップＣＰｃはキャップＣＰ
ａと同様、加速度検出チップＡＣａの表面の配線を短絡
しないように絶縁性素材で形成されており、加速度検出
チップＡＣａの表面のうち加速度検出部ＡＳ付近にシリ
コン樹脂等の接着剤で接着される。
【００５１】また、キャップＣＰｃに加速度検出部ＡＳ
をシールドする機能を持たせたい場合には、キャップＣ
Ｐａと同様、加速度検出チップＡＣａに接する部分を除
いてキャップＣＰｃの表面を金属メッキするなどして、
キャップＣＰｃに導電性材料を形成すればよい。
【００５２】その他の構成は実施の形態１にかかる加速
度センサと同様のため、説明を省略する。
【００５３】＜実施の形態４＞図１０ないし図１２はこ
の発明の実施の形態４に係る加速度センサを示す図であ
る。なお、図１０は斜視図であり、図１１は図１０中の
切断線Ａ４−Ａ４における断面図を、図１２は図１０中
の切断線Ｂ４−Ｂ４における断面図をそれぞれ示してい
る。
【００５４】この加速度センサは、ダイパッドＤＰａと
リードＬＤとを備えている。また、ダイパッドＤＰａ上
には、加速度検出部ＡＳを備える加速度検出チップＡＣ
ｃが設けられている。そして、加速度検出チップＡＣｃ
上に信号処理チップＳＣｃが設けられている。加速度検
出チップＡＣｃおよび信号処理チップＳＣｃは、例えば
シリコン樹脂等の絶縁性の接着剤によりダイパッドＤＰ
ａおよび加速度検出チップＡＣｃにそれぞれ接着され
る。そして、ダイパッドＤＰａ、リードＬＤ、加速度検
出チップＡＣｃおよび信号処理チップＳＣｃが樹脂封入
パッケージＰＫにより封入されている。
【００５５】ただし、図１０においては、表示が煩瑣に
なるのを避けるため、リードＬＤ、リードＬＤに接続さ
れるボンディングワイヤＷＲおよび樹脂封入パッケージ
ＰＫについては表示していない。なお、本実施の形態に
おいても、実施の形態１にかかる加速度センサと同様、
加速度センサがＳＯＰ形である場合を例示している。な
お、図１０においては、加速度検出部ＡＳを示すために
信号処理チップＳＣｃを破線で表示している。
【００５６】加速度検出チップＡＣｃの上面には、加速
度検出部ＡＳから出力される電気信号を出力するための
パッド電極ＰＤａが設けられ、信号処理チップＳＣｃの
上面には、加速度検出チップＡＣｃのパッド電極ＰＤａ
からの出力を受けるためのパッド電極ＰＤｂと処理後の
信号をリードＬＤを介して外部に出力するためのパッド
電極ＰＤｃとが形成されている。なお、信号処理チップ
ＳＣｃの上面には、信号処理チップＳＣａと同様、信号
処理のための配線や回路素子等（図示せず）が形成され
ている。そして、パッド電極ＰＤａとパッド電極ＰＤｂ
との間およびパッド電極ＰＤｃとリードＬＤとの間が、
Ａｕ等からなるボンディングワイヤＷＲで接続されてい
る。
【００５７】さて、本実施の形態にかかる加速度センサ
においては、両チップの配置は実施の形態１にかかる加
速度センサの場合とは異なり、信号処理チップＳＣｃは
加速度検出チップＡＣｃの上部に配置されている。この
ように、信号処理チップＳＣｃを加速度検出チップＡＣ
ｃの上部に配置すれば、加速度検出チップを信号処理チ
ップと並べてダイパッド上に配置する場合よりもダイパ
ッドの面積を小さくできる。よって、加速度センサを小
型化することができる。
【００５８】なお、信号処理チップＳＣｃは、絶縁性の
接着剤により加速度検出チップＡＣｃに接着されるの
で、加速度検出チップＡＣｃの上面のうち信号処理チッ
プＳＣｃに覆われているところには、加速度検出部ＡＳ
からの電気信号の出力をパッド電極ＰＤａに伝えるため
の配線（図示せず）が形成されていてもよい。
【００５９】また、信号処理チップＳＣｃの下面には窪
み部ＣＶａが形成されている。そして、加速度検出チッ
プＡＣｃの上面のうち加速度検出部ＡＳが形成された部
分が窪み部ＣＶａ内に収まるよう、窪み部ＣＶａが配置
されている。このようにすれば、加速度検出部ＡＳの可
動電極ＭＥが信号処理チップＳＣｃの下面と接触しない
ようにすることができる。
【００６０】本実施の形態にかかる加速度センサを用い
れば、加速度検出チップＡＣｃの下面がダイパッドＤＰ
ａに接着され、信号処理チップＳＣｃの下面が加速度検
出チップＡＣｃの上面に接着されるので、加速度検出チ
ップを信号処理チップと並べてダイパッド上に配置する
場合よりもダイパッドの面積を小さくできる。よって、
加速度センサを小型化することができる。また、樹脂封
入パッケージＰＫにより加速度検出チップＡＣｃ、信号
処理チップＳＣｃおよびダイパッドＤＰａが覆われるの
で、金属パッケージを用いる場合に比べ小型化が可能で
ある。
【００６１】さらに、加速度検出チップＡＣｃの加速度
検出部ＡＳは、加速度検出チップＡＣｃの上面に形成さ
れており、また、信号処理チップＳＣｃの下面が加速度
検出チップＡＣｃの上面に接着されていることから、加
速度検出部ＡＳが露出することはなく、樹脂封入してパ
ッケージ化する際に加速度検出部ＡＳに樹脂が流入する
ことはない。よって、加速度検出部ＡＳを覆うキャップ
を設ける必要がなく、部品点数が少なくなり、コストを
低く抑えることができる。また、加速度検出部ＡＳが信
号処理チップＳＣｃの下面の窪み部に収まるので、可動
電極ＭＥが信号処理チップＳＣｃの下面に接触しないよ
うにすることができる。
【００６２】なお、本実施の形態にかかる加速度センサ
に類似する技術として、特開平６−２４２１４１号公報
に記載の技術や特開平８−１５３００号公報に記載の技
術が存在する。しかし、これらの技術はいずれも樹脂封
入パッケージを形成する際の加速度検出部ＡＳへの樹脂
の流入防止という観点を有しておらず、本願発明とはこ
の点において相違する。
【００６３】＜実施の形態５＞図１３ないし図１５はこ
の発明の実施の形態５に係る加速度センサを示す図であ
る。なお、図１３は斜視図であり、図１４は図１３中の
切断線Ａ５−Ａ５における断面図を、図１５は図１３中
の切断線Ｂ５−Ｂ５における断面図をそれぞれ示してい
る。
【００６４】この加速度センサは、ダイパッドＤＰａと
リードＬＤとを備えている。また、ダイパッドＤＰａ上
には、加速度検出部ＡＳを備える加速度検出チップＡＣ
ｄが設けられている。そして、加速度検出チップＡＣｄ
上に信号処理チップＳＣｄが設けられている。加速度検
出チップＡＣｄは、例えばシリコン樹脂等の絶縁性の接
着剤によりダイパッドＤＰａに接着される。また、信号
処理チップＳＣｄは、少なくとも加速度検出部ＡＳを囲
むよう加速度検出チップＡＣｄ上に枠状に形成された、
例えばシリコン樹脂等の絶縁性の接着剤ＢＤにより加速
度検出チップＡＣｄに接着される。そして、ダイパッド
ＤＰａ、リードＬＤ、加速度検出チップＡＣｄおよび信
号処理チップＳＣｄが樹脂封入パッケージＰＫにより封
入されている。
【００６５】ただし、図１３においては、表示が煩瑣に
なるのを避けるため、リードＬＤ、リードＬＤに接続さ
れるボンディングワイヤＷＲおよび樹脂封入パッケージ
ＰＫについては表示していない。なお、本実施の形態に
おいても、実施の形態１にかかる加速度センサと同様、
加速度センサがＳＯＰ形である場合を例示している。な
お、図１３においては、加速度検出部ＡＳを示すために
信号処理チップＳＣｄを破線で表示している。
【００６６】加速度検出チップＡＣｄの上面には、加速
度検出部ＡＳから出力される電気信号を出力するための
パッド電極ＰＤａが設けられている。そしてさらに、信
号処理チップＳＣｄからの出力を受けるパッド電極ＰＤ
ｄと、リードＬＤへの接続用のパッド電極ＰＤｅと、パ
ッド電極ＰＤｄとパッド電極ＰＤｅとを接続するための
配線ＩＬａとが加速度検出チップＡＣｄの上面に設けら
れている。
【００６７】一方、信号処理チップＳＣｄの上面には、
実施の形態４と異なりパッド電極や信号処理のための配
線、回路素子等は設けられず、それらは信号処理チップ
ＳＣｄの下面に設けられる。すなわち、信号処理チップ
ＳＣｄの下面には、加速度検出チップＡＣｄのパッド電
極ＰＤａからの出力を受けるためのパッド電極ＰＤｂと
処理後の信号を出力するためのパッド電極ＰＤｃと、信
号処理のための配線や回路素子等（図示せず）とが形成
されている。
【００６８】そして、パッド電極ＰＤａとパッド電極Ｐ
Ｄｂとが、およびパッド電極ＰＤｃとパッド電極ＰＤｄ
とが、それぞれ直接、接続されている。
【００６９】本実施の形態にかかる加速度センサを用い
れば、実施の形態４にかかる加速度センサの場合と同
様、信号処理チップＳＣｄが加速度検出チップＡＣｄの
上部に配置されている。よって、加速度検出チップを信
号処理チップと並べてダイパッド上に配置する場合より
もダイパッドの面積を小さくでき、加速度センサを小型
化することができる。また、樹脂封入パッケージＰＫに
より加速度検出チップＡＣｄ、信号処理チップＳＣｄお
よびダイパッドＤＰａが覆われるので、金属パッケージ
を用いる場合に比べ小型化が可能である。
【００７０】さらに、本実施の形態にかかる加速度セン
サにおいては、信号処理チップＳＣｄの上面にではなく
下面に、パッド電極ＰＤｂ，ＰＤｃが設けられて、直
接、加速度検出チップＡＣｄのパッド電極ＰＤａ，ＰＤ
ｄと接続されるので、両チップ間での電気的接続にボン
ディングワイヤを用いる必要がない。よって、ボンディ
ングワイヤを用いる場合に発生しやすいワイヤ流れ（樹
脂封入してパッケージ化する際に樹脂の流動によってボ
ンディングワイヤが流れてしまう現象のこと）が起こら
ずに生産性を向上させることができる。
【００７１】さらに、少なくとも加速度検出部ＡＳを囲
むよう加速度検出チップＡＣｄの上面に枠状に形成され
た接着剤ＢＤにより、信号処理チップＳＣｄの下面が加
速度検出チップＡＣｄの上面に接着されることから、各
電極が存在するために両チップを密着させることができ
なくても、加速度検出部ＡＳが露出することはなく、樹
脂封入してパッケージ化する際に加速度検出部ＡＳに樹
脂が流入することはない。よって、加速度検出部ＡＳを
覆うキャップを設ける必要がなく、部品点数が少なくな
り、コストを低く抑えることができる。
【００７２】なお、本実施の形態にかかる加速度センサ
に類似する技術として、特開平１１−９４５０６号公報
に記載の技術が存在する。しかし、この技術も樹脂封入
パッケージを形成する際の加速度検出部ＡＳへの樹脂の
流入防止という観点を有しておらず、本願発明とはこの
点において相違する。
【００７３】＜実施の形態６＞図１６ないし図１８はこ
の発明の実施の形態６に係る加速度センサを示す図であ
る。なお、図１６は斜視図であり、図１７は図１６中の
切断線Ａ６−Ａ６における断面図を、図１８は図１６中
の切断線Ｂ６−Ｂ６における断面図をそれぞれ示してい
る。
【００７４】この加速度センサは、貫通孔ＨＬ２を有す
るダイパッドＤＰｂとリードＬＤとを備えている。そし
て、ダイパッドＤＰｂの下面には、加速度検出部ＡＳを
上面に備える加速度検出チップＡＣｅの上面が接着され
ている。なお、加速度検出部ＡＳは加速度検出チップＡ
Ｃｅの上面に形成された窪み部ＣＶｂ内に形成されてい
る。このように加速度検出部ＡＳが窪み部ＣＶｂに形成
されるので、可動電極ＭＥがダイパッドの下面に接触し
ないようにすることができる。
【００７５】そして、ダイパッドＤＰｂの上面に信号処
理チップＳＣｅが設けられている。加速度検出チップＡ
Ｃｅおよび信号処理チップＳＣｅは、例えばシリコン樹
脂等の絶縁性の接着剤によりダイパッドＤＰｂにそれぞ
れ接着される。そして、ダイパッドＤＰｂ、リードＬ
Ｄ、加速度検出チップＡＣｅおよび信号処理チップＳＣ
ｅが樹脂封入パッケージＰＫにより封入されている。
【００７６】ただし、図１６においては、表示が煩瑣に
なるのを避けるため、リードＬＤ、リードＬＤに接続さ
れるボンディングワイヤＷＲおよび樹脂封入パッケージ
ＰＫについては表示していない。なお、本実施の形態に
おいても、実施の形態１にかかる加速度センサと同様、
加速度センサがＳＯＰ形である場合を例示している。な
お、図１６においては、加速度検出部ＡＳおよび窪み部
ＣＶｂを破線で表示している。
【００７７】また、加速度検出チップＡＣｅの上面に
は、加速度検出部ＡＳから出力される電気信号を出力す
るためのパッド電極ＰＤａが設けられている。このパッ
ド電極ＰＤａはダイパッドＤＰｂの貫通孔ＨＬ２に露出
している。そして、信号処理チップＳＣｅの上面には、
加速度検出チップＡＣｅのパッド電極ＰＤａからの出力
を受けるためのパッド電極ＰＤｂと処理後の信号をリー
ドＬＤを介して外部に出力するためのパッド電極ＰＤｃ
とが形成されている。パッド電極ＰＤａがダイパッドＤ
Ｐｂの貫通孔ＨＬ２に露出しているので、加速度検出チ
ップＡＣｅと信号処理チップＳＣｅとの間で電気的に接
続をとることができる。なお、信号処理チップＳＣｅの
上面には、信号処理チップＳＣａと同様、信号処理のた
めの配線や回路素子等（図示せず）が形成されている。
そして、パッド電極ＰＤａとパッド電極ＰＤｂとの間お
よびパッド電極ＰＤｃとリードＬＤとの間が、Ａｕ等か
らなるボンディングワイヤＷＲで接続されている。
【００７８】さて、本実施の形態にかかる加速度センサ
においては、両チップの配置は実施の形態１にかかる加
速度センサの場合とは異なり、信号処理チップＳＣｅは
ダイパッドＤＰｂの上面に、加速度検出チップＡＣｅは
ダイパッドＤＰｂの下面にそれぞれ配置されている。こ
のように配置すれば、加速度検出チップを信号処理チッ
プと並べてダイパッド上に配置する場合よりもダイパッ
ドの面積を小さくできる。よって、加速度センサを小型
化することができる。
【００７９】本実施の形態にかかる加速度センサを用い
れば、加速度検出チップＡＣｅの上面がダイパッドＤＰ
ｂの下面に接着され、信号処理チップＳＣｅの下面がダ
イパッドＤＰｂの上面に接着されるので、加速度検出チ
ップを信号処理チップと並べてダイパッド上に配置する
場合よりもダイパッドの面積を小さくできる。よって、
加速度センサを小型化することができる。
【００８０】また、樹脂封入パッケージＰＫにより加速
度検出チップＡＣｅ、信号処理チップＳＣｅおよびダイ
パッドＤＰｂが覆われるので、金属パッケージを用いる
場合に比べ小型化が可能である。
【００８１】さらに、加速度検出チップＡＣｅの加速度
検出部ＡＳは、加速度検出チップＡＣｅの上面に形成さ
れており、また、加速度検出チップＡＣｅの上面がダイ
パッドＤＰｂの下面に接着されていることから、加速度
検出部ＡＳが露出することはなく、樹脂封入してパッケ
ージ化する際に加速度検出部ＡＳに樹脂が流入すること
はない。よって、加速度検出部ＡＳを覆うキャップを設
ける必要がなく、部品点数が少なくなり、コストを低く
抑えることができる。また、加速度検出部ＡＳが加速度
検出チップＡＣｅの上面の窪み部に収まるので、可動電
極ＭＥがダイパッドＤＰｂの下面に接触しないようにす
ることができる。
【００８２】＜実施の形態７＞図１９ないし図２１はこ
の発明の実施の形態７に係る加速度センサを示す図であ
る。なお、図１９は斜視図であり、図２０は図１９中の
切断線Ａ７−Ａ７における断面図を、図２１は図１９中
の切断線Ｂ７−Ｂ７における断面図をそれぞれ示してい
る。
【００８３】この加速度センサは、ダイパッドＤＰａと
リードＬＤとを備えている。そして、ダイパッドＤＰａ
の上面には、加速度検出部ＡＳを下面に備える加速度検
出チップＡＣｆの下面が接着剤ＢＤを介して接着されて
いる。なお、接着剤ＢＤは例えばシリコン樹脂等の絶縁
性の接着剤であり、少なくとも加速度検出部ＡＳを囲む
よう加速度検出チップＡＣｆの下面に枠状に形成され
る。このように加速度検出チップＡＣｆの下面が接着剤
ＢＤを介してダイパッドＤＰａの上面に接着されている
ので、接着剤ＢＤの厚みの分だけ、加速度検出部ＡＳの
可動電極ＭＥがダイパッドＤＰａの上面に接触しないよ
うにすることができる。
【００８４】そして、加速度検出チップＡＣｆの上面に
信号処理チップＳＣｆが設けられている。信号処理チッ
プＳＣｆは、例えばシリコン樹脂等の絶縁性の接着剤に
より加速度検出チップＡＣｆに接着される。そして、ダ
イパッドＤＰａ、リードＬＤ、加速度検出チップＡＣｆ
および信号処理チップＳＣｆが樹脂封入パッケージＰＫ
により封入されている。
【００８５】ただし、図１９においては、表示が煩瑣に
なるのを避けるため、リードＬＤ、リードＬＤに接続さ
れるボンディングワイヤＷＲおよび樹脂封入パッケージ
ＰＫについては表示していない。なお、本実施の形態に
おいても、実施の形態１にかかる加速度センサと同様、
加速度センサがＳＯＰ形である場合を例示している。な
お、図１９においては、加速度検出チップＡＣｆを破線
で表示している。
【００８６】また、加速度検出チップＡＣｆの下面に
は、加速度検出部ＡＳから出力される電気信号を出力す
るためのパッド電極ＰＤａが設けられている。このパッ
ド電極ＰＤａはダイパッドＤＰａ上に設けられた配線Ｉ
Ｌｂに接続されている。そして、信号処理チップＳＣｆ
の上面には、配線ＩＬｂに接続されたボンディングワイ
ヤＷＲが接続されるパッド電極ＰＤｂと、処理後の信号
をリードＬＤを介して外部に出力するためのパッド電極
ＰＤｃとが形成されている。パッド電極ＰＤａがダイパ
ッドＤＰａ上の配線ＩＬｂに接続されているので、加速
度検出チップＡＣｆと信号処理チップＳＣｆとの間で電
気的に接続をとることができる。なお、信号処理チップ
ＳＣｆの上面には、信号処理チップＳＣａと同様、信号
処理のための配線や回路素子等（図示せず）が形成され
ている。そして、パッド電極ＰＤｃとリードＬＤとの間
が、Ａｕ等からなるボンディングワイヤＷＲで接続され
ている。
【００８７】さて、本実施の形態にかかる加速度センサ
においては、両チップの配置は実施の形態１にかかる加
速度センサの場合とは異なり、信号処理チップＳＣｆは
加速度検出チップＡＣｆの上面に、加速度検出チップＡ
ＣｆはダイパッドＤＰａの上面にそれぞれ配置されてい
る。このように配置すれば、加速度検出チップを信号処
理チップと並べてダイパッド上に配置する場合よりもダ
イパッドの面積を小さくできる。よって、加速度センサ
を小型化することができる。
【００８８】本実施の形態にかかる加速度センサを用い
れば、加速度検出チップＡＣｆの下面がダイパッドＤＰ
ａの上面に接着され、信号処理チップＳＣｆの下面が加
速度検出チップＡＣｆの上面に接着されるので、加速度
検出チップを信号処理チップと並べてダイパッド上に配
置する場合よりもダイパッドの面積を小さくできる。よ
って、加速度センサを小型化することができる。
【００８９】また、樹脂封入パッケージＰＫにより加速
度検出チップＡＣｆ、信号処理チップＳＣｆおよびダイ
パッドＤＰａが覆われるので、金属パッケージを用いる
場合に比べ小型化が可能である。
【００９０】さらに、加速度検出チップＡＣｆの加速度
検出部ＡＳは、加速度検出チップＡＣｆの下面に形成さ
れており、また、加速度検出チップＡＣｆの下面がダイ
パッドＤＰａの上面に接着されていることから、加速度
検出部ＡＳが露出することはなく、樹脂封入してパッケ
ージ化する際に加速度検出部ＡＳに樹脂が流入すること
はない。よって、加速度検出部ＡＳを覆うキャップを設
ける必要がなく、部品点数が少なくなり、コストを低く
抑えることができる。また、少なくとも加速度検出部Ａ
Ｓを囲むよう加速度検出チップＡＣｆの下面に枠状に形
成された接着剤ＢＤにより、加速度検出チップＡＣｆの
下面がダイパッドＤＰａの上面に接着されるので、接着
剤ＢＤの厚みの分だけ、加速度検出部ＡＳの可動電極Ｍ
ＥがダイパッドＤＰａの上面に接触しないようにするこ
とができる。
【００９１】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、加速度
検出チップが信号処理チップの有する貫通孔内に配置さ
れるので、加速度検出チップを信号処理チップと並べて
ダイパッド上に配置する場合よりもダイパッドの面積を
小さくできる。よって、加速度センサを小型化すること
ができる。
【００９２】請求項２に記載の発明によれば、樹脂封入
パッケージを備えるので金属パッケージを用いる場合に
比べ、小型化及び低コスト化が可能である。また、キャ
ップを備えるので、樹脂封入パッケージを形成する際に
加速度検出チップの加速度検出部に樹脂が流入すること
はない。
【００９３】請求項３に記載の発明によれば、キャップ
は平板状であって、その周縁に切れ込み部を有し、切れ
込み部において加速度検出チップと信号処理チップとの
間の電気的接続がなされるので、厚みの少ない加速度セ
ンサを実現することができる。また、切れ込み部には絶
縁材が充填されるので、樹脂封入パッケージを形成する
際に加速度検出チップの加速度検出部に樹脂が流入する
ことはない。
【００９４】請求項４に記載の発明によれば、樹脂封入
パッケージを備えるので金属パッケージを用いる場合に
比べ、小型化及び低コスト化が可能である。また、キャ
ップを備えるので、樹脂封入パッケージを形成する際に
加速度検出チップの加速度検出部に樹脂が流入すること
はない。
【００９５】請求項５に記載の発明によれば、加速度検
出チップがその第２主面においてダイパッドに接着さ
れ、信号処理チップの第２主面が加速度検出チップの第
１主面に接着されるので、加速度検出チップを信号処理
チップと並べてダイパッド上に配置する場合よりもダイ
パッドの面積を小さくできる。よって、加速度センサを
小型化することができる。また、樹脂封入パッケージを
備えるので、金属パッケージを用いる場合に比べ小型化
及び低コスト化が可能である。さらに、信号処理チップ
の第２主面が加速度検出部を覆いつつ加速度検出チップ
の第１主面に接着されるので、樹脂封入パッケージを形
成する際に加速度検出チップの加速度検出部に樹脂が流
入することはない。よって、加速度検出部を覆うキャッ
プを設ける必要がなく、部品点数が少なくなり、コスト
を低く抑えることができる。
【００９６】請求項６に記載の発明によれば、加速度検
出部が信号処理チップの第２主面の窪み部に収まるの
で、可動部が信号処理チップの第２主面に接触しないよ
うにすることができる。
【００９７】請求項７に記載の発明によれば、加速度検
出チップの第１電極に接続される第１電極と、加速度検
出チップの第２電極に接続される第２電極とを信号処理
チップがさらに有するので、両チップ間での電気的接続
にボンディングワイヤを用いる必要がない。よって、ボ
ンディングワイヤを用いる場合に発生しやすいワイヤ流
れが起こらずに生産性を向上させることができる。ま
た、少なくとも加速度検出部を囲むよう加速度検出チッ
プの第１主面上に枠状に形成された接着剤により、信号
処理チップの第２主面が加速度検出チップの第１主面に
接着されるので、各電極が存在するために両チップを密
着させることができなくても、樹脂封入パッケージを形
成する際に加速度検出チップの加速度検出部に樹脂が流
入することはない。よって、加速度検出部を覆うキャッ
プを設ける必要がなく、部品点数が少なくなり、コスト
を低く抑えることができる。
【００９８】請求項８に記載の発明によれば、樹脂封入
パッケージを備えるので、金属パッケージを用いる場合
に比べ小型化及び低コスト化が可能である。さらに、加
速度検出チップがその第１主面においてダイパッドの第
１主面に接着されるので、樹脂封入パッケージを形成す
る際に加速度検出チップの加速度検出部に樹脂が流入す
ることはない。よって、加速度検出部を覆うキャップを
設ける必要がなく、部品点数が少なくなり、コストを低
く抑えることができる。
【００９９】請求項９に記載の発明によれば、加速度検
出チップがその第１主面においてダイパッドの第１主面
に接着され、信号処理チップがダイパッドの第２主面に
接着されるので、加速度検出チップを信号処理チップと
並べてダイパッド上に配置する場合よりもダイパッドの
面積を小さくできる。よって、加速度センサを小型化す
ることができる。また、ダイパッドに貫通孔が形成さ
れ、加速度検出チップが、電気信号を出力するための電
極をダイパッドの貫通孔に露出するように第１主面上に
さらに有するので、加速度検出チップの電極を信号処理
チップに電気的に接続することができる。
【０１００】請求項１０に記載の発明によれば、加速度
検出部は前記窪み部に形成されるので、可動部がダイパ
ッドの第１主面に接触しないようにすることができる。
【０１０１】請求項１１に記載の発明によれば、信号処
理チップが加速度検出チップの第２主面に接着されるの
で、加速度検出チップを信号処理チップと並べてダイパ
ッド上に配置する場合よりもダイパッドの面積を小さく
できる。よって、加速度センサを小型化することができ
る。
【０１０２】請求項１２に記載の発明によれば、少なく
とも加速度検出部を囲むよう加速度検出チップの第１主
面上に枠状に形成された接着剤により、加速度検出チッ
プの第１主面がダイパッドの第１主面に接着されるの
で、接着剤の厚みの分だけ、加速度検出部の可動部がダ
イパッドの第１主面に接触しないようにすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１に係る加速度センサを示す斜視
図である。
【図２】 実施の形態１に係る加速度センサを示す断面
図である。
【図３】 実施の形態１に係る加速度センサを示す断面
図である。
【図４】 実施の形態２に係る加速度センサを示す斜視
図である。
【図５】 実施の形態２に係る加速度センサを示す断面
図である。
【図６】 実施の形態２に係る加速度センサを示す断面
図である。
【図７】 実施の形態３に係る加速度センサを示す斜視
図である。
【図８】 実施の形態３に係る加速度センサを示す断面
図である。
【図９】 実施の形態３に係る加速度センサを示す断面
図である。
【図１０】 実施の形態４に係る加速度センサを示す斜
視図である。
【図１１】 実施の形態４に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図１２】 実施の形態４に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図１３】 実施の形態５に係る加速度センサを示す斜
視図である。
【図１４】 実施の形態５に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図１５】 実施の形態５に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図１６】 実施の形態６に係る加速度センサを示す斜
視図である。
【図１７】 実施の形態６に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図１８】 実施の形態６に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図１９】 実施の形態７に係る加速度センサを示す斜
視図である。
【図２０】 実施の形態７に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図２１】 実施の形態７に係る加速度センサを示す断
面図である。
【図２２】 加速度検出チップを示す上面図である。
【図２３】 加速度検出チップを示す断面図である。
【図２４】 従来の加速度センサを示す上面図である。
【符号の説明】
ＡＣａ〜ＡＣｇ 加速度検出チップ、ＳＣａ〜ＳＣｇ
信号処理チップ、ＤＰａ，ＤＰｂ ダイパッド、ＡＳ
加速度検出部、ＨＬ１，ＨＬ２ 貫通孔、ＣＰａ〜ＣＰ
ｄ キャップ、ＰＫ 樹脂封入パッケージ、ＮＴ 切れ
込み部、ＩＳ絶縁材、ＢＤ 接着剤、ＰＤａ〜ＰＤｅ
電極パッド、ＣＶａ，ＣＶｂ 窪み部。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加速度に応じて変位する可動部を含む加
    速度検出部を有し、前記可動部の変位に応じた電気信号
    を出力する加速度検出チップと、 貫通孔を有し、前記加速度検出チップの出力する前記電
    気信号を処理する回路が形成された信号処理チップと、 前記加速度検出チップおよび前記信号処理チップが接着
    されたダイパッドとを備え、 前記ダイパッド上において前記加速度検出チップは前記
    信号処理チップの有する前記貫通孔内に配置された加速
    度センサ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の加速度センサであっ
    て、 前記貫通孔を覆うよう前記信号処理チップに接着された
    キャップと、 少なくとも前記信号処理チップと前記キャップとの接着
    部を覆う樹脂封入パッケージとをさらに備える加速度セ
    ンサ。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の加速度センサであっ
    て、 前記キャップは平板状であって、その周縁に切れ込み部
    を有し、 前記切れ込み部において前記加速度検出チップと前記信
    号処理チップとの間の電気的接続がなされ、 前記切れ込み部には絶縁材が充填される加速度センサ。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の加速度センサであっ
    て、 前記加速度検出チップの前記加速度検出部を覆うよう前
    記加速度検出チップに接着されたキャップと、 少なくとも前記加速度検出チップと前記キャップとの接
    着部を覆う樹脂封入パッケージとをさらに備える加速度
    センサ。
  5. 【請求項５】 第１主面と、前記第１主面に対向する第
    ２主面とを有し、加速度に応じて変位する可動部を含む
    加速度検出部が前記第１主面に形成され、前記可動部の
    変位に応じた電気信号を出力する加速度検出チップと、 第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面と、前記
    加速度検出チップの出力する前記電気信号を処理する回
    路とを有する信号処理チップと、 前記加速度検出チップの前記第２主面が接着されるダイ
    パッドと、 樹脂封入パッケージとを備え、 前記信号処理チップの前記第２主面が前記加速度検出部
    を覆いつつ前記加速度検出チップの前記第１主面に接着
    され、 前記樹脂封入パッケージは少なくとも前記加速度検出チ
    ップおよび前記信号処理チップの接着部を覆う加速度セ
    ンサ。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の加速度センサであっ
    て、 前記信号処理チップの前記第２主面に窪み部が形成さ
    れ、 前記加速度検出チップの前記加速度検出部は前記信号処
    理チップの前記窪み部に収まるよう形成された加速度セ
    ンサ。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載の加速度センサであっ
    て、 前記加速度検出チップは、前記電気信号を出力するため
    の第１電極と、第２電極と、前記第２電極に電気的に接
    続され、前記信号処理チップに覆われない第３電極とを
    前記第１主面上にさらに有し、 前記信号処理チップは、前記加速度検出チップの前記第
    １電極に接続される第１電極と、前記加速度検出チップ
    の前記第２電極に接続される第２電極とを前記第２主面
    上にさらに有し、 少なくとも前記加速度検出部を囲むよう前記加速度検出
    チップの前記第１主面上に枠状に形成された接着剤によ
    り、前記信号処理チップの前記第２主面が前記加速度検
    出チップの前記第１主面に接着された加速度センサ。
  8. 【請求項８】 第１主面と、前記第１主面に対向する第
    ２主面とを有し、加速度に応じて変位する可動部を含む
    加速度検出部が前記第１主面に形成され、前記可動部の
    変位に応じた電気信号を出力する加速度検出チップと、 前記加速度検出チップの出力する前記電気信号を処理す
    る回路を有する信号処理チップと、 前記加速度検出チップの前記第１主面が接着される第１
    主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを有するダ
    イパッドと、 少なくとも前記加速度検出チップと前記ダイパッドとの
    接着部を覆う樹脂封入パッケージとを備える加速度セン
    サ。
  9. 【請求項９】 請求項８に記載の加速度センサであっ
    て、 前記信号処理チップは前記ダイパッドの前記第２主面に
    接着され、 前記ダイパッドには貫通孔が形成され、 前記加速度検出チップは、前記電気信号を前記信号処理
    チップに出力するための電極を前記ダイパッドの前記貫
    通孔に露出するように前記第１主面上にさらに有する加
    速度センサ。
  10. 【請求項１０】 請求項８に記載の加速度センサであっ
    て、 前記加速度検出チップは前記第１主面に窪み部を有し、 前記加速度検出部は前記窪み部に形成される加速度セン
    サ。
  11. 【請求項１１】 請求項８に記載の加速度センサであっ
    て、 前記信号処理チップは前記加速度検出チップの前記第２
    主面に接着される加速度センサ。
  12. 【請求項１２】 請求項８に記載の加速度センサであっ
    て、 少なくとも前記加速度検出部を囲むよう前記加速度検出
    チップの前記第１主面上に枠状に形成された接着剤によ
    り、前記加速度検出チップの前記第１主面が前記ダイパ
    ッドの前記第１主面に接着された加速度センサ。
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