JP2004304189A - 積層パッケージングを使用して包囲されたセンサ構造体を保護する方法 - Google Patents

積層パッケージングを使用して包囲されたセンサ構造体を保護する方法 Download PDF

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Abstract

【課題】マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法を提供する。
【解決手段】保護膜を備えたマイクロメカニカルセンサ構造体を製造し、保護膜の表面が第２のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップを配置し、マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに固定する。
【選択図】なし

Description

本発明は、包囲されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法に関する。
マイクロメカニカルセンサ構造体は、壊れやすく、異物及び／又は液体（例えば汚れ及び凝縮した湿気を含む）と接触した場合に容易に損傷される及び／又は破壊される。したがって、このような構造体を製造プロセスにおいて早期に保護することが望ましい。
マイクロメカニカルセンサは製造プロセス中に付加的なフィルム又は膜の層を提供することによって保護され、これにより、センサ構造体を包囲し、センサ構造体の敏感な領域を、望ましくない外部汚染物、例えば塵芥及び汚れ又は、潜在的に有害な環境条件、例えば熱及び湿気から保護する。しかしながら、保護用の膜は薄すぎ、マイクロメカニカルセンサ構造体装置のプラスチック成形時に生じる高圧に耐えることができない。保護用膜の厚さを増大すると機械的安定性が増大するが、このような厚さの増大はコストがかかり、特にセンサ構造体装置の全体のパッケージ厚さが設計的制約によって制限されていると、常に実現可能であるわけではない。
マイクロメカニカルセンサ構造体は、複数のセンサチップ又はウェハをパッケージ内で互いに上下に積層することによって保護される。例えば、エッチングされた穴及び溝を備えたセンサウェハは、補強を提供するために別のセンサウェハの上に接着される。このような構成では、溝は、センサ構造体の直ぐ上方にアクセスを提供するように配置され、穴は、接点のための開口を提供するように整合させられる。しかしながら、複数のセンサウェハを積層する方法は材料コストを増大させ（例えば唯一のウェハの代わりに２つのウェハが必要とされる）、結果的な多数ウェハセンサ装置は望ましくないほど厚い。
マイクロメカニカルセンサ構造体を保護するための本発明の典型的な実施形態及び／又は典型的な方法は、センサ構造体を包囲する薄い膜が完全に被覆されるように、マイクロメカニカルセンサ構造体を、相補的な電子集積回路チック上に、面を下にして配置する。こうすることにより、電子回路を支持したチップは、薄い膜を支持するという付加的な機械的仕事を担い、薄い膜はさもなければ弱すぎて、製造中にこの薄い膜に加えられる圧力に耐えることができない。
典型的な実施形態及び／又は典型的な方法はマイクロメカニカルセンサ構造体のためのより高い安定性をより低いコストで提供すると考えられる。特に、典型的な実施形態及び／又は典型的な方法により、包囲された機械的センサ構造体は、製造中に遭遇する高い成形圧力に耐えることができ、それと同時に全体のパッケージ寸法及び／又は所要のボンディングワイヤの数を低減する。
別の典型的な実施形態及び／又は典型的な方法によれば、電子集積回路チップは、上向きにマイクロメカニカルセンサチップ上に載置され、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を被覆した、マイクロメカニカルセンサチップのフィルムは、電子集積回路チップに面している。
別の典型的な実施形態及び／又は典型的な方法によれば、マイクロメカニカルセンサを被覆した薄い保護膜を備えた複数のマイクロメカニカルセンサチップは、広範囲の様々なマイクロメカニカルセンサ用途のための様々な組み合わされたマイクロメカニカルセンサ／電子集積回路チップ構成を提供するために、１つ又は２つ以上の電子集積回路チップの上に、下に、又は関連して積層されている。例えば、電子集積回路チップを供えたマイクロメカニカルセンサチップのこのような多層配列は、１つ又は２つ以上の電子集積回路又はその他のタイプのマイクロチップの上に、下に又は関連して薄い保護膜を有する多重マイクロメカニカルセンサチップを積層することによって、多次元マイクロメカニカル加速度計、ジャイロスコープ又はその他のセンサ装置を形成するために使用される。
別の典型的な実施形態及び／又は典型的な方法において、薄い保護膜は排除されてよい。その場合、電子集積回路チップがセンサチップに接着されると、マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するように配置されたシーリングボンドリングが、マイクロメカニカルエレメントを保護する。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する典型的な方法は、保護膜を備えたマイクロメカニカルセンサ構造体を製造し、保護膜の表面が第２のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップを配置し、マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに取り付けることを含む。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、より薄い保護膜を形成することを含む。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この方法において、保護膜が、化学的及び機械的平坦化プロセスを使用して形成される。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この方法において、保護膜の厚さは１０ミクロン未満である。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するためのシーリングボンドリングを形成することを含む。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この場合、保護膜は開口を有する。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この場合、保護膜は少なくとも部分的に存在しないように形成されている。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに取り付けるために、マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとの間に接着剤を提供することを含む。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとを単一のパッケージにおいて支持するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをパッケージフレームに配置し、単一のパッケージにおけるマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをシールするようにプラスチック成形物を提供することを含む。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、マルチセンサ装置を提供するために、マイクロメカニカルセンサ又は第２のチップの上方又は下方又はこれらの間のうちの少なくとも一箇所に、少なくとも１つの付加的なマイクロメカニカルセンサチップを配置することを含む。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この場合、マルチセンサ装置は、加速度計、ジャイロスコープ、温度センサ又は圧力センサのうちの少なくとも１つを含む。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この場合、マルチセンサ装置が、多次元加速度計又は多次元ジャイロスコープのうちの少なくとも１つを含んでいる。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この場合、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体は、圧力、加速、回転又は温度のうちの１つに対して敏感である。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法において、第２のチップが電子集積回路又はアクチュエータチップのうちの少なくとも１つである。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに取り付けるためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとの間に接着剤を提供し、マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとを単一のパッケージにおいて支持するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをパッケージフレームに配置し、単一のパッケージにおけるマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをシールするためにプラスチック成形物を提供することを含む。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この方法において、保護膜が化学的及び機械的な平坦化プロセスを使用して形成される。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この方法において、保護膜の厚さは１０ミクロン未満である。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するさらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するためのシーリングボンドリングを形成し、マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとを単一のパッケージにおいて支持するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをパッケージフレームに配置し、唯一のパッケージにおけるマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをシールするためにプラスチック成形物を提供することを含む。
さらに別の方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この場合、保護膜は開口を有している。
さらに別の典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護することに関し、この方法において、保護膜は少なくとも部分的に存在しないように形成されている。
マイクロメカニカルセンサ装置の典型的な実施形態は、第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとを有しており、マイクロメカニカルセンサチップは、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体と、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体上に配置された保護膜とを有しており、マイクロメカニカルセンサチップは、保護膜が第１のチップに面するように第１のチップ上に配置されている。
さらに別の典型的な実施形態は、マイクロメカニカルセンサ装置に関し、この場合、保護膜がより薄く形成されている。
さらに別の典型的な実施形態は、マイクロメカニカルセンサ装置に関し、この場合、保護膜の厚さが１０ミクロン未満である。
さらに別の典型的な実施形態は、マイクロメカニカルセンサチップを第１のチップに取り付けるための接着剤を有するマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、埋設されたマイクロメカニカル構造体を包囲するためのシーリングボンドリングを有するマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、保護膜が開口を有するマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、保護膜が少なくとも部分的に存在しないマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとを単一のパッケージにおいて支持するためのパッケージフレームと、単一のパッケージにおいて第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとをシールするためのプラスチック成形物とを有するマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、マルチセンサ装置を提供するために少なくとも１つの付加的なマイクロメカニカルセンサチップがマイクロメカニカルセンサチップ又は第１のチップの上方又は下方又はこれらの間のうちの少なくとも一箇所に配置されているマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、マルチセンサ装置が、加速度計、ジャイロスコープ、温度センサ又は圧力センサのうちの少なくとも１つを含むマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、マルチセンサ装置が多次元加速度計又は多次元ジャイロスコープのうちの少なくとも１つを含むマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、埋設されたマイクロメカニカルセンサ装置が圧力、加速度、回転又は温度のうちの１つに対して敏感であるマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、第１のチップが電子集積回路チップ又はアクチュエータチップのうちの少なくとも１つであるようなマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、無線通信のためにマイクロメカニカルセンサチップ上に配置されたＲＦチップを含むマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、基板を含むマイクロメカニカルセンサ装置に関し、上部チップとしてのＲＦチップの誘電率の差異と、中間チップとしてのマイクロメカニカルセンサチップを使用することによって提供される上部ＲＦチップと基板との間の付加的な空間とが、ＲＦパフォーマンスを高める。
さらに別の典型的な実施形態は、マイクロメカニカルセンサチップを第１のチップに取り付けるための接着剤と、第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとを単一のパッケージにおいて支持するためのパッケージフレームと、単一のパッケージにおける第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとをシールするためのプラスチック成形物とを有するマイクロメカニカルセンサ装置に関し、この場合、保護膜がより薄く形成されている。
さらに別の典型的な実施形態は、保護膜の厚さが１０ミクロン未満であるマイクロメカニカルセンサ装置に関する。
さらに別の典型的な実施形態は、埋設されたマイクロメカニカル構造体を包囲するためのシーリングボンドリングと、第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとを単一のパッケージにおいて支持するためのパッケージフレームと、単一のパッケージにおける第１のチップ及びマイクロメカニカルセンサチップをシールするためのプラスチック成形物とを有するマイクロメカニカルセンサ装置に関し、この場合、保護膜が少なくとも部分的に存在しない。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するためのシーリングボンドを備えたマイクロメカニカルセンサ構造体を製造し、保護膜の面が第２のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップを配置し、マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに取り付けることを含む。
図１Ａは、プラスチック成形物１０１と外部電気接点１０２とを有する組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージ１００の外観図を示している。プラスチック成形物１０１は、組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージ１００の内部構成部材のための保護被覆及び機械的支持を提供する。外部電気接点１０２は、組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージ１００の内部構成部材への電気接続を提供する。
図１Ｂは、図１Ａの組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージ１００の内部図を示しており、プラスチック成形物１００及び外部電気接点１０２に加えて、マイクロメカニカルセンサチップ１０３と、電子集積回路チップ１０５と、第１のボンディングワイヤ群１０４と、第２のボンディングワイヤ群１０６とを示している。マイクロメカニカルセンサチップ１０３は、例えば検出された圧力、加速又は温度を表すマイクロメカニカルセンサ信号を発生するマイクロメカニカルセンサ構造体を有している。電子集積回路チップ１０５は、機械的センサ信号を処理し、パッケージ１００の外部のエレメントと通信する。第１のボンディングワイヤ群１０４は、マイクロメカニカルセンサチップ１０３と電子集積回路チップ１０５との電気接続を提供する。第２のボンディングワイヤ群１０６は、電子集積回路チップ１０５と外部電気接点１０２との電気接続を提供する。
図１Ｂに示したように、電子集積回路チップ１０５及びマイクロメカニカルセンサチップ１０３は同じプラスチック成形物１０１内に互いに並置されている。しかしながら、このような配列は、組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージ１０のために達成される寸法の全体的な低減を制限する。
図２は、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する典型的な方法を示している。ステップｓ２１において、マイクロメカニカルセンサチップは、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体の敏感な領域を被覆するように薄い保護膜を備えて製造される。ステップｓ２２において、マイクロメカニカルセンサチップは、膜が、その下に位置する電子集積回路チップによって被覆及び／又は支持されるように、電子集積回路チップ上に下向きに配置される。ステップｓ２３において、マイクロメカニカルセンサチップは電子集積回路チップに固定される。
図２Ａ〜図２Ｅは、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体をシールド及び保護するための付加的な薄膜層を備えたマイクセンサチップを製造するための典型的な製造方法を実演している。
図２Ａにおいて、構造化された層２０１が基板ウェハ２０２上に堆積され、例えば酸化ケイ素等の非導電性材料から形成された第１の酸化物層２０３の後に、例えばケイ素等の導電性材料から形成された第１の導電層２０４が続く。基板ウェハ２０２も、例えばケイ素等の導電性材料から形成されている。
図２Ｂには、例えばケイ素等の非導電性材料から形成された第２の酸化物層２０５が、構造化された層２０１上に堆積されており、これにより、構造化されたマイクロメカニカルビーム２５０の間の構造化された層２０１内のギャップ２０６を閉鎖している。これらのビーム２５０は、少なくとも１つの側において支持されておりかつ対を成してグループ化されており、マイクロメカニカルビーム２５０の対の一方が基板ウェハ２０２に取り付けられているのに対し、他方がばねによって懸吊されている。
図２Ｃにおいて、例えばケイ素等の導電性材料から形成された第２の導電層２０７が、マイクロメカニカルビーム２５０への電気接触を提供するために堆積され、次いで構造化される。例えば酸化ケイ素等の非導電性材料から形成された第３の酸化物層２０８が、電気接触領域と残りの表面との間のギャップ２０９を充填するように堆積される。
図２Ｄにおいて、第３の酸化物層２０８は除去され、エッチングプロセス、例えばエッチング穴２１１を形成する化学的エッチングによって第２の酸化物層２０５を除去するために、第２の導電層２０７が開放される（すなわち構造化される）。この形式では、第２の酸化物層２０５は例えば犠牲層として機能する。
図２Ｅにおいて、第２の導電層２０７におけるエッチング穴２１１は例えばケイ素等の導電性材料で充填され、ウェハ全体は滑らかな表面２１２を獲得するように平坦化若しくは研磨され、この滑らかな表面は、その下に位置するマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する薄膜層を提供する。平坦化又は研磨は化学的及び機械的な研磨又は平坦化（ＣＭＰ）プロセスを使用して行われ、その場合、化学的酸又はベースが存在しながら機械的粒子が表面を研磨する。尖鋭な掻き傷がエッチング除去されるので、ＣＭＰプロセスの化学成分は滑らかな表面を提供すると考えられる。
図２Ａから図２Ｅまでに示された典型的な方法は、マイクロメカニカルセンサチップ内に埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を被覆する薄膜を形成する。しかしながら、別の手段を採用することなく露出されているならば、マイクロメカニカルセンサ構造体を被覆する薄膜は、プラスチック成形中に存在する比較的高い圧力に耐えるほどには十分に強くなく、プラスチック成形時には、溶融プラスチックが、マイクロメカニカルセンサチップを保持する金属フレームを含む型に注入される。膜の所要の長さ、ひいては所要の厚さは、多数の要因、例えば被覆したい表面の長さ又は直径、使用される特定のプラスチック成形プロセス、特定の環境条件に依存する。
図３Ａから図３Ｃは、マイクロメカニカルセンサチップ２００をパッケージングするための典型的な方法を示しており、マイクロメカニカルセンサチップの埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体は、図２Ａから図２Ｅまでに示された典型的な方法を使用して薄い保護膜で包囲されている。典型的な方法により薄い保護膜が、包囲されたマイクロメカニカルセンサ構造体に損傷を与えることなくプラスチック成形中に存在する比較的高い圧力に耐えることができるべきであると考えられる。
図３Ａにおいて、上部チップとして作用するマイクロメカニカルセンサチップ２００は、その下に位置する電子集積回路チップ３００上に下向きに載置され、この場合、マイクロメカニカルセンサチップ２００の接触領域２２５が電子集積回路チップ３００の接触領域３０１と合致する。
図３Ｂは、載置されたマイクロメカニカルセンサチップ２００の組み合わされた積層配列３０２を示しており、マイクロメカニカルセンサチップの埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体は今度は、その下に位置する電子集積回路チップ３００に面している。この構成では、電子集積回路チップ３００は、マイクロメカニカルセンサチップ２００に付加的なシールド及び支持を提供し、この場合、マイクロメカニカルセンサチップ２００の全体的な機械的安定性が高められる一方で、それと同時に、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を包囲する保護膜の所要の厚さを減じることを可能にする。機械的安定性をさらに高めるために機械的接着剤３０３が提供されてもよい。
図３Ｃは、パッケージフレーム３０５上にさらに積層されかつプラスチック成形物３０６を用いてシールされた、マイクロメカニカルセンサチップ２００と電子集積回路チップ３００との組み合わされた積層配列３０２を示している。ボンディングワイヤ３０７は、組み合わされた積層配列３０２をパッケージフレーム３０５に固定し、パッケージの外部への電気接続を保証する。マイクロメカニカルセンサチップ２００が電子集積回路チップ３００上に下向きに載置されるような配列は、保護膜及び、ボンディングワイヤの所要の数を低減及び／又は排除することによって全体的なパッケージ寸法を減少しようとするものである。特に、保護膜は例えば約１０ミクロン〜０．１ミクロンの厚さにまで減じられてよいと考えられる。保護膜は、様々な要因、例えば保護したい表面の長さ又は直径、使用される特定のプラスチック成形プロセス、及び特定の環境条件に応じてさらに例えば０．１ミクロン未満にまで減じられてよい。
マイクロメカニカルセンサ２００及び電子集積回路チップ３００の別の載置された配列が提供されてよいことが理解される。例えば、マイクロメカニカルセンサチップ２００を電子集積回路チップ３００上に載置することが望ましいが、電子集積回路チップ３００が択一的にマイクロメカニカルセンサチップ２００に載置されてもよい。マイクロメカニカルセンサチップ及び電子集積回路チップの択一的な載置された配列は、様々な用途、例えばマイクロメカニカル加速度計及びマイクロメカニカルジャイロスコープにおいて実施されてよい。
図４Ａは、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体４０１と、マイクロメカニカルセンサチップ４００の外縁部に沿って配置された電気接点パッドとを有するマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ４００を示している。マイクロメカニカルセンサ構造体４０１は、感度軸線Ｘに沿った方向での線形移動に対して敏感である。電気接点パッド４０２は、マイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ４００の内部構成部材への電気接続を提供する。電気接点パッド４０２は、ボンディングワイヤのための便利な取付け箇所をも提供し、ボンディングワイヤは、電気接続を完成させることに加えて、マイクロメカニカルリニア加速度計チップ４００を１つ又は２つ以上の別のパッケージエレメント、例えば別のマイクロチップ又は基板ウェハに固定する。
図４Ｂは、図４Ａのマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ４００を示しており、このマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップは、マイクロメカニカルセンサ構造体４０１を望ましくない汚染物（例えば塵芥又は汚れ）又は潜在的に有害な環境条件（例えば熱及び湿気）から保護するためにこのマイクロメカニカルセンサ構造体４０１を被覆する薄いフィルム又は膜４０３を有している。前記の多くの要因に依存するが、膜４０３は、例えば５０〜２００μｍの幅及び約２〜０．５μｍ以下の厚さを有するように形成されていてよい。
図５Ａは、二次元加速度計のための典型的な配列５００を示しており、この配列において、２つのマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０１及び５０２が、ボンディングワイヤ５２５を介して、その下に位置する電子集積回路チップ５０３に固定されかつ電気的に接続されている。２つのマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０１及び５０２は下向きに配置されており、この場合、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を被覆する薄膜が、電子集積回路チップ５０３に面している。２つのマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０１及び５０２はさらに、互いに垂直な軸線に沿った線形移動に対して敏感であるように配置されている。特に、マイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０１は、軸線Ｘに沿った方向での線形移動に対して敏感であるように配置されており、マイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０２は、軸線Ｘに対して垂直な軸線Ｙに沿った方向での線形移動に対して敏感であるように配置されている。
図５Ｂは、付加的な上部チップ５０４と、基板ウェハ５０５と、付加的なボンディングワイヤ５２５ａ〜５２５ｅとを備えた、図５Ａの典型的な配列を示している。上部チップ５０５は、２つのマイクロメカニカルリニア加速度計チップ５０１及び５０２上に配置されており、基板ウェハ５０５は電子集積回路チップ５０３の下方に配置されており、付加的なボンディングワイヤ５２５ａ〜５２５ｅは、パッケージ全体を固定しかつ電気的に接続するために接点パッド上に配置されている。特に、ボンディングワイヤ５２５ａは、上部チップ５０４を中間のマイクロメカニカルリニア加速度計チップ５０１又は５０２に固定しかつ電気的に接続しており、ボンディングワイヤ５２５ｂは、中間のマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０１又は５０２を電子集積回路チップ５０３に固定しかつ電気的に接続しており、ボンディングワイヤ５２５ｃは、電子集積回路チップ５０３を基板ウェハ５０５に固定しかつ電気的に接続しており、ボンディングワイヤ５２５ｄは上部チップ５０４を基板ウェハ５０５に固定しかつ電気的に接続しており、ボンディングワイヤ５２５ｅは上部チップ５０４を電子集積回路チップ５０３に固定しかつ電気的に接続している。ボンディングワイヤ５２５の別の構成、例えば、２つの中間のマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ５０１又は５０２と基板ウェハ５０５との間のボンディングワイヤの構成が提供されてもよい。
この構成において、マイクロリニア加速度計センサチップの１つ又は２つ以上が上向きに配置されていてよく、この場合、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を包囲する薄膜が上部チップ５０４に面しており、この上部チップ５０４は、付加的な機械的支持と望ましくない汚染物及び／又は潜在的に有害な環境条件からの保護とを提供する薄膜を被覆している。
図５Ｃは、図５Ｂの配列を斜視側面図でボンディングワイヤを備えずに示している。
図６Ａは、マイクロメカニカルセンサチップのマイクロメカニカルセンサ構造体を、このマイクロメカニカルセンサ構造体の敏感な領域を被覆するための薄膜を必要とすることなく保護するための典型的な配列６００を示している。典型的な配列６００は、マイクロメカニカルセンサチップ６０１と、電子集積回路チップ６０２と、シーリングボンドリング６０３とを有している。電子集積回路チップ６０２はマイクロメカニカルセンサチップ６０１上に配置されており、シーリングボンドリング６０３はこれらの間に配置されている。シーリングボンドリング６０３は、望ましくない汚染物及び／又は潜在的な有害な環境条件がマイクロメカニカルセンサチップ６０１と電子集積回路チップ６０２との間に進入するのを防止するために、マイクロメカニカルセンサチップ６０１と電子集積回路チップ６０２との間にシールを提供している。付加的に、シーリングボンド６０３は、正確なボンドにより応力を一様にする。図６Ａにおいて、シーリングボンドリング６０３は部分的にのみ見えている。
図６Ｂは、シーリングボンドリング６０３が完全に示されるようにマイクロメカニカルセンサチップ６０１から持ち上げられた電子集積回路チップ６０２を示している。シールボンドリング６０３はマイクロメカニカルセンサ構造体６０１ａを包囲しており、このマイクロメカニカルセンサ構造体６０１ａは、マイクロメカニカルセンサチップ６０１内に埋設されておりかつ、マイクロメカニカルセンサ構造体を被覆する薄い保護フィルムなしに露出させられている。択一的に、付加的な保護が必要ならば、マイクロメカニカルセンサ構造体６０１ａは、シーリングボンドリング６０３によって包囲されておりかつ薄い保護膜層でシールドされていてよい。
図７は、二次元ジャイロスコープのための典型的な配列７００を示しており、この配列において、２つの回転方向に敏感なマイクロメカニカルセンサチップ７０１及び７０２が、その下に位置する電子集積回路チップ７０３にボンディングワイヤ７２５を介して固定及び電気的に接続されている。回転方向に敏感なマイクロメカニカルセンサチップ７０１及び７０２は下向きに配置されており、この場合、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を包囲する薄膜は電子集積回路チップ７０２に面している。回転方向で敏感なマイクロメカニカルセンサチップ７０１及び７０２はさらに、互いに垂直な軸線を中心とする回転運動に対して敏感であるように配置されている。特に、回転方向で敏感なマイクロメカニカルセンサチップ７０１は、軸線Ｘを中心とする回転運動に対して敏感であるように配置されており、回転方向で敏感なマイクロメカニカルセンサチップ７０２は、軸線Ｘに対して垂直な軸線Ｙを中心とする回転運動に対して敏感であるように配置されている。
マイクロメカニカルセンサ構造体を被覆する薄い保護膜を備えた複数のマイクロメカニカルセンサチップは、広範囲の様々なマイクロメカニカルセンサ用途のための様々な組み合わされたマイクロメカニカルセンサ／電子集積回路チップ構成を提供するために、１つ又は２つ以上の電子集積回路チップの上に、下に、又はこれに関連して積層されていてよい。例えば、電子集積回路チップを備えたマイクセンサチップのこのような多層配列は、多次元マイクロメカニカル加速度計、ジャイロスコープ又はその他のセンサ装置を、薄い保護膜を有する多数のマイクロメカニカルセンサチップを、１つ又は２つ以上の電子集積回路又はその他のタイプのマイクロチップの上に、下に又は関連して積層することによって形成するために使用されてよい。
図８は、様々なマイクロメカニカルセンサ構成及び用途を提供するために１つ又は２つ以上の電子集積回路チップに複数のマイクロメカニカルセンサチップを積層するための典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列８００を示している。典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列８００は、２つのマイクロメカニカルセンサチップ８０１，８０２と電子集積回路チップ８０３とを有している。第１のマイクロメカニカルセンサチップ８０１は、下に位置する電子集積回路チップ８０３上に配置された第２のマイクロメカニカルセンサチップ８０２上に下向きに配置されている。典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列８００は、１つ又は２つ以上の電子集積回路チップに多数のマイクロメカニカル加速度計チップを積層することによって多次元マイクロメカニカル加速度計、ジャイロスコープ又はその他のセンサ装置を形成するために使用されてよい。
図９は、組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び無線通信装置のための典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列９００を示している。典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列９００は、ＲＦチップ９０１と、マイクロメカニカルセンサチップ９０２と、電子集積回路チップ９０３とを有している。ＲＦチップ９０１は無線通信のためのアンテナ９０１ａを有している。マイクロメカニカルセンサチップ９０２は、例えば圧力、移動、加速又は温度の変化に対して敏感なマイクロメカニカルセンサ構造体を有している。マイクロメカニカルセンサ構造体は薄膜によって包囲されている。
典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列９００において、ＲＦチップ９０１は、マイクロメカニカルセンサチップ９０２上に配置されており、電子集積回路チップ９０３は下方に配置されており、この場合、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を包囲する薄膜が上方又は下方からシールド及び保護されている。
択一的に、ＲＦチップ９０１及びマイクロメカニカルセンサチップ９０２の別の配列が提供されてよい。例えば、マイクロメカニカルセンサチップ９０２上に配置されたＲＦチップ９０１と下方に配置された電子集積回路チップ９０３との代わりに、マイクロメカニカルセンサチップ９０２がＲＦチップ９０１上に配置されるか、又は電子集積回路チップ９０３がＲＦチップ９０１上に配置されかつマイクロメカニカルセンサチップ９０２が下方に配置されてよい。しかしながら、上部チップとしてのＲＦチップ９０１のための誘電率の差異と、中間チップとしてマイクロメカニカルセンサチップ９０２の使用によって提供される上部ＲＦチップと基板との間の付加的な空間は、より良好なＲＦ性能を提供すると考えられる。
埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する薄膜は様々な貫通特性の検出を可能にするので、マイクロ波技術のための進歩した検出技術を提供するために、ＲＦチップ９０２は砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板上に高速電子回路を有していてよい。
マイクロメカニカルセンサチップの多層及び／又はマルチセンサ配列は、所要の作業環境の多様なセットにも拘わらず広範囲の様々な組み合わされたマイクロメカニカルセンサ装置を提供する（例えばマイクロメカニカル加速度計は大気圧において最もよく動作するのに対し、マイクロメカニカルジャイロスコープは真空付近で最もよく動作する）。特に、組み合わされたマイクロメカニカルセンサ装置は、例えば、一次元又は多次元加速度計を備えた一次元又は多次元ジャイロスコープと、一次元又は多次元ジャイロスコープ又は一次元又は多次元加速度計の一方又は両方を備えたＲＦセンサと、温度センサ及び／又は一次元又は多次元ジャイロスコープ又は一次元又は多次元加速度計の一方又は両方を備えたＲＦセンサ等、又はこれらのあらゆる組合せを含んでよい。
典型的な実施形態及び／又は典型的な方法が、埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体をシールド及び保護するための電子集積回路及び／又はセンサチップを使用して説明されたが、その他のチップが使用されてもよい。例えば、載置されたマイクロメカニカルセンサチップは、アクチュエータチップと組み合わされてよい（例えば、磁界又は電界、温度、機械的圧力等によるチップの変化する特性）。
組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージの外観図である。
図１Ａの組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び電子集積回路パッケージの内部図である。
マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護するための典型的な方法を示している。
基板ウェハ上に堆積された構造化された層を示している。
構造化された層上に堆積された酸化物層を示している。
酸化物層上に堆積された導電層を示している。
酸化物層が除去されて導電層が開放されていることを示している。
充填されたエッチングホールと平坦化された滑らかな面とを示している。
マイクロメカニカルセンサチップの電子集積回路チップ上への典型的な載置を示している。
マイクロメカニカルセンサと電子集積回路チップとの組み合わされた配列を示している。
さらにパッケージフレーム上に積層されかつプラスチック成形物によってシールされたマイクロメカニカルセンサチップと電子集積回路チップとの組み合わされた配列を示している。
薄い保護膜を備えないマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップを示している。
薄い保護膜を備えた、図４Ａのマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップを示している。
二次元加速度計のための典型的な配列を示しており、この配列において、２つのマイクロメカニカルリニア加速度計センサチップが、その下に位置する電子集積回路チップにボンディングワイヤを介して固定されかつ電気的に接続されている。
付加的な上部チップ、基板ウェハ及び付加的なボンディングワイヤを備えた、図５Ａの典型的な配列を示している。
ボンディングワイヤを備えない図５Ｂの配列を斜視図で示している。
マイクロメカニカルセンサチップのマイクロメカニカルセンサ構造体を、マイクロメカニカルセンサ構造体の敏感な領域を被覆するための薄膜を必要とすることなく保護するための典型的な配列を示している。
シーリングボンドリングが完全に見えるように電子集積回路チップがマイクロメカニカルセンサチップから持ち上げられていることを示している。
二次元ジャイロスコープのための典型的な配列を示しており、この配列において、２つの回転方向に敏感なマイクロメカニカルセンサチップが、その下に位置する電子集積回路チップにボンディングワイヤを介して固定されかつ電気的に接続されている。
様々なマイクロメカニカルセンサ構成及び用途を提供するために、１つ又は２つ以上の電子集積回路チップ上に複数のマイクロメカニカルセンサチップを積層するための典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列を示している。
組み合わされたマイクロメカニカルセンサ及び無線通信装置のための典型的な多層マイクロメカニカルセンサ配列を示している。
符号の説明
１００ 電子集積回路パッケージ、 １０１ プラスチック成形物、 １０２ 外部電気接点、 １０３ マイクロメカニカルセンサチップ、 １０４ 第１のボンディングワイヤ群、 １０５ 電子集積回路チップ、 １０６ 第２のボンディングワイヤ群、 ２０１ 構造化された層、 ２０２ 基板ウェハ、 ２０３ 第１の酸化物層、 ２０４ 第１の導電層、 ２０５ 第２の酸化物層、 ２０６ ギャップ、 ２０７ 第２の導電層、 ２０８ 第３の酸化物層、 ２０９ ギャップ、 ２１１ エッチング層、 ２１２ 表面、 ２５０ マイクロメカニカルビーム、 ３００ 電子集積回路チップ、 ３０１ 接触領域、 ３０２ 積層配列、 ３０３ 機械的接着剤、 ３０５ パッケージフレーム、 ３０６ プラスチック成形物、 ３０７ ボンディングワイヤ、 ４００ マイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ、 ４０１ マイクロメカニカルセンサ構造体、 ４０２ 電気接点パッド、 ４０３ フィルム又は膜、 ５００ 配列、 ５０１，５０２ マイクロメカニカルリニア加速度計センサチップ、 ５０３ 電子集積回路チップ、 ５０４ 上部チップ、 ５０５ 基板ウェハ、 ５２５ａ〜５２５ｅ ボンディングワイヤ、 ６００ 配列、 ６０１ マイクロメカニカルセンサチップ、 ６０２ 電子集積回路チップ、 ６０３ シーリングボンドリング、 ７００ 配列、 ７０１，７０２ マイクロメカニカルセンサチップ、 ７０３ 電子集積回路チップ、 ７２５ ボンディングワイヤ、 ８００ 多層マイクロメカニカルメカニカルセンサ配列、 ８０１ マイクロメカニカルセンサチップ、 ８０２ 第２のマイクロメカニカルセンサチップ、 ８０３ 電子集積回路チップ、 ９００ 多層マイクロメカニカルセンサ配列、 ９０１ ＲＦチップ、 ９０１ａ アンテナ、 ９０２ マイクロメカニカルセンサチップ、 ９０３ 電子集積回路チップ

Claims (39)

  1. マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法において、
    保護膜を備えたマイクロメカニカルセンサ構造体を製造し、
    保護膜の表面が第２のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップを配置し、
    マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに固定することを特徴とする、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法。
  2. より薄い厚さで保護膜を形成する、請求項１記載の方法。
  3. 保護膜が化学的及び機械的平坦化プロセスを使用して形成される、請求項１記載の方法。
  4. 保護膜の厚さが１０ミクロン未満である、請求項１記載の方法。
  5. マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するためにシーリングボンドリングを形成する、請求項１記載の方法。
  6. 保護膜が開口を有する、請求項１記載の方法。
  7. 保護膜が少なくとも部分的に存在しないように形成される、請求項１記載の方法。
  8. マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに固定するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとの間に接着剤を提供する、請求項１記載の方法。
  9. マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとを単一のパッケージにおいて支持するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをパッケージフレームに配置し、
    単一のパッケージにおけるマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをシールするためにプラスチック成形物を提供する、請求項１記載の方法。
  10. マルチセンサ装置を提供するために、マイクロメカニカルセンサチップ又は第２のチップの上方又は下方、又はマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとの間のうちの少なくとも一箇所に、少なくとも１つの付加的なマイクロメカニカルセンサチップを配置する、請求項１記載の方法。
  11. マルチセンサ装置が、加速度計、ジャイロスコープ、温度センサ又は圧力センサのうちの少なくとも１つを含む、請求項１０記載の方法。
  12. マルチセンサ装置が、多次元加速度計又は多次元ジャイロスコープのうちの少なくとも１つを含む、請求項１０記載の方法。
  13. 埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体が、圧力、加速、回転又は温度のうちの１つに敏感である、請求項１記載の方法。
  14. 第２のチップが、電子集積回路チップ又はアクチュエータチップのうちの少なくとも１つである、請求項１記載の方法。
  15. マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに固定するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとの間に接着剤を提供し、
    マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとを単一のパッケージに支持するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをパッケージフレーム上に配置し、
    単一のパッケージにおけるマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをシールするためにプラスチック成形物を提供する、請求項１記載の方法。
  16. 保護膜が化学的及び機械的平坦化プロセスを使用して形成される、請求項１５記載の方法。
  17. 保護膜の厚さが１０ミクロン未満である、請求項１５記載の方法。
  18. マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するようにシーリングボンドリングを形成し、
    マイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとを単一のパッケージにおいて支持するためにマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをパッケージフレーム上に配置し、
    単一のパッケージにおけるマイクロメカニカルセンサチップと第２のチップとをシールするためにプラスチック成形物を提供する、請求項１記載の方法。
  19. 保護膜が開口を有する、請求項１８記載の方法。
  20. 保護膜が少なくとも部分的に存在しないように形成されている、請求項１８記載の方法。
  21. マイクロメカニカルセンサ装置において、
    第１のチップと、
    埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体及び該埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体上に配置された保護膜を有するマイクロメカニカルセンサチップとが設けられており、保護膜が第１のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップが第１のチップ上に配置されていることを特徴とする、マイクロメカニカルセンサ装置。
  22. 保護膜がより薄く形成されている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  23. 保護膜の厚さが１０ミクロン未満である、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  24. マイクロメカニカルセンサチップを第１のチップに固定するための接着剤が設けられている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  25. 埋設されたマイクロメカニカル構造体を包囲するためのシーリングボンドリングが設けられている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  26. 保護膜が開口を有する、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  27. 保護膜が少なくとも部分的に存在しない、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  28. 第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとを単一のパッケージにおいて支持するためのパッケージフレームと、
    単一のパッケージにおける第１のチップ及びマイクロメカニカルセンサチップをシールするためのプラスチック成形物とが設けられている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  29. マルチセンサ装置を提供するために、マイクロメカニカルセンサチップ又は第１のチップの上方又は下方、又はマイクロメカニカルセンサチップと第１のチップとの間のうちの少なくとも一箇所に配置された少なくとも１つの付加的なマイクロメカニカルセンサチップが設けられている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  30. マルチセンサ装置が、加速度計、ジャイロスコープ、温度センサ又は圧力センサのうちの少なくとも１つを含む、請求項２９記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  31. マルチセンサ装置が、多次元加速度計又は多次元ジャイロスコープのうちの少なくとも１つを含む、請求項２９記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  32. 埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体が、圧力、加速、回転又は温度のうちの１つに敏感である、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  33. 第１のチップが、電子集積回路チップ又はアクチュエータチップのうちの少なくとも１つである、請求項２１記載の第１のチップ。
  34. 無縁通信のためにマイクロメカニカルセンサチップ上に配置されたＲＦチップが設けられている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  35. 基板が設けられており、上部チップとしてのＲＦチップのための誘電率の差異と、中間チップとしてマイクロメカニカルセンサチップを使用することによって提供される上部ＲＦチップと基板との間の付加的な空間とが、改良されたＲＦ性能を提供する、請求項３４記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  36. マイクロメカニカルセンサチップを第１のチップに固定するための接着剤と、
    第１のチップ及びマイクロメカニカルセンサチップを単一のパッケージにおいて支持するためのパッケージフレームと、
    単一のパッケージにおける第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとをシールするためのプラスチック成形物とが設けられており、
    保護膜がより薄く形成されている、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  37. 保護膜の厚さが１０ミクロン未満である、請求項３６記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  38. 埋設されたマイクロメカニカル構造体を包囲するためのシーリングボンドリングと、
    第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとを単一のパッケージにおいて支持するためのパッケージフレームと、
    単一のパッケージにおける第１のチップとマイクロメカニカルセンサチップとをシールするためのプラスチック成形物とが設けられており、
    保護膜が少なくとも部分的に存在しない、請求項２１記載のマイクロメカニカルセンサ装置。
  39. マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法において、
    マイクロメカニカルセンサ構造体を包囲するためのシーリングボンドを備えたマイクロメカニカルセンサ構造体を製造し、
    保護膜の表面が第２のチップに面するようにマイクロメカニカルセンサチップを配置し、
    マイクロメカニカルセンサチップを第２のチップに固定することを特徴とする、マイクロメカニカルセンサチップに埋設されたマイクロメカニカルセンサ構造体を保護する方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006337194A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Kayaba Ind Co Ltd 加速度検出装置
JP2006337196A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Kayaba Ind Co Ltd 多軸加速度検出装置
JP2007001004A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、およびその作製方法
JP2007080985A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Instruments Inc 力学量センサ
US8008737B2 (en) 2005-05-27 2011-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011525618A (ja) * 2008-06-17 2011-09-22 エプコス アクチエンゲゼルシャフト センサチップを有する半導体チップ装置及びその製造方法
JP2016085176A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016085177A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075160B2 (en) 2003-06-04 2006-07-11 Robert Bosch Gmbh Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures
US6936491B2 (en) * 2003-06-04 2005-08-30 Robert Bosch Gmbh Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts
DE10356367B4 (de) * 2003-11-28 2009-06-10 Georg Bernitz Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und Bauelement
US7635077B2 (en) * 2005-09-27 2009-12-22 Honeywell International Inc. Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby
JP4834369B2 (ja) * 2005-10-07 2011-12-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2007127607A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Mitsutoyo Corp センサブロック
FR2895118B1 (fr) * 2005-12-15 2008-06-13 Arjowiggins Security Soc Par A Film de pelliculage incorporant une puce
JP4929918B2 (ja) * 2006-08-21 2012-05-09 パナソニック株式会社 複合センサ
JP2008135690A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Denso Corp 半導体力学量センサおよびその製造方法
US8250921B2 (en) 2007-07-06 2012-08-28 Invensense, Inc. Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics
US8462109B2 (en) * 2007-01-05 2013-06-11 Invensense, Inc. Controlling and accessing content using motion processing on mobile devices
US7934423B2 (en) 2007-12-10 2011-05-03 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS angular accelerometer with integrated electronics
US8952832B2 (en) 2008-01-18 2015-02-10 Invensense, Inc. Interfacing application programs and motion sensors of a device
US8141424B2 (en) 2008-09-12 2012-03-27 Invensense, Inc. Low inertia frame for detecting coriolis acceleration
US8508039B1 (en) 2008-05-08 2013-08-13 Invensense, Inc. Wafer scale chip scale packaging of vertically integrated MEMS sensors with electronics
US8106505B2 (en) * 2007-10-31 2012-01-31 International Business Machines Corporation Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly
US7759135B2 (en) * 2008-09-30 2010-07-20 Infineon Technologies Ag Method of forming a sensor node module
US8615258B2 (en) * 2009-01-22 2013-12-24 Intel Mobile Communications GmbH Home base station communication with a mobile radio communication device using a home base station group member identifier
US8186221B2 (en) * 2009-03-24 2012-05-29 Freescale Semiconductor, Inc. Vertically integrated MEMS acceleration transducer
US9097524B2 (en) 2009-09-11 2015-08-04 Invensense, Inc. MEMS device with improved spring system
US8534127B2 (en) 2009-09-11 2013-09-17 Invensense, Inc. Extension-mode angular velocity sensor
US8847137B2 (en) 2012-02-29 2014-09-30 Blackberry Limited Single package imaging and inertial navigation sensors, and methods of manufacturing the same
DE102012224424A1 (de) * 2012-12-27 2014-07-17 Robert Bosch Gmbh Sensorsystem und Abdeckvorrichtung für ein Sensorsystem
DE102013222616B4 (de) * 2013-11-07 2024-06-06 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Sensorvorrichtung
US9463976B2 (en) * 2014-06-27 2016-10-11 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS fabrication process with two cavities operating at different pressures
US9322730B2 (en) * 2014-08-05 2016-04-26 Kulite Semiconductor Products, Inc. Sensor co-located with an electronic circuit
EP3117956A1 (de) * 2015-07-17 2017-01-18 HILTI Aktiengesellschaft Handwerkzeugmaschine und steuerungsverfahren damit

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945769A (en) * 1989-03-06 1990-08-07 Delco Electronics Corporation Semiconductive structure useful as a pressure sensor
JPH04332871A (ja) * 1991-05-08 1992-11-19 Nec Corp 半導体加速度センサ
JPH077162A (ja) * 1993-04-05 1995-01-10 Ford Motor Co 微細加工されたｓｏｉ容量表面を有する絶対圧容量センサ
JPH0799326A (ja) * 1993-06-03 1995-04-11 Robert Bosch Gmbh マイクロメカニックセンサおよびその製造方法
JPH08274350A (ja) * 1995-03-29 1996-10-18 Yokogawa Electric Corp 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH1167820A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH1194506A (ja) * 1997-06-19 1999-04-09 St Microelectron Srl センサ
JP2000049357A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Denso Corp 半導体力学量センサとその製造方法
JP2000131169A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Denso Corp 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2001235485A (ja) * 2000-02-25 2001-08-31 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサ
WO2001077008A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-18 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063349A (en) * 1976-12-02 1977-12-20 Honeywell Information Systems Inc. Method of protecting micropackages from their environment
US5354695A (en) * 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
US6323550B1 (en) * 1995-06-06 2001-11-27 Analog Devices, Inc. Package for sealing an integrated circuit die
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
US6271598B1 (en) 1997-07-29 2001-08-07 Cubic Memory, Inc. Conductive epoxy flip-chip on chip
US5811799A (en) * 1997-07-31 1998-09-22 Wu; Liang-Chung Image sensor package having a wall with a sealed cover
US6522762B1 (en) * 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
JP2001227902A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
AT410727B (de) * 2000-03-14 2003-07-25 Austria Mikrosysteme Int Verfahren zum unterbringen von sensoren in einem gehäuse
DE10017422A1 (de) 2000-04-07 2001-10-11 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungverfahren
US6384473B1 (en) * 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP3951091B2 (ja) * 2000-08-04 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
ITVA20000042A1 (it) * 2000-12-15 2002-06-15 St Microelectronics Srl Sensore di pressione monoliticamente integrato e relativo processo direalizzazione.
US6432737B1 (en) * 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package
KR20030025481A (ko) 2001-09-21 2003-03-29 주식회사 칩팩코리아 플립칩 반도체패키지 및 그의 제조방법
US6793829B2 (en) * 2002-02-27 2004-09-21 Honeywell International Inc. Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices
US6891239B2 (en) * 2002-03-06 2005-05-10 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Integrated sensor and electronics package
DE10226033A1 (de) * 2002-06-12 2003-12-24 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP2004271312A (ja) * 2003-03-07 2004-09-30 Denso Corp 容量型半導体センサ装置
KR100592368B1 (ko) * 2004-07-06 2006-06-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 초박형 모듈 제조 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4945769A (en) * 1989-03-06 1990-08-07 Delco Electronics Corporation Semiconductive structure useful as a pressure sensor
JPH04332871A (ja) * 1991-05-08 1992-11-19 Nec Corp 半導体加速度センサ
JPH077162A (ja) * 1993-04-05 1995-01-10 Ford Motor Co 微細加工されたｓｏｉ容量表面を有する絶対圧容量センサ
JPH0799326A (ja) * 1993-06-03 1995-04-11 Robert Bosch Gmbh マイクロメカニックセンサおよびその製造方法
JPH08274350A (ja) * 1995-03-29 1996-10-18 Yokogawa Electric Corp 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH1194506A (ja) * 1997-06-19 1999-04-09 St Microelectron Srl センサ
JPH1167820A (ja) * 1997-08-08 1999-03-09 Denso Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000049357A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Denso Corp 半導体力学量センサとその製造方法
JP2000131169A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Denso Corp 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2001235485A (ja) * 2000-02-25 2001-08-31 Mitsubishi Electric Corp 加速度センサ
WO2001077008A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-18 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches bauelement und entsprechendes herstellungsverfahren

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007001004A (ja) * 2005-05-27 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、およびその作製方法
JP4519804B2 (ja) * 2005-05-27 2010-08-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8008737B2 (en) 2005-05-27 2011-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8455287B2 (en) 2005-05-27 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including microstructure
JP2006337194A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Kayaba Ind Co Ltd 加速度検出装置
JP2006337196A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Kayaba Ind Co Ltd 多軸加速度検出装置
JP2007080985A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Instruments Inc 力学量センサ
JP2011525618A (ja) * 2008-06-17 2011-09-22 エプコス アクチエンゲゼルシャフト センサチップを有する半導体チップ装置及びその製造方法
US8580613B2 (en) 2008-06-17 2013-11-12 Epcos Ag Semiconductor chip arrangement with sensor chip and manufacturing method
JP2016085176A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2016085177A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体

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