JPH08274350A - 半導体圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体圧力センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08274350A JPH08274350A JP7071211A JP7121195A JPH08274350A JP H08274350 A JPH08274350 A JP H08274350A JP 7071211 A JP7071211 A JP 7071211A JP 7121195 A JP7121195 A JP 7121195A JP H08274350 A JPH08274350 A JP H08274350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- crystal silicon
- single crystal
- communication hole
- soi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エピタキシャル成長の単結晶シリコンで構成
され、精度、感度が良好な半導体圧力センサを提供する
にある。 【構成】 単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコ
ン基板に設けられエピタキシャル成長により作られた測
定ダイアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加
に対するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉
された空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダ
イアフラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したこ
とを特徴とする半導体圧力センサである。
され、精度、感度が良好な半導体圧力センサを提供する
にある。 【構成】 単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコ
ン基板に設けられエピタキシャル成長により作られた測
定ダイアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加
に対するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉
された空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダ
イアフラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したこ
とを特徴とする半導体圧力センサである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、測定ダイアフラムがエ
ピタキシャル成長の単結晶シリコンで構成され、精度、
感度が良好な半導体圧力センサ及びその製造方法に関す
るものである。
ピタキシャル成長の単結晶シリコンで構成され、精度、
感度が良好な半導体圧力センサ及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来より一般に使用されている
従来例の要部構成説明図で、例えば、TRANSDUCERS '89
PROCEEDING VOL2 P346〜P351 「Fineーgrained Polysilic
on andits Application to planer pressure Transduce
rs」H,Guckel等著に示されている。
従来例の要部構成説明図で、例えば、TRANSDUCERS '89
PROCEEDING VOL2 P346〜P351 「Fineーgrained Polysilic
on andits Application to planer pressure Transduce
rs」H,Guckel等著に示されている。
【０００３】図において、1１はシリコン基板で、1２は
シリコン基板と空隙室１３を構成する、ポリシリコンよ
りなる測定ダイアフラムである。１４は、測定ダイアフ
ラム１２の表面に形成されたピエゾ抵抗ストレンゲージ
である。１５は、測定ダイアフラム１２に設けられ、空
隙室１３と外部とを連通する連通孔である。１６は、連
通孔１５を塞ぐポリシリコンの薄膜である。
シリコン基板と空隙室１３を構成する、ポリシリコンよ
りなる測定ダイアフラムである。１４は、測定ダイアフ
ラム１２の表面に形成されたピエゾ抵抗ストレンゲージ
である。１５は、測定ダイアフラム１２に設けられ、空
隙室１３と外部とを連通する連通孔である。１６は、連
通孔１５を塞ぐポリシリコンの薄膜である。
【０００４】以上の構成において、空隙室１３は、空隙
室１３に対応する部分を、シリコン酸化膜で構成し、空
隙室１３と外部とを連通する連通孔１５からの選択エッ
チングによりシリコン酸化膜を除去し、減圧ＣＶＤ法に
よるポリシリコンの薄膜１６を塞ぐ事により構成する。
減圧ＣＶＤを採用する事により、空隙室１３、絶対圧用
のセンサのリファレンス圧として実用上充分な真空度で
保持される。
室１３に対応する部分を、シリコン酸化膜で構成し、空
隙室１３と外部とを連通する連通孔１５からの選択エッ
チングによりシリコン酸化膜を除去し、減圧ＣＶＤ法に
よるポリシリコンの薄膜１６を塞ぐ事により構成する。
減圧ＣＶＤを採用する事により、空隙室１３、絶対圧用
のセンサのリファレンス圧として実用上充分な真空度で
保持される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、 （１）測定ダイアフラム１２がポリシリコンで構成され
ており、内部応力が存在しやすいので、測定ダイアフラ
ムの剛性が熱処理によって変化する。 （２）ピエゾ抵抗ストレンゲージ１４は、ポリシリコン
の測定ダイアフラム１２に形成しなければならないの
で、感度が低くなる。 本発明は、これらの問題点を解決するものである。
な装置においては、 （１）測定ダイアフラム１２がポリシリコンで構成され
ており、内部応力が存在しやすいので、測定ダイアフラ
ムの剛性が熱処理によって変化する。 （２）ピエゾ抵抗ストレンゲージ１４は、ポリシリコン
の測定ダイアフラム１２に形成しなければならないの
で、感度が低くなる。 本発明は、これらの問題点を解決するものである。
【０００６】なお、シリコン酸化膜上にシリコンの単結
晶を形成することは容易でないが、近年、半導体プロセ
ス技術の発達により、良好なＳＯＩウエハーが入手可能
となった。本発明は、このような状況に着目してなされ
たものである。
晶を形成することは容易でないが、近年、半導体プロセ
ス技術の発達により、良好なＳＯＩウエハーが入手可能
となった。本発明は、このような状況に着目してなされ
たものである。
【０００７】本発明の目的は、測定ダイアフラムがエピ
タキシャル成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感
度が良好な半導体圧力センサ及びその製造方法を提供す
るにある。
タキシャル成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感
度が良好な半導体圧力センサ及びその製造方法を提供す
るにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコン基
板に設けられエピタキシャル成長により作られた測定ダ
イアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加に対
するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉され
た空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイア
フラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したことを
特徴とする半導体圧力センサ。 （２）単結晶のシリコン基板内に空隙室を作り込む半導
体圧力センサの製造方法において、以下の工程を有する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 （ａ）フォトリソグラフィによりＳＯＩウエハのＳＯＩ
シリコンと絶縁膜の所要個所を残して除去する工程。 （ｂ）前記ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキシャル
成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する工程。 （ｃ）前記測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する
工程。 （ｄ）前記ＳＯＩ面側に前記絶縁膜に達する連通孔を形
成する工程。 （ｅ）前記連通孔を経由して選択エッチングにより前記
絶縁膜を除去する工程。 （ｆ）連通孔を薄膜により塞ぐ工程。 を採用した。
に、本発明は、 （１）単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコン基
板に設けられエピタキシャル成長により作られた測定ダ
イアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加に対
するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉され
た空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイア
フラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したことを
特徴とする半導体圧力センサ。 （２）単結晶のシリコン基板内に空隙室を作り込む半導
体圧力センサの製造方法において、以下の工程を有する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 （ａ）フォトリソグラフィによりＳＯＩウエハのＳＯＩ
シリコンと絶縁膜の所要個所を残して除去する工程。 （ｂ）前記ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキシャル
成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する工程。 （ｃ）前記測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する
工程。 （ｄ）前記ＳＯＩ面側に前記絶縁膜に達する連通孔を形
成する工程。 （ｅ）前記連通孔を経由して選択エッチングにより前記
絶縁膜を除去する工程。 （ｆ）連通孔を薄膜により塞ぐ工程。 を採用した。
【０００９】
【作用】以上の構成において、フォトリソグラフィによ
りＳＯＩウエハのＳＯＩシリコンと絶縁膜の所要個所を
残して除去する。ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキ
シャル成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する。
測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する。ＳＯＩ面
側に絶縁膜に達する連通孔を形成する。連通孔を経由し
て選択エッチングにより絶縁膜を除去する。連通孔を薄
膜により塞ぐ。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
りＳＯＩウエハのＳＯＩシリコンと絶縁膜の所要個所を
残して除去する。ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキ
シャル成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する。
測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する。ＳＯＩ面
側に絶縁膜に達する連通孔を形成する。連通孔を経由し
て選択エッチングにより絶縁膜を除去する。連通孔を薄
膜により塞ぐ。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【００１０】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の要部構成説明図
である。２１は、シリコン単結晶基板である。２２は、
シリコン単結晶基板２１に設けられ、シリコン単結晶基
板２１に測定ダイアフラム２３を形成する空隙室であ
る。
である。２１は、シリコン単結晶基板である。２２は、
シリコン単結晶基板２１に設けられ、シリコン単結晶基
板２１に測定ダイアフラム２３を形成する空隙室であ
る。
【００１１】２４は、空隙室２２と外部とを連通する連
通孔である。２５は連通孔２４を塞ぐための薄膜であ
る。薄膜２５は、例えば、減圧ＣＶＤ法により成膜され
たポリシリコン等が使用される。
通孔である。２５は連通孔２４を塞ぐための薄膜であ
る。薄膜２５は、例えば、減圧ＣＶＤ法により成膜され
たポリシリコン等が使用される。
【００１２】空隙室２２の内部には、減圧ＣＶＤ法によ
るポリシリコン成膜時の雰囲気圧力が封じ込められる
が、約0.2Torr程度であるため、絶対圧用のセンサのリ
ファレンス圧としては充分な真空度である。
るポリシリコン成膜時の雰囲気圧力が封じ込められる
が、約0.2Torr程度であるため、絶対圧用のセンサのリ
ファレンス圧としては充分な真空度である。
【００１３】２６は、測定ダイアフラム２３に設けられ
た歪み検出センサである。歪み検出センサ２６には、例
えば、ピエゾ抵抗ストレンゲージや両端固定梁の振動式
ストレンゲージ等が使用される。
た歪み検出センサである。歪み検出センサ２６には、例
えば、ピエゾ抵抗ストレンゲージや両端固定梁の振動式
ストレンゲージ等が使用される。
【００１４】以上の構成において、測定圧力Ｐｍが印加
されると、空隙室２２内の圧力（ほぼ真空）との差に比
例して、測定ダイアフラム２３が撓み、歪み検出センサ
２６に歪みが印加され、この歪を測定することにより、
測定圧力Ｐｍが検出される。このような装置は、図２〜
図７に示す如くして製作する。
されると、空隙室２２内の圧力（ほぼ真空）との差に比
例して、測定ダイアフラム２３が撓み、歪み検出センサ
２６に歪みが印加され、この歪を測定することにより、
測定圧力Ｐｍが検出される。このような装置は、図２〜
図７に示す如くして製作する。
【００１５】（ａ）第２図に示す如く、フォトリソグラ
フィにより、ＳＯＩウエハ１０１のＳＯＩシリコン層１
０２と、シリコン酸化膜１０３の所要箇所を残して除去
する。 （ｂ）第３図に示す如く、ＳＯＩウエハ１０１にエピタ
キシャル成長層１０４を成長させ、測定ダイアフラム１
０５を形成する。
フィにより、ＳＯＩウエハ１０１のＳＯＩシリコン層１
０２と、シリコン酸化膜１０３の所要箇所を残して除去
する。 （ｂ）第３図に示す如く、ＳＯＩウエハ１０１にエピタ
キシャル成長層１０４を成長させ、測定ダイアフラム１
０５を形成する。
【００１６】（ｃ）第４図に示す如く、測定ダイアフラ
ム１０５に歪み検出素子１０６を形成する。 （ｄ）第５図に示す如く、ＳＯＩウエハ１０１の表面よ
り、シリコン酸化膜１０３に達する連通孔１０７を形成
する。
ム１０５に歪み検出素子１０６を形成する。 （ｄ）第５図に示す如く、ＳＯＩウエハ１０１の表面よ
り、シリコン酸化膜１０３に達する連通孔１０７を形成
する。
【００１７】（ｅ）第６図に示す如く、連通孔１０７よ
り選択エッチングによりシリコン酸化膜１０３を除去す
る。 （ｆ）第７図に示す如く、減圧ＣＶＤ法によりポリシリ
コン膜１０８を成膜し、連通孔１０７を塞ぐ。
り選択エッチングによりシリコン酸化膜１０３を除去す
る。 （ｆ）第７図に示す如く、減圧ＣＶＤ法によりポリシリ
コン膜１０８を成膜し、連通孔１０７を塞ぐ。
【００１８】この結果、半導体圧力センサをすべて単結
晶シリコンで構成出来るために、 （１）高感度を有する歪み検出素子２６を作り込むこと
ができる。 （２）ポリシリコン材に比して、安定で、高精度な測定
ダイアフラム２３が構成できる。
晶シリコンで構成出来るために、 （１）高感度を有する歪み検出素子２６を作り込むこと
ができる。 （２）ポリシリコン材に比して、安定で、高精度な測定
ダイアフラム２３が構成できる。
【００１９】従って、本発明によれば、エピタキシャル
成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感度が良好な
半導体圧力センサを実現することができる。
成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感度が良好な
半導体圧力センサを実現することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、 （１）単結晶のシリコン基板と、該単結晶のシリコン基
板に設けられエピタキシャル成長により作られた測定ダ
イアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加に対
するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉され
た空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイア
フラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したことを
特徴とする半導体圧力センサ。 （２）単結晶のシリコン基板内に空隙室を作り込む半導
体圧力センサの製造方法において、以下の工程を有する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 （ａ）フォトリソグラフィによりＳＯＩウエハのＳＯＩ
シリコンと絶縁膜の所要個所を残して除去する工程。 （ｂ）前記ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキシャル
成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する工程。 （ｃ）前記測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する
工程。 （ｄ）前記ＳＯＩ面側に前記絶縁膜に達する連通孔を形
成する工程。 （ｅ）前記連通孔を経由して選択エッチングにより前記
絶縁膜を除去する工程。 （ｆ）連通孔を薄膜により塞ぐ工程。 を採用した。
板に設けられエピタキシャル成長により作られた測定ダ
イアフラムを形成し該ダイアフラムへの過大圧印加に対
するバックアップをなす所定の狭い隙間を有し密閉され
た空隙室と、前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイア
フラムに作り込まれた歪み検出素子とを具備したことを
特徴とする半導体圧力センサ。 （２）単結晶のシリコン基板内に空隙室を作り込む半導
体圧力センサの製造方法において、以下の工程を有する
ことを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。 （ａ）フォトリソグラフィによりＳＯＩウエハのＳＯＩ
シリコンと絶縁膜の所要個所を残して除去する工程。 （ｂ）前記ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキシャル
成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する工程。 （ｃ）前記測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する
工程。 （ｄ）前記ＳＯＩ面側に前記絶縁膜に達する連通孔を形
成する工程。 （ｅ）前記連通孔を経由して選択エッチングにより前記
絶縁膜を除去する工程。 （ｆ）連通孔を薄膜により塞ぐ工程。 を採用した。
【００２１】この結果、半導体圧力センサをすべて単結
晶シリコンで構成出来るために、 （１）高感度を有する歪み検出素子を作り込むことがで
きる。 （２）ポリシリコン材に比して、安定で、高精度な測定
ダイアフラムが構成できる。
晶シリコンで構成出来るために、 （１）高感度を有する歪み検出素子を作り込むことがで
きる。 （２）ポリシリコン材に比して、安定で、高精度な測定
ダイアフラムが構成できる。
【００２２】従って、本発明によれば、エピタキシャル
成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感度が良好な
半導体圧力センサを実現することが出来る。
成長の単結晶シリコンで構成され、精度、感度が良好な
半導体圧力センサを実現することが出来る。
【図１】本発明の一実施例の構成説明図である。
【図２】本発明のフォトリソグラフィ工程説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の測定ダイアフラム形成工程説明図であ
る。
る。
【図４】本発明の歪み検出素子形成工程説明図である。
【図５】本発明の連通孔形成工程説明図である。
【図６】本発明の絶縁膜除去工程説明図である。
【図７】本発明の連通孔閉塞工程説明図である。
【図８】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
【符号の説明】 ２１ シリコン単結晶基板 ２２ 空隙室 ２３ 測定ダイアフラム ２４ 連通孔 ２５ 薄膜 ２６ 歪検出センサ １０１ ＳＯＩウエハー １０２ ＳＯＩシリコン膜 １０３ シリコン酸化膜 １０４ エピタキシャル成長層 １０５ 測定ダイアフラム １０６ 歪み検出素子 １０７ 連通孔 １０８ ポリシリコン膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年４月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】図８は、従来より一般に使用されている従
来例の要部構成説明図で、例えば、TRANSDUCERS '89 PR
OCEEDING VOL2 P346〜P351 「Fineーgrained Polysilicon
andits Application to planer pressure Transducer
s」、著者H,Guckel等、に示されている。
来例の要部構成説明図で、例えば、TRANSDUCERS '89 PR
OCEEDING VOL2 P346〜P351 「Fineーgrained Polysilicon
andits Application to planer pressure Transducer
s」、著者H,Guckel等、に示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】以上の構成において、測定圧力Ｐｍが印加
されると、空隙室２２内の圧力（ほぼ真空）との差に比
例して、測定ダイアフラム２３が撓み、歪み検出センサ
２６に歪みが印加され、この歪を測定することにより、
測定圧力Ｐｍが検出される。しかして、測定圧力Ｐｍが
所定の値より大きくなると、測定ダイアフラム２３は空
隙室２２の図における下面に接して、過大圧力による破
壊から測定ダイアフラム２３は保護される。このような
装置は、図２〜図７に示す如くして製作する。
されると、空隙室２２内の圧力（ほぼ真空）との差に比
例して、測定ダイアフラム２３が撓み、歪み検出センサ
２６に歪みが印加され、この歪を測定することにより、
測定圧力Ｐｍが検出される。しかして、測定圧力Ｐｍが
所定の値より大きくなると、測定ダイアフラム２３は空
隙室２２の図における下面に接して、過大圧力による破
壊から測定ダイアフラム２３は保護される。このような
装置は、図２〜図７に示す如くして製作する。
Claims (2)
- 【請求項１】単結晶のシリコン基板と、 該単結晶のシリコン基板に設けられエピタキシャル成長
により作られた測定ダイアフラムを形成し該ダイアフラ
ムへの過大圧印加に対するバックアップをなす所定の狭
い隙間を有し密閉された空隙室と、 前記単結晶のシリコンよりなる測定ダイアフラムに作り
込まれた歪み検出素子とを具備したことを特徴とする半
導体圧力センサ。 - 【請求項２】単結晶のシリコン基板内に空隙室を作り込
む半導体圧力センサの製造方法において、 以下の工程を有することを特徴とする半導体圧力センサ
の製造方法。 （ａ）フォトリソグラフィによりＳＯＩウエハのＳＯＩ
シリコンと絶縁膜の所要個所を残して除去する工程。 （ｂ）前記ＳＯＩウエハのＳＯＩ面側にエピタキシャル
成長層を成長させ測定ダイアフラムを形成する工程。 （ｃ）前記測定ダイアフラムに歪み検出素子を形成する
工程。 （ｄ）前記ＳＯＩ面側に前記絶縁膜に達する連通孔を形
成する工程。 （ｅ）前記連通孔を経由して選択エッチングにより前記
絶縁膜を除去する工程。 （ｆ）連通孔を薄膜により塞ぐ工程。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071211A JPH08274350A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| PCT/JP1996/000816 WO1996030950A1 (fr) | 1995-03-29 | 1996-03-28 | Capteur de pression a semi-conducteur et procede de production de ce dernier |
| US08/849,832 US5880509A (en) | 1995-03-29 | 1996-03-28 | Semiconductor pressure sensor and its manufacturing method |
| CN96190266A CN1149931A (zh) | 1995-03-29 | 1996-03-28 | 半导体压力传感器及其制造方法 |
| DE0767501T DE767501T1 (de) | 1995-03-29 | 1996-03-28 | Halbleiter-drucksensor und verfahren zur herstellung |
| EP96907682A EP0767501A4 (en) | 1995-03-29 | 1996-03-28 | SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7071211A JPH08274350A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274350A true JPH08274350A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13454129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7071211A Pending JPH08274350A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5880509A (ja) |
| EP (1) | EP0767501A4 (ja) |
| JP (1) | JPH08274350A (ja) |
| CN (1) | CN1149931A (ja) |
| DE (1) | DE767501T1 (ja) |
| WO (1) | WO1996030950A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260187A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2004304189A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Robert Bosch Gmbh | 積層パッケージングを使用して包囲されたセンサ構造体を保護する方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3873454B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2007-01-24 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
| DE10058886C1 (de) * | 2000-11-27 | 2002-05-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiter-Produkts |
| US6849492B2 (en) | 2002-07-08 | 2005-02-01 | Micron Technology, Inc. | Method for forming standard voltage threshold and low voltage threshold MOSFET devices |
| US7379629B1 (en) | 2004-12-12 | 2008-05-27 | Burns David W | Optically coupled resonant pressure sensor |
| US7605391B2 (en) * | 2004-12-12 | 2009-10-20 | Burns David W | Optically coupled resonator |
| US7176048B1 (en) | 2004-12-12 | 2007-02-13 | Burns David W | Optically coupled sealed-cavity resonator and process |
| US7499604B1 (en) | 2004-12-12 | 2009-03-03 | Burns David W | Optically coupled resonant pressure sensor and process |
| US7443509B1 (en) | 2004-12-12 | 2008-10-28 | Burns David W | Optical and electronic interface for optically coupled resonators |
| US7412892B1 (en) | 2007-06-06 | 2008-08-19 | Measurement Specialties, Inc. | Method of making pressure transducer and apparatus |
| CN102472678B (zh) * | 2009-07-24 | 2014-04-23 | 罗姆股份有限公司 | 半导体压力传感器、压力传感器装置、电子设备以及半导体压力传感器的制造方法 |
| DE102009028488A1 (de) | 2009-08-12 | 2011-02-17 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Relativdrucksensor |
| CN105092110A (zh) * | 2014-05-06 | 2015-11-25 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 压力传感器及其制作方法 |
| CN105444931B (zh) * | 2016-01-08 | 2018-09-07 | 沈阳工业大学 | 基于牺牲层技术的soi压力敏感芯片及其制造方法 |
| JP6820102B2 (ja) * | 2017-08-14 | 2021-01-27 | アズビル株式会社 | トルク検出器及びトルク検出器の製造方法 |
| CN108168768B (zh) * | 2017-11-23 | 2019-03-01 | 中国矿业大学 | 气体突破压力测试装置及方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5177661A (en) * | 1989-01-13 | 1993-01-05 | Kopin Corporation | SOI diaphgram sensor |
| US4993143A (en) * | 1989-03-06 | 1991-02-19 | Delco Electronics Corporation | Method of making a semiconductive structure useful as a pressure sensor |
| JPH0350774A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-05 | Yokogawa Electric Corp | シリコンダイアフラムの製造方法 |
| JP2726861B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1998-03-11 | 横河電機株式会社 | 半導体圧力センサの製造方法 |
| CN1018844B (zh) * | 1990-06-02 | 1992-10-28 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 防锈干膜润滑剂 |
| JPH07240529A (ja) * | 1991-09-20 | 1995-09-12 | Yokogawa Electric Corp | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JPH06244438A (ja) * | 1991-09-25 | 1994-09-02 | Yokogawa Electric Corp | シリコン半導体圧力計の製造方法 |
| JPH05340828A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-24 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
| FR2700003B1 (fr) * | 1992-12-28 | 1995-02-10 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu. |
| US5369544A (en) * | 1993-04-05 | 1994-11-29 | Ford Motor Company | Silicon-on-insulator capacitive surface micromachined absolute pressure sensor |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP7071211A patent/JPH08274350A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-28 EP EP96907682A patent/EP0767501A4/en not_active Withdrawn
- 1996-03-28 US US08/849,832 patent/US5880509A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-28 CN CN96190266A patent/CN1149931A/zh active Pending
- 1996-03-28 WO PCT/JP1996/000816 patent/WO1996030950A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1996-03-28 DE DE0767501T patent/DE767501T1/de active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004260187A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Robert Bosch Gmbh | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2004304189A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Robert Bosch Gmbh | 積層パッケージングを使用して包囲されたセンサ構造体を保護する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1149931A (zh) | 1997-05-14 |
| US5880509A (en) | 1999-03-09 |
| WO1996030950A1 (fr) | 1996-10-03 |
| EP0767501A1 (en) | 1997-04-09 |
| EP0767501A4 (en) | 1998-02-18 |
| DE767501T1 (de) | 1997-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08274350A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| US5095401A (en) | SOI diaphragm sensor | |
| US5177661A (en) | SOI diaphgram sensor | |
| US5473944A (en) | Seam pressure sensor employing dielectically isolated resonant beams and related method of manufacture | |
| US5417115A (en) | Dielectrically isolated resonant microsensors | |
| US5188983A (en) | Polysilicon resonating beam transducers and method of producing the same | |
| KR840002283B1 (ko) | 실리콘 압력 변환기 | |
| US5490034A (en) | SOI actuators and microsensors | |
| JP2000171318A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP2000340805A (ja) | 電子部品および製造方法 | |
| JPH1078366A (ja) | 半導体圧力センサとその製造方法 | |
| JPS5887880A (ja) | 半導体ダイアフラム形センサ | |
| JP2905902B2 (ja) | 半導体圧力計およびその製造方法 | |
| JP2696894B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH06244438A (ja) | シリコン半導体圧力計の製造方法 | |
| JPH0412436Y2 (ja) | ||
| JPH09113390A (ja) | 半導体圧力測定装置及びその製造方法 | |
| JPH1038726A (ja) | 半導体圧力差圧検出器 | |
| JP3573262B2 (ja) | 半導体圧力測定装置 | |
| JPH04181136A (ja) | 圧力検出器およびその製造方法 | |
| JPS6281539A (ja) | 圧力測定装置の製造方法 | |
| JPS59169183A (ja) | ストレインゲ−ジ型半導体圧力センサ− | |
| JPH06213746A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH08181332A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH04119672A (ja) | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |