JPH1038726A - 半導体圧力差圧検出器 - Google Patents
半導体圧力差圧検出器Info
- Publication number
- JPH1038726A JPH1038726A JP19013296A JP19013296A JPH1038726A JP H1038726 A JPH1038726 A JP H1038726A JP 19013296 A JP19013296 A JP 19013296A JP 19013296 A JP19013296 A JP 19013296A JP H1038726 A JPH1038726 A JP H1038726A
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- Japan
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- strain gauge
- reinforcing layer
- diaphragm
- region
- semiconductor substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低圧域でも圧力と出力の直線性が優れてお
り、かつ生産性の良い半導体圧力差圧検出器を提供する
ものである。 【解決手段】 半導体基板１に、肉薄のダイヤフラム部
２と、その外側周囲に肉厚の支持部３とを備え、ダイヤ
フラム部２にピエゾ抵抗素子からなる歪ゲージ４を形成
したものである。そして、ダイヤフラム部２の歪ゲージ
４が形成された領域と支持部３とを覆う補強層６を形成
したものである。
り、かつ生産性の良い半導体圧力差圧検出器を提供する
ものである。 【解決手段】 半導体基板１に、肉薄のダイヤフラム部
２と、その外側周囲に肉厚の支持部３とを備え、ダイヤ
フラム部２にピエゾ抵抗素子からなる歪ゲージ４を形成
したものである。そして、ダイヤフラム部２の歪ゲージ
４が形成された領域と支持部３とを覆う補強層６を形成
したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力差圧検
出器に関し、特に低い圧力を測定するために用いる半導
体圧力差圧検出器に関する。
出器に関し、特に低い圧力を測定するために用いる半導
体圧力差圧検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体圧力差圧検出器は、半導体
基板の肉薄のダイヤフラム部にピエゾ抵抗素子からなる
歪ゲージを備えたものである。
基板の肉薄のダイヤフラム部にピエゾ抵抗素子からなる
歪ゲージを備えたものである。
【０００３】この半導体圧力差圧検出器で極めて低い圧
力を測定する場合、圧力と出力の直線性が悪くなる欠点
があった。これは、低圧域での測定のために前記ダイヤ
フラム部の肉厚を薄くしたことにより、前記ダイヤフラ
ム部に圧力による伸び（バルーン効果）が生じるためで
ある。
力を測定する場合、圧力と出力の直線性が悪くなる欠点
があった。これは、低圧域での測定のために前記ダイヤ
フラム部の肉厚を薄くしたことにより、前記ダイヤフラ
ム部に圧力による伸び（バルーン効果）が生じるためで
ある。
【０００４】前記課題を解決する手段として、前記ダイ
ヤフラム部に前記歪ゲージが形成された領域部におい
て、それ以外の領域部よりも肉厚を厚くしたはり部を形
成したものが特公平４−１９４９５号公報に開示されて
いる。
ヤフラム部に前記歪ゲージが形成された領域部におい
て、それ以外の領域部よりも肉厚を厚くしたはり部を形
成したものが特公平４−１９４９５号公報に開示されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコンを所
定の深さ削るうえで、エッチングを行うには、一般に時
間によりその深さを管理するため、削る深さにバラつき
が生じ易く、均一な加工が難しかった。このため、前記
従来例のように、前記ダイヤフラム部の前面に、前記歪
ゲージを設けた領域を除いて肉厚を薄くすることは、精
度良く加工することが非常に難しく、安定した品質を確
保するために、生産性の向上に影響を及ぼしていた。
定の深さ削るうえで、エッチングを行うには、一般に時
間によりその深さを管理するため、削る深さにバラつき
が生じ易く、均一な加工が難しかった。このため、前記
従来例のように、前記ダイヤフラム部の前面に、前記歪
ゲージを設けた領域を除いて肉厚を薄くすることは、精
度良く加工することが非常に難しく、安定した品質を確
保するために、生産性の向上に影響を及ぼしていた。
【０００６】そこで、本発明は、低圧域でも圧力と出力
の直線性が優れており、かつ生産性の良い半導体圧力差
圧検出器を提供するものである。
の直線性が優れており、かつ生産性の良い半導体圧力差
圧検出器を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、肉薄のダイヤフラム部と、その外側周囲に肉
厚の支持部とを備えた半導体基板の前記ダイヤフラム部
に歪ゲージを設けた半導体圧力差圧検出器において、前
記歪ゲージが形成された領域と前記支持部とを覆う補強
層を形成したものである。
するため、肉薄のダイヤフラム部と、その外側周囲に肉
厚の支持部とを備えた半導体基板の前記ダイヤフラム部
に歪ゲージを設けた半導体圧力差圧検出器において、前
記歪ゲージが形成された領域と前記支持部とを覆う補強
層を形成したものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の半導体圧力差圧検出器
は、半導体基板１に、肉薄のダイヤフラム部２と、その
外側周囲に肉厚の支持部３とを備え、ダイヤフラム部２
にピエゾ抵抗素子からなる歪ゲージ４を形成したもので
ある。そして、ダイヤフラム部２の歪ゲージ４が形成さ
れた領域と支持部３とを覆う補強層６を形成したもので
ある。
は、半導体基板１に、肉薄のダイヤフラム部２と、その
外側周囲に肉厚の支持部３とを備え、ダイヤフラム部２
にピエゾ抵抗素子からなる歪ゲージ４を形成したもので
ある。そして、ダイヤフラム部２の歪ゲージ４が形成さ
れた領域と支持部３とを覆う補強層６を形成したもので
ある。
【０００９】また、ダイヤフラム部２の歪ゲージ４が形
成された領域と支持部３とを肉厚の厚い肉厚部６ａで覆
う補強層６と、肉厚部６ａで覆われた部分以外を肉厚の
薄い肉薄部６ｂで覆う補強層６とを一体に形成したもの
である。
成された領域と支持部３とを肉厚の厚い肉厚部６ａで覆
う補強層６と、肉厚部６ａで覆われた部分以外を肉厚の
薄い肉薄部６ｂで覆う補強層６とを一体に形成したもの
である。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面に基づいて本発明の実施例を
説明する。図１は本発明の第１実施例の上面図、図２は
図１中のＡ−Ａ線で切断した断面図を用いた製造工程
図、図３は同実施例の一部を切り欠いた斜視図である。
説明する。図１は本発明の第１実施例の上面図、図２は
図１中のＡ−Ａ線で切断した断面図を用いた製造工程
図、図３は同実施例の一部を切り欠いた斜視図である。
【００１１】図１から図３において示される本発明の第
１実施例の半導体圧力差圧検出器は、例えば、単結晶シ
リコンからなる半導体基板１に、肉薄のダイヤフラム部
２と、その外側周囲に肉厚の支持部３とを備えている。
このダイヤフラム部２の支持部３よりにピエゾ抵抗素子
からなる歪ゲージ４を４つ備えている。この歪ゲージ４
でブリッジ回路を構成しており、ダイヤフラム部２で受
けた圧力から電気信号を出力する。
１実施例の半導体圧力差圧検出器は、例えば、単結晶シ
リコンからなる半導体基板１に、肉薄のダイヤフラム部
２と、その外側周囲に肉厚の支持部３とを備えている。
このダイヤフラム部２の支持部３よりにピエゾ抵抗素子
からなる歪ゲージ４を４つ備えている。この歪ゲージ４
でブリッジ回路を構成しており、ダイヤフラム部２で受
けた圧力から電気信号を出力する。
【００１２】そして、半導体基板１の上面には、歪ゲー
ジ４を保護する二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる酸化膜
５と、さらに酸化膜５に加えて歪ゲージ４を保護する窒
化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）からなる補強層６を備えている。こ
の酸化膜５と補強層６とは、ダイヤフラム部２の歪ゲー
ジ４が形成された領域を含む部分と支持部３とを覆うよ
うに積層形成してあり、図１で示すように田の字状に形
成してある。それ以外の部分には、本実施例では、酸化
膜５，補強層６ともに設けられていない。なお、半導体
基板１の酸化膜５，補強層６の上面には、図２中ｆで示
すように、歪ゲージ４の出力を取り出すアルミ配線７が
設けられている。なお、補強層６を半導体基板１の歪ゲ
ージ４を形成した面に、歪ゲージ４と歪ゲージ４を電気
的に接続する図示しない配線パターンを覆うように設け
たことにより、歪ゲージ４と前記配線パターンの保護も
おこなっている。
ジ４を保護する二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる酸化膜
５と、さらに酸化膜５に加えて歪ゲージ４を保護する窒
化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）からなる補強層６を備えている。こ
の酸化膜５と補強層６とは、ダイヤフラム部２の歪ゲー
ジ４が形成された領域を含む部分と支持部３とを覆うよ
うに積層形成してあり、図１で示すように田の字状に形
成してある。それ以外の部分には、本実施例では、酸化
膜５，補強層６ともに設けられていない。なお、半導体
基板１の酸化膜５，補強層６の上面には、図２中ｆで示
すように、歪ゲージ４の出力を取り出すアルミ配線７が
設けられている。なお、補強層６を半導体基板１の歪ゲ
ージ４を形成した面に、歪ゲージ４と歪ゲージ４を電気
的に接続する図示しない配線パターンを覆うように設け
たことにより、歪ゲージ４と前記配線パターンの保護も
おこなっている。
【００１３】本実施例の製造工程を図２を用いて説明す
る。まず、半導体基板１の下部に水酸化カリウム水溶液
で凹部８を設けダイヤフラム部２を形成する（図２中ａ
参照）。次に、半導体基板１上面にボロンを拡散するこ
とにより歪ゲージ４を形成し、その上面に酸化膜５を形
成する（図２中ｂ参照）。さらにその上面に補強層６を
形成する（図２中ｃ参照）。そして、補強層６を図１で
示すように田の字状に形成するとともにコンタクトホー
ル９を形成するために、補強層６をフォトリソグラフィ
ーによってマスキングし、ドライエッチングによって不
要部分を除去する（図２中ｄ参照）。ついで、酸化膜５
も補強層６と同様に、田の字状に形成するとともにコン
タクトホール９を形成するため、フォトリソグラフィー
によってマスキングし、バッファードフッ酸を用いてウ
ェットエッチングによって不要部分を除去する（図２中
ｅ参照）。エッチングにより形成したコンタクトホール
９を介して、歪ゲージ４に接続するアルミ配線７を形成
して半導体圧力差圧検出器が完成する（図２中ｆ参
照）。
る。まず、半導体基板１の下部に水酸化カリウム水溶液
で凹部８を設けダイヤフラム部２を形成する（図２中ａ
参照）。次に、半導体基板１上面にボロンを拡散するこ
とにより歪ゲージ４を形成し、その上面に酸化膜５を形
成する（図２中ｂ参照）。さらにその上面に補強層６を
形成する（図２中ｃ参照）。そして、補強層６を図１で
示すように田の字状に形成するとともにコンタクトホー
ル９を形成するために、補強層６をフォトリソグラフィ
ーによってマスキングし、ドライエッチングによって不
要部分を除去する（図２中ｄ参照）。ついで、酸化膜５
も補強層６と同様に、田の字状に形成するとともにコン
タクトホール９を形成するため、フォトリソグラフィー
によってマスキングし、バッファードフッ酸を用いてウ
ェットエッチングによって不要部分を除去する（図２中
ｅ参照）。エッチングにより形成したコンタクトホール
９を介して、歪ゲージ４に接続するアルミ配線７を形成
して半導体圧力差圧検出器が完成する（図２中ｆ参
照）。
【００１４】半導体圧力差圧検出器において、低い圧力
に対し電気的出力を得るためには、ダイヤフラム部２の
肉厚を薄くする必要がある。しかし、ダイヤフラム部２
の肉厚が薄すぎると変形が大きくなってダイヤフラム部
２全体が伸びてしまい（バルーン効果）、この歪が圧力
によるダイヤフラム部２上の曲げモーメントによる歪の
他にも歪ゲージ４に作用してしまい、圧力に対する変形
の変化が直線的でなくなり、これが電気的出力の非線形
性となって誤差を生じることとなる。
に対し電気的出力を得るためには、ダイヤフラム部２の
肉厚を薄くする必要がある。しかし、ダイヤフラム部２
の肉厚が薄すぎると変形が大きくなってダイヤフラム部
２全体が伸びてしまい（バルーン効果）、この歪が圧力
によるダイヤフラム部２上の曲げモーメントによる歪の
他にも歪ゲージ４に作用してしまい、圧力に対する変形
の変化が直線的でなくなり、これが電気的出力の非線形
性となって誤差を生じることとなる。
【００１５】そこで、本実施例のように、肉厚の薄いダ
イヤフラム部２の歪ゲージ４を形成した領域と支持部３
とに一体に補強層６を覆うように形成したことにより、
補強層６が歪ゲージ４を形成したダイヤフラム部２を補
強して、歪ゲージ４を設けたダイヤフラム部２の領域に
おいて圧力による伸びを抑えるので、ダイヤフラム部２
の肉厚が薄い場合に生じるバルーン効果の影響を抑える
ことができ、圧力に対して直線的に比例した電気的出力
を得ることができる。
イヤフラム部２の歪ゲージ４を形成した領域と支持部３
とに一体に補強層６を覆うように形成したことにより、
補強層６が歪ゲージ４を形成したダイヤフラム部２を補
強して、歪ゲージ４を設けたダイヤフラム部２の領域に
おいて圧力による伸びを抑えるので、ダイヤフラム部２
の肉厚が薄い場合に生じるバルーン効果の影響を抑える
ことができ、圧力に対して直線的に比例した電気的出力
を得ることができる。
【００１６】従来の単結晶シリコンからなる半導体基板
のダイヤフラム部を二段の異なった厚さに形成する場合
に比べて、本実施例の構成は、容易に加工を行うことが
できる。なぜならば、補強層６のエッチングは、酸化膜
５の部分でそのエッチングの速度が大幅に落ちるように
エッチングガスや条件を設定できるので、ほぼエッチン
グが停止したような状態となり、精度良くかつ容易に加
工を行うことができるからであり、これにより、ひいて
は生産性が向上する。
のダイヤフラム部を二段の異なった厚さに形成する場合
に比べて、本実施例の構成は、容易に加工を行うことが
できる。なぜならば、補強層６のエッチングは、酸化膜
５の部分でそのエッチングの速度が大幅に落ちるように
エッチングガスや条件を設定できるので、ほぼエッチン
グが停止したような状態となり、精度良くかつ容易に加
工を行うことができるからであり、これにより、ひいて
は生産性が向上する。
【００１７】なお、本実施例では、酸化膜５，補強層６
ともにエッチングをおこなったが、図示してはいない
が、補強層６のみをエッチング等で加工し、酸化膜５に
はコンタクトホール９以外の加工を施さず、酸化膜５を
半導体基板１上に残した形状でも良い。
ともにエッチングをおこなったが、図示してはいない
が、補強層６のみをエッチング等で加工し、酸化膜５に
はコンタクトホール９以外の加工を施さず、酸化膜５を
半導体基板１上に残した形状でも良い。
【００１８】図４は本発明の第２実施例の上面図、図５
は図４中のＢ−Ｂ線の断面図であり、前記第１実施例と
は補強層６の形状が異なっており、ロの字状の補強層６
に歪ゲージ４を覆う補強層６を一体に設けた形状であ
る。本実施例も、補強層６が歪ゲージ４を形成したダイ
ヤフラム部２を補強し、そのダイヤフラム部２の部分の
圧力による伸びを抑えるので、ダイヤフラム部２が薄い
場合に生じるバルーン効果の影響を低減することがで
き、圧力に対して直線的に比例した電気的出力を得るこ
とができ、前記実施例と同様の作用効果を得ることがで
きる。
は図４中のＢ−Ｂ線の断面図であり、前記第１実施例と
は補強層６の形状が異なっており、ロの字状の補強層６
に歪ゲージ４を覆う補強層６を一体に設けた形状であ
る。本実施例も、補強層６が歪ゲージ４を形成したダイ
ヤフラム部２を補強し、そのダイヤフラム部２の部分の
圧力による伸びを抑えるので、ダイヤフラム部２が薄い
場合に生じるバルーン効果の影響を低減することがで
き、圧力に対して直線的に比例した電気的出力を得るこ
とができ、前記実施例と同様の作用効果を得ることがで
きる。
【００１９】なお、本実施例でも、酸化膜５，補強層６
ともにエッチングをおこなったが、図示してはいない
が、補強層６のみをエッチング等で加工し、酸化膜５に
はコンタクトホール９以外の加工を施さず、酸化膜５を
半導体基板１上に残した形状でも良い。
ともにエッチングをおこなったが、図示してはいない
が、補強層６のみをエッチング等で加工し、酸化膜５に
はコンタクトホール９以外の加工を施さず、酸化膜５を
半導体基板１上に残した形状でも良い。
【００２０】図６，図７は、本発明の第３実施例を示す
ものであり、低い圧力でも反応するダイヤフラム部２で
あるならば、補強層６を、ダイヤフラム部２の歪ゲージ
４が形成された領域と支持部３とを肉厚の厚い肉厚部６
ａで覆い、肉厚部６ａで覆われた部分以外のダイヤフラ
ム部２を肉厚の薄い肉薄部６ｂで覆う補強層６を一体に
形成してもよい。
ものであり、低い圧力でも反応するダイヤフラム部２で
あるならば、補強層６を、ダイヤフラム部２の歪ゲージ
４が形成された領域と支持部３とを肉厚の厚い肉厚部６
ａで覆い、肉厚部６ａで覆われた部分以外のダイヤフラ
ム部２を肉厚の薄い肉薄部６ｂで覆う補強層６を一体に
形成してもよい。
【００２１】また図８は、本発明の第４実施例を示すも
のであり、低い圧力でも反応するダイヤフラム部２であ
るならば、補強層６を、ダイヤフラム部２の歪ゲージ４
が形成された領域と支持部３を肉厚の厚い肉厚部６ａで
覆い、肉厚部６ａで覆われた部分以外のダイヤフラム部
２を肉厚の薄い肉薄部６ｂで覆う補強層６を形成しても
よい。
のであり、低い圧力でも反応するダイヤフラム部２であ
るならば、補強層６を、ダイヤフラム部２の歪ゲージ４
が形成された領域と支持部３を肉厚の厚い肉厚部６ａで
覆い、肉厚部６ａで覆われた部分以外のダイヤフラム部
２を肉厚の薄い肉薄部６ｂで覆う補強層６を形成しても
よい。
【００２２】第３，第４実施例でも前記第１，第２実施
例と同様に、補強層６の肉厚部６ａが歪ゲージ４を形成
したダイヤフラム部２を補強し、そのダイヤフラム部２
の部分の圧力による伸びを抑えるので、ダイヤフラム部
２全面が薄い場合に生じるバルーン効果の影響を低減す
ることができ、圧力に対して直線的に比例した電気的出
力を得ることができる。
例と同様に、補強層６の肉厚部６ａが歪ゲージ４を形成
したダイヤフラム部２を補強し、そのダイヤフラム部２
の部分の圧力による伸びを抑えるので、ダイヤフラム部
２全面が薄い場合に生じるバルーン効果の影響を低減す
ることができ、圧力に対して直線的に比例した電気的出
力を得ることができる。
【００２３】なお、前記各実施例において、支持部３の
全面を補強層６で覆っていたが、支持部３全面を覆う必
要はなく、一部半導体基板１が露出しても何等差し支え
はなく、歪ゲージ４を設けた部分のダイヤフラム部２を
覆う補強層６と、この歪ゲージ４を覆った補強層６を保
持するために、支持部３を覆うように積層した補強層６
とを一体に形成した形状であればよい。
全面を補強層６で覆っていたが、支持部３全面を覆う必
要はなく、一部半導体基板１が露出しても何等差し支え
はなく、歪ゲージ４を設けた部分のダイヤフラム部２を
覆う補強層６と、この歪ゲージ４を覆った補強層６を保
持するために、支持部３を覆うように積層した補強層６
とを一体に形成した形状であればよい。
【００２４】また、前記各実施例では、補強層６に窒化
珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いていたが、これに限定されるも
のではなく、絶縁性を有しヤング率の大きい材質のもの
であれば良い。
珪素（Ｓｉ3Ｎ4）を用いていたが、これに限定されるも
のではなく、絶縁性を有しヤング率の大きい材質のもの
であれば良い。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の半導体圧力
差圧検出器は、半導体基板に、肉薄のダイヤフラム部
と、その外側周囲に肉厚の支持部とを備え、前記ダイヤ
フラム部にピエゾ抵抗素子からなる歪ゲージを形成した
ものである。そして、前記ダイヤフラム部の前記歪ゲー
ジが形成された領域と前記支持部の少なくとも一部とを
覆う補強層を形成したことにより、歪ゲージを設けた領
域のダイヤフラム部の強度が増し、低圧の測定でも圧力
と出力との関係の直線性を保持するとともに、精度が良
く容易に加工をおこなうことができる。
差圧検出器は、半導体基板に、肉薄のダイヤフラム部
と、その外側周囲に肉厚の支持部とを備え、前記ダイヤ
フラム部にピエゾ抵抗素子からなる歪ゲージを形成した
ものである。そして、前記ダイヤフラム部の前記歪ゲー
ジが形成された領域と前記支持部の少なくとも一部とを
覆う補強層を形成したことにより、歪ゲージを設けた領
域のダイヤフラム部の強度が増し、低圧の測定でも圧力
と出力との関係の直線性を保持するとともに、精度が良
く容易に加工をおこなうことができる。
【００２６】また、前記補強層を、半導体基板の前記歪
ゲージを形成した面に設けたことにより、歪ゲージなど
を保護することができる。
ゲージを形成した面に設けたことにより、歪ゲージなど
を保護することができる。
【図１】本発明の第１実施例の上面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線で切断した断面図を用いた製
造工程図である。
造工程図である。
【図３】同実施例の一部を切り欠いた斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例の上面図である。
【図５】同実施例の図４中のＢ−Ｂ線で切断した断面図
である。
である。
【図６】本発明の第３実施例の断面図である。
【図７】同実施例の一部を切り欠いた斜視図である。
【図８】本発明の第４実施例を示す断面図である。
１ 半導体基板 ２ ダイヤフラム部 ３ 支持部 ４ 歪ゲージ ５ 酸化膜 ６ 補強層 ６ａ 肉厚部 ６ｂ 肉薄部 ７ アルミ配線 ８ 凹部 ９ コンタクトホール
Claims (2)
- 【請求項１】 肉薄のダイヤフラム部と、その外側周囲
に肉厚の支持部とを備えた半導体基板の前記ダイヤフラ
ム部に歪ゲージを設けた半導体圧力差圧検出器におい
て、前記歪ゲージが形成された領域と前記支持部とを覆
う補強層を形成したことを特徴とする半導体圧力差圧検
出器。 - 【請求項２】 肉薄のダイヤフラム部と、その外側周囲
に肉厚の支持部とを備えた半導体基板の前記ダイヤフラ
ム部に歪ゲージを設けた半導体圧力差圧検出器におい
て、前記歪ゲージが形成された領域と前記支持部とを肉
厚部で覆う補強層と前記肉厚部以外を肉薄部で覆う補強
層とを一体に形成したことを特徴とする半導体圧力差圧
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19013296A JPH1038726A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 半導体圧力差圧検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19013296A JPH1038726A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 半導体圧力差圧検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1038726A true JPH1038726A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16252934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19013296A Pending JPH1038726A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 半導体圧力差圧検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1038726A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010002405A (ja) * | 2008-05-23 | 2010-01-07 | Alps Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JP2012083162A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Yokogawa Electric Corp | 振動式圧力センサ |
| US9651441B2 (en) | 2014-05-15 | 2017-05-16 | Continental Automotive Systems, Inc. | Pressure sensor device with high sensitivity and high accuracy |
| JP2021039043A (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | ミツミ電機株式会社 | 圧力感知素子及び圧力センサ |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP19013296A patent/JPH1038726A/ja active Pending
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