JP2016033969A - 電子部品、及び電子ユニット - Google Patents

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Abstract


【課題】信頼性のさらなる向上を図ることができる電子部品を提供する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、電子部品は、金属部と、前記金属部の少なくとも一部を覆うモールド樹脂と、前記金属部の表面と前記モールド樹脂との間に設けられた分子接着層とを備える。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、電子部品及び電子ユニットに関する。
機能性分子接着剤を付与して無電解めっきで導電性回路を形成する成型回路部品の製造方法が提案されている。
特開２００９−３０２０８１号公報
電子部品及び電子ユニットは、信頼性のさらなる向上が期待されている。
本発明の目的は、信頼性のさらなる向上を図ることができる電子部品及び電子ユニットを提供することである。
実施形態によれば、電子部品は、金属部と、前記金属部の少なくとも一部を覆うモールド樹脂と、前記金属部の表面と前記モールド樹脂との間に設けられた分子接着層とを備える。
第１実施形態に係る電子部品の斜視図。 図１中に示された電子部品の断面図。 図１中に示された電子部品の製造工程の流れの全体を示す斜視図。 図１中に示された電子部品の製造工程の流れの一部を示す断面図。 図１中に示された電子部品の製造工程の流れの一部を示す断面図。 図１中に示された電子部品の製造工程の流れの一部を示す断面図。 第１実施形態に係る電子部品の一つの変形例の断面図。 第２実施形態に係る電子ユニットの断面図。
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
本明細書では、いくつかの要素に複数の表現の例を付している。なおこれら表現の例はあくまで例示であり、上記要素が他の表現で表現されることを否定するものではない。また、複数の表現が付されていない要素についても、別の表現で表現されてもよい。
また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との間係や各層の厚みの比率などは現実のものと異なることがある。また、図面相互間において互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることもある。
（第１実施形態）
図１及び図２は、第１実施形態に係る電子部品１を示す。電子部品１は、「半導体部品」、「半導体パッケージ」、「パッケージ」、「電子ユニット」、「電子機器」、「電子システム」、及び「システム」の其々一例である。電子部品１は、例えばウエハレベルパッケージ（ウエハレベルＣＳＰ（Wafer level Chip Size Package））のＬＥＤチップであるが、これに限られるものではない。本実施形態の構成は、ＬＥＤチップ以外の種々の電子部品にも広く適用可能である。
図１及び図２に示すように、電子部品１は、発光素子１１、複数の金属電極１２ａ，１２ｂ、モールド樹脂１３、蛍光体層１４、及び分子接着層１５を有する。発光素子１１（半導体発光素子、発光層、発光部）は、「半導体素子」、「本体部」、「部品本体」、及び「素子部」の其々一例であり、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。なお本実施形態が適用可能な半導体素子、本体部または部品本体は、発光素子に限らず、他の機能を有した素子でもよい。発光素子１１は、平面視で略矩形の薄膜状（薄板状）に形成されている。
発光素子１１は、例えば青色光を発光するＩｎＧａＮ層を含む。詳しく述べると、発光素子１１は、例えば、第１クラッド層２１、第２クラッド層２２、及び活性層２３を有する。第１クラッド層２１、第２クラッド層２２、及び活性層２３の各々は、平面視で略矩形の薄膜状に形成されている。
第１クラッド層２１は、例えばｎ型半導体の層であり、例えば電子部品１の略全幅に近い幅を有する。第２クラッド層２２は、ｐ型半導体の層である。第２クラッド層２２は、第１クラッド層２１よりも小さな面積を有するとともに、第１クラッド層２１の中心からずれた位置に設けられている。
活性層２３は、例えば第２クラッド層２２と略同じ外形を有し、第１クラッド層２１と第２クラッド層２２との間に設けられている。活性層２３は、第１クラッド層２１と第２クラッド層２２との間に電位差が与えられると光を放射する。これにより、発光素子１１は、例えば青色光を放射する。なお、発光素子１１は、青色光以外の光を放射するものでもよい。また、発光素子１１は、第２クラッド層２２の下面を覆う光反射層を有してもよい。
図２に示すように、発光素子１１は、第１面１１ａ（第１主面）、第２面１１ｂ（第２主面）、及び第３面１１ｃ（側面）を有する。第１面１１ａは、図２中における上面であり、第１クラッド層２１の表面によって形成されている。第２面１１ｂは、図２中における下面であり、第１面１１ａとは反対側に位置する。第２面１１ｂは、第１クラッド層２１の表面の一部と第２クラッド層２２の表面とによって形成されている。第２面１１ｂは、第１面１１ａと略平行に延びるとともに、その途中に後述する段差部２５を有する。第３面１１ｃは、第１面１１ａ及び第２面１１ｂとは略直交した方向に延び、第１面１１ａの縁と第２面１１ｂの縁とを繋ぐ。
発光素子１１は、互いに厚さが異なる第１部分２６と、第２部分２７とを有する。第１部分２６は、第２クラッド層２２を外れた領域に位置し、第１クラッド層２１の厚さと略等しい第１厚さＴ１を有する。第２部分２７は、第１クラッド層２１、第２クラッド層２２、及び活性層２３を含み、第１厚さＴ１よりも厚い第２厚さＴ２を有する。段差部２５は、第１部分２６と第２部分２７との間に位置し、第１部分２６と第２部分２７との厚さの違いによって形成されている。段差部２５は、発光素子１１の厚さ方向に延びた起立面２５ａを含む。
図２に示すように、発光素子１１の第２面１１ｂは、シード層２８を有してもよい。シード層２８は、例えば金属電極１２ａ，１２ｂをめっきで形成するときの給電層となる導電膜である。シード層２８は、例えばＴｉ／Ｃｕなどの積層膜によって形成される。
図１及び図２に示すように、複数の金属電極１２ａ，１２ｂは、発光素子１１の第２面１１ｂに設けられ、発光素子１１に接続されている。金属電極１２ａ，１２ｂの各々は、「金属部」の一例である。金属電極１２ａ，１２ｂは、発光素子１１の第２面１１ｂから、発光素子１１の厚さ方向（発光素子１１の第２面１１ｂと略直交した方向）に、略直方体の柱状、または円柱状に突出している。なお、「発光素子１１に設けられた（接続された）」とは、シード層２８を介して発光素子１１に設けられた（接続された）場合も含む。
第１及び第２の金属電極１２ａ，１２ｂの各々は、端面３１と、周面３２（側面）とを有する。端面３１は、発光素子１１とは反対側に位置した金属電極１２ａ，１２ｂの突出面であり、発光素子１１の第２面１１ｂと略平行である。周面３２は、金属電極１２ａ，１２ｂの突出方向に延びており、端面３１の周縁と発光素子１１との間を繋ぐ。
本実施形態では、複数の金属電極１２ａ，１２ｂは、第１電極１２ａ（ｎ側電極）と、第２電極１２ｂ（ｐ側電極）とを含む。第１電極１２ａは、発光素子１１の第１部分２６に設けられ、第１クラッド層２１に電気的に接続されている。一方で、第２電極１２ｂは、発光素子１１の第２部分２７に設けられ、第２クラッド層２２に電気的に接続されている。これにより、発光素子１１は、金属電極１２ａ，１２ｂを介して給電可能である。金属電極１２ａ，１２ｂの材料は、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、錫、ニッケル、含鉛はんだ、無鉛はんだなどの金属であり、好ましくは、銅である。
ここで、第１及び第２の金属電極１２ａ，１２ｂの各々は、電極層と、金属ポスト３３とを含んでもよい。電極膜（電極層）は、金属電極１２ａ，１２ｂの基部に位置し、発光素子１１の第２面１１ｂ（またはシード層２８）に設けられる。電極膜は、Ｎｉ／Ａｕなどの金属で例えば０．１μｍの厚さに形成される。
一方で、金属ポスト３３は、電極膜から発光素子１１の厚さ方向に大きく突出し、金属電極１２ａ，１２ｂの大部分を占める。金属ポスト３３は、Ｃｕなどの金属で形成される。なお、上記電極膜は、省略されてもよい。すなわち、金属電極１２ａ，１２ｂの各々は、金属ポスト３３のみによって構成されてもよい。このため、本明細書中における「金属電極」との記載は、適宜、「金属ポスト」と読み替えてもよい。
図１及び図２に示すように、モールド樹脂１３（封止樹脂、絶縁樹脂、樹脂部）は、複数の金属電極１２ａ，１２ｂを囲むように設けられ、電子部品１の外形の一部を形成する。モールド樹脂１３は、発光素子１１の少なくとも一部と金属電極１２ａ，１２ｂの少なくとも一部とを覆う。詳しく述べると、モールド樹脂１３は、第１及び第２の金属電極１２ａ，１２ｂの端面３１を外部に露出させるとともに、第１及び第２の金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２の略全部を覆う。
モールド樹脂１３の一部は、第１電極１２ａと第２電極１２ｂとの間に位置し、第１電極１２ａと第２電極１２ｂとの間を絶縁するとともに、発光素子１１の第２面１１ｂを覆う。モールド樹脂１３の一部は、発光素子１１の段差部２５を覆う（例えば段差部２５の起立面２５ａを覆う）。またモールド樹脂１３の他の一部は、発光素子１１の側方に回り込み、発光素子１１の第３面１１ｃ（側面）を覆う。
なお、発光素子１１の第２面１１ｂは、第１及び第２の金属電極１２ａ，１２ｂに重ならない領域に、絶縁性のパッシベーション膜を有してもよいが、このパッシベーション膜は省略されてもよい。
モールド樹脂１３の材料は、例えば、熱硬化性樹脂または紫外線硬化樹脂であるが、これらに限られるものではない。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂などが一例として挙げられる。また、モールド樹脂１３は、充填材を含有してもよい。充填材は、例えば、シリカであるが、これに限られるものでなく、タルク、アルミナなどの絶縁材料を適宜用いてもよい。
図１及び図２に示すように、発光素子１１の第１面１１ａには、蛍光体層１４が設けられている。蛍光体層１４は、「透光部」及び「透光層」の其々一例である。発光素子１１の第１面１１ａは、蛍光体層１４に覆われる。蛍光体層１４は、例えば電子部品１の外形の一部を構成する。蛍光体層１４は、青色光を長波長光に変換する蛍光体の粒子が混合された樹脂で形成され、発光素子１１の第１面１１ａの略全てを覆う。なお、電子部品１に設けられる「透光部」及び「透光層」は、蛍光体層１４に代えて無色の透光層などでもよい。
次に、本実施形態に係る分子接着層１５（分子接合層、接着分子層）について説明する。なお、本明細書における「分子接着」とは、分子接着剤となる化合物を２つの接着対象の間に付与し、化学結合によってこれら２つの接着対象を接着（接合）することを指す。
図２に示すように、分子接着層１５は、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３との間などに介在し、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３とを接着（接合、接着結合、化学結合）する。分子接着層１５の厚さは、例えば１ｎｍ〜数ｎｍである。
分子接着層１５は、金属電極１２ａ，１２ｂの表面などに分子接着剤（機能性分子接着剤、分子接合剤）を付与することが形成される。分子接着剤の一例は、下記一般式（化１）で表されるチオール反応性アルコキシシラン化合物である。
Figure 2016033969
式中、Ｒ１は、水素原子または炭化水素基である。炭化水素基としては、例えば、ＣＨ３−，Ｃ２Ｈ５−，ｎ−Ｃ３Ｈ７−，ｎ−Ｃ４Ｈ９−，Ｃ６Ｈ１１−，ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−，またはＣ６Ｈ５−などが挙げられる。
式中、Ｒ２は、炭化水素鎖または異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素鎖である。異種原子としては、例えば、硫黄原子、または窒素原子などが挙げられる。官能基としては、例えば、カルバモイル基、またはウレア基などが挙げられる。
このようなＲ２としては、例えば、−ＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２，−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ2−，−(ＣＨ２ＣＨ２)２ＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，−Ｃ６Ｈ４−，−Ｃ６Ｈ４Ｃ６Ｈ４−，−ＣＨ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＯＣＯＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＯＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−，または−(ＣＨ２ＣＨ２)２ＣＨＯＣＯＮＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−などが挙げられる。
式中、Ｘは、水素原子または炭化水素基である。炭化水素基としては、例えば、ＣＨ３−，Ｃ２Ｈ５−，ｎ−Ｃ３Ｈ７−，ｉ−Ｃ３Ｈ７−，ｎ−Ｃ４Ｈ９−，ｉ−Ｃ４Ｈ９−，またはｔ−Ｃ４Ｈ９−などが挙げられる。
式中、Ｙは、アルコキシ基である。アルコキシ基としては、例えば、ＣＨ３Ｏ−，Ｃ２Ｈ５Ｏ−，ｎ−Ｃ３Ｈ７Ｏ−，ｉ−Ｃ３Ｈ７Ｏ−，ｎ−Ｃ４Ｈ９Ｏ−，ｉ−Ｃ４Ｈ９Ｏ−，またはｔ−Ｃ４Ｈ９Ｏ−などが挙げられる。
式中、ｎは、１乃至３の整数である。
式中、Ｍは、アルカリ金属である。アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，またはＣｓなどが挙げられる。
このようなチオール反応性アルコキシシラン化合物の一例としては、分子中にジチオールトリアジニル基及びトリエトキシシリル基を有する６−（３−トリエトキシシリルプロピルアミノ）−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオールモノソジウム塩（ＴＥＳ）が挙げられる。なお、分子接着剤は、１組成である必要はなく、２種類以上を混合して用いることができる。なお、上記分子接着剤の組成は、あくまで例示であり、本実施形態の分子接着剤が上記例に限られるものではない。
図２に示すように、本実施形態では、分子接着層１５は、第１部分１５ａ、第２部分１５ｂ、及び第３部分１５ｃを有する。ここで、Ｘ方向と、Ｙ方向とを定義する。Ｘ方向は、発光素子１１の第１面１１ａと略平行な方向であり、第１電極１２ａから第２電極１２ｂに向かう方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差した（例えば略直交した）方向であり、発光素子１１の厚さ方向である。
第１部分１５ａは、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２（側面）とモールド樹脂１３との間に介在し、Ｙ方向に延びている。第１部分１５ａは、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２の略全域に形成されている。第１部分１５ａは、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２とモールド樹脂１３との間を分子接合によって接着する。
第２部分１５ｂは、発光素子１１の第２面１１ｂとモールド樹脂１３との間に介在し、Ｘ方向に延びている。第２部分１５ｂは、例えば金属電極１２ａ，１２ｂを除く第２面１１ｂの略全域に設けられている。第２部分１５ｂは、発光素子１１の第２面１１ｂとモールド樹脂１３との間を分子接合によって接着する。
また、第２部分１５ｂの一部は、例えば発光素子１１の段差部２５の表面とモールド樹脂１３との間に位置する。さらに言えば、第２部分１５ｂの一部は、段差部２５の起立面２５ａに設けられ、Ｙ方向に延びている。すなわち、第２部分１５ｂは、起立面２５ａとモールド樹脂１３との間に位置し、起立面２５ａとモールド樹脂１３との間を分子接合によって接着する。
なお、発光素子１１の第２面１１ｂにパッシベーション膜が設けられた場合は、第２部分１５ｂは、パッシベーション膜とモールド樹脂１３との間に介在される。このような場合も、ここで言う「分子接着層は、発光素子の第２面とモールド樹脂との間に設けられる」及び「分子接着層は、発光素子の第２面とモールド樹脂とを接着する」に含まれる。
第３部分１５ｃは、発光素子１１の第３面１１ｃ（側面）とモールド樹脂１３との間に介在し、Ｙ方向に延びている。第３部分１５ｃは、発光素子１１の第３面１１ｃの略全域に形成されている。第３部分１５ｃは、発光素子１１の第３面１１ｃとモールド樹脂１３との間を分子接合によって接着する。
そして本実施形態では、上述の第１乃至第３部分１５ａ，１５ｂ，１５ｃの全てがひと続きに形成され、互いに繋がっている。すなわち、Ｙ方向に延びた第１及び第３部分１５ａ，１５ｃと、Ｘ方向に延びた第２部分１５ｂとが一体に形成されている。
次に、この電子部品１の製造方法の一例について説明する。
図３は、電子部品１の製造方法の全体の流れを示す。図４乃至図６は、電子部品１の製造方法の各工程の詳細を示す。
製造方法の一例では、図４に示すように、まず、基材としてのウエハ４１を準備する（図４（ａ））。本実施形態では、ウエハ４１は、例えばシリコンウエハであるが、これに限らず、例えばサフィアウエハやその他の基材でもよい。ウエハ４１は、例えば略円盤状に形成されている。
次に、ウエハ４１の上に、第１クラッド層２１の薄膜を形成する（図４（ｂ））。続いて、第１クラッド層２１の上に、活性層２３及び第２クラッド層２２を形成する（図４（ｃ））。これにより、発光素子１１が形成される。
次に、例えばウエハ４１の略全面に、シード層２８を形成する（図４（ｄ））。シード層２８は、例えばＴｉ／Ｃｕなどの積層膜をスパッタまたは蒸着などで形成することで設けられる。
次に、例えばウエハ４１の略全面に、犠牲層となるレジスト層４２を形成する（図４（ｅ））。レジスト層４２としては、例えば感光性の液状レジストやドライフィルムレジストなどを用いることができる。次に、例えば露光及び現像により、金属電極１２ａ，１２ｂに対応する開口部４２ａをレジスト層４２に開口する（図４（ｆ））。
図５は、図４の工程の後に続く工程を示す。図５に示すように、レジスト層４２に開口部４２ａを形成した後、例えば電気めっき法により、金属電極１２ａ，１２ｂとなるめっき層を開口部４２ａに形成する（図５（ｇ））。そして、レジスト層４２をウエハ４１から剥離して除去する（図５（ｈ））。その後、例えば酸洗浄により、シード層２８を除去する（図５（ｉ））。これにより、図３（ａ）に示される中間生成品４３が完成する。
次に、金属電極１２ａ，１２ｂの表面などに分子接着剤を付与することで分子接着層１５を形成する（図５（ｊ））。分子接着層１５は、例えば上記中間生成品４３を分子接着剤が溶解した溶液に浸漬されることで形成されもよいし、例えば上記中間生成品４３の表面などに分子接着剤を噴気状に吹き付けることで形成してもよい。
次に、分子接着層１５が設けられた金属電極１２ａ，１２ｂを覆うようにモールド樹脂１３が設けられる（図５（ｋ））。モールド樹脂１３は、分子接着層１５と化学反応し、分子接着層１５と強固に結合する。これにより、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３とは、分子接着層１５を介して強固に結合される。
図６は、図５の工程の後に続く工程を示す。図３及び図６に示すように、分子接着層１５を形成した後、ウエハ４１が除去される（図３（ｂ）、図６（ｌ））。これにより、中間生成品４３において発光素子１１が外部に露出する。次に、発光素子１１の第１面１１ａを覆うように蛍光体層１４が設けられる（図３（ｃ）、図６（ｍ））。次に、金属電極１２ａ，１２ｂの端面３１がモールド樹脂１３の外部に露出するように、中間生成品４３の表面（下面）を研削する（図６（ｎ））。次に、中間生成品４３をダイジングによって個片化する（図３（ｄ）、図６（ｏ））。これにより、電子部品１が得られる。
このような構成の電子部品１によれば、信頼性のさらなる向上を図ることができる。ここで、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３との間に細かな空気層が存在すると、一般的な使用では問題が無いとしても、例えば過酷な環境で使用された場合、熱の影響などで空気層が膨張し、電子部品１の信頼性に影響が生じる可能性がゼロではない。この影響を回避するためには、例えば金属電極１２ａ，１２ｂの表面を粗面化し、金属電極１２ａ，１２ｂとモールド樹脂との接着力を高めることが考えられる。しかしながら、この金属電極１２ａ，１２ｂの表面を粗面化する処理は、発光素子１１に不用な影響を与える可能性がある。
そこで、本実施形態に係る電子部品１は、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３との間に分子接着層１５を設けられている。このような構成によれば、金属電極１２ａ，１２ｂとモールド樹脂１３とが分子接着層１５を介して強固に結合され、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３との密着性が高まる。これにより、金属電極１２ａ，１２ｂの表面とモールド樹脂１３との間に空気層が入り込む可能性をさらに確実に小さくすることができる。これにより、電子部品１の信頼性の向上をこれまで以上に図ることができる。
また、本実施形態によれば、金属電極１２ａ，１２ｂの表面を粗面化する処理が必要なくなる。これは、発光素子１１に不用な影響を与える可能性を回避することができるとともに、さらに、表皮効果による金属電極１２ａ，１２ｂの抵抗ロスを小さくすることができる。これにより、電子部品１の省電力化も同時に図ることができる。
本実施形態では、分子接着層１５は、発光素子１１の第２面１１ｂとモールド樹脂１３との間にも設けられる。このような構成によれば、発光素子１１とモールド樹脂１３とが分子接着層１５を介して強固に結合され、発光素子１１の表面とモールド樹脂１３との密着性が高まる。これにより、発光素子１１の表面とモールド樹脂１３との間に空気層が入り込む可能性をさらに確実に小さくすることができる。これにより、電子部品１の信頼性のさらなる向上を図ることができる。
本実施形態では、金属電極１２ａ，１２ｂは、該金属電極１２ａ，１２ｂの突出方向に延びた周面３２を有する。金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２とモールド樹脂１３との間に介在し、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２とモールド樹脂１３とを強固に接合している。ここで、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２は、発光素子１１の第２面１１ｂとは略直交した方向に延びるため、接着剤などを均一に付与しにくい部分の一つである。しかしながら、分子接着層１５は、このような周面３２にも均一に付与しやすいため、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２とモールド樹脂１３との間に適切に設けることができる。
本実施形態では、分子接着層１５は、金属電極１２ａ，１２ｂの周面３２とモールド樹脂１３との間に介在した第１部分１５ａと、発光素子１１の第２面１１ｂとモールド樹脂１３との間に介在した第２部分１５ｂとがひと続きに形成されている。このような構成によれば、分子接着層１５は、Ｙ方向に延びた第１部分１５ａとＸ方向に延びた第２部分１５ｂとが一体的な接続部を形成し、これにより、発光素子１１及び金属電極１２ａ，１２ｂの各々とモールド樹脂１３との間の結合をさらに強くすることができる。
本実施形態では、分子接着層１５は、発光素子１１の第３面１１ｃ（側面）とモールド樹脂１３との間にも設けられる。このような構成によれば、発光素子１１とモールド樹脂１３との間の結合をさらに強くすることができる。
本実施形態では、発光素子１１は、段差部２５を有する。分子接着層１５は、段差部２５の表面とモールド樹脂１３との間にも設けられる。このような構成によれば、段差部２５のような発光素子１１とモールド樹脂１３との間の密着性が小さくなりやすい部位でも、発光素子１１とモールド樹脂１３との間の結合を強くすることができる。
図７は、本実施形態に係る一つの変形例の電子部品１を示す。この変形例では、シード層２８に代えて、第２の分子接着層６８によって形成されている。第２の分子接着層６８の組成は、第１の分子接着層１５と略同じである。このような分子接着層６８を設け、パラジウムのような触媒を付与することで、分子接着層６８の上にめっきなどで電極１２ａ，１２ｂを形成することができる。これにより、シード層２８を形成するための比較的高価なスパッタのような工程を省略することができる。これにより、電子部品１の低コスト化を図ることができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る電子ユニット５１ついて説明する。なお、第１実施形態の構成と同一または類似の機能を有する構成は、同一の符号を付してその説明を省略する。また、下記に説明する以外の構成は、第１実施形態と同じである。
図８は、本実施形態に係る電子ユニット５１を示す。電子ユニット５１は、例えば、回路基板５２と、該回路基板５２に搭載された電子部品５３とを含む。なお、電子ユニット５１は、「電子機器」、「電子システム」、及び「システム」の其々一例である。電子部品５３は、「部品」の一例である。
回路基板５２は、プリント回路板であり、第１面５２ａと、該第１面５２ａとは反対側に位置した第２面５２ｂとを有する。第１面５２ａには、電子部品５３が接続される複数のパッドが設けられている。
図８に示すように、電子部品５３の一例は、ＢＧＡ型の半導体パッケージであり、基板６１と、半導体素子６２と、ボンディングワイヤ６３と、複数の半田ボール６４とを有する。基板６１は、電子部品５３の内部基板であり、第１面６１ａと、該第１面６１ａとは反対側に位置した第２面６１ｂと、第１面６１ａの縁と第２面６１ｂの縁とを繋ぐ第３面６１ｃとを有する。
第１面６１ａには、半導体素子６２が載せられる。半導体素子６２は、ボンディングワイヤ６３によって基板６１の第１面６１ａに電気的に接続されている。また基板６１の第１面６１ａにはモールド樹脂６５（封止樹脂）が設けられている。モールド樹脂６５は、半導体素子６２及びボンディングワイヤ６３を一体に封止する。
基板６１の第２面６１ｂは、電子部品５３の下面（裏面）の一例である。本実施形態では、基板６１の第２面６１ｂは、モールド樹脂６５の外部に露出するとともに、複数の半田ボール６４が設けられている。半田ボール６４は、基板６１に電気的に接続されるとともに、回路基板５２のパッドに接続される。
図８に示すように、電子部品５３と、回路基板５２との間には、アンダーフィル７１が設けられる。アンダーフィル７１は、「封止樹脂」、「樹脂部」、「絶縁樹脂部」、「絶縁部」、及び「補強部」の其々一例である。アンダーフィル７１は、複数の半田ボール６４を囲む。また、アンダーフィル７１は、複数の半田ボール６４の間に入り込み、複数の半田ボール６４の間を絶縁するとともに、基板６１の第２面６１ｂと回路基板５２の第１面５２ａとの間を埋めている。
一方で、電子部品５３は、該電子部品５３の厚さ方向（回路基板５２の厚さ方向）に延びた側面５３ａを有する。側面５３ａは、例えばモールド樹脂６５と基板６１の第３面６１ｃとによって形成されている。なお、側面５３ａの全部がモールド樹脂６５によって構成されてもよい。アンダーフィル７１は、電子部品５３の側面５３ａの少なくとも一部を覆うフィレット７１ａ（表面張力によって円弧状に形成される部分）を有する。
図８に示すように、本実施形態では、半田ボール６４の表面などとアンダーフィル７１との間に分子接着層１５が介在する。詳しく述べると、分子接着層１５は、第１部分１５ａ、第２部分１５ｂ、及び第３部分１５ｃを有する。
第１部分１５ａは、半田ボール６４の周面６４ａ（側面）とアンダーフィル７１との間に介在され、半田ボール６４の周面６４ａとアンダーフィル７１との間を分子接合によって接着する。第２部分１５ｂは、基板６１の第２面６１ｂ（電子部品５３の下面）とアンダーフィル７１との間に介在され、基板６１の第２面６１ｂとアンダーフィル７１とを分子接合によって接着する。第３部分１５ｃは、電子部品５３の側面５３ａとフィレット７１ａとの間に介在され、電子部品５３の側面５３ａとフィレット７１ａとの間を分子接合によって接着する。なお本実施形態では、第１乃至第３部分１５ａ，１５ｂ，１５ｃは、ひと続きに形成されている。
このような構成の電子ユニット５１によれば、第１実施形態と同様に、信頼性のさらなる向上を図ることができる。すなわち、本実施形態では、電子部品５３の表面とアンダーフィル７１との間に介在した分子接着層１５を有する。このような構成によれば、電子部品５３の表面とアンダーフィル７１との間の密着性を高めることができ、電子部品５３の表面とアンダーフィル７１との間に空気層が入り込む可能性をさらに確実に小さくすることができる。これにより、電子ユニット５１の信頼性の向上をこれまで以上に図ることができる。
本実施形態では、分子接着層１５は、半田ボール６４の表面とアンダーフィル７１との間に介在する。このような構成によれば、半田ボール６４の表面とアンダーフィル７１との間の密着性を高めることができる。これにより、電子ユニット５１の信頼性のさらなる向上を図ることができる。
本実施形態では、分子接着層１５は、電子部品５３の側面５３ａとアンダーフィル７１のフィレット７１ａとの間に介在する。このような構成によれば、電子部品５３の側面５３ａとフィレット７１ａとの間の密着性を高めることができる。これにより、電子ユニット５１の信頼性の向上をさらに図ることができる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
１…電子部品、１１…発光素子（半導体素子）、１２ａ，１２ｂ…金属電極、１３…モールド樹脂、１４…蛍光体層、１５…分子接着層、１５ａ…第１部分、１５ｂ…第２部分、１５ｃ…第３部分、２５…段差部、２６…発光素子の第１部分、２７…発光素子の第２部分、３１…端面、３２…周面、５１…電子ユニット、５２…回路基板、５３…電子部品、５３ａ…電子部品の側面、６４…半田ボール、６４ａ…周面、７１…アンダーフィル、７１ａ…フィレット

Claims (13)

  1. 半導体素子と、
    前記半導体素子に設けられて前記半導体素子に給電可能な金属電極と、
    前記金属電極を囲むように設けられ、前記半導体素子の少なくとも一部と前記金属電極の少なくとも一部とを覆うモールド樹脂と、
    前記金属電極の表面と前記モールド樹脂との間に設けられた分子接着層と、
    を備えた電子部品。
  2. 請求項１の記載において、
    前記半導体素子は、発光素子である電子部品。
  3. 請求項１または請求項２の記載において、
    蛍光体層をさらに備え、
    前記半導体素子は、前記蛍光体層に覆われた第１面と、該第１面とは反対側に位置して前記金属電極が設けられた第２面とを有し、
    前記モールド樹脂は、前記半導体素子の第２面を覆い、
    前記分子接着層は、前記半導体素子の第２面と前記モールド樹脂との間にも設けられた電子部品。
  4. 請求項３の記載において、
    前記金属電極は、前記第２面とは略直交した方向に突出するとともに、該金属電極の突出方向に延びた周面を有し、
    前記モールド樹脂は、前記金属電極の周面を覆い、
    前記分子接着層は、前記金属電極の周面と前記モールド樹脂との間に設けられた電子部品。
  5. 請求項４の記載において、
    前記分子接着層は、前記金属電極の周面と前記モールド樹脂との間に介在した第１部分と、前記半導体素子の第２面と前記モールド樹脂との間に介在した第２部分とがひと続きに形成された電子部品。
  6. 請求項３乃至請求項５のいずれかの記載において、
    前記半導体素子は、前記第１面の縁と前記第２面の縁とを繋ぐ側面を有し、
    前記モールド樹脂は、前記半導体素子の側面を覆い、
    前記分子接着層は、前記半導体素子の側面と前記モールド樹脂との間にも設けられた電子部品。
  7. 請求項３乃至請求項６のいずれかの記載において、
    前記半導体素子は、第１厚さを有した第１部分と、前記第１厚さよりも厚い第２厚さを有した第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に位置した段差部とを有し、
    前記モールド樹脂は、前記段差部を覆い、
    前記分子接着層は、前記段差部の表面と前記モールド樹脂との間にも設けられた電子部品。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれかの記載において、
    該電子部品は、ウエハレベルパッケージである電子部品。
  9. 金属部と、
    前記金属部の少なくとも一部を覆うモールド樹脂と、
    前記金属部の表面と前記モールド樹脂との間に設けられた分子接着層と、
    を備えた電子部品。
  10. 請求項９の記載において、
    前記金属部が設けられた部品本体をさらに備え、
    前記モールド樹脂は、前記部品本体の少なくとも一部を覆い、
    前記分子接着層は、前記部品本体の表面と前記モールド樹脂との間にも設けられた電子部品。
  11. 部品と、
    前記部品の少なくとも一部を覆う樹脂部と、
    前記部品の表面と前記樹脂部との間に設けられた分子接着層と、
    を備えた電子ユニット。
  12. 請求項１１の記載において、
    前記部品が搭載される回路基板をさらに備え、
    前記部品は、前記回路基板に接続される半田ボールを有し、
    前記樹脂部は、前記回路基板と前記部品との間に設けられて前記半田ボールを囲むアンダーフィルであり、
    前記分子接着層は、前記半田ボールの表面と前記アンダーフィルとの間に設けられた電子ユニット。
  13. 請求項１２の記載において、
    前記部品は、側面を有し、
    前記アンダーフィルは、前記部品の側面の少なくとも一部を覆うフィレットを有し、
    前記分子接着層は、前記部品の側面と前記フィレットとの間にも設けられた電子ユニット。
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