TWI483431B - 半導體發光結構 - Google Patents
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- TWI483431B TWI483431B TW100111560A TW100111560A TWI483431B TW I483431 B TWI483431 B TW I483431B TW 100111560 A TW100111560 A TW 100111560A TW 100111560 A TW100111560 A TW 100111560A TW I483431 B TWI483431 B TW I483431B
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 188
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 311
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 93
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au].[Au] QUCZBHXJAUTYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
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Description
本發明是有關於一種發光結構，且特別是有關於一種半導體發光結構。
隨著光電技術的進步，發光二極體(light-emitting diode,LED)的製作與應用已逐漸趨於成熟。由於發光二極體具有低污染、低功率消耗、反應時間(response time)短、使用壽命長等優點，因此其已逐漸被應用在各式光源或照明的領域，而取代螢光燈管、白熾燈泡或滷素燈等傳統發光元件。由於世界各國的環保意識逐漸高漲，在未來，發光二極體更可望成為主要照明光源，而取代目前螢光燈管的地位。
發光二極體的主要結構-發光二極體晶片-中，包括N型半導體層、發光層及P型半導體層。此外，為了使發光二極體晶片能與外部電路電性連接，N型半導體層與P型半導體層上各配置有電極，例如是含有金的電極。電極可透過打線接合的方式或覆晶結合的方式與外部電路電性連接。再者，一種習知的發光二極體晶片的部分表面披覆有絕緣層，以避免晶片於遭到污染時產生短路的現象。
然而，一般而言，發光二極體晶片的電極的上表面或側表面沒有覆蓋絕緣層，或者，即使一開始製造時電極的部分上表面或側表面覆蓋有絕緣層，但由於絕緣層與電極
的上表面的黏性較差，往往在使用一段時間後，絕緣層之覆蓋電極的部分就會脫落。如此一來，水氣便容易入侵電極。一般而言，電極的底部是採用對於半導體層有較佳附著性的金屬黏著層。當金屬黏著層遇到水氣及逆向電壓時，會容易解離而遷移(migrate)至電極外，而使得金屬黏著層逐漸消失，進而導致電極從半導體層上脫落。因此，習知發光二極體晶片容易因電極脫落而使使用壽命難以提升。
本發明提供一種具有較長使用壽命的半導體發光結構。
本發明之一實施例提出一種半導體發光結構，包括一第一導電性半導體層、一第二導電性半導體層、一發光層、一第一電極、一絕緣層及一第一黏著層。發光層配置於第一導電性半導體層與第二導電性半導體層之間。第一電極配置於第一導電性半導體層上，其中第一電極具有一背對於第一導電性半導體層的第一上表面及一連接第一上表面與第一導電性半導體層的第一側表面。絕緣層覆蓋部分第一導電性半導體層、第一電極的第一側表面及第一電極的第一上表面的邊緣，其中絕緣層具有一第一開口，以暴露出第一電極的部分第一上表面，且絕緣層的材質為不含金屬元素的化合物。第一黏著層配置於第一上表面的邊緣與絕緣層之間，以接合第一上表面與絕緣層。
本發明之另一實施例提出一種半導體發光結構，包括一第一導電性半導體層、一第二導電性半導體層、一發光層、一第一電極、一絕緣層及一第一黏著層。發光層配置於第一導電性半導體層與第二導電性半導體層之間。第一電極配置於第一導電性半導體層上，其中第一電極具有一背對於第一導電性半導體層的第一上表面及一連接第一上表面與第一導電性半導體層的第一側表面。絕緣層覆蓋部分第一導電性半導體層、第一電極的第一側表面及第一電極的第一上表面的邊緣，其中絕緣層具有一第一開口，以暴露出第一電極的部分第一上表面，且絕緣層在第一電極的第一側表面上的正投影涵蓋第一電極的整個第一側表面。第一黏著層配置於第一上表面的邊緣與絕緣層之間，以接合第一上表面與絕緣層。
在本發明之實施例之半導體發光結構中，由於採用了第一黏著層以接合第一電極與絕緣層，因此絕緣層隨著使用時間的增長並不容易從第一電極的第一上表面脫落，所以可以有效保護電極不受水氣的入侵。如此一來，第一電極便不易從第一導電性半導體層上脫落，進而延長半導體發光結構的使用壽命。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1為本發明之第一實施例之半導體發光結構的剖面
示意圖，而圖2A為圖1中之第一電極及其上之絕緣層的上視示意圖。請參照圖1與圖2A，本實施例之半導體發光結構100例如為一發光二極體晶片結構。半導體發光結構100包括一第一導電性半導體層120、一第二導電性半導體層140、一發光層130、一第一電極150、一絕緣層210及一第一黏著層180。發光層130配置於第一導電性半導體層120與第二導電性半導體層140之間。在本實施例中，第一導電性半導體層120為N型半導體層，而第二導電性半導體層140為P型半導體層。然而，在其他實施例中，亦可以是第一導電性半導體層120為P型半導體層，而第二導電性半導體層140為N型半導體層。此外，在本實施例中，第一導電性半導體層120例如為N型氮化鎵(gallium nitride,GaN)層，而第二導電性半導體層140例如為P型氮化鎵層。然而，在其他實施例中，第一導電性半導體層120與第二導電性半導體層140亦可以是砷化鎵(gallium arsenide,GaAs)層或其他三五族半導體層、二六族半導體層或其他適當的半導體層。再者，發光層130例如為量子井(quantum well)層或多重量子井(multiple quantum well)層。在本實施例中，第一導電性半導體層120配置於一基板110上，其中基板110例如為矽基板、銅基板、碳化矽(silicon carbide,SiC)基板或藍寶石(sapphire)基板。
第一電極150配置於第一導電性半導體層120上。在本實施例中，第一導電性半導體層120包括互相連接之一平台區122及一下陷區124，平台區122的厚度大於下陷
區124的厚度，而第一電極150配置於下陷區124上。在本實施例中，第一電極150包括由靠近第一導電性半導體層120的一側往遠離第一導電性半導體層120的一側依序堆疊的複數個金屬層152及154，且最靠近第一導電性半導體層120的金屬層152為金屬黏著層。舉例而言，金屬層152例如為鉻(chromium,Cr)層，而金屬層154例如為金(gold,Au)層。由於鉻層對於第一導電性半導體層120的附著性較佳，因此藉由鉻層，金層可較為穩固地附著於第一導電性半導體層120上。然而，在其他實施例中，這些依序堆疊的金屬層亦可以是由靠近第一導電性半導體層120的一側往遠離第一導電性半導體層120的一側依序堆疊的鎳層及金層、依序堆疊的鈦層、鋁層、鈦層及金層、依序堆疊的鉻層、鉑層及金層、依序堆疊的鉻層、鋁層、鉑層及金層或其他適當的依序堆疊的複合金屬層。此外，在一實施例中，第一電極150亦可以由單一的金屬層所構成，例如整個第一電極150皆為銅層。
第一電極150具有一背對於第一導電性半導體層120的第一上表面151及一連接第一上表面151與第一導電性半導體層120的第一側表面153。絕緣層210覆蓋部分第一導電性半導體層120、第一電極150的第一側表面153及第一電極150的第一上表面151的邊緣。絕緣層210具有一第一開口212，以暴露出第一電極150的部分第一上表面151，例如是暴露出第一上表面151的中央C1及其附近的中央區域。第一電極150可藉由打線接合或覆晶接合
的方式與外部電路電性連接。
第一黏著層180配置於第一上表面151的邊緣與絕緣層210之間，以接合第一上表面151與絕緣層210。在本實施例中，絕緣層210的材質例如為不含金屬元素的化合物，此處之不含金屬元素的化合物包括含類金屬(metalloid)元素的化合物或含非金屬元素的化合物。舉例而言，在本實施例中，絕緣層210的材質例如為氧化矽，其化學式例如為SiOx，其中x大於0。或者，在其他實施例中，絕緣層210的材質亦可以是其他不含金屬元素的氧化物、其他不含金屬元素的氮化物、不含金屬元素的有機化合物或其他不含金屬元素的化合物。舉例而言，在其他實施例中，絕緣層210的材質亦可以是氮化矽。在本實施例中，第一黏著層180的材質例如為鈦。然而，在其他實施例中，第一黏著層180的材質可包括鈦、鉬、鉈、鎳、鋁、鉻及鎢之至少其一。
在本實施例之半導體發光結構100中，由於採用了第一黏著層180以接合第一電極150與絕緣層210，因此絕緣層210隨著使用時間的增長並不容易從第一電極150的第一上表面151脫落，所以可以有效保護電極150不受水氣的入侵。如此一來，第一電極150便不易從第一導電性半導體層120上脫落，進而延長半導體發光結構100的使用壽命。舉例而言，藉由絕緣層210的保護，水氣便不容易入侵至用以附著於第一導電性半導體層的金屬層152(如鉻層)而使金屬層152中的鉻解離或遷移。如此一來，
金屬層152便不會隨著使用時間增長而消失，因此第一電極150便不易從第一導電性半導體層120上脫落。
為了進一步確保水氣不會入侵至第一電極150的底部(例如入侵至金屬層152)，在本實施例中，可使絕緣層210在第一電極150的第一側表面153上的正投影涵蓋第一電極150的整個第一側表面153。換言之，即絕緣層210直接或間接地完全包覆第一電極150的第一側表面153，如此即可達到良好之防止水氣入侵的效果。
在本實施例中，第一黏著層180例如呈環狀，亦即第一黏著層180環繞第一上表面151的中央C1。此外，在其他實施例中，絕緣層210的第一開口212之內緣214與第一黏著層180之靠近中央C1的內緣182實質上切齊。在本實施例中，第一電極150例如呈圓形，而第一黏著層180例如呈圓環狀，如圖2A所繪示。在另一實施例中，第一電極150亦可以是呈矩形，而第一黏著層180例如呈矩形環狀，如圖2B所繪示。然而，本發明並不限制第一電極150及第一黏著層180的形狀。在其他實施例中，第一電極150及第一黏著層180亦可以是呈其他規則的或不規則的形狀。
此外，在本實施例中，第一開口212的內徑R1與第一電極150的外徑R2的比值大於0.2且小於1。如此可確保第一黏著層180在有效地黏住絕緣層210的同時，亦使第一電極150能夠藉由打線接合製程或覆晶封裝製程而良好地電性連接至外部電路。為了使第一電極150電性連接
至外部電路的狀態更為良好，在一實施例中，可使內徑R1與外徑R2的比值大於等於0.5且小於1。
在本實施例中，半導體發光結構100更包括一第二電極160及一第二黏著層190。第二電極160配置於第二導電性半導體層140上，且第二電極160具有一背對於第二導電性半導體層140的第二上表面161及一連接第二上表面161與第二導電性半導體層140的第二側表面163。絕緣層210覆蓋部分第二導電性半導體層140、第二電極160的第二側表面163及第二電極160的第二上表面161的邊緣。此外，絕緣層210更具有一第二開口216，以暴露出第二電極160的部分第二上表面161，例如是暴露出第二上表面161的中央C2及其附近的中央區域。第二黏著層190配置於第二上表面161的邊緣與絕緣層之間，以接合第二上表面161與絕緣層210。
藉由第二黏著層190將絕緣層210牢固地黏住，可確保絕緣層210在長期使用後不易從第二電極160上脫落。如此一來，絕緣層210便可有效保護第二電極160不受水氣入侵，以使第二電極160不易從第二導電性半導體層140上脫落，進而延長本實施例之半導體發光結構100的使用壽命。第二電極160、第二黏著層190與第二開口216的其他細節(例如形狀、材料、比例及功效)可參照上述第一電極150、第一黏著層180與第一開口212的細節(例如形狀、材料、比例及功效)，在此不再重述。此外，第二電極160之依序堆疊的複數個金屬層162及164例如分
別為鉻層與金層。然而，在其他實施例中，第二電極160亦可以採用其他材質，這些材質可參照第一電極150的材質，在此不再重述。
為了進一步確保水氣不會入侵至第二電極150的底部(例如入侵至金屬層162)，在本實施例中，可使絕緣層210在第二電極160的第二側表面163上的正投影涵蓋第二電極160的整個第一側表面163。換言之，即絕緣層210直接或間接地完全包覆第二電極160的第一側表面163，如此即可達到良好之防止水氣入侵的效果。再者，為了確保外界污染源(例如液體或導電粒子)導致半導體發光結構100短路，在本實施例中，可使絕緣層210包覆至少部分第二導電性半導體層140、發光層130及第一導電性半導體層120的側表面。此外，在本實施例中，絕緣層210一體成型地從第一電極150處依序經由第一導電性半導體層120、發光層130及第二導電性半導體層140的側表面而延伸至第二電極160處。
另外，在本實施例中，半導體發光結構100更包括一透明導電層170，配置於第二導電性半導體層140上，且電性連接至第二電極160。透明導電層170具有一開口172，而第二電極160貫穿開口172而連接至第二導電性半導體層140。透明導電層170的材質例如為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)或其他適當的透明導電材質。
圖3為本發明之第二實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。請參照圖3，本實施例之半導體發光結構100a與
圖1之半導體發光結構100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例中，第二電極160a沒有貫穿透明導電層170a，而透明導電層170a連接第二電極160a與第二導電性半導體層140。換言之，第二電極160a的金屬層162a沒有直接接觸第二導電性半導體層140，而是藉由透明導電層170a而配置於第二導電性半導體層140上。
圖4為本發明之第三實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。請參照圖4，本實施例之半導體發光結構100b與圖1之半導體發光結構100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例之半導體發光結構100b中，第一黏著層180b更配置於第一電極150的第一側表面153與絕緣層210之覆蓋第一側表面153的部分之間，以接合第一側表面153與絕緣層210。如此一來，可使絕緣層210更為穩固地黏著於第一電極150上，而不易因長期使用而從第一電極150脫落。同樣地，在本實施例中，亦可使第二黏著層190b更配置於第二電極160的第二側表面163與絕緣層210之覆蓋第二側表面163的部分之間，以接合第二側表面163與絕緣層210。
圖5為本發明之第四實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。請參照圖5，本實施例之半導體發光結構100c與圖1之半導體發光結構100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例之半導體發光結構100c中，絕緣層210c包覆第一黏著層180，且絕緣層210c的第一開口212c的內緣214c位於第一上表面151的中央C1與第一黏著層180之
間。同樣地，在本實施例中，亦可使絕緣層210c包覆第二黏著層190，且絕緣層210c的第二開口216c的內緣218c位於第二上表面161的中央C2與第二黏著層190之間。
圖6為本發明之第五實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。請參照圖6，本實施例之半導體發光結構100d與圖1之半導體發光結構100類似，而兩者的差異如下所述。在本實施例之半導體發光結構100d中，絕緣層210d暴露出部分第一黏著層180，且第一黏著層180之靠近第一上表面151的中央C1的內緣182位於第一上表面151的中央C1與絕緣層210d的第一開口212d的內緣214d之間。同樣地，在本實施例中，亦可使絕緣層210d暴露出部分第二黏著層190，且第二黏著層190之靠近第二上表面161的中央C2的內緣192位於第二上表面161的中央C2與絕緣層210d的第二開口216d的內緣218d之間。
圖7為本發明之第六實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。請參照圖7，本實施例之半導體發光結構100e與圖1之半導體發光結構100類似，而兩者的差異如下所述。圖1之半導體發光結構100為水平式電極結構，而本實施例之半導體發光結構100e為垂直式電極結構。具體而言，在本實施例中，基板110e為導電基板，且基板110e可作為電極。此外，基板110e(即電極)與第一電極150是配置於半導體發光結構100e的相對兩側，這樣的結構通稱為垂直式電極結構。此外，在本實施例中，第一導電性半導體層120配置於第一電極150與發光層130之間，且第二
導電性半導體層140配置於發光層130與基板110e之間。另外，在本實施例中，第二導電性半導體層140與基板110e之間亦可配置有一導電反射層220(例如為金屬反射層)，以反射來自發光層130的光。絕緣層210e與第一電極150及第一黏著層180的相對位置關係及其他細節可參照圖1之實施例中的絕緣層210與第一電極150及第一黏著層180的相對位置關係及其他細節，在此不再重述。此外，絕緣層210e覆蓋部分第一導電性半導體層120。
圖8為本發明之第七實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。請參照圖8，本實施例之半導體發光結構100f與圖1之半導體發光結構100類似，而兩者的差異如下所述。在半導體發光結構100f中，第一黏著層180f包括複數個材料不相同之子黏著層181與183，並由子黏著層181與183堆疊而成，且第二黏著層190f包括複數個材料不相同之子黏著層191與193，並由子黏著層191與193堆疊而成。在本實施例中，子黏著層181與183例如分別為鉻層與鈦層，且子黏著層191與193例如分別為鉻層與鈦層。或者，在另一實施例中，子黏著層181與183例如分別為鈦層與氧化鈦層，且子黏著層191與193例如分別為鈦層與氧化鈦層。此外，本發明並不限定第一黏著層180f及第二黏著層190f所各自包括的子黏著層的數量，在其他實施例中，第一黏著層180f及第二黏著層190f所各自包括的子黏著層的數量可以是大於或等於3。
包括複數個堆疊的子黏著層之第一黏著層180f及第
二黏著層190f亦可應用於上述其他實施例，例如第二至第六實施例，以取代其單層結構的第一黏著層與第二黏著層。
綜上所述，在本發明之實施例之半導體發光結構中，由於採用了第一黏著層以接合第一電極與絕緣層，因此絕緣層隨著使用時間的增長並不容易從第一電極的第一上表面脫落，所以可以有效保護電極不受水氣的入侵。如此一來，第一電極便不易從第一導電性半導體層上脫落，進而延長半導體發光結構的使用壽命。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f‧‧‧半導體發光結構
110、110e‧‧‧基板
120‧‧‧第一導電性半導體層
122‧‧‧平台區
124‧‧‧下陷區
130‧‧‧發光層
140‧‧‧第二導電性半導體層
150‧‧‧第一電極
151‧‧‧第一上表面
152、154、162、162a、164‧‧‧金屬層
153‧‧‧第一側表面
160、160a‧‧‧第二電極
161‧‧‧第二上表面
163‧‧‧第二側表面
170、170a‧‧‧透明導電層
172‧‧‧開口
180、180b、180f‧‧‧第一黏著層
181、183、191、193‧‧‧子黏著層
182、192、214、214c、214d、218c、218d‧‧‧內緣
190、190b、190f‧‧‧第二黏著層
210、210c、210d、210e‧‧‧絕緣層
212、212c、212d‧‧‧第一開口
216、216c、216d‧‧‧第二開口
220‧‧‧導電反射層
C1、C2‧‧‧中央
R1‧‧‧內徑
R2‧‧‧外徑
圖1為本發明之第一實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
圖2A為圖1中之第一電極及其上之絕緣層的上視示意圖。
圖2B繪示圖2A之第一電極及其上之絕緣層的其他變化。
圖3為本發明之第二實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
圖4為本發明之第三實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
圖5為本發明之第四實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
圖6為本發明之第五實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
圖7為本發明之第六實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
圖8為本發明之第七實施例之半導體發光結構的剖面示意圖。
100‧‧‧半導體發光結構
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一導電性半導體層
122‧‧‧平台區
124‧‧‧下陷區
130‧‧‧發光層
140‧‧‧第二導電性半導體層
150‧‧‧第一電極
151‧‧‧第一上表面
152、154、162、164‧‧‧金屬層
153‧‧‧第一側表面
160‧‧‧第二電極
161‧‧‧第二上表面
163‧‧‧第二側表面
170‧‧‧透明導電層
172‧‧‧開口
180‧‧‧第一黏著層
182、214‧‧‧內緣
190‧‧‧第二黏著層
210‧‧‧絕緣層
212‧‧‧第一開口
216‧‧‧第二開口
C1、C2‧‧‧中央
Claims (23)
- 一種半導體發光結構，包括：一第一導電性半導體層；一第二導電性半導體層；一發光層，配置於該第一導電性半導體層與該第二導電性半導體層之間；一第一電極，配置於該第一導電性半導體層上，其中該第一電極具有一背對於該第一導電性半導體層的第一上表面及一連接該第一上表面與該第一導電性半導體層的第一側表面；一絕緣層，覆蓋部分該第一導電性半導體層、該第一電極的該第一側表面及該第一電極的該第一上表面的邊緣，其中該絕緣層具有一第一開口，以暴露出該第一電極的部分該第一上表面，且該絕緣層的材質為不含金屬元素的化合物；以及一第一黏著層，配置於該第一上表面的邊緣與該絕緣層之間，以接合該第一上表面與該絕緣層，其中該第一黏著層包括複數個子黏著層，該些子黏著層包括一第一金屬層及一金屬氧化物層。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該第一黏著層呈環狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該絕緣層的該第一開口之內緣與該第一黏著層之靠近該第一上表面的中央的內緣實質上切齊。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該絕緣層暴露出部分該第一黏著層，且該第一黏著層之靠近該第一上表面的中央的內緣位於該第一上表面的該中央與該絕緣層的該第一開口的內緣之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該絕緣層包覆該第一黏著層，且該絕緣層的該第一開口的內緣位於該第一上表面的中央與該第一黏著層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該第一黏著層更配置於該第一電極的該第一側表面與該絕緣層之覆蓋該第一側表面的部分之間，以接合該第一側表面與該絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該些子黏著層的材料不包括金，該第一電極包括由靠近該第一導電性半導體層的一側往遠離該第一導電性半導體層的一側依序堆疊的複數個金屬層，且最靠近該第一導電性半導體層的該金屬層為金屬黏著層，最遠離該第一導電性半導體層的該金屬層為一金層。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，更包括：一第二電極，配置於該第二導電性半導體層上，其中該第二電極具有一背對於該第二導電性半導體層的第二上表面及一連接該第二上表面與該第二導電性半導體層的第二側表面，該絕緣層覆蓋部分該第二導電性半導體層、該第二電極的該第二側表面及該第二電極的該第二上表面的 邊緣，且該絕緣層更具有一第二開口，以暴露出該第二電極的部分該第二上表面；以及一第二黏著層，配置於該第二上表面的邊緣與該絕緣層之間，以接合該第二上表面與該絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該第一開口的內徑與該第一電極的外徑的比值大於0.2且小於1。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光結構，其中該第一黏著層的材質包括鈦、鉬、鉈、鎳、鋁、鉻及鎢之至少其一。
- 如申請專利範圍第1項或第7項所述之半導體發光結構，其中該第一金屬層的材料包括鈦，該金屬氧化物層的材料包括氧化鈦。
- 一種半導體發光結構，包括：一第一導電性半導體層；一第二導電性半導體層；一發光層，配置於該第一導電性半導體層與該第二導電性半導體層之間；一第一電極，配置於該第一導電性半導體層上，其中該第一電極具有一背對於該第一導電性半導體層的第一上表面及一連接該第一上表面與該第一導電性半導體層的第一側表面；一絕緣層，覆蓋部分該第一導電性半導體層、該第一電極的該第一側表面及該第一電極的該第一上表面的邊 緣，其中該絕緣層具有一第一開口，以暴露出該第一電極的部分該第一上表面，且該絕緣層在該第一電極的第一側表面上的正投影涵蓋該第一電極的整個該第一側表面；以及一第一黏著層，配置於該第一上表面的邊緣與該絕緣層之間，以接合該第一上表面與該絕緣層，其中該第一黏著層包括複數個子黏著層，該些子黏著層包括一第一金屬層及一金屬氧化物層。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該第一黏著層呈環狀。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該絕緣層的該第一開口之內緣與該第一黏著層之靠近該第一上表面的中央的內緣實質上切齊。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該絕緣層暴露出部分該第一黏著層，且該第一黏著層之靠近該第一上表面的中央的內緣位於該第一上表面的該中央與該絕緣層的該第一開口的內緣之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該絕緣層包覆該第一黏著層，且該絕緣層的該第一開口的內緣位於該第一上表面的中央與該第一黏著層之間。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該第一黏著層更配置於該第一電極的該第一側表面與該絕緣層之覆蓋該第一側表面的部分之間，以接合該第一側表面與該絕緣層。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該些子黏著層的材料不包括金，該第一電極包括由靠近該第一導電性半導體層的一側往遠離該第一導電性半導體層的一側依序堆疊的複數個金屬層，且最靠近該第一導電性半導體層的該金屬層為金屬黏著層，最遠離該第一導電性半導體層的該金屬層為一金層。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，更包括：一第二電極，配置於該第二導電性半導體層上，其中該第二電極具有一背對於該第二導電性半導體層的第二上表面及一連接該第二上表面與該第二導電性半導體層的第二側表面，該絕緣層覆蓋部分該第二導電性半導體層、該第二電極的該第二側表面及該第二電極的該第二上表面的邊緣，且該絕緣層更具有一第二開口，以暴露出該第二電極的部分該第二上表面；以及一第二黏著層，配置於該第二上表面的邊緣與該絕緣層之間，以接合該第二上表面與該絕緣層。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該第一開口的內徑與該第一電極的外徑的比值大於0.2且小於1。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構，其中該第一黏著層的材質包括鈦、鉬、鉈、鎳、鋁、鉻及鎢之至少其一。
- 如申請專利範圍第12項所述之半導體發光結構， 其中該絕緣層的材質為不含金屬元素的化合物。
- 如申請專利範圍第12項或第18項所述之半導體發光結構，其中該第一金屬層的材料包括鈦，該金屬氧化物層的材料包括氧化鈦。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100111560A TWI483431B (zh) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | 半導體發光結構 |
| CN201110200357.0A CN102738346B (zh) | 2011-04-01 | 2011-07-18 | 半导体发光结构 |
| US13/431,985 US9024351B2 (en) | 2011-04-01 | 2012-03-28 | Semiconductor light-emitting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100111560A TWI483431B (zh) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | 半導體發光結構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201242090A TW201242090A (en) | 2012-10-16 |
| TWI483431B true TWI483431B (zh) | 2015-05-01 |
Family
ID=46926015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100111560A TWI483431B (zh) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | 半導體發光結構 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9024351B2 (zh) |
| CN (1) | CN102738346B (zh) |
| TW (1) | TWI483431B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103367590A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-10-23 | 安徽三安光电有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| CN104091874B (zh) * | 2014-07-01 | 2017-01-18 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管 |
| JP2016033969A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社東芝 | 電子部品、及び電子ユニット |
| US9614126B2 (en) * | 2015-04-27 | 2017-04-04 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US9876144B2 (en) * | 2015-05-22 | 2018-01-23 | Nichia Corporation | Light-emitting element |
| CN105336829B (zh) * | 2015-09-28 | 2018-09-11 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装发光二极管结构及其制作方法 |
| CN106252303B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-02-05 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
| CN106252470B (zh) | 2016-08-30 | 2018-08-14 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法 |
| DE102017110073A1 (de) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
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| US20080315240A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-12-25 | Epivalley Co., Ltd. | III-Nitride Semiconductor light Emitting Device |
| TW200908369A (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-16 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Light-emitting diode and manufacturing method thereof |
| US20100133579A1 (en) * | 2008-12-02 | 2010-06-03 | Epivalley Co., Ltd. | III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3255281B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2002-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP2003168823A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-06-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| US8643046B2 (en) * | 2009-05-14 | 2014-02-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting element, method for producing the same, lamp, lighting device, electronic equipment, mechanical device and electrode |
| WO2011071100A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 昭和電工株式会社 | 半導体発光素子、半導体発光素子を用いた発光装置および電子機器 |
-
2011
- 2011-04-01 TW TW100111560A patent/TWI483431B/zh active
- 2011-07-18 CN CN201110200357.0A patent/CN102738346B/zh active Active
-
2012
- 2012-03-28 US US13/431,985 patent/US9024351B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102738346B (zh) | 2015-12-16 |
| US9024351B2 (en) | 2015-05-05 |
| CN102738346A (zh) | 2012-10-17 |
| US20120248405A1 (en) | 2012-10-04 |
| TW201242090A (en) | 2012-10-16 |
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