JP6864082B2 - 感温性の低屈折率粒子層を備えた白色に見える半導体発光デバイス - Google Patents
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Description
ここに開示されるのは、室温で白色の外観を有するが、伝来的技術を使用するときに観察される深刻な効率の損失を被らない発光デバイスを形成するための技術である。材料の特定の組み合わせが、拡散層又は散乱層を形成するために使用される。それら材料は、それらの屈折率に基づいて選択される。より具体的には、或る温度範囲にわたってそれらの屈折率がどのように変化するかに基づいて、材料が選択される。
異なる屈折率を持つ2つ以上の材料を通って光が移動するとき、光は散乱される。それら2つ以上の材料が、一致する又は実質的に一致する屈折率を持つ場合、光は、より少ない散乱で2つの材料を通り抜ける。屈折率の差が大きいほど、より大きい散乱を生み出す(例えば、より白い外観を生み出す)。屈折率の差が小さいほど、より少ない散乱を生み出す(より高い透明性)。より具体的には、2つの材料の屈折率間の差が大きいほど、散乱効果が大きい。従って、多くの場合、低屈折率の粒子が選択されて同じシリコーンキャリア内に装填されるとした場合よりも散乱効果が高い(図3A参照)(例えば、より納得のいく白色の外観に寄与する)というだけで、比較的高屈折率の粒子と比較的低屈折率のシリコーンキャリアとの単純な選択が為される。また、物体が“白色”であるという人間の脳−目の判定は、少なくとも部分的に、その物体の反射率に関係するので、しばしば、低屈折率粒子が選択されるとした場合よりも反射率が高い(図3B参照)というだけで、前述の高屈折率粒子という単純な選択が為される。受け入れ可能な又は所望の散乱効果(例えば、オフ状態白色外観)と効率目標との間の前述のトレードオフは調整されることができる(図4参照)。
一部の材料は、比較的狭い温度変化(例えば、0℃と250℃との間)でその屈折率に大きい変化を示す。逆に、一部の材料は、同じ温度範囲にわたってその屈折率に小さい変化しか示さない。LED用途の場合、関心ある温度範囲は約20℃(室温付近)から約250℃(LED動作温度)までである。その温度範囲にわたって僅かにしか変化しない第1の材料と、同じ温度範囲で大きく変化する第2の材料とを考える。それら2つの材料が組み合わされるとき、その温度範囲で、それぞれの屈折率の差が大きく変化することになる。さらに、比較的低い温度(例えば、室温)では屈折率が大きく異なり、比較的高い温度(例えば、動作温度)では屈折率がほんのわずかしか異ならないような、2つの材料の選択を考える。そのような構成において、組み合わされた材料は、室温では(散乱のために)白色に見え、動作温度では透明に見える。
多くの材料の屈折率は、或る範囲の温度にわたって変化する。一部の材料は、或る温度範囲にわたってその屈折率に比較的大きい変化を示し(例えば、より高い温度に伴ってマトリクスが膨張する材料)、一部の材料は、或る温度範囲にわたってその屈折率に比較的小さい変化を示す。特に興味があるのは、温度が上昇するにつれて多くのシリコーンがその屈折率に大きい低下を示すことが観察されることである。更に観察されるのは、関心ある温度範囲にわたってその屈折率に有意な変化を示さない数多くの低屈折率粒子が存在することである。図5は、LED動作温度の全範囲について透明な範囲(例えば、シリコーンと低屈折率粒子との間に小さい又はゼロの屈折率差が存在するところ)を示すことによって、前述の観察を組み合わせている。図5の更なる調査が以下の観察につながり、すなわち、室温では、シリコーンと低屈折率粒子との間で屈折率に比較的大きい差が存在し、それ故に、例えば室温でオフ状態にあるときなど、粒子を装填されたシリコーンで入射光が反射するときに散乱をもたらすという観察につながる。
本明細書で使用される用語の一部を、容易な参照のために以下に定義する。提示される用語及びそれらそれぞれの定義は、これらの定義に厳密に限定されるものではなく、用語は更に、本開示内での用語の使用によって定義され得る。用語“例示的”は、ここでは、例、実例、又は例示としての役割を果たすことを意味するために使用される。本明細書で“例示的”と記載されている任意の態様又は設計は、必ずしも他の態様又は設計に対して好ましい又は有利と解釈されるべきではない。むしろ、例示的なる用語の使用は、概念を具体的に提示することを意図している。本出願及び添付の請求項において使用されるとき、用語“又は”は、排他的な“又は”ではなく、包括的な“又は”を意味することを意図している。すなわち、別段の指定がない限り、又は文脈から明らかでない限り、“XはA又はBを使用する”は、自然な包括的な並べ替えのいずれかを意味することを意図している。すなわち、XがAを使用し、XがBを使用し、又はXがA及びBの双方を使用する場合、以上の場合のいずれの下でも“XはA又はBを使用する”が満足される。ここで使用されるとき、A又はBの少なくとも1つは、Aの少なくとも1つ、又はBの少なくとも1つ、又はA及びBの双方の少なくとも1つを意味する。換言すれば、この言い回しは選言的である。本出願及び添付の請求項で使用される冠詞“a”及び“an”は、別段の指定がない限り、又は単数形に向けられることが文脈から明らかでない限り、概して、“1つ以上”を意味するように解釈されるべきである。
図1は、感温性の低屈折率粒子層を用いた白色に見えるLEDの設計による発光デバイス構造100を示している。オプションとして、ここに記載される実施形態の何らかの環境及び/又は何らかの状況では、発光デバイス構造100の1つ以上のバリエーション又はその何らかの態様が実装され得る。
半導体発光デバイス120を有する前述の構造は、基板108上に成長されることができ、そして、該基板が、LEDの動作中に生成される熱の少なくとも一部を分散させるように作用する熱伝導体110に固定され得る。この熱伝導体は、LEDから発する光に対して不透明であることがあり、故に、相当量の光及び熱が動作中の半導体発光デバイス120の頂面から発することをもたらす。LEDの動作によって生成された光子は、波長変換層中を通る。光子の一部が、ダウンコンバートされるか否かにかかわらず、透明なシリコーンドーム112を超えて逃げ出て、光を生じさせる。しかしながら、LEDの動作によって生成された光子の一部は、活性領域の周りの構造を通り抜けず、その代わりに周囲構造の組成物のマトリクス内に捕獲され、光ではなく熱を生じさせる。構造内で熱が生成されると、熱伝導体110の存在にもかかわらず、温度が上昇する。従って、LEDの動作中に波長変換層及び白色層の温度が上昇する。この温度は、LEDがオフ状態にあるときに周囲温度(例えば、室温)へと戻る。
もし、高屈折率粒子(例えば、TiO2粒子)の使用の代わりに、低めの屈折率の粒子(例えば、それらが埋め込まれるシリコーンの屈折率よりも低い)が使用される場合、そのようなものとして、温度に伴うシリコーンの屈折率の変化を利用して散乱を調整することができる。シリコーン中での低めの屈折率の粒子の使用及びそれからの調整は、オフ状態におけるいっそう納得のいく白色の印象、及び/又はオン状態における光損失の低減との間のトレードオフにつながるが、動作温度では、低めの屈折率の粒子とシリコーンとが実質的に屈折率整合されて、透明に近いものとなり、ひいては、効率の損失がないものに近くなる。本出願における低めの屈折率の材料という直感に反した選択に加えて、シリコーンに埋め込まれた相変化材料(例えば、ビーズ)を使用することも可能である。そのようなビーズを用いると、周囲温度と動作温度との間の温度で起こる固液(固体−液体)相転移を利用することができる。固液相転移を経るとき、ビーズはその屈折率の変化を被り、故に、(例えば、相変化材料の融点よりも低い温度で)比較的高い散乱を呈することから、(例えば、相変化材料の融点よりも高い温度で)ほぼ透明な状態へと変化する。
蛍光体温度は室温から120℃以上まで上昇するとすることができ、故に、シリコーンの屈折率は動作中に0.04低下すると予期することができる。従って、粒子の屈折率がシリコーンマトリクスの屈折率よりも0.04低いように選択される場合に、100℃の上昇が、屈折率の一致につながることになり、そしてそれ故に、層の透明性につながることになる。高屈折率フィラーと比較して減少するオフ状態での散乱は、オフ状態においてそれらの屈折率に比較的大きな差を示す材料の組み合わせを選択することによって(例えば、より急な勾配を示す粒子を用いることによって)、及び/又は、より高い体積分率で粒子をキャリア中に装填することを選ぶことによって、補償されることができる。
相変化材料は、ビーズを形成するようにポリマーシェルによってカプセル化されたワックスを含有することが多い。その固体状態の物質では、ワックスは結晶構造を呈し、故に散乱を示す。しかしながら、その液相にある間は、ワックスは透明である。パラフィンワックスは、液体状態において1.47−1.48の屈折率を持つ。ビーズが埋め込まれるシリコーンマトリクスとの屈折率整合を達成するために、シリコーンはこの範囲内で選択されなければならない(ステップ626)。カプセルシェルはポリマーからなることができ、そしてしばしば、良好な高温安定性を持つものであるメラミン化合物が使用される。シリコーンのような他のポリマー又はシリカのような無機材料も適用可能であり得る。
更なる実用的用途例
図10Aは、感温性の低屈折率粒子層を用いた白色に見えるLEDの設計による発光デバイス構造1000を示している。この実施形態では、白色層は、波長変換層の頂面部分のみを覆っている。波長変換層の側面は反射構造(例えば、第1の反射構造10021及び第2の反射構造10022)に当接している。この実施形態は単に、波長変換材料からの色のちら見えを減衰又は除去するように波長変換材料に近接して配置された白色層を含む1つの更なる実施形態に過ぎない。厳密にそのような一例として、活性領域の側面に波長変換材料が堆積されてもよい。白色層は、如何なる形状にも形成されることができ、及び/又は如何なるキャビティをも充填することができ、及び/又は如何なる他のLED構造ともインテグレートされることができる(場合により、硬化した白色層を波長変換タイルに接着又は他の方法で物理的に取り付けることによるインテグレーションを含む)。
更なる例
図11Aは、ダウンライト装置の側面図を示している。図示のように、ダウンライト装置1102は、発光デバイスアレイ1106を支持する剛性又は半剛性のハウジング1104を含んでいる。発光デバイスのアレイは、任意の構成に編成されることができ、例えば図示のように、プリント配線板モジュール1108の境界内に配置された線形アレイに編成され得る。一部のダウンライトは、発光デバイスアレイ内のもっと多数(又は少数)のダウンライトエミッタ1110で構成され得る。
Claims (15)
- 半導体発光デバイスと、
前記半導体発光デバイスの少なくとも頂面を覆う波長変換層と、
前記波長変換層の少なくとも頂面を覆う光散乱層であり、当該光散乱層は、バインディング材料内に配置された相変化材料を含み、前記相変化材料は、前記波長変換層が前記半導体発光デバイスによって加熱されるときに固相から液相へと転移するように構成され、前記相変化材料は、前記液相において、前記固相においてよりも低い屈折率を持ち、前記バインディング材料と前記相変化材料との間の屈折率差が、前記相変化材料が前記液相にあるときに、前記固相にあるときよりも小さい、光散乱層と、
を有する構造体。 - 前記光散乱層は更に、或る濃度の散乱剤を含み、該散乱剤は前記相変化材料とは異なり、
前記バインディング材料は、第1の温度で第1の屈折率を持ち、
前記或る濃度の散乱剤は、前記第1の温度で第2の屈折率を持ち、前記第2の屈折率は前記第1の屈折率よりも低く、前記第1の温度は、0℃から45℃の第1の範囲内にある、請求項1に記載の構造体。 - 前記バインディング材料は、第2の温度で第3の屈折率を持ち、前記第3の屈折率は前記第1の屈折率よりも低い、請求項2に記載の構造体。
- 前記第2の温度は、100℃から250℃の第2の範囲内にある、請求項3に記載の構造体。
- 前記散乱剤のうちの少なくとも一部は、前記第2の温度で第4の屈折率を持ち、前記第4の屈折率は前記第2の屈折率よりも低い、請求項3に記載の構造体。
- 前記相変化材料は、第1の温度で、第2の温度での第2の屈折率よりも高い第1の屈折率を呈し、前記第1の温度は、0℃から45℃の第1の範囲内にあり、前記第2の温度は、100℃から250℃の第2の範囲内にある、請求項1に記載の構造体。
- 前記半導体発光デバイスの第1の側壁に隣接して配置された第1の反射構造、を更に有する請求項1に記載の構造体。
- 前記半導体発光デバイスの第2の側壁に隣接して配置された第2の反射構造、を更に有する請求項7に記載の構造体。
- 前記光散乱層に埋め込まれた或る濃度の光吸収粒子、を更に有する請求項1に記載の構造体。
- 前記光吸収粒子は黒色粒子である、請求項9に記載の構造体。
- 半導体発光デバイスを用意することと、
前記半導体発光デバイスの少なくとも頂面を覆うように波長変換層を配置することと、
前記波長変換層の少なくとも頂面を覆うように光散乱層を配置することと
を有し、
前記光散乱層は、バインディング材料内に配置された相変化材料を含み、前記相変化材料は、前記波長変換層が前記半導体発光デバイスによって加熱されるときに固相から液相へと転移するように構成され、前記相変化材料は、前記液相において、前記固相においてよりも低い屈折率を持ち、前記バインディング材料と前記相変化材料との間の屈折率差が、前記相変化材料が前記液相にあるときに、前記固相にあるときよりも小さい、
方法。 - 前記光散乱層は更に、或る濃度の散乱剤を含み、該散乱剤は前記相変化材料とは異なり、
前記バインディング材料は、第1の温度で第1の屈折率を持ち、
前記或る濃度の散乱剤は、前記第1の温度で第2の屈折率を持ち、前記第2の屈折率は前記第1の屈折率よりも低く、前記第1の温度は、0℃から45℃の第1の範囲内にある、請求項11に記載の方法。 - 前記バインディング材料は、第2の温度で第3の屈折率を持ち、前記第3の屈折率は前記第1の屈折率よりも低い、請求項12に記載の方法。
- 前記第2の温度は、100℃から250℃の第2の範囲内にある、請求項13に記載の方法。
- 前記散乱剤のうちの少なくとも一部は、前記第2の温度で第4の屈折率を持ち、前記第4の屈折率は前記第2の屈折率よりも低い、請求項13に記載の方法。
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