CN105322080A - 电子零件及电子单元 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施方式提供一种能实现可靠性的进一步提高的电子零件及电子单元。一实施方式的电子零件包括：金属部；模具树脂，覆盖所述金属部的至少一部分；以及分子接着层，设置在所述金属部的表面与所述模具树脂之间。

Description

电子零件及电子单元
[相关申请案]
本申请案享有以日本专利申请案2014-156690号(申请日：2014年7月31日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种电子零件及电子单元。
背景技术
业界提出了一种赋予功能性分子接着剂并利用无电解镀敷形成导电性电路的成型电路零件的制造方法。
发明内容
期待电子零件及电子单元的可靠性的进一步提高。
本发明的目的在于提供一种能实现可靠性的进一步提高的电子零件及电子单元。
根据实施方式，电子零件包括：金属部；模具树脂，覆盖所述金属部的至少一部分；以及分子接着层，设置在所述金属部的表面与所述模具树脂之间。
附图说明
图1是第一实施方式的电子零件的立体图。
图2是图1中所示的电子零件的剖视图。
图3(a)～(d)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的整体的立体图。
图4(a)～(f)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图.
图5(g)-(k)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图。
图6(l)-(o)是表示图1中所示的电子零件的制造步骤的流程的一部分的剖视图。
图7第一实施方式的电子零件的一变化例的剖视图。
图8是第二实施方式的电子单元的剖视图。
图9是示意性地表示分子接着层的组成的一例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。
在本说明书中，对若干个要素附加多个表达方式例。此外，这些表达方式例只不过是例示，并非否定所述要素可通过其他表达方式来表达。而且，关于未被附加多种表达方式的要素，也可以通过其他表达方式来表达。
而且，附图为示意图，有厚度与平面尺寸的关系或各层的厚度的比例等与实物不同的情况。而且，还有包含在附图相互之间彼此的尺寸关系或比例不同的部分的情况。
(第一实施方式)
图1及图2表示第一实施方式的电子零件1。电子零件1是“半导体零件”、“半导体封装”、“封装”、“电子单元”、“电子设备”、“电子系统”及“系统”的各一例。电子零件1例如为晶片级封装(晶片级CSP(WaferlevelChipSizePackage，晶片级芯片尺寸封装))的LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片，但并不限定于此。本实施方式的构成还可以广泛应用于LED芯片以外的各种电子零件。
如图1及图2所示，电子零件1具有发光元件11、多个金属电极12a、12b、模具树脂13、荧光体层14及分子接着层15。发光元件11(半导体发光元件、发光层、发光部)为“半导体元件”、“主体部”、“零件主体”及“元件部”的各一例，例如为LED(LightEmittingDiode)。此外，可应用本实施方式的半导体元件、主体部或零件主体并不限定于发光元件，也可以是具有其他功能的元件。发光元件11在俯视下形成为大致矩形的薄膜状(薄板状)。
发光元件11例如包含发出蓝色光的InGaN层。详细来说，发光元件11例如具有第一包层21、第二包层22及活性层23。第一包层21、第二包层22及活性层23各自在俯视下形成为大致矩形的薄膜状。
第一包层21例如为n型半导体的层，例如具有接近电子零件1的大致全宽的宽度。第二包层22为p型半导体的层。第二包层22具有小于第一包层21的面积，并且设置在从第一包层21的中心偏移的位置。
活性层23例如具有与第二包层22大致相同的外形，且设置在第一包层21与第二包层22之间。当对第一包层21与第二包层22之间赋予电位差时，活性层23发射光。由此，发光元件11例如发射蓝色光。此外，发光元件11也可以发射蓝色光以外的光。而且，发光元件11还可以具有覆盖第二包层22的下表面的光反射层。
如图2所示，发光元件11具有第一面11a(第一主面)、第二面11b(第二主面)及第三面11c(侧面)。第一面11a为图2中的上表面，由第一包层21的表面所形成。第二面11b为图2中的下表面，且位于与第一面11a相反侧。第二面11b是由第一包层21的表面的一部分与第二包层22的表面所形成。第二面11b与第一面11a大致平行地延伸，并且在其中途具有下述阶差部25。第三面11c沿与第一面11a及第二面11b大致正交的方向延伸，且连接第一面11a的边缘与第二面11b的边缘。
发光元件11具有厚度互不相同的第一部分26与第二部分27。第一部分26位于偏离第二包层22的区域，且具有与第一包层21的厚度大致相等的第一厚度T1。第二部分27包含第一包层21、第二包层22及活性层23，且具有比第一厚度T1更厚的第二厚度T2。阶差部25位于第一部分26与第二部分27之间，且是因第一部分26与第二部分27的厚度差而形成。阶差部25包含沿发光元件11的厚度方向延伸的立起面25a。
如图2所示，发光元件11的第二面11b也可以具有籽晶层28。籽晶层28例如是成为利用镀敷形成金属电极12a、12b时的供电层的导电膜。籽晶层28例如是由Ti/Cu等的积层膜所形成。
如图1及图2所示，多个金属电极12a、12b设置在发光元件11的第二面11b，且连接于发光元件11。金属电极12a、12b各自为“金属部”的一例。金属电极12a、12b呈大致长方体的柱状或圆柱状从发光元件11的第二面11b向发光元件11的厚度方向(与发光元件11的第二面11b大致正交的方向)突出。此外，所谓“设置(连接)在发光元件11”，也包括隔着籽晶层28设置(连接)在发光元件11的情况。
第一及第二金属电极12a、12b各自具有端面31与周面32(侧面)。端面31是位于与发光元件11相反侧的金属电极12a、12b的突出面，且与发光元件11的第二面11b大致平行。周面32沿金属电极12a、12b的突出方向延伸，且连接端面31的周缘与发光元件11之间。
在本实施方式中，多个金属电极12a、12b包含第一电极12a(n侧电极)与第二电极12b(p侧电极)。第一电极12a设置在发光元件11的第一部分26，且电连接于第一包层21。另一方面，第二电极12b设置在发光元件11的第二部分27，且电连接于第二包层22。由此，发光元件11可经由金属电极12a、12b供电。金属电极12a、12b的材料例如为铜、铝、银、金、锡、镍、含铅焊料、无铅焊料等金属，优选铜。
此处，各第一及第二金属电极12a、12b也可以包含电极层与金属柱33。电极膜(电极层)位于金属电极12a、12b的基部，且设置在发光元件11的第二面11b(或籽晶层28)。电极膜是利用Ni/Au等金属形成为例如0.1μm的厚度。
另一方面，金属柱33从电极膜向发光元件11的厚度方向较大程度地突出，且占据金属电极12a、12b的大部分。金属柱33是由Cu等金属形成。此外，也可以省略所述电极膜。也就是说，各金属电极12a、12b也可以仅由金属柱33构成。因此，本说明书中的“金属电极”的记载也可以适当改称为“金属柱”。
如图1及图2所示，模具树脂13(密封树脂、绝缘树脂、树脂部)以包围多个金属电极12a、12b的方式而设置，且形成电子零件1的外形的一部分。模具树脂13覆盖发光元件11的至少一部分与金属电极12a、12b的至少一部分。详细来说，模具树脂13使第一及第二金属电极12a、12b的端面31露出在外部，并且覆盖第一及第二金属电极12a、12b的周面32的大致全部。
模具树脂13的一部分位于第一电极12a与第二电极12b之间，而使第一电极12a与第二电极12b之间绝缘，并且覆盖发光元件11的第二面11b。模具树脂13的一部分覆盖发光元件11的阶差部25(例如覆盖阶差部25的立起面25a)。而且，模具树脂13的其他一部分转入发光元件11的侧方而覆盖发光元件11的第三面11c(侧面)。
此外，发光元件11的第二面11b也可以在未与第一及第二金属电极12a、12b重叠的区域具有绝缘性钝化膜，但也可以省略该钝化膜。
模具树脂13的材料例如为热硬化性树脂或紫外线硬化树脂，但并不限定于这些。作为热硬化性树脂，例如可举出环氧树脂、硅酮树脂、氨基甲酸酯树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂等作为一例，优选举出环氧树脂、硅酮树脂。作为环氧树脂，例如可举出缩水甘油酯系、线状脂肪族环氧化物系、脂环族环氧化物系、缩水甘油醚系、缩水甘油胺系等，优选举出缩水甘油酯系、线状脂肪族环氧化物系、脂环族环氧化物系。作为硅酮树脂，例如可举出甲基苯基硅酮、二甲基苯基硅酮等，优选举出甲基苯基硅酮。模具树脂13无需为一种组成，可混合两种以上的树脂而使用。而且，模具树脂13也可以含有填充材。填充材例如为二氧化硅，但并不限定于此，也可以适当使用滑石、氧化铝等绝缘材料。
如图1及图2所示，在发光元件11的第一面11a设置着荧光体层14。荧光体层14为“透光部”及“透光层”的各一例。发光元件11的第一面11a被荧光体层14覆盖。荧光体层14例如构成电子零件1的外形的一部分。荧光体层14是由混合有将蓝色光转换为长波长光的荧光体的粒子的树脂所形成，且覆盖发光元件11的第一面11a的大致全部。此外，设置在电子零件1的“透光部”及“透光层”也可以是无色的透光层等以代替荧光体层14。
接下来，对本实施方式的分子接着层15(分子接合层、接着分子层)进行说明。此外，所谓本说明书中的“分子接着”，是指将成为分子接着剂的化合物赋予至两个接着对象之间，通过化学结合而将这两个接着对象接着(接合)。
如图2所示，分子接着层15介置于金属电极12a、12b的表面与模具树脂13之间等，并将金属电极12a、12b的表面与模具树脂13接着(接合、接着结合、化学结合)。分子接着层15的厚度例如为1nm～数nm。
分子接着层15是通过对金属电极12a、12b的表面等赋予分子接着剂(功能性分子接着剂、分子接合剂)而形成。分子接着剂的一例为下述通式所表示的硫醇反应性烷氧基硅烷化合物。
式中，R1为氢原子或烃基。作为烃基，例如可举出CH3-、C2H5-、n-C3H7-、n-C4H9-、C6H11-、CH2＝CHCH2-或C6H5-等。
式中，R2为烃链或异种原子或者也可以介置官能团的烃链。作为异种原子，例如可举出硫原子或氮原子等。作为官能团，例如可举出氨甲酰基或脲基等。
作为这种R2，例如可举出：-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2CH2CH2-、-CH2CH2SCH2CH2-、-CH2CH2CH2SCH2CH2CH2-、-CH2CH2NHCH2CH2CH2-、-(CH2CH2)2NCH2CH2CH2-、-C6H4-、-C6H4C6H4-、-CH2C6H4CH2-、-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-、-CH2CH2OCONHCH2CH2CH2-、-CH2CH2NHCONHCH2CH2CH2-、或-(CH2CH2)2CHOCONHCH2CH2CH2-等。
式中，X为氢原子或烃基。作为烃基，例如可举出CH3-、C2H5-、n-C3H7-、i-C3H7-、n-C4H9-、i-C4H9-或t-C4H9-等。
式中，Y为烷氧基。作为烷氧基，例如可举出CH3O-、C2H5O-、n-C3H7O-、i-C3H7O-、n-C4H9O-、i-C4H9O-、或t-C4H9O-等。
式中，n为1至3的整数。
式中，M为碱金属。作为碱金属，例如可举出Li、Na、K、或Cs等。
作为这种硫醇反应性烷氧基硅烷化合物的一例，可举出在分子中具有二硫醇三嗪基及三乙氧基硅烷基的6-(3-三乙氧基硅烷基丙氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇单钠盐(TES)。此外，分子接着剂无需为一种组成，可混合两种以上而使用。此外，所述分子接着剂的组成只不过是例示，本实施方式的分子接着剂并不限定于所述例。
如图2所示，在本实施方式中，分子接着层15具有第一部分15a、第二部分15b及第三部分15c。此处，定义X方向与Y方向。X方向是与发光元件11的第一面11a大致平行的方向，且是从第一电极12a朝向第二电极12b的方向。Y方向是与X方向交叉(例如大致正交)的方向，且是发光元件11的厚度方向。
第一部分15a介置于金属电极12a、12b的周面32(侧面)与模具树脂13之间，且沿Y方向延伸。第一部分15a形成于金属电极12a、12b的周面32的大致整个区域。第一部分15a是利用分子接合将金属电极12a、12b的周面32与模具树脂13之间接着。
第二部分15b介置于发光元件11的第二面11b与模具树脂13之间，且沿X方向延伸。第二部分15b例如设置在除金属电极12a、12b以外的第二面11b的大致整个区域。第二部分15b是利用分子接合将发光元件11的第二面11b与模具树脂13之间接着。
而且，第二部分15b的一部分例如位于发光元件11的阶差部25的表面与模具树脂13之间。进一步来说，第二部分15b的一部分设置在阶差部25的立起面25a，且沿Y方向延伸。也就是说，第二部分15b位于立起面25a与模具树脂13之间，且利用分子接合将立起面25a与模具树脂13之间接着。
此外，当在发光元件11的第二面11b设置着钝化膜的情况下，第二部分15b介置于钝化膜与模具树脂13之间。这种情况也包含于此处所提及的“分子接着层设置在发光元件的第二面与模具树脂之间”及“分子接着层将发光元件的第二面与模具树脂接着”。
第三部分15c介置于发光元件11的第三面11c(侧面)与模具树脂13之间，且沿Y方向延伸。第三部分15c形成于发光元件11的第三面11c的大致整个区域。第三部分15c是利用分子接合将发光元件11的第三面11c与模具树脂13之间接着。
并且，在本实施方式中，所述第一至第三部分15a、15b、15c全部连续形成，且相互连接。也就是说，沿Y方向延伸的第一及第三部分15a、15c与沿X方向延伸的第二部分15b一体形成。
接下来，对该电子零件1的制造方法的一例进行说明。
图3表示电子零件1的制造方法的整体的流程。图4至图6表示电子零件1的制造方法的各步骤的详细内容。
在制造方法的一例中，如图4所示，首先，准备作为基材的晶片41(图4(a))。在本实施方式中，晶片41为例如硅晶片，但并不限定于此，也可以是例如蓝宝石晶片或其他基材。晶片41例如形成为大致圆盘状。
其次，在晶片41上形成第一包层21的薄膜(图4(b))。接着，在第一包层21上形成活性层23及第二包层22(图4(c))。由此，形成发光元件11。
接着，在例如晶片41的大致整个面形成籽晶层28(图4(d))。籽晶层28是通过利用溅射或蒸镀等形成例如Ti/Cu等的积层膜而设置。
接着，在例如晶片41的大致整个面形成要成为牺牲层的抗蚀层42(图4(e))。作为抗蚀层42，可使用例如感光性的液状抗蚀剂或干膜抗蚀剂等。接着，例如利用曝光及显影，在抗蚀层42开设对应于金属电极12a、12b的开口部42a(图4(f))。
图5表示继图4的步骤之后的步骤。如图5所示，在抗蚀层42形成开口部42a之后，利用例如电镀法在开口部42a形成要成为金属电极12a、12b的镀层(图5(g))。然后，将抗蚀层42从晶片41剥离并去除(图5(h))。然后，利用例如酸洗去除籽晶层28(图5(i))。由此，完成图3(a)所示的半成品43。
接着，通过对金属电极12a、12b的表面等赋予分子接着剂而形成分子接着层15(图5(j))。分子接着层15可以通过使例如所述半成品43浸渍于溶解了分子接着剂的溶液中而形成，也可以通过呈喷气状对例如所述半成品43的表面等吹送分子接着剂而形成。
接着，以覆盖设置有分子接着层15的金属电极12a、12b的方式设置模具树脂13(图5(k))。模具树脂13与分子接着层15发生化学反应，而与分子接着层15牢固地结合。由此，金属电极12a、12b的表面与模具树脂13经由分子接着层15而被牢固地结合。
图6表示继图5的步骤之后的步骤。如图3及图6所示，在形成分子接着层15之后，去除晶片41(图3(b)、图6(l))。由此，在半成品43中，发光元件11露出在外部。接着，以覆盖发光元件11的第一面11a的方式设置荧光体层14(图3(c)、图6(m))。接着，以金属电极12a、12b的端面31露出在模具树脂13的外部的方式，研削半成品43的表面(下表面)(图6(n))。接着，利用切割而将半成品43单片化(图3(d)、图6(o))。由此，获得电子零件1。在该电子零件1中，分子接着层15包含例如图9所示的三嗪二硫醇残基。图9中的“z”的一例为氨基烃基硅烷氧基。此外，图9中的第一材料(Firstmaterial)与第二材料(Secondmaterial)为金属电极或模具树脂。
根据这种构成的电子零件1，能实现可靠性的进一步提高。此处，如果金属电极12a、12b的表面与模具树脂13之间存在微薄的空气层，那么虽然在通常的使用中没有问题，但当在例如严苛的环境下使用时，会因热的影响等而导致空气层膨胀，从而对电子零件1的可靠性产生影响的可能性并非为零。为了避免该影响，例如考虑将金属电极12a、12b的表面粗糙面化以提高金属电极12a、12b与模具树脂的接着力。然而，将该金属电极12a、12b的表面粗糙面化的处理可能会对发光元件11产生无用的影响。
因此，本实施方式的电子零件1在金属电极12a、12b的表面与模具树脂13之间设置分子接着层15。根据这种构成，金属电极12a、12b与模具树脂13经由分子接着层15而被牢固地结合，从而金属电极12a、12b的表面与模具树脂13的密接性提高。由此，可进一步确实地减小空气层进入金属电极12a、12b的表面与模具树脂13之间的可能性。由此，可实现将电子零件1的可靠性提高至超越以往的程度。
而且，根据本实施方式，无需将金属电极12a、12b的表面粗糙面化的处理。这可以避免对发光元件11产生无用影响的可能性，并且可进一步缩小因集肤效应(skineffect)而引起的金属电极12a、12b的电阻损耗。由此，还可以同时实现电子零件1的节电化。
在本实施方式中，分子接着层15还设置在发光元件11的第二面11b与模具树脂13之间。根据这种构成，发光元件11与模具树脂13经由分子接着层15而被牢固地结合，从而发光元件11的表面与模具树脂13的密接性提高。由此，可进一步确实地减小空气层进入发光元件11的表面与模具树脂13之间的可能性。由此，可实现电子零件1的可靠性的进一步提高。
在本实施方式中，金属电极12a、12b具有沿该金属电极12a、12b的突出方向延伸的周面32。分子接着层15介置于金属电极12a、12b的周面32与模具树脂13之间，而将金属电极12a、12b的周面32与模具树脂13牢固地接合。此处，金属电极12a、12b的周面32是因沿着与发光元件11的第二面11b大致正交的方向延伸而难以均匀地赋予接着剂等的部分之一。然而，对这种周面32也容易均匀地赋予分子接着层15，因此可将分子接着层15适当地设置在金属电极12a、12b的周面32与模具树脂13之间。
在本实施方式中，分子接着层15的介置于金属电极12a、12b的周面32与模具树脂13之间的第一部分15a及介置于发光元件11的第二面11b与模具树脂13之间的第二部分15b连续地形成。根据这种构成，分子接着层15的沿Y方向延伸的第一部分15a与沿X方向延伸的第二部分15b形成一体的连接部，由此，可进一步增强发光元件11及金属电极12a、12b各自与模具树脂13之间的结合。
在本实施方式中，分子接着层15还设置在发光元件11的第三面11c(侧面)与模具树脂13之间。根据这种构成，可进一步增强发光元件11与模具树脂13之间的结合。
在本实施方式中，发光元件11具有阶差部25。分子接着层15还设置在阶差部25的表面与模具树脂13之间。根据这种构成，即便在像阶差部25这样的发光元件11与模具树脂13之间的密接性容易减小的部位，也可以增强发光元件11与模具树脂13之间的结合。
图7表示本实施方式的一变化例的电子零件1。在该变化例中是利用第二分子接着层68代替籽晶层28而形成导电膜。第二分子接着层68的组成与第一分子接着层15大致相同。通过设置这种分子接着层68并赋予如钯之类的催化剂，可利用镀敷等在分子接着层68上形成电极12a、12b。由此，可省略用于形成籽晶层28的价格相对高昂的溅射之类的步骤。由此，可实现电子零件1的低成本化。
(第二实施方式)
接下来，对第二实施方式的电子单元51进行说明。此外，与第一实施方式的构成具有相同或类似的功能的构成标注相同符号并省略其说明。而且，下述要说明以外的构成与第一实施方式相同。
图8表示本实施方式的电子单元51。电子单元51例如包含电路衬底52、及搭载于该电路衬底52的电子零件53。此外，电子单元51为“电子设备”、“电子系统”及“系统”的各一例。电子零件53为“零件”的一例。
电路衬底52为印刷电路板，且具有第一面52a、及位于与该第一面52a相反侧的第二面52b。在第一面52a，设置着供连接电子零件53的多个焊垫。
如图8所示，电子零件53的一例是BGA(BallGridArray，球栅阵列)型的半导体封装，且具有衬底61、半导体元件62、键合线63、及多个焊球64。衬底61为电子零件53的内部衬底，且具有第一面61a、位于与该第一面61a相反侧的第二面61b、及连接第一面61a的边缘与第二面61b的边缘的第三面61c。
在第一面61a装载半导体元件62。半导体元件62是利用键合线63而电连接于衬底61的第一面61a。而且，在衬底61的第一面61a设置着模具树脂65(密封树脂)。模具树脂65将半导体元件62及键合线63一体密封。
衬底61的第二面61b是电子零件53的下表面(背面)的一例。在本实施方式中，衬底61的第二面61b露出在模具树脂65的外部，并且设置着多个焊球64。焊球64电连接于衬底61，并且连接于电路衬底52的焊垫。
如图8所示，在电子零件53与电路衬底52之间设置底部填充胶71。底部填充胶71为“密封树脂”、“树脂部”、“绝缘树脂部”、“绝缘部”及“补强部”的各一例。底部填充胶71包围多个焊球64。而且，底部填充胶71进入多个焊球64之间而使多个焊球64之间绝缘，并且填埋衬底61的第二面61b与电路衬底52的第一面52a之间。
另一方面，电子零件53具有沿该电子零件53的厚度方向(电路衬底52的厚度方向)延伸的侧面53a。侧面53a是由例如模具树脂65与衬底61的第三面61c所形成。此外，也可以是侧面53a全部由模具树脂65构成。底部填充胶71具有覆盖电子零件53的侧面53a的至少一部分的内圆角71a(因表面张力而形成为圆弧状的部分)。
如图8所示，在本实施方式中，分子接着层15介置于焊球64的表面等与底部填充胶71之间。详细来说，分子接着层15具有第一部分15a、第二部分15b及第三部分15c。
第一部分15a介置于焊球64的周面64a(侧面)与底部填充胶71之间，并利用分子接合将焊球64的周面64a与底部填充胶71之间接着。第二部分15b介置于衬底61的第二面61b(电子零件53的下表面)与底部填充胶71之间，并利用分子接合将衬底61的第二面61b与底部填充胶71接着。第三部分15c介置于电子零件53的侧面53a与内圆角71a之间，并利用分子接合将电子零件53的侧面53a与内圆角71a之间接着。此外，在本实施方式中，第一至第三部分15a、15b、15c连续地形成。
根据这种构成的电子单元51，与第一实施方式同样地，能实现可靠性的进一步提高。也就是说，在本实施方式中，具有介置于电子零件53的表面与底部填充胶71之间的分子接着层15。根据这种构成，可提高电子零件53的表面与底部填充胶71之间的密接性，从而可进一步确实地减小空气层进入电子零件53的表面与底部填充胶71之间的可能性。由此，可实现将电子单元51的可靠性提高至超越以往的程度。
在本实施方式中，分子接着层15介置于焊球64的表面与底部填充胶71之间。根据这种构成，可提高焊球64的表面与底部填充胶71之间的密接性。由此，可实现电子单元51的可靠性的进一步提高。
在本实施方式中，分子接着层15介置于电子零件53的侧面53a与底部填充胶71的内圆角71a之间。根据这种构成，可提高电子零件53的侧面53a与内圆角71a之间的密接性。由此，可进一步实现电子单元51的可靠性提高。
此外，本发明并不限定于所述实施方式的原样，可在实施阶段中在不脱离其主旨的范围内使构成要素变化并使之实现。而且，可以利用所述实施方式所揭示的多个构成要素的适当组合来形成各种发明。例如，可以从实施方式所表示的全部构成要素中删除若干个构成要素。进而，也可以适当组合不同实施方式的构成要素。
[符号的说明]
1电子零件
11发光元件(半导体元件)
12a、12b金属电极
13模具树脂
14荧光体层
15分子接着层
15a第一部分
15b第二部分
15c第三部分
25阶差部
26发光元件的第一部分
27发光元件的第二部分
31端面
32周面
51电子单元
52电路衬底
53电子零件
53a电子零件的侧面
64焊球
64a周面
71底部填充胶
71a内圆角

Claims (16)

1.一种电子零件，其特征在于包括：
半导体元件；
金属电极，设置在所述半导体元件且可对所述半导体元件供电；
模具树脂，以包围所述金属电极的方式而设置，并且覆盖所述半导体元件的至少一部分与所述金属电极的至少一部分；以及
分子接着层，设置在所述金属电极的表面与所述模具树脂之间。
2.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于：
所述分子接着层包括三嗪二硫醇残基。
3.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于：
所述半导体元件为发光元件。
4.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于还包括：
荧光体层；并且
所述半导体元件包括由所述荧光体层覆盖的第一面、以及位于与该第一面为相反侧且设置有所述金属电极的第二面；
所述模具树脂覆盖所述半导体元件的第二面；
所述分子接着层还设置在所述半导体元件的第二面与所述模具树脂之间。
5.根据权利要求4所述的电子零件，其特征在于：
所述金属电极向与所述第二面大致正交的方向突出，并且包括沿该金属电极的突出方向延伸的周面；
所述模具树脂覆盖所述金属电极的周面；并且
所述分子接着层设置在所述金属电极的周面与所述模具树脂之间。
6.根据权利要求5所述的电子零件，其特征在于：
所述分子接着层连续地形成着介置于所述金属电极的周面与所述模具树脂之间的第一部分与介置于所述半导体元件的第二面与所述模具树脂之间的第二部分。
7.根据权利要求4所述的电子零件，其特征在于：
所述半导体元件包括连接所述第一面的边缘与所述第二面的边缘的侧面；
所述模具树脂覆盖所述半导体元件的侧面；并且
所述分子接着层还设置在所述半导体元件的侧面与所述模具树脂之间。
8.根据权利要求4所述的电子零件，其特征在于：
所述半导体元件包括：第一部分，具有第一厚度；第二部分，具有比所述第一厚度更厚的第二厚度；以及阶差部，位于所述第一部分与所述第二部分之间；
所述模具树脂覆盖所述阶差部；并且
所述分子接着层还设置在所述阶差部的表面与所述模具树脂之间。
9.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于：
该电子零件为晶片级封装。
10.一种电子零件，其特征在于包括：
金属部；
模具树脂，覆盖所述金属部的至少一部分；以及
分子接着层，设置在所述金属部的表面与所述模具树脂之间。
11.根据权利要求10所述的电子零件，其特征在于：
所述分子接着层包括三嗪二硫醇残基。
12.根据权利要求10所述的电子零件，其特征在于还包括：
零件主体，设置着所述金属部；并且
所述模具树脂覆盖所述零件主体的至少一部分；
所述分子接着层还设置在所述零件主体的表面与所述模具树脂之间。
13.一种电子单元，其特征在于包括：
零件；
树脂部，覆盖所述零件的至少一部分；以及
分子接着层，设置在所述零件的表面与所述树脂部之间。
14.根据权利要求13所述的电子单元，其特征在于：
所述分子接着层包括三嗪二硫醇残基。
15.根据权利要求13所述的电子单元，其特征在于还包括：
电路衬底，供搭载所述零件；并且
所述零件包括连接于所述电路衬底的焊球；
所述树脂部是设置在所述电路衬底与所述零件之间且包围所述焊球的底部填充胶；
所述分子接着层设置在所述焊球的表面与所述底部填充胶之间。
16.根据权利要求15所述的电子单元，其特征在于：
所述零件包括侧面；
所述底部填充胶包括覆盖所述零件的侧面的至少一部分的內圓角；并且
所述分子接着层还设置在所述零件的侧面与所述內圓角之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110088923A (zh) * 2016-09-01 2019-08-02 亮锐有限责任公司 具有温度敏感的低折射率颗粒层的白色外观半导体发光器件

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252470B (zh) * 2016-08-30 2018-08-14 厦门市三安光电科技有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
US11081628B2 (en) 2016-09-01 2021-08-03 Lumileds Llc White-appearing semiconductor light-emitting devices having a temperature sensitive low-index particle layer
US10186645B2 (en) * 2016-09-01 2019-01-22 Lumileds Llc White-appearing semiconductor light-emitting devices having a temperature sensitive low-index particle layer
DE102017110073B4 (de) * 2017-05-10 2024-08-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE102017110076B4 (de) * 2017-05-10 2024-08-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
JP2019057572A (ja) 2017-09-20 2019-04-11 東芝メモリ株式会社 金属配線の形成方法
JP7516803B2 (ja) 2020-03-26 2024-07-17 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070071885A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Casio Computer Co. Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20070269925A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process For Preparing A Semiconductor Light-Emitting Device For Mounting
US20100140640A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100244224A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device
CN102150263A (zh) * 2008-11-06 2011-08-10 松下电器产业株式会社 引线、布线部件、封装部件、带有树脂的金属部件和树脂封装半导体装置以及它们的制造方法
US20110298001A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing light-emitting device and light-emitting device manufactured by the same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3597754B2 (ja) * 2000-04-24 2004-12-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2002372473A (ja) * 2001-04-12 2002-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体センサ収納容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置
JP4623282B2 (ja) * 2005-03-10 2011-02-02 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4395472B2 (ja) * 2005-11-08 2010-01-06 信越化学工業株式会社 金メッキプリント基板上に装着された半導体素子の封止方法
JP5166980B2 (ja) 2008-06-10 2013-03-21 三共化成株式会社 成形回路部品の製造方法
KR100969100B1 (ko) * 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
TWI483431B (zh) * 2011-04-01 2015-05-01 Huga Optotech Inc 半導體發光結構
DE102011114865B4 (de) 2011-07-29 2023-03-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5684751B2 (ja) * 2012-03-23 2015-03-18 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP5845134B2 (ja) 2012-04-27 2016-01-20 株式会社東芝 波長変換体および半導体発光装置
TWI500090B (zh) * 2012-11-13 2015-09-11 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件之製法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070071885A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Casio Computer Co. Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20070269925A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Process For Preparing A Semiconductor Light-Emitting Device For Mounting
CN102150263A (zh) * 2008-11-06 2011-08-10 松下电器产业株式会社 引线、布线部件、封装部件、带有树脂的金属部件和树脂封装半导体装置以及它们的制造方法
US20100140640A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20100244224A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device
US20110298001A1 (en) * 2010-06-03 2011-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing light-emitting device and light-emitting device manufactured by the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110088923A (zh) * 2016-09-01 2019-08-02 亮锐有限责任公司 具有温度敏感的低折射率颗粒层的白色外观半导体发光器件

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US20160035948A1 (en) 2016-02-04

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