JPH06148014A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

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Publication number
JPH06148014A
JPH06148014A JP30131092A JP30131092A JPH06148014A JP H06148014 A JPH06148014 A JP H06148014A JP 30131092 A JP30131092 A JP 30131092A JP 30131092 A JP30131092 A JP 30131092A JP H06148014 A JPH06148014 A JP H06148014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
hole
case
semiconductor element
gel
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP30131092A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiji Kobayashi
栄治 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP30131092A priority Critical patent/JPH06148014A/ja
Publication of JPH06148014A publication Critical patent/JPH06148014A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、表面受圧タイプの半導体圧力セン
サにおいて、使用時の外気からの有害物質の侵入がケー
ス12内の部品及び接続部の劣化やショートの原因とな
るので、有害物質の侵入を防止することを目的とする。 【構成】 半導体素子8側へ導圧穴13aを延長するよ
うな筒状部13bをキャップ13に形成し、かつ筒状部
13bと半導体素子8の表面との間の隙間にシリコーン
ゲル11を充填することにより、導圧穴13a内の空間
とケース12内の空間とを遮断した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサに
関し、特に、圧力の変化を電気的変化に変換する表面受
圧タイプの半導体圧力センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の圧力センサとしては、例
えば図2に示すようなものがあった。図において、1は
ベース2とキャップ3とからなるケースであり、キャッ
プ3は、シーリング樹脂4を介してベース2に接合され
ている。また、キャップ3には、導圧穴3aが設けられ
ている。
【0003】5はベース2内にシーリング樹脂4を介し
て固着されているダイボンドパッド、6はダイボンドパ
ッド5上に接着剤7で接着されているガラス、8はガラ
ス6上にFAB(陽極接続)にて接続されている半導体
素子であり、この半導体素子8の裏面には凹部8aが形
成されており、凹部8aとガラス6とにより形成された
空間は、真空状態となっている。
【0004】9はケース1内に位置するインナーリード
9aとケース1外に位置するアウターリード9bとから
なる複数本のリード、10は半導体素子8の表面に形成
された電極(図示せず)とインナーリード9aとを電気
的に接続しているワイヤとしての金線、11は半導体素
子8の表面に塗布されている保護材としてのシリコーン
ゲルである。
【0005】以上の構成により、圧力の変化は導圧穴3
aからケース1内に導かれ、半導体素子8により検出さ
れる。半導体素子8の出力信号は、金線10及びインナ
ーリード9aを経てアウターリード9bから取り出され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体圧力センサにおいては、キャップ3に形
成された導圧穴3aを通して半導体素子8や金線10等
の構成部品が外気にさらされているため、導圧穴3aか
ら侵入した水分,ゴミ,排気ガス及び塩水等の有害物質
が、半導体素子8の側面,金線10のループ部,金線1
0のインナーリード9aへの接続部、及びダイボンドパ
ッド5とベース2との接続部(D/B接続部)等に付着
し、電気的な短絡や接続部の劣化が生じる恐れがあり、
信頼性が損われるという問題点があった。
【0007】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、導圧穴から侵
入する有害物質が半導体素子側面やワイヤ接続部等の信
頼性上特に影響を受け易い部分に付着するのを防止する
ことができ、これにより電気的な短絡や接続部の劣化を
防止して信頼性を向上させることができる半導体圧力セ
ンサを得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体圧
力センサは、導圧穴を半導体素子側へ延長する筒状部を
ケースに形成し、この筒状部の端部を半導体素子上の保
護材に接触させたものである。
【0009】
【作用】この発明においては、保護材まで延びる筒状部
をケースに形成することにより、導圧穴内の空間とケー
ス内の空間とを仕切り、ケース内の空間への有害物質の
侵入を防止する。
【0010】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1はこの発明の一実施例による半導体圧力センサ
の断面図であり、図2と同一又は相当部分には同一符号
を付し、その説明を省略する。
【0011】図において、12はベース2とキャップ1
3とからなるケースであり、キャップ13は、例えばP
PS等の成形し易い材料からなっており、導圧穴13a
を有している。また、キャップ13には、導圧穴13a
を半導体素子8側に延長する筒状部(凸部)13bが形
成されており、筒状部13bの端部はシリコーンゲル1
1に接している。さらに、導圧穴13aの半導体素子8
と反対側の端部は、複数の小径穴13cに分割されてい
る。
【0012】上記の筒状部13bの半導体素子8側の端
部(図の下端部)は、半導体素子8の表面から50μm
程度の高さの位置に位置決めされる。また、シリコーン
ゲル11は、導圧穴13aから半導体素子8上に滴下さ
れ硬化されている。これにより、半導体素子8の表面と
筒状部13bとの間の隙間には、シリコーンゲル11が
充填されている。
【0013】このような半導体圧力センサでは、キャッ
プ13に筒状部13bを構成し、かつ半導体素子8の表
面と筒状部13bとの間の隙間をシリコーンゲル11で
充填したので、導圧穴13a内の空間と、ケース12内
の空間とが分離され、導圧穴13aから侵入する有害物
質がケース1内の部品や接続部に付着するのが防止され
る。この結果、有害物質の付着による電気的な短絡や接
続部の劣化等が防止され、信頼性が向上する。また、外
部の圧力変化は、導圧穴13aを通して半導体素子8に
従来同様に伝えることができる。
【0014】また、この実施例では、導圧穴13aの端
部を複数の小径穴13cに分割したので、上記の効果は
さらに増加される。
【0015】なお、上記実施例ではパッケージ後に導圧
穴13aからシリコーンゲル11を滴下させたが、半導
体素子8の表面に予めシリコーンゲル11を滴下させ、
その後パッケージ工程でキャップ13の筒状部13bを
シリコーンゲル11に接触させてもよい。また、シリコ
ーンゲル11のように低応力,低弾性の樹脂を半導体素
子8の表面に、筒状部13bの形状に対応したパターン
で塗布してもよい。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
圧力センサは、導圧穴を半導体素子側へ延長する筒状部
をケースに形成し、この筒状部の端部を保護材に接触さ
せたので、導圧穴から侵入する有害物質が半導体素子側
面やワイヤ接続部等の信頼性上特に影響を受け易い部分
に付着するのを防止することができ、これにより電気的
な短絡や接続部の劣化を防止して信頼性を向上させるこ
とができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体圧力センサの
断面図である。
【図2】従来の半導体圧力センサの一例を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
8 半導体素子 9 リード 10 金線(ワイヤ) 11 シリコーンゲル(保護材) 12 ケース 13a 導圧穴 13b 筒状部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導圧穴を有するケースと、このケース内
    に収容された圧力検出用の半導体素子と、ワイヤを介し
    て上記半導体素子の電極に接続されているとともに上記
    ケース外に引き出されているリードと、上記半導体素子
    に塗布されている低応力,低弾性の保護材とを備えてい
    る半導体圧力センサにおいて、上記ケースには、上記導
    圧穴を上記半導体素子側へ延長する筒状部が形成されて
    おり、かつ上記筒状部の端部が上記保護材に接している
    ことを特徴とする半導体圧力センサ。
JP30131092A 1992-11-11 1992-11-11 半導体圧力センサ Pending JPH06148014A (ja)

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JP30131092A JPH06148014A (ja) 1992-11-11 1992-11-11 半導体圧力センサ

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JP30131092A JPH06148014A (ja) 1992-11-11 1992-11-11 半導体圧力センサ

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JPH06148014A true JPH06148014A (ja) 1994-05-27

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ID=17895313

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JP30131092A Pending JPH06148014A (ja) 1992-11-11 1992-11-11 半導体圧力センサ

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100648188B1 (ko) * 2001-04-12 2006-11-24 후지 덴키 홀딩스 가부시키가이샤 반도체 센서 수납용기 및 그 제조방법, 및 반도체 센서 장치
JP2017219461A (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 長野計器株式会社 歪検出器及びその製造方法

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