JP3137358B2 - 電子部品用部材 - Google Patents
電子部品用部材Info
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- JP3137358B2 JP3137358B2 JP14604991A JP14604991A JP3137358B2 JP 3137358 B2 JP3137358 B2 JP 3137358B2 JP 14604991 A JP14604991 A JP 14604991A JP 14604991 A JP14604991 A JP 14604991A JP 3137358 B2 JP3137358 B2 JP 3137358B2
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- Japan
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- phase
- thermal expansion
- ceramics
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- lead
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- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の電子部品に
係り、特にリードフレーム、ＴＡＢテープ、リード線等
に用いられる電子部品用部材に関する。
係り、特にリードフレーム、ＴＡＢテープ、リード線等
に用いられる電子部品用部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品特に半導体等に利用されるリー
ドフレーム、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ、リード線には、主としてＦｅ
−４２ＮｉまたはＣｕを主成分とし、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎ
等の添加元素を加えた高強度銅合金が用いられてきた。
ドフレーム、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープ、リード線には、主としてＦｅ
−４２ＮｉまたはＣｕを主成分とし、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎ
等の添加元素を加えた高強度銅合金が用いられてきた。
【０００３】例えば、Ｆｅ−４２Ｎｉは、熱膨脹係数が
Ｓｉの４〜５×１０-6／℃に近い値を示すため、広く利
用されてきた。しかし、耐食性や機械強度には優れてい
たものの、熱伝導率が１０％ＩＡＣＳ以下であったた
め、用途がリードフレームに限定されていた。
Ｓｉの４〜５×１０-6／℃に近い値を示すため、広く利
用されてきた。しかし、耐食性や機械強度には優れてい
たものの、熱伝導率が１０％ＩＡＣＳ以下であったた
め、用途がリードフレームに限定されていた。
【０００４】そこで、機械的強度もあり、導電性や熱伝
導性にも優れているＣｕ−Ｆｅ合金（特開昭６４−１５
３４０公報等）が開発されたが、熱膨脹率が高く、Ｓｉ
半導体に用いた場合、Ｓｉとの熱膨脹率差が大きいため
ミスマッチングを起こし、Ｓｉチップに大きな応力がか
かるという問題があった。また、リードフレームの狭ピ
ッチ化等の形状微細化に対応するには、強度が十分でな
いという問題があった。
導性にも優れているＣｕ−Ｆｅ合金（特開昭６４−１５
３４０公報等）が開発されたが、熱膨脹率が高く、Ｓｉ
半導体に用いた場合、Ｓｉとの熱膨脹率差が大きいため
ミスマッチングを起こし、Ｓｉチップに大きな応力がか
かるという問題があった。また、リードフレームの狭ピ
ッチ化等の形状微細化に対応するには、強度が十分でな
いという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の電
子部品用部材は、Ｓｉ半導体との整合性が悪く、機械的
強度が十分でないという問題があった。本発明は、上記
事情を考慮したもので、Ｓｉ半導体との整合性が高く、
機械的強度も良好な電子部品用部材を提供することを目
的とする。
子部品用部材は、Ｓｉ半導体との整合性が悪く、機械的
強度が十分でないという問題があった。本発明は、上記
事情を考慮したもので、Ｓｉ半導体との整合性が高く、
機械的強度も良好な電子部品用部材を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために、本発明は、Ｃｕを主成分とする相と、５ｗ
ｔ％以下のＣｏ、Ｚｒ、ＴｉおよびＡｌの群から選ばれ
る少なくとも１種の添加元素、あるいは２ｗｔ％以上３
０ｗｔ％以下のＣｒ添加元素を固溶するＦｅを主成分と
する相と、セラミックスを主成分とする相との３相を有
し、前記Ｃｕを主成分とする相が１０〜９０ｗｔ％の範
囲内、前記Ｆｅを主成分とする相が１０〜９０ｗｔ％の
範囲内、前記セラミックスを主成分とする相が０．０１
〜２０ｗｔ％の範囲内であることを特徴とする電子部品
用部材を提供するものである。
するために、本発明は、Ｃｕを主成分とする相と、５ｗ
ｔ％以下のＣｏ、Ｚｒ、ＴｉおよびＡｌの群から選ばれ
る少なくとも１種の添加元素、あるいは２ｗｔ％以上３
０ｗｔ％以下のＣｒ添加元素を固溶するＦｅを主成分と
する相と、セラミックスを主成分とする相との３相を有
し、前記Ｃｕを主成分とする相が１０〜９０ｗｔ％の範
囲内、前記Ｆｅを主成分とする相が１０〜９０ｗｔ％の
範囲内、前記セラミックスを主成分とする相が０．０１
〜２０ｗｔ％の範囲内であることを特徴とする電子部品
用部材を提供するものである。
【０００７】Ｃｕを主成分とする相（以下Ｃｕ相と記
す）は、Ｃｕと、これに固溶されるＦｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、
Ｚｎ等の添加元素、Ｐ、Ｓ、Ｃ、Ｍｎ、等の不可避不純
物から成る。ここで、Ｃｕは９５ｗｔ％以上含有されて
いることが望ましい。さらに好ましくは９８ｗｔ％以上
である。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎは強度を向上させ、Ｚｎはは
んだ耐候性を向上させるために、その他の不可避不純物
を含みトータルで５ｗｔ％以下まで含有されていても良
い。これら、Ｃｕ以外の元素は、上述した範囲を越える
と、導電率が急速に低下してしまう。
す）は、Ｃｕと、これに固溶されるＦｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、
Ｚｎ等の添加元素、Ｐ、Ｓ、Ｃ、Ｍｎ、等の不可避不純
物から成る。ここで、Ｃｕは９５ｗｔ％以上含有されて
いることが望ましい。さらに好ましくは９８ｗｔ％以上
である。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎは強度を向上させ、Ｚｎはは
んだ耐候性を向上させるために、その他の不可避不純物
を含みトータルで５ｗｔ％以下まで含有されていても良
い。これら、Ｃｕ以外の元素は、上述した範囲を越える
と、導電率が急速に低下してしまう。
【０００８】Ｆｅを主成分とする相（以下Ｆｅ相と記
す）は、Ｆｅと、これに固溶されるＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ等の添加元素、上述した不可避不純物
から成る。ここでＣｒは、セラミックスとの密着性を高
めるためにＦｅ相中において２ｗｔ％以上添加するのが
好ましいが、３０ｗｔ％を越えると、はんだ付け性が悪
くなる。より好ましくは、７〜２０ｗｔ％が良い。Ｎｉ
は、添加により導電率が低下するが、より積極的な添加
により、熱膨張係数を低下させることができる。この
際、ＮｉのＦｅ相中の含有量は、３０〜４０ｗｔ％が適
当である。Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌもセラミックスとの
密着性を向上させる作用があるため、５ｗｔ％以下まで
添加されていても良い。
す）は、Ｆｅと、これに固溶されるＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、
Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ等の添加元素、上述した不可避不純物
から成る。ここでＣｒは、セラミックスとの密着性を高
めるためにＦｅ相中において２ｗｔ％以上添加するのが
好ましいが、３０ｗｔ％を越えると、はんだ付け性が悪
くなる。より好ましくは、７〜２０ｗｔ％が良い。Ｎｉ
は、添加により導電率が低下するが、より積極的な添加
により、熱膨張係数を低下させることができる。この
際、ＮｉのＦｅ相中の含有量は、３０〜４０ｗｔ％が適
当である。Ｃｏ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌもセラミックスとの
密着性を向上させる作用があるため、５ｗｔ％以下まで
添加されていても良い。
【０００９】セラミックスから成る相（以下セラミック
ス相と記す）は、熱膨脹係数を低下させるとともに、強
度を向上させるために形成されるもので、その添加方法
は以下の３種を挙げることができるが、特に限定される
ものではない。
ス相と記す）は、熱膨脹係数を低下させるとともに、強
度を向上させるために形成されるもので、その添加方法
は以下の３種を挙げることができるが、特に限定される
ものではない。
【００１０】第１の方法として、高温で溶融しないセラ
ミックスを添加する方法が挙げられる。この方法に適用
できるセラミックスとしては、ＴａＣ、β−ＷＣ、Ｚｒ
Ｃ、ＮｂＣ、ＺｒＮ、ＺｒＢ2 、ＴｉＣ、ＴａＢ、ＹＢ
4、ＭｏＢ、ＶＢ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｃｒ2 Ｏ
3 、ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等、２０００℃以下で溶融若
しくは分離しないものが挙げられる。
ミックスを添加する方法が挙げられる。この方法に適用
できるセラミックスとしては、ＴａＣ、β−ＷＣ、Ｚｒ
Ｃ、ＮｂＣ、ＺｒＮ、ＺｒＢ2 、ＴｉＣ、ＴａＢ、ＹＢ
4、ＭｏＢ、ＶＢ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｃｒ2 Ｏ
3 、ＺｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等、２０００℃以下で溶融若
しくは分離しないものが挙げられる。
【００１１】第２の方法として、セラミックスを添加
し、溶融若しくは分離させた後析出させる方法が挙げら
れる。析出させる際、５００〜７００℃で１〜３時間時
効処理を施すのが適当である。この方法に適用できるセ
ラミックスとしては、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2 等、２０００
℃以下で溶融するが、Ｃｕ相、Ｆｅ相中に固溶せずに析
出可能なものが挙げられる。
し、溶融若しくは分離させた後析出させる方法が挙げら
れる。析出させる際、５００〜７００℃で１〜３時間時
効処理を施すのが適当である。この方法に適用できるセ
ラミックスとしては、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2 等、２０００
℃以下で溶融するが、Ｃｕ相、Ｆｅ相中に固溶せずに析
出可能なものが挙げられる。
【００１２】第３の方法として、元素を添加し溶融させ
た後、その化合物として析出させる方法が挙げられる。
析出させる際、第２の方法と同様に時効処理を施すのが
適当である。この方法に適用できる元素としては、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ等、２０００℃以下
で溶融し、Ｃｕ相、Ｆｅ相中に固溶せずに化合物として
析出可能なものが挙げられる。
た後、その化合物として析出させる方法が挙げられる。
析出させる際、第２の方法と同様に時効処理を施すのが
適当である。この方法に適用できる元素としては、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ等、２０００℃以下
で溶融し、Ｃｕ相、Ｆｅ相中に固溶せずに化合物として
析出可能なものが挙げられる。
【００１３】これらの方法により、形成されるセラミッ
クス相は、結晶状態であっても非晶質状態であっても良
い。また、これらセラミックス相は、単体である必要は
なく、混合物若しくは固溶体を形成していても良い。さ
らに、この相を形成するセラミックスの熱膨張係数は、
少なくともＳｉの熱膨張係数４〜５×１０-6／℃より低
いものが望ましい。
クス相は、結晶状態であっても非晶質状態であっても良
い。また、これらセラミックス相は、単体である必要は
なく、混合物若しくは固溶体を形成していても良い。さ
らに、この相を形成するセラミックスの熱膨張係数は、
少なくともＳｉの熱膨張係数４〜５×１０-6／℃より低
いものが望ましい。
【００１４】本発明の電子部品用部材において、Ｃｕの
含有量が少なくなるに従い導電率が低下し、一方多くな
るに従い強度が低下してゆく。好ましくは、１０〜９０
ｗｔ％が良く、さらに好ましくは２０〜８０ｗｔ％が良
い。また、Ｆｅの含有量が少なくなるに従い強度が低下
し、一方多くなるに従い導電率、耐食性が低下する。好
ましくは、１０〜９０ｗｔ％が良く、さらに好ましくは
２０〜８０ｗｔ％が良い。また、セラミックスは、０．
０１ｗｔ％未満であると、熱膨張係数が低下せず、ま
た、２０ｗｔ％を越えると、Ｃｕ相、Ｆｅ相との密着性
が悪くなり脆化してしまう。好ましくは、０．０５〜１
０ｗｔ％が良い。
含有量が少なくなるに従い導電率が低下し、一方多くな
るに従い強度が低下してゆく。好ましくは、１０〜９０
ｗｔ％が良く、さらに好ましくは２０〜８０ｗｔ％が良
い。また、Ｆｅの含有量が少なくなるに従い強度が低下
し、一方多くなるに従い導電率、耐食性が低下する。好
ましくは、１０〜９０ｗｔ％が良く、さらに好ましくは
２０〜８０ｗｔ％が良い。また、セラミックスは、０．
０１ｗｔ％未満であると、熱膨張係数が低下せず、ま
た、２０ｗｔ％を越えると、Ｃｕ相、Ｆｅ相との密着性
が悪くなり脆化してしまう。好ましくは、０．０５〜１
０ｗｔ％が良い。
【００１５】また、本発明の電子部品用部材は、以下の
方法で製造される。すなわち、原料を調整し、溶融した
後、例えば双ロール法等により冷却する。このときの冷
却速度は、１５０℃／秒以上に設定する。これは、冷却
速度がこの値以下になると、Ｃｕ相、Ｆｅ相が肥大化
し、強度劣化を招くのみならず、セラミックスが均一に
分散しないという問題が生じる。しかし、室温まで急激
に冷却すると、割れを起こす場合があるので、８００℃
より低い温度では徐々に冷却速度を遅くしてゆく。ここ
で必要に応じて時効処理を施したのち、さらに室温まで
徐冷し、電子部品用部材を得る。
方法で製造される。すなわち、原料を調整し、溶融した
後、例えば双ロール法等により冷却する。このときの冷
却速度は、１５０℃／秒以上に設定する。これは、冷却
速度がこの値以下になると、Ｃｕ相、Ｆｅ相が肥大化
し、強度劣化を招くのみならず、セラミックスが均一に
分散しないという問題が生じる。しかし、室温まで急激
に冷却すると、割れを起こす場合があるので、８００℃
より低い温度では徐々に冷却速度を遅くしてゆく。ここ
で必要に応じて時効処理を施したのち、さらに室温まで
徐冷し、電子部品用部材を得る。
【００１６】この様にして得られた電子部品用部材は、
リードフレームや、パワートランジスタのヒートシン
ク、ダイオードのリード、ＴＡＢのインナーリード、ア
ウターリード等に用いられる。
リードフレームや、パワートランジスタのヒートシン
ク、ダイオードのリード、ＴＡＢのインナーリード、ア
ウターリード等に用いられる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。 実施例１〜５
【００１８】表１のＮｏ．１〜５に示す組成になるよう
に試料を調整し、溶融した後、その溶湯１を図１に示す
ように注湯炉２に入れ、これをタンディッシュ３から双
ロール４に幅５００ｍｍの溝を通して流し込んだ。双ロ
ール４は、高速に回転している冷却ドラムであり、この
ロール回転速度を任意に設定することにより、ここで各
試料を表１に示す冷却速度で冷却し、金属帯５を作成し
た。ここで金属帯５は、６００℃まで冷却されており、
さらに１０℃／分で約２００℃まで徐冷した。その後大
気中で放冷し、表面に付いたスケールを硝酸で洗い落と
し、板厚０．１５ｍｍのコイル６に巻き取った。
に試料を調整し、溶融した後、その溶湯１を図１に示す
ように注湯炉２に入れ、これをタンディッシュ３から双
ロール４に幅５００ｍｍの溝を通して流し込んだ。双ロ
ール４は、高速に回転している冷却ドラムであり、この
ロール回転速度を任意に設定することにより、ここで各
試料を表１に示す冷却速度で冷却し、金属帯５を作成し
た。ここで金属帯５は、６００℃まで冷却されており、
さらに１０℃／分で約２００℃まで徐冷した。その後大
気中で放冷し、表面に付いたスケールを硝酸で洗い落と
し、板厚０．１５ｍｍのコイル６に巻き取った。
【００１９】このようにして巻き取られた金属帯から試
験片を作成し、熱膨張係数及びビッカース硬さを設定し
たところ、表２に示すようになり、実施例１〜５におい
てはＳｉとの熱膨張率差が小さくなり、さらに硬さも良
好であることが確認された。さらに、コイル６より、幅
５０ｍｍの金属コイルを切り出し、プレス後所定のパタ
ーンのフラットパッケージ用のリードフレームに加工
し、Ｓｉ半導体チップをダイに銀ペーストでマウントし
て、これを実装評価したところ、大きな応力は加わらな
かった。また、リードの耐繰り返し曲げ性も良好で、５
回以下で折れることはなかった。さらに、インナーリー
ドに金ボンディングをする際にも、リードが上下に曲が
るということがなく、精度の良いボンディングが可能で
あった。また、直接はんだディップ性試験（２６０℃の
Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだに５秒間ディップ）においても良
好な濡れ性を示し（Ｎｏ．７のみ表面を僅かに硝酸及び
硫酸でエッチングした）、はんだ耐候性試験（はんだ付
けした試料を１５０℃で３００時間加熱）においても供
試サンプルの曲げによるはんだ剥離は生じなかった。 実施例６
験片を作成し、熱膨張係数及びビッカース硬さを設定し
たところ、表２に示すようになり、実施例１〜５におい
てはＳｉとの熱膨張率差が小さくなり、さらに硬さも良
好であることが確認された。さらに、コイル６より、幅
５０ｍｍの金属コイルを切り出し、プレス後所定のパタ
ーンのフラットパッケージ用のリードフレームに加工
し、Ｓｉ半導体チップをダイに銀ペーストでマウントし
て、これを実装評価したところ、大きな応力は加わらな
かった。また、リードの耐繰り返し曲げ性も良好で、５
回以下で折れることはなかった。さらに、インナーリー
ドに金ボンディングをする際にも、リードが上下に曲が
るということがなく、精度の良いボンディングが可能で
あった。また、直接はんだディップ性試験（２６０℃の
Ｐｂ−Ｓｎ共晶はんだに５秒間ディップ）においても良
好な濡れ性を示し（Ｎｏ．７のみ表面を僅かに硝酸及び
硫酸でエッチングした）、はんだ耐候性試験（はんだ付
けした試料を１５０℃で３００時間加熱）においても供
試サンプルの曲げによるはんだ剥離は生じなかった。 実施例６
【００２０】表１のＮｏ．６に示す組成になるように試
料を調整し、実施例１〜５と同様に金属帯を形成、冷却
した後、５００〜７００℃で１〜３時間時効処理を施し
た。これを徐冷後同様にしてコイルに巻き取り、実施例
１〜５と同様に試験片を評価したところ、表２に示すよ
うになり、同様に良好な特性が得られたことが確認され
た。 実施例７、８
料を調整し、実施例１〜５と同様に金属帯を形成、冷却
した後、５００〜７００℃で１〜３時間時効処理を施し
た。これを徐冷後同様にしてコイルに巻き取り、実施例
１〜５と同様に試験片を評価したところ、表２に示すよ
うになり、同様に良好な特性が得られたことが確認され
た。 実施例７、８
【００２１】表１のＮｏ．７、８に示す組成になるよう
に試料を調整し、実施例１〜５と同様に金属帯を形成、
冷却した後、６６０℃で２時間時効処理を施した。これ
を徐冷後同様にしてコイルに巻き取り、実施例１〜５と
同様に試験片を評価したところ、表２に示すようにな
り、同様に良好な特性が得られたことが確認された。
尚、上述した各実施例の試験片を光学顕微鏡で観察した
ところ、すべての試験片においてＦｅ相、Ｃｕ相、セラ
ミックス相の３相が認められた。 比較例
に試料を調整し、実施例１〜５と同様に金属帯を形成、
冷却した後、６６０℃で２時間時効処理を施した。これ
を徐冷後同様にしてコイルに巻き取り、実施例１〜５と
同様に試験片を評価したところ、表２に示すようにな
り、同様に良好な特性が得られたことが確認された。
尚、上述した各実施例の試験片を光学顕微鏡で観察した
ところ、すべての試験片においてＦｅ相、Ｃｕ相、セラ
ミックス相の３相が認められた。 比較例
【００２２】表１の比較例に示す組成になるように試料
を調整し、実施例１〜５と同様に金属帯を作成し、コイ
ルに巻き取り、実施例１〜５と同様に試験片を評価した
ところ、熱膨脹係数が大きく、良好な特性が得られなか
った。
を調整し、実施例１〜５と同様に金属帯を作成し、コイ
ルに巻き取り、実施例１〜５と同様に試験片を評価した
ところ、熱膨脹係数が大きく、良好な特性が得られなか
った。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によりＳｉ
との整合性が高く、機械的強度も優れた良好な特性を持
つ電子部品用部材を提供することができる。
との整合性が高く、機械的強度も優れた良好な特性を持
つ電子部品用部材を提供することができる。
【図１】 本発明の製造方法を示す図。
１…浴湯 ２…注湯炉 ３…タンディッシュ ４…双ロール ５…金属帯 ６…コイル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 新一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 総合研究所内 (72)発明者 竹内 曜子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝 総合研究所内 (56)参考文献 特開 平２−111829（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−238230（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−149449（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−192548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−312935（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−76837（ＪＰ，Ａ) 社団法人 日本金属学会編「金属デー タブック」（昭49−７−20）丸善株式会 社 Ｐ．438及びＰ．513 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 C22C 9/00 C22C 38/16
Claims (1)
- 【請求項１】Ｃｕを主成分とする相と、５ｗｔ％以下の
Ｃｏ、Ｚｒ、ＴｉおよびＡｌの群から選ばれる少なくと
も１種の添加元素、あるいは２ｗｔ％以上３０ｗｔ％以
下のＣｒ添加元素を固溶するＦｅを主成分とする相と、
セラミックスを主成分とする相との３相を有し、前記Ｃ
ｕを主成分とする相が１０〜９０ｗｔ％の範囲内、前記
Ｆｅを主成分とする相が１０〜９０ｗｔ％の範囲内、前
記セラミックスを主成分とする相が０．０１〜２０ｗｔ
％の範囲内であることを特徴とする電子部品用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604991A JP3137358B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 電子部品用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14604991A JP3137358B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 電子部品用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369860A JPH04369860A (ja) | 1992-12-22 |
| JP3137358B2 true JP3137358B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=15398944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14604991A Expired - Lifetime JP3137358B2 (ja) | 1991-06-18 | 1991-06-18 | 電子部品用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137358B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4519424B2 (ja) | 2003-06-26 | 2010-08-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 樹脂モールド型半導体装置 |
-
1991
- 1991-06-18 JP JP14604991A patent/JP3137358B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 社団法人 日本金属学会編「金属データブック」（昭４９−７−２０）丸善株式会社 Ｐ．４３８及びＰ．５１３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04369860A (ja) | 1992-12-22 |
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