JPH06209050A - 半導体モジュールのシールドパッケージ - Google Patents
半導体モジュールのシールドパッケージInfo
- Publication number
- JPH06209050A JPH06209050A JP302293A JP302293A JPH06209050A JP H06209050 A JPH06209050 A JP H06209050A JP 302293 A JP302293 A JP 302293A JP 302293 A JP302293 A JP 302293A JP H06209050 A JPH06209050 A JP H06209050A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- case base
- resin film
- semiconductor module
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、光送信又は光受信回路を含む半導
体モジュールのシールド効果を改善したパッケージに関
する。 【構成】 キャップ２又は光送信あるいは光受信モジュ
ールが搭載されたケース基台１の接着面に導電性の突起
５が設けられ、突起５はリング状樹脂膜３を貫通して被
接着面と接触し、キャップ２とケース基台１との間に導
通を確保した構成である。
体モジュールのシールド効果を改善したパッケージに関
する。 【構成】 キャップ２又は光送信あるいは光受信モジュ
ールが搭載されたケース基台１の接着面に導電性の突起
５が設けられ、突起５はリング状樹脂膜３を貫通して被
接着面と接触し、キャップ２とケース基台１との間に導
通を確保した構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光送信又は光受信回路
を含む半導体モジュールのシールドパッケージの構造に
関する。
を含む半導体モジュールのシールドパッケージの構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の大規模化、高速化が求められ
るにつれ、基板上に多数の部品を搭載する従来の実装形
態では高速化したＬＳＩの性能を充分に発揮することが
困難になってきた。これはチップ間の配線が長く、信号
の伝播時間がかかることと、また回路間の信号が漏洩し
干渉するためである。これに対して、１枚のセラミック
基板上に多くのチップを搭載しチップ間の配線を短く
し、かつ高速性を有する回路は単位機能ごとにシールド
パッケージする方式が開発され実用化されている。図３
はシールドパッケージされた従来例の構成を示す斜視図
であり、光ファイバからの信号は（図示していない）入
力端子４からのピンホトダイオード（Pin ＰＤ）６に入
射され、これを増幅するための集積回路（ＩＣ）７、コ
ンデンサ８からなる光受信回路がケース基台１の中に搭
載されている。この基台１はシール用樹脂膜３を介して
金属製のキャップ２と固着され、光受信回路はシールド
パッケージされている。
るにつれ、基板上に多数の部品を搭載する従来の実装形
態では高速化したＬＳＩの性能を充分に発揮することが
困難になってきた。これはチップ間の配線が長く、信号
の伝播時間がかかることと、また回路間の信号が漏洩し
干渉するためである。これに対して、１枚のセラミック
基板上に多くのチップを搭載しチップ間の配線を短く
し、かつ高速性を有する回路は単位機能ごとにシールド
パッケージする方式が開発され実用化されている。図３
はシールドパッケージされた従来例の構成を示す斜視図
であり、光ファイバからの信号は（図示していない）入
力端子４からのピンホトダイオード（Pin ＰＤ）６に入
射され、これを増幅するための集積回路（ＩＣ）７、コ
ンデンサ８からなる光受信回路がケース基台１の中に搭
載されている。この基台１はシール用樹脂膜３を介して
金属製のキャップ２と固着され、光受信回路はシールド
パッケージされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の構成では、ケー
ス基台が樹脂膜によってキャップと絶縁されているため
に、光受信回路は周りの回路からの雑音に対してシール
ド効果が充分に発揮されず、信号波形が歪んだり、誤動
作を起こす問題があった。そこで本発明はかかる問題点
を改善した半導体モジュールのシールドパッケージを提
供することを目的とする。
ス基台が樹脂膜によってキャップと絶縁されているため
に、光受信回路は周りの回路からの雑音に対してシール
ド効果が充分に発揮されず、信号波形が歪んだり、誤動
作を起こす問題があった。そこで本発明はかかる問題点
を改善した半導体モジュールのシールドパッケージを提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、光の入出力端
子を有する金属製キャップと光送信又は光受信モジュー
ルが搭載されたケース基台とをリング状樹脂膜を介して
接着される半導体モジュールのシールドパッケージであ
って、前記キャップ又はケース基台の接着面に導電性突
起が設けられ、該突起はリング状樹脂膜を貫通して被接
着面と接触し、キャップとケース基台との間に導通を確
保した半導体モジュールのシールドパッケージである。
また、本発明は、光の入出力端子を有する金属製キャッ
プと光送信又は光受信モジュールが搭載されたケース基
台とをリング状樹脂膜を介して接着される半導体モジュ
ールのシールドパッケージであって、前記キャップ又は
ケース基台の接着面に導電性突起、被接着面上であって
突起に対応する位置に導電性凹部が設けられ、キャップ
とケース基台の間に導通を確保した半導体モジュールの
シールドパッケージである。
子を有する金属製キャップと光送信又は光受信モジュー
ルが搭載されたケース基台とをリング状樹脂膜を介して
接着される半導体モジュールのシールドパッケージであ
って、前記キャップ又はケース基台の接着面に導電性突
起が設けられ、該突起はリング状樹脂膜を貫通して被接
着面と接触し、キャップとケース基台との間に導通を確
保した半導体モジュールのシールドパッケージである。
また、本発明は、光の入出力端子を有する金属製キャッ
プと光送信又は光受信モジュールが搭載されたケース基
台とをリング状樹脂膜を介して接着される半導体モジュ
ールのシールドパッケージであって、前記キャップ又は
ケース基台の接着面に導電性突起、被接着面上であって
突起に対応する位置に導電性凹部が設けられ、キャップ
とケース基台の間に導通を確保した半導体モジュールの
シールドパッケージである。
【０００５】
【作用】上記の構成によれば本発明に係る半導体モジュ
ールのシールドパッケージは、キャップあるいはケース
基台の接着面に突起を設けることによってキャップとケ
ース基台は突起を通して同電位にすることができる。従
って、従来は樹脂膜によってキャップとケース基台とが
絶縁されていたために周囲からの雑音が容易に内部に侵
入することができたが、突起を設けることによってシー
ルド効果を確保することができる。
ールのシールドパッケージは、キャップあるいはケース
基台の接着面に突起を設けることによってキャップとケ
ース基台は突起を通して同電位にすることができる。従
って、従来は樹脂膜によってキャップとケース基台とが
絶縁されていたために周囲からの雑音が容易に内部に侵
入することができたが、突起を設けることによってシー
ルド効果を確保することができる。
【０００６】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図１は光受信回路についての実施例の構成を
示す一部を破砕した斜視断面図である。１は光受信回路
が搭載されたケース基台、２は光ファイバからの信号を
入力するための端子４を有するキャップ、３はケース基
台１とキャップ２の接着面をシールするための樹脂膜、
５は金属製突起であり、ケース基台１には光信号を受信
するPin ＰＤ６とこの信号を増幅するためのＩＣ７及び
コンデンサ８が搭載されている。この光受信回路に供給
される直流電源あるいは増幅された信号の出力はピン１
０を通して行なわれる。
説明する。図１は光受信回路についての実施例の構成を
示す一部を破砕した斜視断面図である。１は光受信回路
が搭載されたケース基台、２は光ファイバからの信号を
入力するための端子４を有するキャップ、３はケース基
台１とキャップ２の接着面をシールするための樹脂膜、
５は金属製突起であり、ケース基台１には光信号を受信
するPin ＰＤ６とこの信号を増幅するためのＩＣ７及び
コンデンサ８が搭載されている。この光受信回路に供給
される直流電源あるいは増幅された信号の出力はピン１
０を通して行なわれる。
【０００７】ケース基台１は中央部に窪みを設けるよう
にセラミック板を重ね、焼付けて形成される。その周辺
部はキャップ２との接触をよくするために金メッキ等に
よる導電層１−１が設けられている。キャップ２はコバ
ールあるいはステンレススチール等の金属で形成され、
光入力端子４は図示していない光ファイバからの信号が
ＰＤ６に入射される位置に取付けられる。端子４の先端
の穴はガラス板９によって密閉している。エポキシ樹脂
の膜３はキャップ２とケース基台１との接着性を確保
し、シールしている。内部の裸のチップが酸化劣化する
のを防止するためである。
にセラミック板を重ね、焼付けて形成される。その周辺
部はキャップ２との接触をよくするために金メッキ等に
よる導電層１−１が設けられている。キャップ２はコバ
ールあるいはステンレススチール等の金属で形成され、
光入力端子４は図示していない光ファイバからの信号が
ＰＤ６に入射される位置に取付けられる。端子４の先端
の穴はガラス板９によって密閉している。エポキシ樹脂
の膜３はキャップ２とケース基台１との接着性を確保
し、シールしている。内部の裸のチップが酸化劣化する
のを防止するためである。
【０００８】図２はケース基台１とキャップ２の接着部
の拡大断面図であり、同図(a)はケース基台１の導電層
１−１の上に設けられた導電性の突起５が樹脂膜３を貫
通してキャップ２と接触する。この突起５，５，・・・を
ケース基台１の周辺に設けることによってケース基台１
をキャップ２と同電位にすることができる。従って、従
来は樹脂膜３によってケース基台１とキャップ２とが絶
縁され、電気的に分離されていたために周囲からの雑音
が容易に内部に侵入していたが、突起５，５，・・・を設
けることによってシール作用を損なうことなく、シール
ド効果を確保することができる。
の拡大断面図であり、同図(a)はケース基台１の導電層
１−１の上に設けられた導電性の突起５が樹脂膜３を貫
通してキャップ２と接触する。この突起５，５，・・・を
ケース基台１の周辺に設けることによってケース基台１
をキャップ２と同電位にすることができる。従って、従
来は樹脂膜３によってケース基台１とキャップ２とが絶
縁され、電気的に分離されていたために周囲からの雑音
が容易に内部に侵入していたが、突起５，５，・・・を設
けることによってシール作用を損なうことなく、シール
ド効果を確保することができる。
【０００９】図２(b)は突起５，５，・・・に対応する位置
でキャップ２の接触面に凹部１１，１１，・・・を設けた
部分の拡大断面図であり、同図(a)の場合よりケース基
台１とキャップ２との接触をさらに確実にしたものであ
る。突起５，５，・・・あるいは凹部１１，１１，・・・はケ
ース基台１あるいはキャップ２のいずれの側に設けても
同様の効果を得ることができる。
でキャップ２の接触面に凹部１１，１１，・・・を設けた
部分の拡大断面図であり、同図(a)の場合よりケース基
台１とキャップ２との接触をさらに確実にしたものであ
る。突起５，５，・・・あるいは凹部１１，１１，・・・はケ
ース基台１あるいはキャップ２のいずれの側に設けても
同様の効果を得ることができる。
【００１０】次に、図２(a)に示すようにケース基台１
の周囲に突起５，５，・・・を設け、中央部には光受信回
路を搭載し、キャップ２によってシールドしたパッケー
ジと、比較のために突起を設けない場合とについてキャ
ップ２とアース間に雑音電圧を加えて誤り率を測定し
た。その結果、誤りの回数は１０-8／secであったもの
が、突起を付けることによって１０-10／sec以下まで減
少した。上記の実施例は光受信回路のシールドパッケー
ジについて説明したが、ホトダイオードの代わりにライ
トエミッテイングダイオードあるいはレーザダイオード
を用いた光送信回路についても同様の効果を得ることが
できる。
の周囲に突起５，５，・・・を設け、中央部には光受信回
路を搭載し、キャップ２によってシールドしたパッケー
ジと、比較のために突起を設けない場合とについてキャ
ップ２とアース間に雑音電圧を加えて誤り率を測定し
た。その結果、誤りの回数は１０-8／secであったもの
が、突起を付けることによって１０-10／sec以下まで減
少した。上記の実施例は光受信回路のシールドパッケー
ジについて説明したが、ホトダイオードの代わりにライ
トエミッテイングダイオードあるいはレーザダイオード
を用いた光送信回路についても同様の効果を得ることが
できる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るシール
ドパッケージは、キャップあるいはケース基台の接着面
に突起を設けることによってキャップとケース基台は突
起を通して同電位にすることができる。従って、より確
実に内部の回路を雑音から保護することができるので高
速の光送受信回路を高密度に形成することができる。
ドパッケージは、キャップあるいはケース基台の接着面
に突起を設けることによってキャップとケース基台は突
起を通して同電位にすることができる。従って、より確
実に内部の回路を雑音から保護することができるので高
速の光送受信回路を高密度に形成することができる。
【図１】本発明の実施例に係る構成を示す一部を破砕し
た斜視断面図である。
た斜視断面図である。
【図２】ケース基台とキャップの接着部の拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】従来の構成を示す一部を破砕した斜視断面図で
ある。
ある。
１：ケース基台 １−１：導電層 ２：キャップ ３：樹脂膜 ４：光の入力端子 ５：突起 ６：ＰＤ ７：ＩＣ ８：コンデンサ ９：ガラス板 １０：ピン １１：凹部
Claims (2)
- 【請求項１】 光の入出力端子を有する金属製キャップ
と光送信又は光受信モジュールが搭載されたケース基台
とをリング状樹脂膜を介して接着される半導体モジュー
ルのシールドパッケージであって、前記キャップ又はケ
ース基台の接着面に導電性突起が設けられ、該突起はリ
ング状樹脂膜を貫通して被接着面と接触し、キャップと
ケース基台との間に導通を確保したことを特徴とする半
導体モジュールのシールドパッケージ。 - 【請求項２】 光の入出力端子を有する金属製キャップ
と光送信又は光受信モジュールが搭載されたケース基台
とをリング状樹脂膜を介して接着される半導体モジュー
ルのシールドパッケージであって、前記キャップ又はケ
ース基台の接着面に導電性突起、被接着面上であって突
起に対応する位置に導電性凹部が設けられ、キャップと
ケース基台の間に導通を確保したことを特徴とする半導
体モジュールのシールドパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP302293A JPH06209050A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 半導体モジュールのシールドパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP302293A JPH06209050A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 半導体モジュールのシールドパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209050A true JPH06209050A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11545709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP302293A Pending JPH06209050A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 半導体モジュールのシールドパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209050A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7448861B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-11-11 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device and mold |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP302293A patent/JPH06209050A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7448861B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-11-11 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device and mold |
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