JPS6059788A - 光通信用半導体装置 - Google Patents
光通信用半導体装置Info
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- JPS6059788A JPS6059788A JP58168737A JP16873783A JPS6059788A JP S6059788 A JPS6059788 A JP S6059788A JP 58168737 A JP58168737 A JP 58168737A JP 16873783 A JP16873783 A JP 16873783A JP S6059788 A JPS6059788 A JP S6059788A
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- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光通信用の半導体装置に関する。
一般に光通信では、−喘に電気信号を光信号に変換する
ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオード）
の発光素子を、他端に光信号を電気信号に変換するＰＤ
（フォトダイオード）やＡＰＤ （アバランシェフォト
ダイオード）をそれぞれ配置し、両端間を光ファイバで
結合して通信を行なう。又、両端間で相互に信号のやり
とりをする場合には、一般に発光素子と受光素子を、他
端にも同様に発光素子と受光素子をそれぞれ配置し、両
端部の発光素子−受光素子及び受光素子−発光素子間を
それぞれ光ファイバで結合している。
ＬＥＤ（発光ダイオード）やＬＤ（レーザダイオード）
の発光素子を、他端に光信号を電気信号に変換するＰＤ
（フォトダイオード）やＡＰＤ （アバランシェフォト
ダイオード）をそれぞれ配置し、両端間を光ファイバで
結合して通信を行なう。又、両端間で相互に信号のやり
とりをする場合には、一般に発光素子と受光素子を、他
端にも同様に発光素子と受光素子をそれぞれ配置し、両
端部の発光素子−受光素子及び受光素子−発光素子間を
それぞれ光ファイバで結合している。
これら光通信に使用された半導体装置としては、従来第
１図に示すように発光素子２及びそれを駆動する駆動回
路をＩＣ化したチップ４をそれぞれリードフレーム６に
固定し、ボンディングワイヤ８で所定の結線をした後、
透明なプラスチックｌＯでモールドした送信用の光半導
体装置が知られている。又、同様に受光素子及びその出
力信号を増幅再生する受信回路をＩＣ化したチップをリ
ードフレームに固定し、透明なプラスチックでモールド
した受信用の光半導体装置も知られている。
１図に示すように発光素子２及びそれを駆動する駆動回
路をＩＣ化したチップ４をそれぞれリードフレーム６に
固定し、ボンディングワイヤ８で所定の結線をした後、
透明なプラスチックｌＯでモールドした送信用の光半導
体装置が知られている。又、同様に受光素子及びその出
力信号を増幅再生する受信回路をＩＣ化したチップをリ
ードフレームに固定し、透明なプラスチックでモールド
した受信用の光半導体装置も知られている。
上述の光半導体装置を用いて２つの端間で相互に通信を
行なうための双方向モジュールは、例えば第２図及び第
３図に示されるように構成され、送信用及び受信用の光
コネクタが嵌合すする凹部１２，１４を備えた光不透ｉ
プラスチックモールド１６内に送信用半導体装置１８及
び受信用半導体装置２０を接着剤２２で固定してなって
いる。この双方向モジュールは、送信部と受信部が同一
のプラスチックモールド１６内にパッケージされている
ので取扱い易く、又、光ファイバが２本並設されたプラ
グを用いることにより、モジュールとプラグの接続が簡
単に行なえるという利点を有している。
行なうための双方向モジュールは、例えば第２図及び第
３図に示されるように構成され、送信用及び受信用の光
コネクタが嵌合すする凹部１２，１４を備えた光不透ｉ
プラスチックモールド１６内に送信用半導体装置１８及
び受信用半導体装置２０を接着剤２２で固定してなって
いる。この双方向モジュールは、送信部と受信部が同一
のプラスチックモールド１６内にパッケージされている
ので取扱い易く、又、光ファイバが２本並設されたプラ
グを用いることにより、モジュールとプラグの接続が簡
単に行なえるという利点を有している。
しかしながら、上述の双方向モジュールでは、次の欠点
がある。
がある。
（１） 光受信用半導体装置は、数百、ｔＡという受光
素子からの微弱な信号を扱うため、外部雑音の影響を受
け易く、特に送信用半導体装置では発光素子で数十ｍＡ
という大電流を扱うため、この電源のスイッチングに起
因する雑音が発生し、送信用半導体装置と近接配置され
る受信用半導体装置へ飛び込み受信用半導体装置を誤動
作させる。
素子からの微弱な信号を扱うため、外部雑音の影響を受
け易く、特に送信用半導体装置では発光素子で数十ｍＡ
という大電流を扱うため、この電源のスイッチングに起
因する雑音が発生し、送信用半導体装置と近接配置され
る受信用半導体装置へ飛び込み受信用半導体装置を誤動
作させる。
（２）各半導体装置は透明プラスチックによりモールド
されているので、信頼性特に耐温性が悪い。例えば、プ
レッシャフッカテスト（１２１℃、 ２ ａｔｍ ）で
は数時間で故障してしまう。
されているので、信頼性特に耐温性が悪い。例えば、プ
レッシャフッカテスト（１２１℃、 ２ ａｔｍ ）で
は数時間で故障してしまう。
（３）光ファイバと発光素子、受光素子とは効率よく光
結合させるために光軸が１＋’！密に一致している必要
があるが、発光素子、受光素子はリード線上にマウント
されているため、リードフレームのそりや微小な変形に
より光軸ずれを起こし易い。更に光年透明プラスチック
モールド１６内に送信用半導体装置及び受信用半導体装
置をそれぞれ個別に固定しているので、光ファイバが２
本並設されたプラグとの寸法公差により光軸ずれが起こ
り易い。
結合させるために光軸が１＋’！密に一致している必要
があるが、発光素子、受光素子はリード線上にマウント
されているため、リードフレームのそりや微小な変形に
より光軸ずれを起こし易い。更に光年透明プラスチック
モールド１６内に送信用半導体装置及び受信用半導体装
置をそれぞれ個別に固定しているので、光ファイバが２
本並設されたプラグとの寸法公差により光軸ずれが起こ
り易い。
この発明の目的は、上述の問題点を解消するものであり
、特に雑音による誤動、作を防止した光通信用半導体装
置を提供することである。
、特に雑音による誤動、作を防止した光通信用半導体装
置を提供することである。
この発□明は、セラミック基板上に透光性窓を、備えた
。金属性シェルを気密的に封着して空間を形成し、その
空間内に発光素子、受光素子及び受光素子の光電流を増
幅する回路素子を組んで、光送信部と光受信部が設けら
れた双方向通信用の光半導体装置を構成し、更に上記光
送信部と光受信部の間に導電性遮蔽部材を設け、且つ上
記空間内で光受信部のセラミック基板上にその大部分の
面積を占めるようにメタライズ層を形成して、このメタ
ライズ層と金属製シェルと導電性遮蔽部材によって光受
信部を遮蔽したものである。
。金属性シェルを気密的に封着して空間を形成し、その
空間内に発光素子、受光素子及び受光素子の光電流を増
幅する回路素子を組んで、光送信部と光受信部が設けら
れた双方向通信用の光半導体装置を構成し、更に上記光
送信部と光受信部の間に導電性遮蔽部材を設け、且つ上
記空間内で光受信部のセラミック基板上にその大部分の
面積を占めるようにメタライズ層を形成して、このメタ
ライズ層と金属製シェルと導電性遮蔽部材によって光受
信部を遮蔽したものである。
この発明の一実施例に係る光通信用半導体装置は第４図
に示すように構成され、第１のセラ −ミック基板２４
の一面上には、周縁部に設けたセラミック製スペーサ３
０及びコバール製ウェルドリング３２を介して、第１及
び第２の透光性窓３６．４０を有する金属製シェル３８
が気密的に封着されている。そして上記第１のセラミッ
ク基板２４、スペーサ３０．ウェルドリング３２、及び
シェル３８により空間４４が形成されている。この空間
４４には、上記第１の透光性窓３６に対向して受光素子
４８が上記第１のセラミック基板２４上に設けられ、こ
の受光素子４８からの出力光電流を増幅再生する回路素
子、例えばレシーバ回路用ＩＣ５ｏ及びコンデンサ５２
等が同様に上記第１のセラミック基板２４上に設けられ
ている。そして上記受光素子４Ｂ、ＩＣ５０、及びコン
デンサ５２は光受信部を構成している。更に上記第２の
透光性窓４０に対向して発光素子５４が上記第１のセラ
ミック基板２４上に設けられ、この発光素子５４を駆動
するための回路素子、例えば駆動用ＩＣ５６がやはり第
１のセラミック基板２４１：に設けられている。そして
、上記発光素子５４及びＩＣ５６は光送信部を構成して
いる。又、これら光送信部と光受信部の間には、金属ブ
ロックからなる導電性遮蔽部材６２が上記第１のセラミ
ック基板２４上に設けられており、光送信部と光受信部
は光学的に分離されている。更に、上記第１のセラミッ
ク基板２４の他面には、第２及び第３のセラミック基板
２６．２８が順次積層して設けられ、第３のセラミック
基板２８上にはリード端子６０が形成されている。
に示すように構成され、第１のセラ −ミック基板２４
の一面上には、周縁部に設けたセラミック製スペーサ３
０及びコバール製ウェルドリング３２を介して、第１及
び第２の透光性窓３６．４０を有する金属製シェル３８
が気密的に封着されている。そして上記第１のセラミッ
ク基板２４、スペーサ３０．ウェルドリング３２、及び
シェル３８により空間４４が形成されている。この空間
４４には、上記第１の透光性窓３６に対向して受光素子
４８が上記第１のセラミック基板２４上に設けられ、こ
の受光素子４８からの出力光電流を増幅再生する回路素
子、例えばレシーバ回路用ＩＣ５ｏ及びコンデンサ５２
等が同様に上記第１のセラミック基板２４上に設けられ
ている。そして上記受光素子４Ｂ、ＩＣ５０、及びコン
デンサ５２は光受信部を構成している。更に上記第２の
透光性窓４０に対向して発光素子５４が上記第１のセラ
ミック基板２４上に設けられ、この発光素子５４を駆動
するための回路素子、例えば駆動用ＩＣ５６がやはり第
１のセラミック基板２４１：に設けられている。そして
、上記発光素子５４及びＩＣ５６は光送信部を構成して
いる。又、これら光送信部と光受信部の間には、金属ブ
ロックからなる導電性遮蔽部材６２が上記第１のセラミ
ック基板２４上に設けられており、光送信部と光受信部
は光学的に分離されている。更に、上記第１のセラミッ
ク基板２４の他面には、第２及び第３のセラミック基板
２６．２８が順次積層して設けられ、第３のセラミック
基板２８上にはリード端子６０が形成されている。
ところで第５図乃至第８図はスペーサ３０、第１のセラ
ミック基板２４、第２のセラミック基板２６、第３のセ
ラミック基板２８のそれぞ机上面図を示し、第９図は第
３のセラミック基板２８の裏面図を示している。
ミック基板２４、第２のセラミック基板２６、第３のセ
ラミック基板２８のそれぞ机上面図を示し、第９図は第
３のセラミック基板２８の裏面図を示している。
先ず第５図に示された矩形状のスペーサ３０には、後述
の第１．第２．第３のセラミック基板２４．２６．２８
と同様に、長辺側の中央部に第１．第２の切欠き１９０
，１９２が対向して設けられている。更に、矩形状の開
孔１９４が形成されており、この開孔１９４の周囲の中
央部右側には、スルーホール１９Ｂが複数形成 ′され
、開口１９４の周囲に形成されたメタライズ層２０２と
接続されている。又、開孔１９４の内面にもメタライズ
層３００が形成されてのり、上記メタライズ層２０２と
接続されている。
の第１．第２．第３のセラミック基板２４．２６．２８
と同様に、長辺側の中央部に第１．第２の切欠き１９０
，１９２が対向して設けられている。更に、矩形状の開
孔１９４が形成されており、この開孔１９４の周囲の中
央部右側には、スルーホール１９Ｂが複数形成 ′され
、開口１９４の周囲に形成されたメタライズ層２０２と
接続されている。又、開孔１９４の内面にもメタライズ
層３００が形成されてのり、上記メタライズ層２０２と
接続されている。
次に第６図に示すように第１のセラミック基板２４は、
矩形状にして長辺側の中央部に第１及び第２の切欠き７
０．７２を有し、この第１及び第２の切欠き７０．７２
で区分された右半分には受光素子４８を載置する導電パ
ターン７６及びバイパスコンデンサ７８を設ける導電パ
ターン８０及び電源を供給するための導電ツクターン８
２，８４．増幅再生回路からの出力を取出す導電パター
ン８６等の配線が形成されている。更にこれらの配線部
を除いた大部分を覆うようにメタライズ＠８８が形成さ
れている。
矩形状にして長辺側の中央部に第１及び第２の切欠き７
０．７２を有し、この第１及び第２の切欠き７０．７２
で区分された右半分には受光素子４８を載置する導電パ
ターン７６及びバイパスコンデンサ７８を設ける導電パ
ターン８０及び電源を供給するための導電ツクターン８
２，８４．増幅再生回路からの出力を取出す導電パター
ン８６等の配線が形成されている。更にこれらの配線部
を除いた大部分を覆うようにメタライズ＠８８が形成さ
れている。
図中、参照番号５０は増幅再生用ＩＣであり、このＩＣ
５０の交流的接地電位端子８１はメタライズ層８８ヘボ
ンデイングワイヤにより接続され、後述するようにリー
ド端子と接続されている。ここでいう交流的接地電位端
子とは、増幅再生回路Ｃ５０の電源喘子又は接地端子を
示し、実施例では接地端子とメタライズ層とを接続した
例を示す。又、第１及び第２の切欠き７０．７２で区分
けされた左半分には、発光素子５４を載置する導電パタ
ーン９２、駆動回路用ＩＣ５６に電源を供給するための
導電パターン９４、入力信号を駆動用回路素子９３に供
給するための導電パターン９５等の配線が形成されてい
る。更に、これらの配線部を除いた大部分を覆うように
メタライズ層９６が形成されている。
５０の交流的接地電位端子８１はメタライズ層８８ヘボ
ンデイングワイヤにより接続され、後述するようにリー
ド端子と接続されている。ここでいう交流的接地電位端
子とは、増幅再生回路Ｃ５０の電源喘子又は接地端子を
示し、実施例では接地端子とメタライズ層とを接続した
例を示す。又、第１及び第２の切欠き７０．７２で区分
けされた左半分には、発光素子５４を載置する導電パタ
ーン９２、駆動回路用ＩＣ５６に電源を供給するための
導電パターン９４、入力信号を駆動用回路素子９３に供
給するための導電パターン９５等の配線が形成されてい
る。更に、これらの配線部を除いた大部分を覆うように
メタライズ層９６が形成されている。
尚、光送信部のメタライズ層９６と先受（ｉｉ部のメタ
ライズ層８８は互いに絶縁されており、光送信部と光受
信部の間に設けた導伝性遮蔽部材６２は、光受信部のメ
タライズ＠８８へ接続されている。又、第１のセラミッ
ク基板２４の中央部右側には、複数の充填物質を有する
スル−ホール９８が設けられ、光受信部のメタライズ＠
８８と接続されている。又、中央部左側のスルーホール
１ｏｏの導電物質は、光送信部側のメタライズ層９６に
接続されている。
ライズ層８８は互いに絶縁されており、光送信部と光受
信部の間に設けた導伝性遮蔽部材６２は、光受信部のメ
タライズ＠８８へ接続されている。又、第１のセラミッ
ク基板２４の中央部右側には、複数の充填物質を有する
スル−ホール９８が設けられ、光受信部のメタライズ＠
８８と接続されている。又、中央部左側のスルーホール
１ｏｏの導電物質は、光送信部側のメタライズ層９６に
接続されている。
次に、第２のセラミック基板２６は、第７図に示すよう
に矩形状にして、第１のセラミック基板２４と同様に長
辺側の中央部に第１及び第２の切欠＝ｌＦ１０２，１０
４が設けられ、中央部にはスルーホール１ｏ６，１０８
が設けられている。又、右半分には電源、信号出力用等
の導電パターン１１０，１１２，１１４等が設けられ、
その他の部分にはメタライズ層１１５が設けられている
。又、左半分のセラミック基板上にも駆動回路ＩＣ用電
源、信号入力用電源、発光素子用電源等の導電パターン
ｌ １６ 、２１８゜１２０が設けられ、その他の部分
にはメタライズ層ｚ；ｔｔが形成されている。
に矩形状にして、第１のセラミック基板２４と同様に長
辺側の中央部に第１及び第２の切欠＝ｌＦ１０２，１０
４が設けられ、中央部にはスルーホール１ｏ６，１０８
が設けられている。又、右半分には電源、信号出力用等
の導電パターン１１０，１１２，１１４等が設けられ、
その他の部分にはメタライズ層１１５が設けられている
。又、左半分のセラミック基板上にも駆動回路ＩＣ用電
源、信号入力用電源、発光素子用電源等の導電パターン
ｌ １６ 、２１８゜１２０が設けられ、その他の部分
にはメタライズ層ｚ；ｔｔが形成されている。
次に、第３のセラミック基板２Ｂは第８図に示すように
、矩形状にして長辺側の中央部に第１及び第２の切欠き
１３θ、１３２が設けら札第２のセラミック基板２６に
形成された導電パターンと接続される所定の導電パター
ン１３４゜１ １３６ 、１３８ 、１４０，１４２，
１４４が設けられている。又、これら配線部を除いて右
半分及び左半分にそれぞれメタライズｒｆＪ１４Ｇ、１
４Ｂが設けられている。上記各導電パターン及びメタラ
イズ層は、第３のセラミック基板２８の側面に形成され
た導電膜を介して第９図に示すように基板裏のリード端
子取付用の導電パターン１５０．１５２，１５４，１５
６，１５８，１６０，１６２゜１６４と接続されている
。又、これらの感電パターンには、リード端子１６６．
１６８，１７０゜１７２．１７４，１７６．１７８，１
８０が取着されている。上記リード端子１６６〜１８０
は、それぞれ順番に送信側入力信号入力喘子、送信側電
源端子、発光素子用電源端子、送信側接地端子、受信側
接地端子、受信側電源端子、接地端子、受信側出力信号
出力端子である。
、矩形状にして長辺側の中央部に第１及び第２の切欠き
１３θ、１３２が設けら札第２のセラミック基板２６に
形成された導電パターンと接続される所定の導電パター
ン１３４゜１ １３６ 、１３８ 、１４０，１４２，
１４４が設けられている。又、これら配線部を除いて右
半分及び左半分にそれぞれメタライズｒｆＪ１４Ｇ、１
４Ｂが設けられている。上記各導電パターン及びメタラ
イズ層は、第３のセラミック基板２８の側面に形成され
た導電膜を介して第９図に示すように基板裏のリード端
子取付用の導電パターン１５０．１５２，１５４，１５
６，１５８，１６０，１６２゜１６４と接続されている
。又、これらの感電パターンには、リード端子１６６．
１６８，１７０゜１７２．１７４，１７６．１７８，１
８０が取着されている。上記リード端子１６６〜１８０
は、それぞれ順番に送信側入力信号入力喘子、送信側電
源端子、発光素子用電源端子、送信側接地端子、受信側
接地端子、受信側電源端子、接地端子、受信側出力信号
出力端子である。
さて、上述したスペーサ３０及び第１乃至第３のセラミ
ック基板２４，２６．２８は、当初グリーンセラミック
で形成されており、積層した後、熱処理により多層セラ
ミック基板とされ各基板上の所定の導電パターン及びメ
タライズ層はそれぞれ所定の部位に設けられたスルーホ
ールにより接続される。又、金属製のシェル３８は、ス
ペーサ３０のメタライズ層、？ ０ 、？と電気的に接
続されている。従って空間の光受信部は、それぞれ各セ
ラミック基板上に設けられたメタライズ層、スペーサの
開孔部右側に設けられたスルーホール、各セラミック基
板の中央部に設けられたスルーホール及び金属製のシェ
ルとによって囲まれ外部より遮蔽されている。
ック基板２４，２６．２８は、当初グリーンセラミック
で形成されており、積層した後、熱処理により多層セラ
ミック基板とされ各基板上の所定の導電パターン及びメ
タライズ層はそれぞれ所定の部位に設けられたスルーホ
ールにより接続される。又、金属製のシェル３８は、ス
ペーサ３０のメタライズ層、？ ０ 、？と電気的に接
続されている。従って空間の光受信部は、それぞれ各セ
ラミック基板上に設けられたメタライズ層、スペーサの
開孔部右側に設けられたスルーホール、各セラミック基
板の中央部に設けられたスルーホール及び金属製のシェ
ルとによって囲まれ外部より遮蔽されている。
第１０図乃至第１２図は、この発明の他の実施例の３つ
の例を示したものである。
の例を示したものである。
即ち、第１０図は上記実施例において導電性遮蔽部材２
１０を、メタライズ層ではなくシェル３８に溶接したも
のである。
１０を、メタライズ層ではなくシェル３８に溶接したも
のである。
第１１図は％４枚の導電性遮蔽板２１２゜２１４．２１
６，２１８を、受光素子２２０及び増幅再生回路素子２
２２を取囲む位置に設けたものである。この場合、４枚
の導電性遮蔽板２１２．２１４，２１６，２１８は、全
て受信側メタライズ層へ接続されている。
６，２１８を、受光素子２２０及び増幅再生回路素子２
２２を取囲む位置に設けたものである。この場合、４枚
の導電性遮蔽板２１２．２１４，２１６，２１８は、全
て受信側メタライズ層へ接続されている。
第１２図は、４枚の導電性遮蔽板２２４゜２２６．２２
８，２３０を、発光素子２３２及び発光素子駆動用ＩＣ
２，９４を取囲む位置に設けたものである。この場合、
４枚の導電性遮蔽板２２４，２２６，２２８．２３０は
全て送信側メタライズ層へ接続されている。
８，２３０を、発光素子２３２及び発光素子駆動用ＩＣ
２，９４を取囲む位置に設けたものである。この場合、
４枚の導電性遮蔽板２２４，２２６，２２８．２３０は
全て送信側メタライズ層へ接続されている。
この発明によれば、受光素子及び増幅再生回路を収容し
、非常に微弱な光電流を扱う光受信部と光送信部とは電
磁的に分離されているので、比較的大電流を高速でスイ
ッチングし、雑音を発生ずる光送信部に隣接して光受信
部が設けられていても、光受信部は雑音による誤動作を
起こす問題がなくなり、信頼性が著しく向上した。
、非常に微弱な光電流を扱う光受信部と光送信部とは電
磁的に分離されているので、比較的大電流を高速でスイ
ッチングし、雑音を発生ずる光送信部に隣接して光受信
部が設けられていても、光受信部は雑音による誤動作を
起こす問題がなくなり、信頼性が著しく向上した。
又、外囲気はセラミック、金属、ガラスを用いた気密シ
ール構造となっているため、耐高低温特性、耐湿性はプ
ラスチックでモールドされた従来例のものに比べ、格段
に向上した。例えばプレッシャフッカテスト５０時間経
過後も何の異常も認められなかった。
ール構造となっているため、耐高低温特性、耐湿性はプ
ラスチックでモールドされた従来例のものに比べ、格段
に向上した。例えばプレッシャフッカテスト５０時間経
過後も何の異常も認められなかった。
更にこの発明によれば、光送受信部が一つの多層セラミ
ック基板上に設けられているため、又、一つの空間内に
収容されているため、光送信用半導体装置と光受信用半
導体装置を個別に用いるもの、更に光送信部、光受信部
が個別の空間に収容されているものに比べ小形化するこ
とができた。
ック基板上に設けられているため、又、一つの空間内に
収容されているため、光送信用半導体装置と光受信用半
導体装置を個別に用いるもの、更に光送信部、光受信部
が個別の空間に収容されているものに比べ小形化するこ
とができた。
第１図は従来の光通信用半導体装置を示す平面図、第２
図及び第３図は光通信用モジュールを示す平面図と断面
図、第４図はこの発明の一実施例に係る光通信用半導体
装置を示す断面図、第５図乃至第９図はこの発明の光通
信用半導体装置に用いるセラミック基板を示す平面図、
第１０図乃至第１２図はこの発明の他の実施例を示す断
面図と斜視図である。 ２４・・・第１のセラミック基板、２６・・・第２のセ
ラミック基板、２８・・・第３のセラミック基板、３６
・・・第１の透光性窓、３８・・・シェル、４０・・・
第２の透光性窓、４４・・・空間、４８・・・受光素子
。 ５０・・・ＩＣ，５２・・・コンデンサ、５４・・・発
光素子、５６・・・ＩＣ，ｅ２・・・導電性遮蔽部材、
８８゜９６・・・メタライズ層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図 第５丙 「− 第８図 第１０図 第１１図 第１２区
図及び第３図は光通信用モジュールを示す平面図と断面
図、第４図はこの発明の一実施例に係る光通信用半導体
装置を示す断面図、第５図乃至第９図はこの発明の光通
信用半導体装置に用いるセラミック基板を示す平面図、
第１０図乃至第１２図はこの発明の他の実施例を示す断
面図と斜視図である。 ２４・・・第１のセラミック基板、２６・・・第２のセ
ラミック基板、２８・・・第３のセラミック基板、３６
・・・第１の透光性窓、３８・・・シェル、４０・・・
第２の透光性窓、４４・・・空間、４８・・・受光素子
。 ５０・・・ＩＣ，５２・・・コンデンサ、５４・・・発
光素子、５６・・・ＩＣ，ｅ２・・・導電性遮蔽部材、
８８゜９６・・・メタライズ層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第４図 第５丙 「− 第８図 第１０図 第１１図 第１２区
Claims (1)
- 第１及び第２の主面を持つセラミック基板と、第・１及
び第２の透光性窓を有し上記セラミック基板の第１の主
面に気密的に接合され上記セラミック基板の上記第１の
主面との間に空間を形成するシェルと、上記空間内で上
記第１の主面上に該主面の大部分を占めるように形成さ
れたメタライズ層と、上記空間内で上記第１の透光性窓
に対向して上記第１のセラミック基板の上記第１の主面
上に設けられた受光素子と、上記空間内で上記第１の主
面上に設けられ上記受光素子の光電流を増幅し上記シェ
ル及び上記メタライズ層と接続される交流的接地電位端
子を有する回路素子と、上記空間内で上記第２の透光性
窓に対向して上記第１の主面上に設けられた発光素子と
、上記空間内の上記メタライズ層上の上記受光素子と上
記発光素子との間で上記メすることを特徴とした光通信
用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168737A JPS6059788A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 光通信用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168737A JPS6059788A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 光通信用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059788A true JPS6059788A (ja) | 1985-04-06 |
Family
ID=15873478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168737A Pending JPS6059788A (ja) | 1983-09-13 | 1983-09-13 | 光通信用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059788A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621447U (ja) * | 1985-06-17 | 1987-01-07 | ||
| JPS6273652U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-12 | ||
| JPS63171033A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発受光素子併設形時分割光伝送装置 |
| JPH08204653A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Sharp Corp | 受光装置 |
| JP2019181583A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | ロボット、プリンターおよび光信号伝送装置 |
-
1983
- 1983-09-13 JP JP58168737A patent/JPS6059788A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621447U (ja) * | 1985-06-17 | 1987-01-07 | ||
| JPS6273652U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-12 | ||
| JPS63171033A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発受光素子併設形時分割光伝送装置 |
| JPH08204653A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Sharp Corp | 受光装置 |
| JP2019181583A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | ロボット、プリンターおよび光信号伝送装置 |
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