JP5110567B2 - 樹脂製中空パッケージ - Google Patents
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これを解消する為、中空部内底面に金属板を露出させることにより水分が中空部へ透過するのを阻止させたり(例えば、特許文献1参照)、中空部底面樹脂層内に金属板を挿入させることによりパッケージ裏面側からの水分の透過を阻止させたりして(例えば、特許文献2参照)、耐湿性および放熱性を向上させている。
しかしながら、固体撮像素子を収納する中空パッケージの更なる小型化により、固体撮像素子の温度の高温化が進み、中空部の露点を低く抑えながら、かつ素子の温度を低くおさえるのには充分では無い虞がある。
『(1) 底部にタブを有する半導体素子搭載用の中空パッケージであって、当該タブ、半導体素子と導通せずタブと直接結合するリード(A)及び半導体と導通するリード(B)を有し、リード(A)とリード(B)とをパッケージの同じ辺側に有し、リード(A)のアウターリード(a)とリード(B)のアウターリード(b)が、同一幅で同一間隔にあり、タブが、中空パッケージの半導体素子を搭載する面に露出され、タブが、半導体素子と少なくとも同一の大きさであることを特徴とする中空パッケージ。
(2) 底部にタブを有する半導体素子搭載用の中空パッケージであって、当該タブ、半導体素子と導通せずタブと直接結合するリード(A)及び半導体と導通するリード(B)を有し、リード(A)とリード(B)とをパッケージの同じ辺側に有し、リード(A)のアウターリード(a)とリード(B)のアウターリード(b)が、同一幅で同一間隔にあり、タブが、中空体パッケージの底部に埋め込まれ、同タブが、半導体素子と少なくとも同一の大きさであることを特徴とする中空パッケージ。
(3)リード(A)が、タブの向かい合う2辺であって、半導体素子を搭載する中央部分に複数列連なって直接結合する請求項1または2何れか一に記載する中空パッケージ。』
また、本発明の中空パッケージを1次元の固体撮像素子搭載用に使用する場合は、半導体素子と導通せずタブと直接結合したリードがタブの向かい合う2辺に複数列あるので、半田実装されるプリント基板にバランス良く放熱させることが出来ると同時に実装強度を向上させることができる。また、少なくとも半導体素子の大きさと同じタブがあることにより中空パッケージの裏面からの水分透過を防止することから耐湿性能も向上させることができる。
中空パッケージは、リードフレームとそれを支える成形体からなり、通常、半導体素子を搭載する中空パッケージを凹型にして中空部を設けた形状である。半導体素子を搭載する場合は、当該中空パッケージの底部の中空部に接する面に半導体素子を固着し、当該半導体素子とインナーリードとをボンディングワイヤーとで接続し、最後に中空パッケージの中空上面が蓋材で気密封止する。
本発明の中空パッケージは、パッケージの底部にタブを有する。本発明に係わるタブは、中空パッケージの中空部への水分の浸入を防止できるものであればよく、蒸気不透過性の板状体が用いられる。このようなタブを設けることで中空パッケージの防湿性を向上する。また、本発明に係わるタブは、半導体素子と導通しないリード(A)と直接結合しており、当該リード(A)が中空パッケージ外部に通じているので、リード(A)を通じて中空パッケージ内で発生した熱を放出することができ、放熱性の高い中空パッケージとなる。又、導通しているリード(B)に加えて導通していないリード(A)があることにより半田実装強度を向上させることができる。
本発明に係わるリードフレームは、前記のタブ、半導体素子と導通せずタブと直接結合するリード(A)及び半導体素子と導通するリード(B)を含み、リード(A)とリード(B)とがパッケージの同じ辺側にある。
タブがリード(A)と直接しっかりと結合されているので、成形時のタブの位置精度を高くさせることが出来ると同時に成形時のタブの変形を防止させることが出来る。又リード(A)により固定されている半導体素子から発生する熱をリード(A)を通じて中空パッケージの外に放出することができるため、中空パッケージ内の温度を低下させることができる。
本発明に係わるリードフレームは、リード(A)がタブのいずれの方向にあっても良いが、成形時のタブの位置精度、タブの変形防止、及びタブを挟んで均等に熱を放出させる上においてタブの向かい合う2辺に存在することが好ましい。四角形のタブにおいては、4方向にリード(A)を設けても良い。
本発明に係わるリードフレームは、種々公知の方法で得ることができる。通常は、一枚の金属板から加工するため、リードフレームは前記のタブと同一素材である。
本発明に係わる中空パッケージのリードフレームと結合する成形体は、樹脂やシリコン等通常半導体パッケージとして使用されるものが用いられるが、通常は樹脂が用いられる。樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂、又は液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド樹脂(PPS)、ポリスルホン、ポリアミド・イミド・ポリアリルスルフォン樹脂等の耐熱熱可塑性樹脂が用いられることが望ましい。これらの内ではエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、PPSを用いることがより望ましい。エポキシ樹脂としてはビスフェノールA型、オルソクレゾールノボラック型、ビフェニル型、ナフタレン型、グリシジルアミン型などのエポキシ樹脂を用いることができる。ポリイミド樹脂としてはポリアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミド、ポリエーテルイミド等のポリイミド樹脂を用いることができる。
本中空パッケージは、前記のリードフレーム及び前記の成形体からなる。例えば、実施形態1〜4のような形状が挙げられるがこれに限定されるものではない。図は正面図及びその断面図を記載する。
図1−1に示すような、半導体素子と半導体素子と導通せずタブと直接結合するリードと、半導体素子と導通するリード、タブを有するリードフレームを用いて、樹脂成形をした後、ダムバーを切断し(図1−2)、その後、この成形体をリードから切り離した後、全てのアウターリードを曲げたものが中空パッケージが得られる(図1−3)。
タブは、中空部の内底面とほぼ同じ大きさであり、半導体素子と導通するリードのインナーリード1の高さより押し下げられて中空部の内底面に露出している。また、タブは、相対する辺にそれぞれ3本の半導体素子と導通しないリードと直接連結されている。半導体素子と導通しないリードのアウターリード5は、半導体素子と導通するリードのアウターリード2と半導体素子搭載面に対してリードフレームから同一幅で同一間隔である。
1次元の固体撮像素子は細長いのでそれを搭載する中空パッケージも細長くなり、リードフレームも細長くなる。当該固体撮像素子は、両端部に電極パッドを有していてそのパッドと半導体素子と導通するリード間がワイヤーボンディングされる。半導体素子の両端に電極パッドがあることから、中空部露出のリードは中空パッケージの相対する長辺の両端に局在することになる。半導体素子よりも大きな細長いタブは中空部内底面に露出される様に内底面の高さまでインナーリード高さより押し下げられている。細長いタブは中空パッケージ長辺の中央近傍にて、複数本連なった導通しないリードと直接結合している。半導体素子と導通しないリードのアウターリードは、半導体素子と導通するリードのアウターリードと同一幅、同一間隔である(図4−1)。
本発明の中空パッケージは、前記のリードフレームと樹脂等からなる成形体を結合したものであり、リードフレームを用いてインサート成形により得られる。
インサート成形は、リードフレームを成形金型に装着し、該金型のキャビティーにエポキシ樹脂等を充填するトランスファー成形或いは射出成形による行われる。トランスファー成形する条件は使用する樹脂によっても異なるが、エポキシ樹脂の場合を例にとると、通常、成形圧力5〜30MPa、成形温度130〜200℃、成形時間10〜120秒の条件、好ましくは成形圧力10〜17MPa、成形温度150〜180℃、成形時間15〜60秒の条件で行われる。
本発明の中空パッケージは、リードフレームを用いてインサート成形した後、吊りピン部の切断がなされる。その後、所定の形状に切断され、リード(A)のアウターリード(a)と、リード(B)のアウターリード(b)が同時に曲げ加工される。
図1−1に示すような、半導体素子と半導体素子と導通せずタブと直接結合するリード1及びリード4と、半導体素子と導通するリード2及びリード5、タブを有するリードフレームを作成する。このリードフレームに、エポキシ樹脂でトランスファー成形をした後、ダムバーを切断することにより図1−2に示すような中空パッケージが得られる。その後、この成形体をリードから切り離した後、全てのアウターリードを曲げたものが図1−3である。
タブは、中空部の内底面とほぼ同じ大きさであり、半導体素子と導通するリードのインナーリード3の高さより押し下げられて中空部の内底面に露出している。また、タブは、相対する辺にそれぞれ3本の半導体素子と導通しないリード1と直接連結されている。半導体素子と導通しないリード1のアウターリード4は、半導体素子と導通するリード2のアウターリード5と半導体素子搭載面に対してリードフレームから同一幅で同一間隔である。
これにより、水分を透過せず、放熱性に優れた中空パッケージを得ることが出来る。
実施例1と同様のリードフレームを作製(図2−1)したが、タブが中空パッケージの底部の樹脂層内にインサートされる高さまでインナーリードの高さよりも押し下げられている。このリードフレームを用いて、実施例1と同様にアウターリードが折り曲げされた中空パッケージ(図2−2)を得る。
タブは、中空部の内底面とほぼ同じ大きさであり、半導体素子と導通するリード2のインナーリード3の高さより押し下げられ、中空パッケージの底部の樹脂層内にインサートされる高さにある。半導体素子と導通しないリード1のアウターリード4、半導体素子と導通するリードのアウターリード5と同じ幅、同じ間隔である。
1次元の固体撮像素子用で、タブの2方向に半導体素子と導通するリード2を有し、且つ、2方向に半導体素子と導通せずタブと直接結合するリード1を有するリードフレームである(図3−1)。
上記リードフレームを用いてインサート成形後、ダムバー部が切断され、リードから切り離した後、全てのアウターリードを曲げたものが図3−2である。
タブは中空部内底面に露出する高さまで押し下げられている。
1次元の固体撮像素子収納用の中空パッケージの底部に少なくとも半導体素子と同じ大きさのタブを挿入する(図4−1、図4−2)。中空部には、タブ及び半導体素子と導通しないリード1の連結部は露出していない。タブは中空部内樹脂層内に挿入された高さまで押し下げられている。細長いタブは中空パッケージ長辺側中央近傍の多数(12箇所)の半導体素子と接続されないリード1と直接結合している。
上記リードフレームを用いてインサート成形後、ダムバー部が切断されたのが図4−2である。タブと半導体素子と導通していないアウターリード4との連結部が中空部内底面内に見られる。その後、アウターリードが曲げられたのが図4−3である。
2 リード(B)
3 インナーリード
4 アウターリード(a)
5 アウターリード(b)
6 タブ
7 吊りピン
8 ダムバー
9 成形体
Claims (3)
- 底部にタブを有する半導体素子搭載用の樹脂製中空パッケージであって、当該タブ、固体撮像素子と導通せず、タブと直接結合するリード(A)及び固体撮像素子と導通するリード(B)を有し、リード(A)とリード(B)とをパッケージの同じ辺側に有し、リード(A)のアウターリード(a)とリード(B)のアウターリード(b)とが、同一幅で同一間隔にあり、タブが、樹脂製中空パッケージの固体撮像素子を搭載する面に露出され、タブが、固体撮像素子と少なくとも同一の大きさであることを特徴とする樹脂製中空パッケージ。
- 底部にタブを有する固体撮像素子搭載用の樹脂製中空パッケージであって、当該タブ、固体撮像素子と導通せず、タブと直接結合するリード(A)及び固体撮像素子と導通するリード(B)を有し、リード(A)とリード(B)とをパッケージの同じ辺側に有し、リード(A)のアウターリード(a)とリード(B)のアウターリード(b)が、同一幅で同一間隔にあり、タブが、当該樹脂製中空体パッケージの底部に埋め込まれ、同タブが、固体撮像素子と少なくとも同一の大きさであることを特徴とする樹脂製中空パッケージ。
- リード(A)が、タブの向かい合う2辺であって、固体撮像素子を搭載する中央部分に複数列連なって直接結合する請求項1または2何れか一に記載する樹脂製中空パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007103566A JP5110567B2 (ja) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | 樹脂製中空パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007103566A JP5110567B2 (ja) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | 樹脂製中空パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008263008A JP2008263008A (ja) | 2008-10-30 |
JP5110567B2 true JP5110567B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=39985277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007103566A Active JP5110567B2 (ja) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | 樹脂製中空パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5110567B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6063690B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2017-01-18 | 株式会社ニコン | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3540210B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2004-07-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | Ccdモールドパッケージの構造 |
JP4359076B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2009-11-04 | 三井化学株式会社 | 樹脂製中空パッケージ及びそれを用いた半導体装置 |
JP2005217212A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体素子用中空パッケージ |
-
2007
- 2007-04-11 JP JP2007103566A patent/JP5110567B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008263008A (ja) | 2008-10-30 |
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