JP4359072B2 - 固体撮像素子装着用パッケージ - Google Patents
固体撮像素子装着用パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4359072B2 JP4359072B2 JP2003128133A JP2003128133A JP4359072B2 JP 4359072 B2 JP4359072 B2 JP 4359072B2 JP 2003128133 A JP2003128133 A JP 2003128133A JP 2003128133 A JP2003128133 A JP 2003128133A JP 4359072 B2 JP4359072 B2 JP 4359072B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- solid
- mounting
- lead
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 67
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 67
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はCCD(電化結合素子)やCMOS(相補的金属酸化半導体)等の固体撮像素子をフェースダウン装着するための3次元回路が形成された樹脂製パッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、固体撮像素子を装着するパッケージは、図1に示すごとく樹脂製の中空パッケージが使われてきた。これは、中空パッケージの中空部に固体撮像素子を装着した後、インナーリードと固体撮像素子とを金線等による細線でボンディングさせることにより通電させ、その後パッケージ樹脂部の上面に透明蓋体を接着し中空部を気密封止させたものである。
【0003】
一方、近年固体撮像素子収納パッケージは小型化、薄型化の要求が強くなり、固体撮像素子をベアーチップにて実装する各種の方法が用いられはじめている。その内、図2に示されている様な3次元回路形成技術であるMID(Molded Interconnect Device)手法を応用した箱型成形体がある。本手法は箱底部に開口部を設けた成形体を射出成形にて成形した後に、当該箱型成形体内側の樹脂部表面に回路を形成し、その後、開口部近傍に形成された回路部に固体撮像素子をフェイスダウン実装する方法である。特開2002−280535号公報には箱底部に開口部を設け、かつレンズ鏡筒を一体化した手法が記載されている。一体化した部位はレンズマウント台座と称され、レンズマウント台座の底部に直接メッキにより配線パターンを形成する手法を提案している。
【0004】
ここでMID手法による樹脂表面に回路を形成する方法は各種あるが、例えば2ショット法の場合は、最初に回路形成可能樹脂を射出成形し、次に別の金型内に当該成形品を装着後射出成形して外形をオーバーモールドする。その後回路形成可能な樹脂表面にメッキ処理を行い回路を形成する方法である。又、上記と別の手法である1ショット法では、まず樹脂表面にスパッタリングによる銅薄膜の蒸着、又は無電解メッキによる銅薄膜メッキを施したあと、レジスト塗布、露光・現像、銅エッチング、レジスト剥離し、その後回路形成部分にニッケル及び金メッキをする方法である。
【0005】
又、上記箱型成形体にMIDによる回路を形成する手法とは別に、特開2002−204400号公報に記載されている様にレンズ付撮像モジュールの回路パターンをリードフレームにより形成する手法も提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の樹脂製中空パッケージは中空パッケージ内に固体撮像素子を装着しこれを透明な蓋体にて気密封止する構造のため、全体が大きくかつ厚くなってしまう。そのため、この形態では小型化、薄型化の最近の要求に合わなくなってきている。又、撮像素子とインナーリード部とを金線にてボンディングするため、ボンディングワイヤー部分で乱反射した光が撮像素子に入り画像の乱れを発生させることがあった。
【0007】
一方、MID手法による樹脂表面に3次元回路が形成された成形体に固体撮像素子をフェースダウンする方法は、ベアーチップ実装であるため、中空パッケージの様な筐体が不要であり装置全体が薄く小さくできる利点を有している。又、金線によるワイヤーボンディングが無いためワイヤー部での乱反射が発生しないことから、画像の乱れも発生しなくなる。
【0008】
しかしながら、MID手法による樹脂成形体に3次元回路を形成させる方法は、2ショット法では2つの成形金型が必要なこと、及び1ショット目の回路形成可能な樹脂成形後に、樹脂界面の密着力をあげるため樹脂表面の粗化が必要となる。一方、1ショット法は1つの成形金型だけで良いが、回路形成のため、薄膜メッキ、レジスト塗布、露光・現像、銅エッチング、レジスト剥離等の何段階もの工程を経て回路が形成される。いずれの方法も工程が複雑なため製造コストが高くなるという欠点を有している。
【0009】
又、特開2002−204400号公報では、レンズ付き撮像素子モジュール回路をリードフレームにより形成する手法が提案されているが、本手法では成形時にリードがあらかじめ屈曲されていないため、インサート成形された後にアウターリードを箱型成形体の外周部に沿って複雑に屈曲させることが必要となってしまう。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、小型で薄型の固体撮像装置を作る上で抱えている上記課題を解決するために、固体撮像素子をフェースダウン実装するための透光用開口部を底面に有した箱型の樹脂製パッケージにおいて、電気的導通を実現する導電性金属板からなるリードが、そのインナーリードの上表面を開口部近傍の内底面に露出し、屈曲されて、アウターリードの上表面および端部をそれぞれ前記箱型樹脂製パッケージの側壁上面および側壁外側面の上端部に露出し、リードの両端露出部以外は樹脂中に埋設されていることにより、3次元回路が形成される固体撮像素子装着用パッケージに係わる。
【0011】
ここで使用される導電性金属板は、一般的に半導体封止にて使用されているリードフレームを3次元屈曲加工させることにより、箱型樹脂製パッケージに回路形成することが可能となる。本手法はリードフレームを使用して3次元回路を形成させているため、MID手法の様な複雑な工程を経る必要が無く、安価に作ることが可能となる。すなわち、リード部が屈曲されて3次元構造をしたリードフレームを成形金型にセットしたあと樹脂成形し、その後リード表面に残る薄い樹脂ばりを除去したあと、樹脂成形体端面に延出したリードを切断しリードフレームから分離させることにより、容易に固体撮像素子装着用の樹脂製パッケージを得ることができる。
【0012】
ここで、箱型樹脂製パッケージに搭載される固体撮像素子は、CCD、CMOS等の光受光型半導体素子である。
【0013】
また、箱型樹脂製パッケージの成形に使用される樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、又は液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド(PPS)樹脂、ポリスルホン、ポリアミド・イミド・ポリアリルスルフォン樹脂などの耐熱熱可塑性樹脂によって成形されることが望ましい。これらの内エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、PPS 等が特に好ましい。ポリイミド樹脂としてはポリアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミド、ポリエーテル等のポリイミド樹脂を用いることができる。
【0014】
これらの耐熱樹脂には無機充填剤を添加したものが好ましい。無機充填剤としてはシリカ粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、ボロンナイトライド粉末、酸化チタン粉末、炭化珪素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維等の耐熱無機充填剤が挙げられる。これらの内、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、ボロンナイトライド粉末が、成形後の収縮が等方性収縮となることからより好ましい。無機充填剤の粒径は、0.1〜120μmが好ましく、成形時の流動性の点から0.5〜60μmがより好ましい。無機充填剤は耐熱樹脂100重量部に対して好ましくは40〜3200重量部、より好ましくは100〜1150重量部配合される。又、無機充填剤のほかに、硬化剤、硬化促進剤、及びカップリング剤が含まれていても良い。
【0015】
リードはリードフレーム形式で提供され、銅、鉄、アルミニウム及びこれらの合金からなる群から選ばれたもの、特に42アロイ、又は銅合金で形成されることが望ましい。このリードフレームはことさら表面処理する必要はないが、必要に応じて全面ないし部分的に表面処理を施すことができる。例えば、金、銀、ニッケル、半田等のメッキを施しても良い。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
まず、図3に例示する4方向にリードがあるリードフレーム9を用意する。このリードフレームは42アロイ又は銅合金からなる薄い板状の金属板を所定の形状に加工して得ることができる。リードフレーム9は、図3に示されるようにインナーリード2とアウターリード10との途中部11において段差状に屈曲加工される。又、本形状のリードは図4、図5に例示する2方向にリードがあるリードフレームを用いても良い。
【0017】
次に図3に示されるリードフレーム9を使用して図6に例示する箱型樹脂製パッケージが形成される。すなわち図6の箱型樹脂製パッケージは、側壁12と底面を有し、底面にはそれを貫通する開口部8が形成されている。開口部周囲には側壁12に囲まれた開口部内底面14が形成されており、インナーリード2の上表面の少なくとも一部は開口部内底面14に露出しており、アウターリード10の上表面の少なくとも一部は側壁上面13に露出し、アウターリードの端部は側壁外側面の上端部に露出している。
【0018】
図4に示される2方向にリードがあるリードフレームの場合は図7の様な箱型樹脂製パッケージが形成される。また、図5のリードフレームを使い、箱型形状の内底面から立ち上がる相対する2つの側壁が無い成形金型を用いた場合は図8の様な樹脂製パッケージが形成される。図8のパッケージ形状の場合は、図7のパッケージ形状と比較して、対向する2つの側面が無い分だけパッケージの外形寸法を小さくすることが可能となる。更には、箱型樹脂製パッケージの成形に、開口部外底面側に円筒状ホルダーを形成出来る成形金型を用いた場合は、図9に示される様な開口部外底面側に円筒状ホルダー16を有した樹脂製パッケージを形成することが出来る。又、開口部外底面側にレンズ装着用の鏡筒形状を有した成形金型を用いれば図10に示される様な鏡筒17を備えた樹脂製パッケージも形成することが出来る。
【0019】
これらの樹脂製パッケージの成形はリードフレーム9を成形金型に装着し当該金型のキャビティーにエポキシ樹脂等をトランスファー成形或いは射出成形にてインサート成形をすることによって得られる。トランスファー成形の条件は使用する樹脂によっても異なるが、エポキシ樹脂の場合を例にとると通常、成形圧力は5〜30MPa、好ましくは10〜17MPa、温度は130〜200℃、好ましくは150〜180℃、時間は10〜120秒、好ましくは15〜60秒の条件で加圧加熱が行われる。又、射出成形の場合は通常、射出圧力は5〜100MPa、好ましくは8〜60MPa、成形温度は130〜200℃、好ましくは150〜180℃、時間は10〜120秒、好ましくは15〜60秒の条件で成形される。その後、それぞれの成形手法において必要に応じて、後硬化を加えることができる。
【0020】
上記成形により、開口部近傍の内底面にインナーリードをその上表面が露出した状態で、箱型樹脂製パッケージの側壁上面にアウターリードをその上表面が露出した状態で形成することが可能となる。又、成形時にインナーリード及びアウターリードの表面に発生した薄い樹脂ばりは、高圧水等をあてることにより除去される。
【0021】
次に箱型樹脂製パッケージの側壁外側面の上端部から延出したアウターリードを切断しリードフレーム本体から切り離すことにより、固体撮像素子装着用の樹脂製パッケージを得ることができる。このため、アウターリードの端部はパッケージ側壁外側面の上端部より露出する。尚、アウターリードの切断位置は箱型樹脂製パッケージ側壁外側面の上端部の樹脂製パッケージ最外周であっても良いし、最外周より外方向に延出した箇所でも良い。
【0022】
この様にして得られた固体撮像素子装着用箱型樹脂製パッケージに固体撮像素子を装着する手順を以下に説明する。まず図11に示すような撮像部周辺に突起電極18を有した固体撮像素子1を図6、図7、図8に示される様な箱型樹脂製パッケージの開口部内底面14のインナーリード露出部に導電性接着剤にてフェイスダウン実装する。その後固体撮像素子とインナーリード部の間隙を液状封止樹脂19にて封止する。次に開口部外底面15に透明蓋体6をシール剤(図示せず)にて接着固定させることにより、図11に示す小型で薄い固体撮像素子が装着された装置を得ることができる。
【0023】
図9に示す樹脂パッケージ開口部周辺の外底面側にレンズ鏡筒装着用のホルダー16を設けた樹脂製パッケージの場合も、図12に示すように、上記と同様に固体撮像素子1をフェースダウン実装した後、開口部の外底面15に透明蓋体6を接着固定させ、その後レンズ鏡筒20を円筒状ホルダー16に嵌合することによりレンズ一体型固体撮像素子を得ることができる。レンズ鏡筒は図12に示す様にホルダーの内側であっても良いし外側であっても良い。本方式の場合、開口部外底面側に透明蓋体無しでそのままレンズ鏡筒を装着することにより気密封止させることも可能である。
【0024】
又、図10に示す樹脂製パッケージ開口部周辺の外底面側にレンズ装着用の鏡筒を設けた樹脂製パッケージの場合も、図13に示すように、上記と同様に固体撮像素子1が開口部内底面14に装着された後、開口部外底面15に透明蓋体6を接着固定させ、その後鏡筒17にレンズを装着固定させることによりレンズ一体型固体撮像素子を得ることが出来る。又、本方式も前記方式と同様に開口部外底面側に透明蓋体無しでも良い。これらの開口部外底面側にホルダーないし鏡筒を有した樹脂製パッケージの場合は、固体撮像素子の中心とレンズ中心の位置合わせが容易となる利点を有している。この様にして得られた箱型樹脂製パッケージのアウターリード部と、外部への接続回路基板となるプリント基板またはフレキシブル配線基板とを半田接合させることにより撮像素子装置のモジュールを作ることが出来る。
【0025】
【発明の効果】
本発明によればフェースダウン実装型の固体撮像素子装着用の樹脂製パッケージを安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の中空パッケージを示す断面図である。
【図2】MID手法により作製された成形体に固体撮像素子が装着された装置の断面図である。
【図3】本発明で用いる4方向にリードがあるリードフレームの平面図及び断面図である。
【図4】本発明で用いる2方向にリードがあるリードフレーム平面図である。
【図5】本発明で用いる2方向にリードがある別のリードフレーム平面図である。
【図6】図3のリードフレームを用いた本発明に係る箱型樹脂製パッケージの平面図及び断面図である。
【図7】図4のリードフレームを用いた本発明に係る箱型樹脂製パッケージの平面図及び断面図である。
【図8】図5のリードフレームを用いた本発明に係る対向する2つの側壁が無い樹脂製パッケージの平面図及び断面図である。
【図9】本発明に係る開口部外底面側に円筒状ホルダーを形成した樹脂製パッケージの断面図である。
【図10】本発明に係る開口部外底面側に鏡筒を形成した樹脂製パッケージの断面図である。
【図11】本発明に係る箱型樹脂製パッケージに固体撮像素子が装着された装置を示す断面図である。
【図12】本発明に係る開口部外底面側に円筒状ホルダーが形成された樹脂製パッケージに、レンズ、鏡筒が装着された固体撮像装置を示す断面図である。
【図13】本発明に係る開口部外底面側に鏡筒が形成された樹脂製パッケージに、レンズが装着された固体撮像装置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 固体撮像素子
2 インナーリード
3 樹脂部
4 金線
5 中空部
6 透明蓋体
7 回路部
8 開口部
9 リードフレーム
10 アウターリード
11 リード屈曲部
12 側壁
13 側壁上面
14 開口部内底面
15 開口部外底面
16 円筒状ホルダー
17 鏡筒
18 突起電極
19 液状封止樹脂
20 レンズ鏡筒
21 固定リング
Claims (3)
- 固体撮像素子をフェースダウン実装するための透光用開口部を底面に有した箱型樹脂製パッケージであって、
電気的導通を実現する導電性金属板からなる屈曲されたリードを含み、前記リードのインナーリードの上表面が、前記透光用開口部近傍の内底面に露出し、前記リードのアウターリードの上表面及び端部が、それぞれ前記箱型樹脂製パッケージの側壁上面及び側壁外側面の上端部に露出し、かつ前記リードの両端露出部以外は樹脂中に埋設され、
前記インナーリードの露出部に、導電性接着剤で固体撮像素子をフェースダウン実装するための、固体撮像素子装着用パッケージ。 - 前記箱型樹脂製パッケージにおいて、内底面から立ち上がる側壁のうち相対する2つの側壁がなく、アウターリードは他の2つの側壁上面及び外側面上端部から露出させられていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子装着用パッケージ。
- 前記箱型樹脂製パッケージの透光用開口部周辺の外底面側に、レンズ鏡筒装着用のホルダー、またはレンズ装着用の鏡筒を有することを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子装着用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003128133A JP4359072B2 (ja) | 2002-05-07 | 2003-05-06 | 固体撮像素子装着用パッケージ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002131540 | 2002-05-07 | ||
JP2003128133A JP4359072B2 (ja) | 2002-05-07 | 2003-05-06 | 固体撮像素子装着用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004031932A JP2004031932A (ja) | 2004-01-29 |
JP4359072B2 true JP4359072B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=31190089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003128133A Expired - Fee Related JP4359072B2 (ja) | 2002-05-07 | 2003-05-06 | 固体撮像素子装着用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4359072B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994297B2 (en) | 1997-08-01 | 2011-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of spotting probes on a solid support |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100609012B1 (ko) * | 2004-02-11 | 2006-08-03 | 삼성전자주식회사 | 배선기판 및 이를 이용한 고체 촬상용 반도체 장치 |
JP4606063B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2011-01-05 | パナソニック株式会社 | 光学デバイスおよびその製造方法 |
JP2009111334A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Panasonic Corp | 光学デバイスおよびその製造方法、並びに半導体デバイス |
JP6732932B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2020-07-29 | 京セラ株式会社 | 撮像素子実装用基体、撮像装置および撮像モジュール |
-
2003
- 2003-05-06 JP JP2003128133A patent/JP4359072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994297B2 (en) | 1997-08-01 | 2011-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of spotting probes on a solid support |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004031932A (ja) | 2004-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100514917B1 (ko) | 고체 촬상소자 장착용 패키지 | |
US6707125B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof | |
US6949808B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof | |
KR100682970B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
US7582944B2 (en) | Optical apparatus and optical module using the same | |
JP4606063B2 (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
US6825540B2 (en) | Miniaturized, resin-sealed solid state imaging apparatus | |
KR100603918B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
US8077248B2 (en) | Optical device and production method thereof | |
JP2009088510A (ja) | ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール | |
TWI704658B (zh) | 封裝基板 | |
EP1523042A2 (en) | Optical device and production method thereof | |
US6864117B2 (en) | Method for producing solid-state imaging device | |
US7029186B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof | |
JP4359072B2 (ja) | 固体撮像素子装着用パッケージ | |
CN112770019B (zh) | 感光组件及其制备方法和摄像模组 | |
JP3578400B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
CN113132585A (zh) | 感光芯片组件、移动终端、摄像模组及其制备方法 | |
CN114731358A (zh) | 线路板组件、感光组件、摄像模组以及线路板组件和感光组件的制备方法 | |
WO2023165442A1 (zh) | 感光组件及其电导通方法和制备方法、摄像模组 | |
CN116744096A (zh) | 感光组件及其制备方法 | |
CN116744534A (zh) | 线路板组件及其制备方法 | |
CN116744082A (zh) | 感光组件和摄像模组 | |
CN114823355A (zh) | 晶圆级封装方法以及封装结构 | |
CN116744080A (zh) | 摄像模组 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080326 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090714 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090807 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4359072 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |