JPS6115744U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6115744U
JPS6115744U JP9910984U JP9910984U JPS6115744U JP S6115744 U JPS6115744 U JP S6115744U JP 9910984 U JP9910984 U JP 9910984U JP 9910984 U JP9910984 U JP 9910984U JP S6115744 U JPS6115744 U JP S6115744U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
heat sink
semiconductor
molded
back surface
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Application number
JP9910984U
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English (en)
Inventor
良夫 久保
Original Assignee
ロ−ム株式会社
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Publication of JPS6115744U publication Critical patent/JPS6115744U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の構成を
略示した説明図、第２図は従来の半導体装置の構成を略
示した説明図である。 １・・・半導体素子、２・・・ヒートシンク、３・・・
モールド部、４・・・ゲート、６・・・折曲部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子が固着されたヒートシンクの裏面をモールド
    樹脂が薄く被覆するようにモールド成型される半導体装
    置において、前記ヒートシンク端部を上方に折り曲げて
    モールド部のゲート位置よりも高くしたことを特徴とす
    る半導体装置。
JP9910984U 1984-06-30 1984-06-30 半導体装置 Pending JPS6115744U (ja)

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JP9910984U JPS6115744U (ja) 1984-06-30 1984-06-30 半導体装置

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JP9910984U JPS6115744U (ja) 1984-06-30 1984-06-30 半導体装置

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JPS6115744U true JPS6115744U (ja) 1986-01-29

Family

ID=30658623

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JP9910984U Pending JPS6115744U (ja) 1984-06-30 1984-06-30 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63105348U (ja) * 1986-12-26 1988-07-08

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615529A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Hitachi Ltd 絶縁型半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS615529A (ja) * 1984-06-20 1986-01-11 Hitachi Ltd 絶縁型半導体装置

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