JPS5858352U - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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Publication number
JPS5858352U
JPS5858352U JP15384781U JP15384781U JPS5858352U JP S5858352 U JPS5858352 U JP S5858352U JP 15384781 U JP15384781 U JP 15384781U JP 15384781 U JP15384781 U JP 15384781U JP S5858352 U JPS5858352 U JP S5858352U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor device
gel
encapsulated semiconductor
curable resin
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Pending
Application number
JP15384781U
Other languages
English (en)
Inventor
忠義 斎藤
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP15384781U priority Critical patent/JPS5858352U/ja
Publication of JPS5858352U publication Critical patent/JPS5858352U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａ、　　ｂは従来の樹脂封止型半導体装置のリー
ド端子を示す側御図および正面図、第２図は本考案の一
実施例の一興図、第３図ａ、　　ｂは第２図のリード端
子ρ側面図および正面図である。 １・・・・・・ベース金属、２・・・・・・ケース側壁
、３・・・・・・絶縁板、４・・・・・・金属板、５・
・・・・・半導体素子、６・・・・・・リード端子、６
ａ・・・・・・ちば状突起、８・・・・・・ゲル状樹脂
、９・・・・・・硬化性樹脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ケース内に半導体素子を収容し、この素子の電極につな
    がるリード端子を前記ケース上方に引き出し、前記素子
    をゲル状樹脂！直接包覆し、さらにこのゲル状樹脂の上
    部に硬化性樹脂で充填した樹脂封止半導体装置において
    、前記リニド端子には前記ゲル状樹脂と硬化様樹脂との
    境界部または前記硬化性樹脂の層中の部分でつば状の突
    起が設けられていることを特徴とする半導体装置。
JP15384781U 1981-10-16 1981-10-16 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS5858352U (ja)

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JP15384781U JPS5858352U (ja) 1981-10-16 1981-10-16 樹脂封止型半導体装置

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JPS5858352U true JPS5858352U (ja) 1983-04-20

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58178541A (ja) * 1982-04-14 1983-10-19 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6459947A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Toshiba Corp Semiconductor device
JP2013021125A (ja) * 2011-07-11 2013-01-31 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2019110217A (ja) * 2017-12-19 2019-07-04 三菱電機株式会社 半導体装置及び電力変換装置

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