JP2527803Y2 - 樹脂封止型電子部品用リードフレーム - Google Patents
樹脂封止型電子部品用リードフレームInfo
- Publication number
- JP2527803Y2 JP2527803Y2 JP1990403234U JP40323490U JP2527803Y2 JP 2527803 Y2 JP2527803 Y2 JP 2527803Y2 JP 1990403234 U JP1990403234 U JP 1990403234U JP 40323490 U JP40323490 U JP 40323490U JP 2527803 Y2 JP2527803 Y2 JP 2527803Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- lead frame
- element mounting
- electronic element
- mounting area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、リードフレーム、特に
異物の内部侵入を抑制できる樹脂封止型電子部品用リー
ドフレームに関する。
異物の内部侵入を抑制できる樹脂封止型電子部品用リー
ドフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】支持板の一方の主面側に載置した半導体
素子及び支持板を樹脂封止体で被覆した半導体装置は公
知である。この種の樹脂封止型半導体装置では、樹脂封
止体と支持板の界面を通じて水分等の異物が侵入する
と、半導体装置の電気的特性の低下が生じ易いことが知
られている。この問題を解決するために、支持板に凹部
を形成して樹脂封止体内の半導体素子への水分の侵入を
阻止する構造が知られている。
素子及び支持板を樹脂封止体で被覆した半導体装置は公
知である。この種の樹脂封止型半導体装置では、樹脂封
止体と支持板の界面を通じて水分等の異物が侵入する
と、半導体装置の電気的特性の低下が生じ易いことが知
られている。この問題を解決するために、支持板に凹部
を形成して樹脂封止体内の半導体素子への水分の侵入を
阻止する構造が知られている。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置を長期間使用すると、やはり電気的特性低下が起き
易いことが確認された。半導体装置の製造の際に、支持
板上に半導体素子を固着し、半導体素子とリードフレー
ムの外部リードとをリード細線により接続し、リードフ
レームを樹脂封止体により封止した後、支持リードを引
抜き破断するため、支持リードの引抜き後に樹脂封止体
に孔が形成される。半導体装置の長期間の使用により、
この孔から樹脂封止体内にした異物が支持板上の半導体
素子に悪影響を与えると推定される。そこで、本考案は
長期間使用しても異物の浸入を抑制できる樹脂封止型電
子部品を製造する樹脂封止型電子部品用リードフレーム
を提供することを目的とする。
装置を長期間使用すると、やはり電気的特性低下が起き
易いことが確認された。半導体装置の製造の際に、支持
板上に半導体素子を固着し、半導体素子とリードフレー
ムの外部リードとをリード細線により接続し、リードフ
レームを樹脂封止体により封止した後、支持リードを引
抜き破断するため、支持リードの引抜き後に樹脂封止体
に孔が形成される。半導体装置の長期間の使用により、
この孔から樹脂封止体内にした異物が支持板上の半導体
素子に悪影響を与えると推定される。そこで、本考案は
長期間使用しても異物の浸入を抑制できる樹脂封止型電
子部品を製造する樹脂封止型電子部品用リードフレーム
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本考案による樹脂封止型
電子部品用リードフレーム（1）は、電子素子（16）を
載置する電子素子載置予定領域（9）を有する支持板
（2）と、支持板（2）の一端（2c）から突出しかつ引抜
き破断される小断面部（4a）を有する支持リード（4）
とを備えている。また、電子素子載置予定領域（9）と
支持板（2）の一方の側縁（2a）との間及び電子素子載
置予定領域（9）と支持板（2）の他方の側縁（2b）との
間の支持板（2）上にそれぞれ凹部（8）が形成される。
凹部（8）は支持板（2）の一端（2c）及び他端（2d）に
向かって電子素子載置予定領域（9）より外側に延長さ
れる。凹部（8）の両端部（8a、8b）は支持板（2）の側
縁（2a、2b）に接続される。また、電子素子載置予定領
域（9）を包囲して凹部（22）を環状に形成すると共
に、凹部（22）の両端部（22a、22b）を支持板（2）の
側縁（2a、2b）に接続させてもよい。
電子部品用リードフレーム（1）は、電子素子（16）を
載置する電子素子載置予定領域（9）を有する支持板
（2）と、支持板（2）の一端（2c）から突出しかつ引抜
き破断される小断面部（4a）を有する支持リード（4）
とを備えている。また、電子素子載置予定領域（9）と
支持板（2）の一方の側縁（2a）との間及び電子素子載
置予定領域（9）と支持板（2）の他方の側縁（2b）との
間の支持板（2）上にそれぞれ凹部（8）が形成される。
凹部（8）は支持板（2）の一端（2c）及び他端（2d）に
向かって電子素子載置予定領域（9）より外側に延長さ
れる。凹部（8）の両端部（8a、8b）は支持板（2）の側
縁（2a、2b）に接続される。また、電子素子載置予定領
域（9）を包囲して凹部（22）を環状に形成すると共
に、凹部（22）の両端部（22a、22b）を支持板（2）の
側縁（2a、2b）に接続させてもよい。
【０００５】
【作用】本考案によれば、電子素子載置予定領域（9）
と支持板（2）の一方及び他方の側縁（2a、2b）との間
の支持板（2）上に凹部（8、22）を形成し、一対の凹部
（8、22）の両端部（8a、8b、22a、22b）を支持板（2）
の側縁（2a、2b）に接続したので、支持リード（4）の
破断により樹脂封止体（14）に形成された孔（15）から
樹脂封止体（14）の内部に侵入し、側縁（2a、2b）から
支持板（2）の中心に向かう異物を凹部（8、22）に沿っ
て支持板（2）の側縁（2a、2b）に案内して、電子素子
載置予定領域（9）から離間するように、異物の進行方
向を変更する。同時に、支持板（2）の側縁（2a、2b）
から電子素子載置予定領域（9）までの沿面距離が増加
し、孔（15）から電子素子載置予定領域（9）へ向かう
異物の侵入を有効に抑制することができる。また、支持
板（2）の電子素子が載置される電子素子載置予定領域
（9）の両側に一対の凹部（8、22）を形成し、支持板
（2）と樹脂封止体（14）との結合力を強固にすること
ができる。
と支持板（2）の一方及び他方の側縁（2a、2b）との間
の支持板（2）上に凹部（8、22）を形成し、一対の凹部
（8、22）の両端部（8a、8b、22a、22b）を支持板（2）
の側縁（2a、2b）に接続したので、支持リード（4）の
破断により樹脂封止体（14）に形成された孔（15）から
樹脂封止体（14）の内部に侵入し、側縁（2a、2b）から
支持板（2）の中心に向かう異物を凹部（8、22）に沿っ
て支持板（2）の側縁（2a、2b）に案内して、電子素子
載置予定領域（9）から離間するように、異物の進行方
向を変更する。同時に、支持板（2）の側縁（2a、2b）
から電子素子載置予定領域（9）までの沿面距離が増加
し、孔（15）から電子素子載置予定領域（9）へ向かう
異物の侵入を有効に抑制することができる。また、支持
板（2）の電子素子が載置される電子素子載置予定領域
（9）の両側に一対の凹部（8、22）を形成し、支持板
（2）と樹脂封止体（14）との結合力を強固にすること
ができる。
【０００６】
［第１の実施例］以下、本考案による樹脂封止型半導体
装置用リードフレームの一実施例を図１及び図２につい
て説明する。リードフレーム（1）は、ビスを挿入する
貫通孔（11）が形成された支持板（2）と、支持板（2）
の一端（2c）に設けられた複数の支持リード（4）と、
支持板（2）の他端（2d）に設けられた複数の外部リー
ド（3）と、複数の外部リード（3）又は支持リード
（4）を接続する連結条（5、6、7）を有する。図１では
簡略化のため１個のみの支持板（2）を示すが、実際の
リードフレーム（1）には、並置された複数個の支持板
（2）が連結条（5、6、7）により一体に連結される。リ
ードフレーム（1）は、半導体素子載置予定領域（電子
素子載置予定領域）（9）の両側に一対の凹部（8）を設
けた点で従来と異なる。一対の凹部（8）の各々は、支
持板（2）の一方の主面上であって、半導体素子載置予
定領域（9）と支持板（2）の一方の側縁（2a）との間及
び半導体素子載置予定領域（9）と支持板（2）の他方の
側縁（2b）との間に平面的に見て円弧状に形成される。
凹部（8）は支持板（2）の一端（2c）及び他端（2d）に
向かって半導体素子載置予定領域（9）より外側に延長
され、凹部（8）の両端部（8a、8b）は支持板（2）の側
縁（2a、2b）に接続される。具体的には、一対の凹部
（8）の各々の一方の端部（8a）は、半導体素子載置予
定領域（9）の支持リード（4）側の端部の延長線L1より
も支持リード（4）側に位置し、一対の凹部（8）の各々
の他方の端部（8b）は、半導体素子載置予定領域（9）
の外部リード（3）側の端部の延長線L2よりも外部リー
ド（3）側に位置する。即ち、一対の凹部（8）の各々は
上記２つの延長線L1とL2の両方を横切って形成される。
一対の凹部（8）の各々は、一連のリードフレーム（1）
のプレス加工中にコイニング加工により同時にＶ字状断
面で形成される。更に、支持リード（4）との連結部分
を包囲する円弧状の凹部（10）が支持板（2）に形成さ
れ、外部リード（3）にも凹部（12）が形成される。周
知のダイボンディング法によって、リードフレーム
（1）の半導体素子載置予定領域（9）内に半導体素子
（16）が載置され、周知のワイヤボンディング法によっ
て半導体素子（16）と外部リード（3）との間にリード
細線（13）が接続される。続いて周知のトランスファモ
ールド法によって、支持板（2）の略全面と外部リード
（3）の端部側を被覆する樹脂封止体（14）を形成す
る。その後、連結条（5、6、7）と支持リード（4）を除
去して、樹脂封止型半導体装置が完成する。リードフレ
ーム（1）を使用した樹脂封止型半導体装置では、支持
リード（4）を図１のＦ方向に引張り小断面部（4a）で
破断する。したがって、支持リード（4）の引抜き破断
によって樹脂封止体（14）に孔（15）が形成され（図
２）、完成時に支持リード（4）の破断部は孔（15）の
奥部に位置する。本実施例のリードフレーム（1）を使
用した半導体装置では、電子素子載置予定領域（9）と
支持板（2）の一方及び他方の側縁（2a、2b）との間の
支持板（2）上に凹部（8、22）を形成し、一対の凹部
（8、22）の両端部（8a、8b、22a、22b）を支持板（2）
の側縁（2a、2b）に接続したので、支持リード（4）の
破断により樹脂封止体（14）に形成された孔（15）から
樹脂封止体（14）の内部に侵入し、側縁（2a、2b）から
支持板（2）の中心に向かう異物を凹部（8、22）に沿っ
て支持板（2）の側縁（2a、2b）に案内して、電子素子
載置予定領域（9）から離間するように、異物の進行方
向を変更する。同時に、支持板（2）の側縁（2a、2b）
から電子素子載置予定領域（9）までの沿面距離が増加
し、孔（15）から電子素子載置予定領域（9）へ向かう
異物の侵入を有効に抑制することができる。また、支持
板（2）の電子素子が載置される電子素子載置予定領域
（9）の両側に一対の凹部（8、22）を形成し、支持板
（2）と樹脂封止体（14）との結合力を強固にすること
ができる。従って、本実施例の作用効果を列挙すれば次
の通りである。 一対の凹部（8）により支持板（2）の一方の主面と
樹脂封止体（14）との結合を強化でき、異物の侵入経路
が制限される。 一対の凹部（8）により半導体素子載置予定領域
（9）までの沿面距離が増加する。 一対の凹部（8）の両端（8a、8b）が支持板（2）の
側縁（2a、2b）に接続されかつ開放されるため、支持板
（2）の側面又は一方の主面の側縁側と樹脂封止体（1
4）の界面に沿って半導体素子載置予定領域（9）に向か
う異物が流出通路となる一対の凹部（8）を通じて支持
板（2）の側縁（2a、2b）に流出する。 本実施例のリードフレーム（1）を使用した半導体装置
では、半導体素子載置予定領域（9）側に異物が達する
ことを一対の凹部（8）によって有効に防止でき、長期
間の使用にも半導体装置の電気的劣化が生じないことが
確認された。これに対し、一対の凹部（8）を形成しな
い半導体装置の信頼性試験を同一の条件のもと行ったと
ころ、本実施例ほど顕著な効果は得られないことが判明
した。また、本実施例では、凹部（10）（12）によって
異物侵入防止効果が一層向上する。
装置用リードフレームの一実施例を図１及び図２につい
て説明する。リードフレーム（1）は、ビスを挿入する
貫通孔（11）が形成された支持板（2）と、支持板（2）
の一端（2c）に設けられた複数の支持リード（4）と、
支持板（2）の他端（2d）に設けられた複数の外部リー
ド（3）と、複数の外部リード（3）又は支持リード
（4）を接続する連結条（5、6、7）を有する。図１では
簡略化のため１個のみの支持板（2）を示すが、実際の
リードフレーム（1）には、並置された複数個の支持板
（2）が連結条（5、6、7）により一体に連結される。リ
ードフレーム（1）は、半導体素子載置予定領域（電子
素子載置予定領域）（9）の両側に一対の凹部（8）を設
けた点で従来と異なる。一対の凹部（8）の各々は、支
持板（2）の一方の主面上であって、半導体素子載置予
定領域（9）と支持板（2）の一方の側縁（2a）との間及
び半導体素子載置予定領域（9）と支持板（2）の他方の
側縁（2b）との間に平面的に見て円弧状に形成される。
凹部（8）は支持板（2）の一端（2c）及び他端（2d）に
向かって半導体素子載置予定領域（9）より外側に延長
され、凹部（8）の両端部（8a、8b）は支持板（2）の側
縁（2a、2b）に接続される。具体的には、一対の凹部
（8）の各々の一方の端部（8a）は、半導体素子載置予
定領域（9）の支持リード（4）側の端部の延長線L1より
も支持リード（4）側に位置し、一対の凹部（8）の各々
の他方の端部（8b）は、半導体素子載置予定領域（9）
の外部リード（3）側の端部の延長線L2よりも外部リー
ド（3）側に位置する。即ち、一対の凹部（8）の各々は
上記２つの延長線L1とL2の両方を横切って形成される。
一対の凹部（8）の各々は、一連のリードフレーム（1）
のプレス加工中にコイニング加工により同時にＶ字状断
面で形成される。更に、支持リード（4）との連結部分
を包囲する円弧状の凹部（10）が支持板（2）に形成さ
れ、外部リード（3）にも凹部（12）が形成される。周
知のダイボンディング法によって、リードフレーム
（1）の半導体素子載置予定領域（9）内に半導体素子
（16）が載置され、周知のワイヤボンディング法によっ
て半導体素子（16）と外部リード（3）との間にリード
細線（13）が接続される。続いて周知のトランスファモ
ールド法によって、支持板（2）の略全面と外部リード
（3）の端部側を被覆する樹脂封止体（14）を形成す
る。その後、連結条（5、6、7）と支持リード（4）を除
去して、樹脂封止型半導体装置が完成する。リードフレ
ーム（1）を使用した樹脂封止型半導体装置では、支持
リード（4）を図１のＦ方向に引張り小断面部（4a）で
破断する。したがって、支持リード（4）の引抜き破断
によって樹脂封止体（14）に孔（15）が形成され（図
２）、完成時に支持リード（4）の破断部は孔（15）の
奥部に位置する。本実施例のリードフレーム（1）を使
用した半導体装置では、電子素子載置予定領域（9）と
支持板（2）の一方及び他方の側縁（2a、2b）との間の
支持板（2）上に凹部（8、22）を形成し、一対の凹部
（8、22）の両端部（8a、8b、22a、22b）を支持板（2）
の側縁（2a、2b）に接続したので、支持リード（4）の
破断により樹脂封止体（14）に形成された孔（15）から
樹脂封止体（14）の内部に侵入し、側縁（2a、2b）から
支持板（2）の中心に向かう異物を凹部（8、22）に沿っ
て支持板（2）の側縁（2a、2b）に案内して、電子素子
載置予定領域（9）から離間するように、異物の進行方
向を変更する。同時に、支持板（2）の側縁（2a、2b）
から電子素子載置予定領域（9）までの沿面距離が増加
し、孔（15）から電子素子載置予定領域（9）へ向かう
異物の侵入を有効に抑制することができる。また、支持
板（2）の電子素子が載置される電子素子載置予定領域
（9）の両側に一対の凹部（8、22）を形成し、支持板
（2）と樹脂封止体（14）との結合力を強固にすること
ができる。従って、本実施例の作用効果を列挙すれば次
の通りである。 一対の凹部（8）により支持板（2）の一方の主面と
樹脂封止体（14）との結合を強化でき、異物の侵入経路
が制限される。 一対の凹部（8）により半導体素子載置予定領域
（9）までの沿面距離が増加する。 一対の凹部（8）の両端（8a、8b）が支持板（2）の
側縁（2a、2b）に接続されかつ開放されるため、支持板
（2）の側面又は一方の主面の側縁側と樹脂封止体（1
4）の界面に沿って半導体素子載置予定領域（9）に向か
う異物が流出通路となる一対の凹部（8）を通じて支持
板（2）の側縁（2a、2b）に流出する。 本実施例のリードフレーム（1）を使用した半導体装置
では、半導体素子載置予定領域（9）側に異物が達する
ことを一対の凹部（8）によって有効に防止でき、長期
間の使用にも半導体装置の電気的劣化が生じないことが
確認された。これに対し、一対の凹部（8）を形成しな
い半導体装置の信頼性試験を同一の条件のもと行ったと
ころ、本実施例ほど顕著な効果は得られないことが判明
した。また、本実施例では、凹部（10）（12）によって
異物侵入防止効果が一層向上する。
【０００７】 ［第２の実施例］以下、本考案の別の実施例に係る樹脂
封止型半導体装置用リードフレームを図３について説明
する。図３では、図１及び図２のリードフレームと実質
的に同じ箇所には同一の符号を付してその説明を省略す
る。本実施例のリードフレーム（21）の支持板（2）で
は、半導体素子載置予定領域（9）を包囲する環状の凹
部（22）が形成される。凹部（22）の両端部（22a、22
b）は、図３に示すように、支持板（2）の両側縁（2a、
2b）に接続されかつ開放している。Ｖ字状断面の凹部
（22）は、一連のリードフレーム（21）のプレス加工中
にコイニング加工で同時形成することができる。第１の
実施例のリードフレーム（1）と同様にリードフレーム
（21）の半導体素子載置予定領域（9）内に半導体素子
（16）が載置され、半導体素子（16）と外部リード
（3）との間にリード細線（13）が接続される。また、
支持板（2）の略全面と外部リード（3）の端部側を被覆
する樹脂封止体（14）が形成される。リードフレーム
（21）を使用した樹脂封止型半導体装置では、支持リー
ド（4）を引っ張り破断するので、第１の実施例と同様
に樹脂封止体（14）に孔（15）が形成される。本実施例
のリードフレーム（21）を使用した半導体装置によれ
ば、第１の実施例のリードフレーム（1）と同様に半導
体素子載置予定領域（9）側に異物が達することを凹部
（22）によって有効に防止でき、長期間の使用でも半導
体装置の特性低下が生じないことが確認された。
封止型半導体装置用リードフレームを図３について説明
する。図３では、図１及び図２のリードフレームと実質
的に同じ箇所には同一の符号を付してその説明を省略す
る。本実施例のリードフレーム（21）の支持板（2）で
は、半導体素子載置予定領域（9）を包囲する環状の凹
部（22）が形成される。凹部（22）の両端部（22a、22
b）は、図３に示すように、支持板（2）の両側縁（2a、
2b）に接続されかつ開放している。Ｖ字状断面の凹部
（22）は、一連のリードフレーム（21）のプレス加工中
にコイニング加工で同時形成することができる。第１の
実施例のリードフレーム（1）と同様にリードフレーム
（21）の半導体素子載置予定領域（9）内に半導体素子
（16）が載置され、半導体素子（16）と外部リード
（3）との間にリード細線（13）が接続される。また、
支持板（2）の略全面と外部リード（3）の端部側を被覆
する樹脂封止体（14）が形成される。リードフレーム
（21）を使用した樹脂封止型半導体装置では、支持リー
ド（4）を引っ張り破断するので、第１の実施例と同様
に樹脂封止体（14）に孔（15）が形成される。本実施例
のリードフレーム（21）を使用した半導体装置によれ
ば、第１の実施例のリードフレーム（1）と同様に半導
体素子載置予定領域（9）側に異物が達することを凹部
（22）によって有効に防止でき、長期間の使用でも半導
体装置の特性低下が生じないことが確認された。
【０００８】 ［変形例］本考案の実施態様は前記の実施例に限定され
ず更に変更が可能である。 〈1〉 支持リードを引抜き破断した樹脂封止型電子部
品では、支持リードの引抜きによって生じた孔（15）か
ら異物の侵入が起こり易い。本考案のリ-ト゛フレ-ムは、このタイフ゜
の電子部品に使用して特に有効である。しかしながら、支
持板（2）の一部が露出した種々のタイプの電子部品に
使用しても有利な効果が得られる。勿論、外部リード
（3）と樹脂封止体（14）との界面からの異物侵入の防
止にも有効である。 〈2〉 第１の実施例の一対の凹部（8）はそれ自体で著
しい異物侵入防止効果を奏するが、電子素子を包囲する
凹部（22）等と組み合わせれば更にその効果が高まる。
図４にその一例を示す。 〈3〉 凹部（8、22）はＶ字断面に限られず、例えば、
Ｕ字断面、コ字断面又は二段形状で且つ段差部に突出部
を有する凹部としても良い。適当な断面形状を選択した
凹部によって支持板（2）と樹脂封止体（14）との密着
性を一層向上できる。 〈4〉 図３に示す第２の実施例の凹部（22）の上下方
向の両端部をそれぞれ支持板（2）の一端（2c）及び他
端（2d）に接続しても良い。また、凹部（22）の上側の
端部を支持板（2）の孔（11）に接続することもでき
る。
ず更に変更が可能である。 〈1〉 支持リードを引抜き破断した樹脂封止型電子部
品では、支持リードの引抜きによって生じた孔（15）か
ら異物の侵入が起こり易い。本考案のリ-ト゛フレ-ムは、このタイフ゜
の電子部品に使用して特に有効である。しかしながら、支
持板（2）の一部が露出した種々のタイプの電子部品に
使用しても有利な効果が得られる。勿論、外部リード
（3）と樹脂封止体（14）との界面からの異物侵入の防
止にも有効である。 〈2〉 第１の実施例の一対の凹部（8）はそれ自体で著
しい異物侵入防止効果を奏するが、電子素子を包囲する
凹部（22）等と組み合わせれば更にその効果が高まる。
図４にその一例を示す。 〈3〉 凹部（8、22）はＶ字断面に限られず、例えば、
Ｕ字断面、コ字断面又は二段形状で且つ段差部に突出部
を有する凹部としても良い。適当な断面形状を選択した
凹部によって支持板（2）と樹脂封止体（14）との密着
性を一層向上できる。 〈4〉 図３に示す第２の実施例の凹部（22）の上下方
向の両端部をそれぞれ支持板（2）の一端（2c）及び他
端（2d）に接続しても良い。また、凹部（22）の上側の
端部を支持板（2）の孔（11）に接続することもでき
る。
【０００９】
【考案の効果】以上のように、本考案の樹脂封止型電子
部品用リードフレームによれば、電子素子載置予定領域
と支持板の一方及び他方の側縁との間の支持板上に凹部
を形成したので、支持板の側縁から電子素子載置予定領
域までの沿面距離が増加する。また、一対の凹部の両端
部を支持板の側縁に接続したので、側縁から支持板の中
心に向かう異物を凹部に沿って支持板の側縁に案内し
て、電子素子載置予定領域から離間するように、異物の
進行方向を変更する。これにより、電子素子載置予定領
域へ向かう異物の侵入を有効に抑制することができる。
また、支持板の電子素子が載置される電子素子載置予定
領域の両側に一対の凹部を形成し、支持板と樹脂封止体
との結合力を強固にすることができ、樹脂封止型電子部
品の電気的特性の低下を長期間にわたって防止すること
ができる。
部品用リードフレームによれば、電子素子載置予定領域
と支持板の一方及び他方の側縁との間の支持板上に凹部
を形成したので、支持板の側縁から電子素子載置予定領
域までの沿面距離が増加する。また、一対の凹部の両端
部を支持板の側縁に接続したので、側縁から支持板の中
心に向かう異物を凹部に沿って支持板の側縁に案内し
て、電子素子載置予定領域から離間するように、異物の
進行方向を変更する。これにより、電子素子載置予定領
域へ向かう異物の侵入を有効に抑制することができる。
また、支持板の電子素子が載置される電子素子載置予定
領域の両側に一対の凹部を形成し、支持板と樹脂封止体
との結合力を強固にすることができ、樹脂封止型電子部
品の電気的特性の低下を長期間にわたって防止すること
ができる。
【図１】 本考案によるリードフレームの平面図
【図２】 本考案によるリードフレームの断面図
【図３】 本考案の第２の実施例を示す平面図
【図４】 第１の実施例の変形例を示す平面図
（1）・・リードフレーム、 （2）・・支持板、 （2
a）・・一方の側縁、 （2b）・・他方の側縁、 （2
c）・・一端、 （2d）・・他端、 （2d）（4a）・・
小断面部、 （8）（22）・・凹部、 （8a）（22a）・
・一方の端部、 （8b）（22b）・・他方の端部、
（9）・・半導体素子載置予定領域（電子素子載置予定
領域）、 （16）・・半導体素子（電子素子）、
a）・・一方の側縁、 （2b）・・他方の側縁、 （2
c）・・一端、 （2d）・・他端、 （2d）（4a）・・
小断面部、 （8）（22）・・凹部、 （8a）（22a）・
・一方の端部、 （8b）（22b）・・他方の端部、
（9）・・半導体素子載置予定領域（電子素子載置予定
領域）、 （16）・・半導体素子（電子素子）、
Claims (2)
- 【請求項１】 電子素子を載置する電子素子載置予定領
域を有する支持板と、該支持板の一端から突出しかつ引
抜き破断される小断面部を有する支持リードとを備えた
樹脂封止型電子部品用リードフレームにおいて、 前記電子素子載置予定領域と前記支持板の一方の側縁と
の間及び前記電子素子載置予定領域と前記支持板の他方
の側縁との間の前記支持板上にそれぞれ凹部を形成し、 前記支持板の前記一端及び他端に向かって前記凹部を前
記電子素子載置予定領域より外側に延長させ、 前記凹部の両端部を前記支持板の前記側縁に接続させた
ことを特徴とする樹脂封止型電子部品用リードフレー
ム。 - 【請求項２】 電子素子を載置する電子素子載置予定領
域を有する支持板と、該支持板の一端から突出しかつ引
抜き破断される小断面部を有する支持リードとを備えた
樹脂封止型電子部品用リードフレームにおいて、 前記電子素子載置予定領域と前記支持板の一方の側縁と
の間及び前記電子素子載置予定領域と前記支持板の他方
の側縁との間の前記支持板上にそれぞれ凹部を形成し、 前記支持板の前記一端及び他端に向かって前記凹部を前
記電子素子載置予定領域より外側に延長させ、 前記電子素子載置予定領域を包囲して前記凹部を環状に
形成すると共に、前記凹部の両端部を前記支持板の前記
側縁に接続させたことを特徴とする樹脂封止型電子部品
用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990403234U JP2527803Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-12-14 | 樹脂封止型電子部品用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12030290 | 1990-11-19 | ||
| JP2-120302 | 1990-11-19 | ||
| JP1990403234U JP2527803Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-12-14 | 樹脂封止型電子部品用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487655U JPH0487655U (ja) | 1992-07-30 |
| JP2527803Y2 true JP2527803Y2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=31948855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990403234U Expired - Fee Related JP2527803Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-12-14 | 樹脂封止型電子部品用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527803Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554983A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55122369U (ja) * | 1979-02-21 | 1980-08-30 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP1990403234U patent/JP2527803Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554983A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0487655U (ja) | 1992-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000307017A5 (ja) | ||
| JPS63233555A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH1116930A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP4390317B2 (ja) | 樹脂封止型半導体パッケージ | |
| KR100428271B1 (ko) | 집적회로패키지와그제조방법 | |
| KR970701430A (ko) | 교차하는 본딩 와이어의 취급용 리드 프레임(lead frame for handling crossing bonding wires) | |
| JPH10223819A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2527803Y2 (ja) | 樹脂封止型電子部品用リードフレーム | |
| JP4611569B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2525555Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム組立体 | |
| JP2001308241A (ja) | 樹脂封止形リードフレーム組立体 | |
| JPH0254665B2 (ja) | ||
| JP3134445B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0685133A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP4247871B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPS62235763A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS61194861A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3185354B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 | |
| KR200173050Y1 (ko) | 초박형 반도체 패키지 | |
| JPH04246847A (ja) | 半導体集積回路のパッケージ | |
| KR200295664Y1 (ko) | 적층형반도체패키지 | |
| JPH05243464A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS61219143A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| KR100799201B1 (ko) | 칩 스케일 패키지와, 칩 스케일 패키지용 리이드 프레임과이의 제조방법 | |
| JPH0526762Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |