JPH0526762Y2 - - Google Patents
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- JPH0526762Y2 JPH0526762Y2 JP1987184090U JP18409087U JPH0526762Y2 JP H0526762 Y2 JPH0526762 Y2 JP H0526762Y2 JP 1987184090 U JP1987184090 U JP 1987184090U JP 18409087 U JP18409087 U JP 18409087U JP H0526762 Y2 JPH0526762 Y2 JP H0526762Y2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、半導体素子と共にリードフレーム
を樹脂で一体的にモールドした樹脂封止形半導体
装置に関するものである。
を樹脂で一体的にモールドした樹脂封止形半導体
装置に関するものである。
第１０図は例えば特公昭61−3100号公報に示さ
れた従来の樹脂封止形半導体装置に用いられるリ
ードフレームの平面図で、四角形の複数の枠体１
が連続して一体的に構成されるが、その一部を図
示する。枠体１の対向する一対の辺１ａ，１ｂよ
り中心部に向けて支持腕２ａ，２ｂを形成して四
角形の半導体素子載置部（以下、素子載置部とい
う）３を支持する。この素子載置部３から複数の
リード４が間隔をおいて放射状に外側に伸び、枠
体１にそれぞれ直角に接がる。これらのリード４
を保持し、かつ樹脂モールド時に樹脂が外部へ漏
出するのを防止するため、リード４の途中にタイ
バー５が一体に連結されている。
れた従来の樹脂封止形半導体装置に用いられるリ
ードフレームの平面図で、四角形の複数の枠体１
が連続して一体的に構成されるが、その一部を図
示する。枠体１の対向する一対の辺１ａ，１ｂよ
り中心部に向けて支持腕２ａ，２ｂを形成して四
角形の半導体素子載置部（以下、素子載置部とい
う）３を支持する。この素子載置部３から複数の
リード４が間隔をおいて放射状に外側に伸び、枠
体１にそれぞれ直角に接がる。これらのリード４
を保持し、かつ樹脂モールド時に樹脂が外部へ漏
出するのを防止するため、リード４の途中にタイ
バー５が一体に連結されている。
第１０図のリードフレームを用いた従来の樹脂
封止形半導体装置の断面を第１１図に示す。リー
ドフレームの素子載置部３の半導体素子を載置す
る面（以下、素子載置面という）６とは反対側の
面に複数の窪み７が形成されている。素子載置部
３の素子載置面６には半導体素子８がはんだ等で
固着され、この半導体素子８の各電極端子（図示
せず）と各リード４とはリード線９で接続されて
いる。半導体素子８、リード線９、素子載置部３
およびリード４のうちタイバー５よりも内側の部
分が樹脂１０で一体的にモールドされ、窪み７に
も樹脂１０が充填される。タイバー５およびこれ
より外側の部分のリード４は樹脂１０の外側に露
出させ、タイバー５はモールド後に切除する。
封止形半導体装置の断面を第１１図に示す。リー
ドフレームの素子載置部３の半導体素子を載置す
る面（以下、素子載置面という）６とは反対側の
面に複数の窪み７が形成されている。素子載置部
３の素子載置面６には半導体素子８がはんだ等で
固着され、この半導体素子８の各電極端子（図示
せず）と各リード４とはリード線９で接続されて
いる。半導体素子８、リード線９、素子載置部３
およびリード４のうちタイバー５よりも内側の部
分が樹脂１０で一体的にモールドされ、窪み７に
も樹脂１０が充填される。タイバー５およびこれ
より外側の部分のリード４は樹脂１０の外側に露
出させ、タイバー５はモールド後に切除する。
このような樹脂封止形半導体装置においては、
半導体素子８やリード線９は樹脂１０によつて外
部環境から保護されており、使用時は樹脂１０の
外部に露出したリード４から電気信号が入力さ
れ、リード線９を通つて半導体素子８に入り、そ
こで所定の処理が行われて再びリード線９を通つ
てリード４から外部に出力されるよう動作する。
半導体素子８やリード線９は樹脂１０によつて外
部環境から保護されており、使用時は樹脂１０の
外部に露出したリード４から電気信号が入力さ
れ、リード線９を通つて半導体素子８に入り、そ
こで所定の処理が行われて再びリード線９を通つ
てリード４から外部に出力されるよう動作する。
〔考案が解決しようとする問題点〕
従来の樹脂封止形半導体装置は以上のように構
成されているので、構成する各部品や材料の間
に、各々の線膨張係数の差があり、特に樹脂１０
の線膨張係数は他の部品や材料の線膨張係数に比
べて大きいため、樹脂封止形半導体装置製造工程
における樹脂モールド時や試験時、あるいはプリ
ント配線基板に実装して使用される時などに受け
る温度変化により、樹脂封止形半導体装置の各部
分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑な応力が発生
して各部分の角部や端部に応力が集中し、また樹
脂１０と他の部品や材料との界面で剥離が発生
し、そのため応力の集中が増大し、樹脂１０にク
ラツクが発生する。第１０図から分かるように、
隣接するリード４相互間にはスペースがあり、そ
のスペースに樹脂１０が充填されるので、第１１
図の上部の樹脂１０ａと下部の樹脂１０ｂがこの
部分で橋絡され、リード４と樹脂１０とは相互の
からまり度合が大きい。これに対して素子載置部
３ではその外周以外に比較的大きい寸法にわたつ
て、上部の樹脂１０ａと下部の樹脂１０ｂが互に
橋絡されておらず、素子載置部３と樹脂１０のか
らまり度合が小さい。従つて、この部分の機械的
強度が不安定で、素子載置部３の素子載置面６と
は反対側の面と下部の樹脂１０ｂとの間で剥離が
発生して素子載置部３の端部に応力の集中が増大
しやすい。この対策として、素子載置部３の素子
載置面６とは反対側の面に窪み７を形成すること
により、第１１図の横方向の応力に対しては、素
子載置部３と下部の樹脂１０ｂとの相互間で係止
効果が働き、応力が分散され、応力の集中が増大
しないようにしている。しかし、縦方向の応力や
曲げ応力に対しては、上記のような窪み７による
係止効果が働かず、この部分の相互の固着は接着
力に依存することになるため機械的強度が不安定
で、素子載置部３と下部の樹脂１０ｂとの間で剥
離が発生し、素子載置部３の端部の応力の集中が
増大し、クラツクが発生するという問題があつ
た。
成されているので、構成する各部品や材料の間
に、各々の線膨張係数の差があり、特に樹脂１０
の線膨張係数は他の部品や材料の線膨張係数に比
べて大きいため、樹脂封止形半導体装置製造工程
における樹脂モールド時や試験時、あるいはプリ
ント配線基板に実装して使用される時などに受け
る温度変化により、樹脂封止形半導体装置の各部
分に引張り、圧縮、曲げなどの複雑な応力が発生
して各部分の角部や端部に応力が集中し、また樹
脂１０と他の部品や材料との界面で剥離が発生
し、そのため応力の集中が増大し、樹脂１０にク
ラツクが発生する。第１０図から分かるように、
隣接するリード４相互間にはスペースがあり、そ
のスペースに樹脂１０が充填されるので、第１１
図の上部の樹脂１０ａと下部の樹脂１０ｂがこの
部分で橋絡され、リード４と樹脂１０とは相互の
からまり度合が大きい。これに対して素子載置部
３ではその外周以外に比較的大きい寸法にわたつ
て、上部の樹脂１０ａと下部の樹脂１０ｂが互に
橋絡されておらず、素子載置部３と樹脂１０のか
らまり度合が小さい。従つて、この部分の機械的
強度が不安定で、素子載置部３の素子載置面６と
は反対側の面と下部の樹脂１０ｂとの間で剥離が
発生して素子載置部３の端部に応力の集中が増大
しやすい。この対策として、素子載置部３の素子
載置面６とは反対側の面に窪み７を形成すること
により、第１１図の横方向の応力に対しては、素
子載置部３と下部の樹脂１０ｂとの相互間で係止
効果が働き、応力が分散され、応力の集中が増大
しないようにしている。しかし、縦方向の応力や
曲げ応力に対しては、上記のような窪み７による
係止効果が働かず、この部分の相互の固着は接着
力に依存することになるため機械的強度が不安定
で、素子載置部３と下部の樹脂１０ｂとの間で剥
離が発生し、素子載置部３の端部の応力の集中が
増大し、クラツクが発生するという問題があつ
た。
この考案は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、樹脂封止形半導体装置のモー
ルド時や試験時、使用時の温度変化により受ける
応力に対しても樹脂のクラツク発生を防止する樹
脂封止形半導体装置を提供することを目的とす
る。
になされたもので、樹脂封止形半導体装置のモー
ルド時や試験時、使用時の温度変化により受ける
応力に対しても樹脂のクラツク発生を防止する樹
脂封止形半導体装置を提供することを目的とす
る。
この考案に係る樹脂封止形半導体装置は、用い
られるリードフレームの素子載置部の素子載置面
に凹部を設け、且つ上記素子載置部に上記凹部に
連通して上記凹部に樹脂を充填する樹脂連通口を
設けたものである。
られるリードフレームの素子載置部の素子載置面
に凹部を設け、且つ上記素子載置部に上記凹部に
連通して上記凹部に樹脂を充填する樹脂連通口を
設けたものである。
この考案における樹脂封止形半導体装置は、用
いられるリードフレームの素子載置部の素子載置
面に凹部を設け、この凹部に連通する樹脂連通口
を設けることにより、樹脂封止形半導体装置のモ
ールド時に前記凹部にも樹脂が充填されて前記素
子載置部と前記樹脂のからまり度合が大きくな
り、この素子載置部と樹脂の相互の固着強度が向
上し、樹脂封止形半導体装置のモールド時や試験
時あるいは使用時などに温度変化を受けても、前
記樹脂のクラツク発生を防止する。
いられるリードフレームの素子載置部の素子載置
面に凹部を設け、この凹部に連通する樹脂連通口
を設けることにより、樹脂封止形半導体装置のモ
ールド時に前記凹部にも樹脂が充填されて前記素
子載置部と前記樹脂のからまり度合が大きくな
り、この素子載置部と樹脂の相互の固着強度が向
上し、樹脂封止形半導体装置のモールド時や試験
時あるいは使用時などに温度変化を受けても、前
記樹脂のクラツク発生を防止する。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。
る。
第１図はこの考案の一実施例の樹脂封止形半導
体装置に用いられるリードフレームの一部を示す
平面図で、第２図は第１１図の主要部分の平面
図、第３図は第２図における−線に沿つた断
面図である。リードフレームの素子載置部３の素
子載置面６側に凹部１１を設けている。この凹部
１１は２本の支持腕２の方向と平行な方向に断面
がコの字形の溝状に作られ、外縁の両端部は開口
し、樹脂モールドした時に凹部に樹脂が充填され
るよう、凹部に連通するための樹脂連通口１２と
している。素子載置部３はリードフレームの他の
部分とは支持腕２を通じてのみ接がつているの
で、凹部１１を作る時は絞り加工は不要で、元の
平板からは単純な折り曲げ加工で作る事が出来
る。また、第１０図、第１１図の従来のリードフ
レームのようなハーフ・エツチング加工は不要
で、リードフレームを所定の形状に打ち抜いてい
くプレス加工工程の中で凹部を形成出来るのでコ
スト的にも上記従来例に比べて有利である。その
他の構成は第１０図に示す従来の構成とほぼ同じ
であるのでその説明は省略する。
体装置に用いられるリードフレームの一部を示す
平面図で、第２図は第１１図の主要部分の平面
図、第３図は第２図における−線に沿つた断
面図である。リードフレームの素子載置部３の素
子載置面６側に凹部１１を設けている。この凹部
１１は２本の支持腕２の方向と平行な方向に断面
がコの字形の溝状に作られ、外縁の両端部は開口
し、樹脂モールドした時に凹部に樹脂が充填され
るよう、凹部に連通するための樹脂連通口１２と
している。素子載置部３はリードフレームの他の
部分とは支持腕２を通じてのみ接がつているの
で、凹部１１を作る時は絞り加工は不要で、元の
平板からは単純な折り曲げ加工で作る事が出来
る。また、第１０図、第１１図の従来のリードフ
レームのようなハーフ・エツチング加工は不要
で、リードフレームを所定の形状に打ち抜いてい
くプレス加工工程の中で凹部を形成出来るのでコ
スト的にも上記従来例に比べて有利である。その
他の構成は第１０図に示す従来の構成とほぼ同じ
であるのでその説明は省略する。
第４図は、第１図ないし第３図に示すリードフ
レームを用いたこの考案の樹脂封止形半導体装置
の断面図で、半導体素子８は素子載置部３の素子
載置面６にろう材１３を介して固着され、半導体
素子８の各電極端子（図示せず）はリード線９を
介してリード４に施されたボンデイング用金属メ
ツキ１４に接続されている。これらを樹脂１０で
一体的にモールドする時に、素子載置部３に設け
られた溝状の凹部１１には、その溝の両端部に開
口した樹脂連通口１２より樹脂１０ｃが流入し、
凹部１１内に充填される。従つて、素子載置部３
と樹脂１０のからまりの度合が大きくなり、樹脂
封止形半導体装置のモールド時や試験時あるいは
使用時などに温度変化を受けても、素子載置部３
と封止用樹脂１０の固着効果を維持し、横方向、
縦方向および曲げの応力に対しても係止効果が働
き、クラツクの発生が防止できる。
レームを用いたこの考案の樹脂封止形半導体装置
の断面図で、半導体素子８は素子載置部３の素子
載置面６にろう材１３を介して固着され、半導体
素子８の各電極端子（図示せず）はリード線９を
介してリード４に施されたボンデイング用金属メ
ツキ１４に接続されている。これらを樹脂１０で
一体的にモールドする時に、素子載置部３に設け
られた溝状の凹部１１には、その溝の両端部に開
口した樹脂連通口１２より樹脂１０ｃが流入し、
凹部１１内に充填される。従つて、素子載置部３
と樹脂１０のからまりの度合が大きくなり、樹脂
封止形半導体装置のモールド時や試験時あるいは
使用時などに温度変化を受けても、素子載置部３
と封止用樹脂１０の固着効果を維持し、横方向、
縦方向および曲げの応力に対しても係止効果が働
き、クラツクの発生が防止できる。
第５図はこの考案の他の一実施例の樹脂封止形
半導体装置に用いられるリードフレームの主要部
分の平面図、第６図は第５図における−線に
沿つた断面図である。第１図ないし第３図の実施
例と同様にリードフレームの素子載置部３の素子
載置面６側に溝状の凹部１１を設け、この溝の開
口した両端部を樹脂連通口１２としている。この
実施例では更に、樹脂連通口として、凹部１１の
溝の底部に貫通穴１５が設けられている。この貫
通穴１５も、リードフレームを所定の形状に打ち
抜くプレス加工工程の中であけられるのでコスト
上有利である。
半導体装置に用いられるリードフレームの主要部
分の平面図、第６図は第５図における−線に
沿つた断面図である。第１図ないし第３図の実施
例と同様にリードフレームの素子載置部３の素子
載置面６側に溝状の凹部１１を設け、この溝の開
口した両端部を樹脂連通口１２としている。この
実施例では更に、樹脂連通口として、凹部１１の
溝の底部に貫通穴１５が設けられている。この貫
通穴１５も、リードフレームを所定の形状に打ち
抜くプレス加工工程の中であけられるのでコスト
上有利である。
第７図は第５図、第６図に示すリードフレーム
を用いたこの考案の樹脂封止形半導体装置の断面
図で、樹脂モールド時に、溝状になつている凹部
１１の両端部の樹脂連通口１２以外に、貫通穴１
５からも樹脂１０ｃが流入するので、第１図ない
し第４図の実施例に比べて凹部１１への樹脂１０
ｃの充填が容易となる。また、凹部１１内に充填
された樹脂１０ｃは凹部１１の両端部の樹脂連通
口１２以外に、貫通穴１５を通じても下部の樹脂
１０ｂと橋絡しているので、第１図ないし第４図
の実施例に比べて、素子載置部３と樹脂１０のか
らまり度合が更に大きくなり、従つて、温度変化
により受ける応力に対しても、樹脂１０のクラツ
ク発生を防止する。
を用いたこの考案の樹脂封止形半導体装置の断面
図で、樹脂モールド時に、溝状になつている凹部
１１の両端部の樹脂連通口１２以外に、貫通穴１
５からも樹脂１０ｃが流入するので、第１図ない
し第４図の実施例に比べて凹部１１への樹脂１０
ｃの充填が容易となる。また、凹部１１内に充填
された樹脂１０ｃは凹部１１の両端部の樹脂連通
口１２以外に、貫通穴１５を通じても下部の樹脂
１０ｂと橋絡しているので、第１図ないし第４図
の実施例に比べて、素子載置部３と樹脂１０のか
らまり度合が更に大きくなり、従つて、温度変化
により受ける応力に対しても、樹脂１０のクラツ
ク発生を防止する。
第１図ないし第７図の実施例では凹部１１を断
面がコの字形の溝状にしているが、この断面形状
を第８図ではＶ字形にし、第９図ではＵ字形にし
たもので、同様の効果がある。
面がコの字形の溝状にしているが、この断面形状
を第８図ではＶ字形にし、第９図ではＵ字形にし
たもので、同様の効果がある。
また、上記第１図ないし第９図の実施例では凹
部１１を溝状にしているが、例えば、円形の鍋底
状の凹部にして、この凹部の底に貫通穴を設けて
樹脂連通口とするようにしてもよい。
部１１を溝状にしているが、例えば、円形の鍋底
状の凹部にして、この凹部の底に貫通穴を設けて
樹脂連通口とするようにしてもよい。
以上のように、この考案では、樹脂封止形半導
体装置に用いられるリードフレームの素子載置部
の素子載置面に凹部を設け、この凹部に連通する
樹脂連通口を設けることにより、素子載置部と樹
脂のからまり度合を大きくしたので、樹脂封止形
半導体装置のモールド時や試験時、使用時の温度
変化により受ける応力に対しても、樹脂部のクラ
ツク発生を防止した、樹脂封止形半導体装置が得
られる効果がある。
体装置に用いられるリードフレームの素子載置部
の素子載置面に凹部を設け、この凹部に連通する
樹脂連通口を設けることにより、素子載置部と樹
脂のからまり度合を大きくしたので、樹脂封止形
半導体装置のモールド時や試験時、使用時の温度
変化により受ける応力に対しても、樹脂部のクラ
ツク発生を防止した、樹脂封止形半導体装置が得
られる効果がある。
第１図はこの考案の一実施例の樹脂封止形半導
体装置に用いられるリードフレームの一部を示す
平面図、第２図は第１図の主要部分の平面図、第
３図は第２図の−線に沿つた断面図、第４図
は第１図ないし第３図に示すリードフレームを用
いた樹脂封止形半導体装置の断面図である。第５
図はこの考案の他の一実施例の樹脂封止形半導体
装置に用いられるリードフレームの主要部分の平
面図、第６図は第５図の−線に沿つた断面
図、第７図は第５図、第６図に示すリードフレー
ムを用いた樹脂封止形半導体装置の断面図であ
る。第８図はこの考案の更に他の一実施例の樹脂
封止形半導体装置に用いられるリードフレームに
設けられた凹部の断面図、第９図はこの考案の更
に他の一実施例の同じく凹部の断面図である。第
１０図は従来の樹脂封止形半導体装置に用いられ
るリードフレームの一部を示す平面図、第１１図
は第１０図のリードフレームを用いた樹脂封止形
半導体装置の断面図である。 図において、３は半導体素子載置部、４はリー
ド、６は半導体素子を載置する面、１０は樹脂、
１１は凹部、１２は樹脂連通口、１５は貫通穴で
ある。なお、各図中同一符号は同一または相当部
分を示す。
体装置に用いられるリードフレームの一部を示す
平面図、第２図は第１図の主要部分の平面図、第
３図は第２図の−線に沿つた断面図、第４図
は第１図ないし第３図に示すリードフレームを用
いた樹脂封止形半導体装置の断面図である。第５
図はこの考案の他の一実施例の樹脂封止形半導体
装置に用いられるリードフレームの主要部分の平
面図、第６図は第５図の−線に沿つた断面
図、第７図は第５図、第６図に示すリードフレー
ムを用いた樹脂封止形半導体装置の断面図であ
る。第８図はこの考案の更に他の一実施例の樹脂
封止形半導体装置に用いられるリードフレームに
設けられた凹部の断面図、第９図はこの考案の更
に他の一実施例の同じく凹部の断面図である。第
１０図は従来の樹脂封止形半導体装置に用いられ
るリードフレームの一部を示す平面図、第１１図
は第１０図のリードフレームを用いた樹脂封止形
半導体装置の断面図である。 図において、３は半導体素子載置部、４はリー
ド、６は半導体素子を載置する面、１０は樹脂、
１１は凹部、１２は樹脂連通口、１５は貫通穴で
ある。なお、各図中同一符号は同一または相当部
分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体素子を載置する面に設けた凹部とこの
凹部に連通する樹脂連通口とを有する半導体素
子載置部、およびこの半導体素子載置部の周辺
に配置させた複数のリードを備えたリードフレ
ームを樹脂で一体的にモールドしてなる樹脂封
止形半導体装置。 (2) 凹部が半導体素子載置部の一端から他端まで
の溝状で、樹脂連通口がこの溝の開口した両端
部である実用新案登録請求の範囲第１項記載の
樹脂封止形半導体装置。 (3) 溝の底部に貫通穴を有する実用新案登録請求
の範囲第２項記載の樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987184090U JPH0526762Y2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987184090U JPH0526762Y2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0187555U JPH0187555U (ja) | 1989-06-09 |
| JPH0526762Y2 true JPH0526762Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=31475475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987184090U Expired - Lifetime JPH0526762Y2 (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526762Y2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9335073B2 (en) | 2008-02-01 | 2016-05-10 | Gentherm Incorporated | Climate controlled seating assembly with sensors |
| US12016466B2 (en) | 2008-07-18 | 2024-06-25 | Sleep Number Corporation | Environmentally-conditioned mattress |
| US12025151B2 (en) | 2022-08-04 | 2024-07-02 | Gentherm Incorporated | Low-profile blowers and methods |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP1987184090U patent/JPH0526762Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9335073B2 (en) | 2008-02-01 | 2016-05-10 | Gentherm Incorporated | Climate controlled seating assembly with sensors |
| US12016466B2 (en) | 2008-07-18 | 2024-06-25 | Sleep Number Corporation | Environmentally-conditioned mattress |
| US12025151B2 (en) | 2022-08-04 | 2024-07-02 | Gentherm Incorporated | Low-profile blowers and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0187555U (ja) | 1989-06-09 |
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