KR970701430A - 교차하는 본딩 와이어의 취급용 리드 프레임(lead frame for handling crossing bonding wires) - Google Patents
교차하는 본딩 와이어의 취급용 리드 프레임(lead frame for handling crossing bonding wires)Info
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Abstract
본딩 와이어(20,21)가 적당한 리드(lead)에 본딩되기에 앞서 다른 리드를 횡단하여야 하는 방식으로 구성되는 근접 이격된 리드(22,23,24)를 지니는 리드 프레임이 있는 집적 회로(19)를 패키징하는 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, 본딩 와이어(20,21)와 본딩 와이어에 의해 횡단된 리드(22,24)사이의 전기적 접촉의 가능성이 감소되도록 수정된 리드 프레임을 형성하는 단계를 포함한다. 한 실시예에서, 절연 박막(26)은 본딩 와이어(20,21)의 경로 바로 하부에 위치한 인접한 리드(22,24)상에 또는 부가적으로 많은 횡단의 리드상에 배치됨으로써 전기적 접촉의 가능성이 감소된다. 제2실시예에서, 요홈(depressein;32)은 인접한 리드(30)상에, 또는 부가적으로 많은 횡단된 리드상에 형성되어, 부가적인 간격(clearance)이 본딩 와이어(28)와 리드(30) 사이에 형성됨으로써 접촉의 가능성이 감소된다. 제3실시예에서, 계단형 요홈(34)은 증가된 경사 상태로 와이어(38)의 본딩을 용이하게 함으로써 본딩 와이어(38)와 교차된 리드(37) 사이의 부가적인 간격을 초래하여 접촉의 가능성을 감소시킨다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본딩 와이어가 교차된 리드를 교차하는 영역 하부의 교차된 리드상에 배치된 절연 박막을 지니는 본 발명의 제1실시예에 대한 개략적인 상부 단면도.
Claims (35)
- 복수개의 본드 패드(bond pad)를 지니는 집적 회로를 패키징하는 방법에 있어서, 복수개의 리드를 지니는 리드 프레임(lead frame)으로서, 다이 부착 부위를 한정하는 리드 프레임을 형성하는 단계; 상기 다이 부착 부위내에 다이를 고정시키는 단계; 본딩 와이어의 제1단부를 상기 본드 패드 중 연관된 하나에 와이어 본딩하는 단계 및 본딩 와이어의 제2단부를 리드 프레임의 연관된 제1리드에 와이어 본딩하는 단계로서, 상기 본딩 와이어가 상기 제1리드에 인접 위치한 리드 프레임의 제2리드를 가로지르도록 정해지는 와이어 본딩 단계 ; 상기 본딩 와이어와 상기 제2리드 사이의 전기적 접촉을 방지하도록 상기 본딩 와이어의 경로 바로 하부의 위치에서 절연 박막을 상기 제2리드에 도포하는 단계로서, 상기 와이어 본딩 단계에 앞서 이행되는 절연 박막의 도포 단계; 및 보호 패키지를 형성하도록 다이, 본딩 와이어 및 리드 프레임의 안쪽 일부를 캡슐 봉입하는 단계를 포함하는 집적 회로 다이의 패키징 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은 스탬핑(stamping)에 의해 형성되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은 에칭에 의해 형성되는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 절연 박막은 상기 에칭 단계로부터 남아 있는 에칭 마스크의 일부인 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 절연 박막은 복수개의 교차된 리드상에 부가적으로 도포되는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다이 부착 부위는 다이 부착 패드, 기판상의 빈 부위, 및 리드 프레임상의 지지부위를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 복수개의 리드는 상기 다이 부착 부위를 통해 사선(diagonal)의 도전성 스트립(strip)을 형성하도록 배열되는 방법.
- 복수개의 본드 패드를 지니는 집적 회로를 패키징하는 방법에 있어서, 복수개의 리드를 지니는 리드 프레임으로서, 다이 부착 부위를 한정하는 리드 프레임을 형성하는 단계; 상기 다이 부착 부위내에 다이를 고정시키는 단계; 본딩 와이어의 제1단부를 상기 본드 패드 중 연관된 하나에 와이어 본딩하는 단계 및 본딩 와이어의 제2단부를 리드 프레임의 연관된 제1리드에 와이어 본딩하는 단계로서, 상기 본딩 와이어가 상기 제1리드에 인접 위치한 리드 프레임의 제2리드를 가로지르도록 정해지는 와이어 본딩 단계; 부가적인 간격(clearance)이 상기 본딩 와이어와 상기 제2리드 사이에 형성되어 전기적 접촉의 가능성을 감소시키도록 상기 본딩 와이어의 경로 바로 하부에 있는 상기 제2리드상에 요홈(depression)을 형성하는 단계로서, 상기 본딩 와이어 단계에 앞서 이행되는 요홈형성 단계; 및 보호 패키지를 형성하도록 다이, 본딩 와이어 및 리드 프레임의 안쪽 일부를 캡슐 봉입하는 단계를 포함하는 집적 회로 다이의 패키징 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 리드 프레임은 스탬핑에 의해 형성되는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제2리드상의 요홈은 상기 리드 프레임의 스탬핑 단계중에 압인(coining)에 의해 형성하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 리드 프레임은 에칭에 의해 형성되는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2리드상의 요홈은 상기 리드 프레임의 에칭 단계중에 에칭에 의해 형성되는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 복수개의 리드는 상기 다이 부착 부위를 통해 사선의 도전성 스트립을 형성하도록 배열되는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 캡슐 봉입 재료는 사출 성형된 플라스틱인 방법.
- 복수개의 본드 패드를 지니는 집적 회로 다이를 패키징 하는 방법에 있어서, 복수개의 리드를 지니는 리드 프레임으로서, 다이 부착 부위를 한정하는 리드 프레임을 형성하는 단계; 상기 다이 부착 부위내에 다이를 고정시키는 단계; 본딩 와이어의 제1단부를 상기 본드 패드 중 연관된 하나에 와이어 본딩하는 단계 및 본딩 와이어의 제2단부를 리드 프레임의 연관된 제1리드에 와이어 본딩하는 단계에서, 상기 와이어 본딩 단계는 상기 본딩 와이어가 상기 제1리드를 인접 위치한 리드 프레임의 제2리드를 가로지르도록 정해지며, 상기 본딩 와이어의 제2단부와 상기 리드 프레임사의 연관된 리드 상의 본드가 리드 본딩 부위를 한정하는 와이어 본딩 단계; 상기 본딩 와이어가 증가된 경사 상태로 리드에 부착됨으로써 상기 본딩 와이어와 상기 제2리드 사이에 부가적인 간격이 형성되어 전기적 접촉의 가능성을 감소시키도록 상기 리드 본딩 부위상에 요홈을 압인하는 단계로서, 상기 와이어 본딩 단계에 앞서 이행되는 요홈의 형성 단계; 및 보호 패키지를 형성하도록 다이, 본딩 와이어 및 리드 프레임의 안쪽 일부를 캡슐 봉입하는 단계를 포함하는 집적 회로 다이의 패키징 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 리드 프레임은 스탬핑에 의해 형성되는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 리드 프레임은 에칭에 의해 형성되는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 리드 본딩 부위상의 요홈은 상기 리드 프레임의 에칭에 의해 형성하는 방법.
- 제15항에 있어서, 상기 제2리드상의 부가적인 요홈이 형성되는 방법.
- 제15항에 있어서, 복수개의 교차된 리드상의 부가적인 요홈들이 형성되는 방법.
- 복수개의 본드 패드를 지니는 집적 회로 패키지에 있어서, 복수개의 리드를 지니는 리드 프레임으로서, 다이 부착 부위를 형성하는 리드 프레임; 상기 다이 부착 부위내에 고정된 다이; 상기 다이를 상기 리드에 전기적으로 연결시키도록 두개의 단부를 지니는 본딩 와이어로서, 본딩 와이어의 제1단부는 다이상의 본드 패드 중 하나에 본딩되고, 제2단부는 리드 프레임상의 연관된 제1리드에 본딩하며, 상기 본딩 와이어가 상기 제1리드에 인접 위치한 리드 프레임의 제2리드를 가로지르도록 배열되는 본딩 와이어; 상기 본딩 와이어와 상기 제2리드 사이의 전기적 접촉의 가능성이 감소되도록 상기 본딩 와이어의 경로 바로 하부의 위치에서 상기 제2리드에 도포되는 절연 박막; 및 보호 패키지를 제공하도록 다이. 본딩 와이어, 및 리드 프레임의 안쪽 일부의 주위에 형성된 캡슐 봉입 재료를 포함하는 집적 회로 패키지.
- 제21항에 있어서, 상기 다이 부착 부위는 다이 부착 패드, 기판상의 빈 부위, 및 리드 프레임상의 지지부위를 포함하는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 복수개의 리드는 상기 다이 부착 부위를 통해 사선의 도전성 스트립을 형성하는 집적 회로 패키지.
- 제21항에 있어서, 상기 절연 박막은 상기 에칭 단계중에 도포된 에칭 마스크이 부분인 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 절연 박막은 복수개의 교차된 리드에 부가적으로 도포되는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 복수개의 리드는 상기 다이 부착 부위를 통해 사선의 도전성 스트립을 형성하도록 배열되는 방법.
- 제21항에 있어서, 상기 캡슐 봉입 재료는 사출 성형된 플라스틱인 집적 회로 패키지.
- 복수개의 본드 패드를 지니는 집적 회로를 패키지에 있어서, 복수개의 본드 패드를 지니는 리드 프레임으로서, 다이 부착 부위를 한정하는 리드 프레임; 상기 다이 부착 부위내에 고정된 다이; 상기 다이를 상기 리드에 전기적으로 연결하도록 두개의 단부를 지니는 본딩 와이어로서, 본딩 와이어의 제1단부는 다이상의 본드 패드 중 하나에 본딩하고, 제2단부는 리드 프레임상의 연관된 제1리드에 본딩되며, 상기 본딩 와이어가 상기 제1리드에 인접 위치한 리드 프레임의 제2리드를 가로지르도록 배열되는 본딩 와이어; 상기 본딩 와이어와 상기 제2리드 사이에 부가적인 간격이 형성되어 전기적 접촉의 가능성을 감소시키도록 상기 본딩 와이어의 경로 바로 하부에 위치한 상기 제2리드상에 형성된 요홈; 및 보호 패키지를 제공하도록 다이, 본딩 와이어, 및 리드 프레임의 안쪽 일부의 주위에 형성된 캡슐 봉입 재료를 포함하는 집적 회로 패키지.
- 제28항에 있어서, 상기 복수개의 리드는 상기 다이 부착 부위를 통해 사선의 도전성 스트립을 형성하는 집적 회로 패키지.
- 제28항에 있어서, 상기 캡슐 봉입 재료는 사출 성형된 플라스틱인 집적 회로 패키지.
- 제28항에 있어서, 부가적인 요홈들은 복수개의 교차된 리드상에 형성되는 집적 회로 패키지.
- 복수개의 본드 패드를 지니는 집적 회로를 패키지에 있어서, 복수개의 리드를 지니는 리드 프레임으로서, 다이 부착 부위를 한정하는 리드 프레임; 상기 다이 부착 패드내에 고정된 다이; 상기 다이를 상기 리드에 전기적으로 연결하도록 두개의 단부를 지니는 본딩 와이어로서, 본딩 와이어의 제1단부는 다이상의 본드 패드 중 하나에 본딩하고, 제2단부는 리드 프레임상의 연관된 제1리드에 본딩되며, 상기 본딩 와이어가 상기 제1리드에 인접 위치한 리드 프레임의 제2리드를 가로지르도록 상기 본딩 와이어가 배열되며,상기 본딩와이어의 제2단부와 상기 리드 프레임상의 연관된 리드 사이의 본드는 리드 본딩 부위를 한정하는 본딩 와이어; 상기 본딩 와이어와 상기 제2리드 사이에 부가적인 간격이 형성되어 전기적 접촉의 가능성을 감소시키도록 상기 리드 본딩 상에 형성되어 상기 본딩 와이어가리드에 부착하게 하는 요홈; 및 보호 패키지를 제공하도록 다이, 본딩 와이어, 및 리드 프레임의 안쪽 일부의 주위에 형성된 캡슐 봉입 재료를 포함하는 집적 회로 패키지.
- 제32항에 있어서, 요홈은 상기 제2리드상에 형성되는 집적 회로 패키지.
- 제33항에 있어서, 부가적인 요홈들은 복수개의 교차된 리드상에 형성되는 집적 회로 패키지.
- 제32항에 있어서, 상기 캡슐 봉입 재료는 사출 성형된 플라스틱인 집적 회로 패키지.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US20030146500A1 (en) * | 2002-02-04 | 2003-08-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Package for semiconductor device with ground lead connection having high stress resistance |
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US5229329A (en) * | 1991-02-28 | 1993-07-20 | Texas Instruments, Incorporated | Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits |
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