JP5699006B2 - 変速機制御装置及び電子回路装置 - Google Patents

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清隆 菅野
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Description

本発明は、自動車用の変速制御装置に関するものであり、例えば自動変速機を制御するためのコントロールバルブと、前記コントロールバルブの制御対象部品を制御するための電子回路装置等に好適なものである。
図１１は自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置１である。断面図はＩ−Ｉ線およびにII−II線に沿う一部断面図である。フランジ部２ａを有するベース２に、回路素子６およびベアチップ７を実装した回路基板８からなる電子回路組立体５がエポキシ等の接着剤１０で接着固定されている。リード端子３は、電子回路組立体５のボンディングパット部１２と対応するように配置されている。電子回路組立体５とリード端子３は、電子回路組立体５に有するボンディングパット部１２とリード端子３に有するボンディングパット部３ａがワイヤボンディング法でアルミ細線１１を介して電気的に接続されている。電子回路組立体５を接着剤１０でベース２上面に接着固定し、電子回路組立体５とリード端子３とをアルミ細線１１で接続した後、これらの部品、回路素子６，ベアチップ７，回路基板８，ベース２，リード端子３を一括して封止樹脂４にリード端子３の一部やベース２のフランジ部２ａの一部を除いて埋設する。封止樹脂４は、トランスファモールド成形により製作され、一般に封止樹脂としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用い、型内に流動および固化させるものである。ベアチップ７ははんだおよび銀ペースト材で回路基板８に接合され、Ａｕ細線９で回路基板８と電気的に接続されている。回路基板８は熱伝導率の大きいセラミック基板が用いられる。ベアチップ７で発生した熱はベアチップ７に密着している封止樹脂４から放熱される経路と、ベアチップ７を実装している回路基板８，基板接着部２ｂ，ベース２を経由して熱を伝え、フランジ部２ａを介して相手部材へ放熱するものである。
特開２００２−２６１１９７号公報 特開２００７−４３１９６号公報
しかしながら、従来の電子回路装置の構造は、高い放熱性を得るために回路基板に熱伝導率の高いセラミック基板が用いられコスト高になっている。安価な構造とするためには、回路基板にガラスエポキシ基板を採用する方法があるが、ガラスエポキシ基板はセラミック基板に比べ熱伝導率が悪くなってしまう。ベアチップで発生した熱はベアチップに密着している封止樹脂から放熱される経路と、ベアチップを実装している回路基板，基板接着部，ベースを経由して熱を伝え、ベースと一体になっているフランジ部を介して相手部材へ放熱するものであるが、回路基板に熱伝導率の悪いガラスエポキシ基板を用いると、ベアチップで発生した熱の放熱性が悪化する課題がある。また、放熱性を改善するために、ヒートシンクを露出するように封止樹脂に埋設すると剥離やクラック発生の課題がある。さらに、部品点数が増加し生産性の悪化，コスト高となってしまう。
上記目的は、特許請求の範囲に記載の発明により達成される。
例えば、自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置において、発熱回路素子（ベアチップ）下部に回路基板及びベースを貫通する開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことを特徴とする放熱構造とした。
本発明によれば第一の効果として、前記電子回路装置において、発熱回路素子（ベアチップ）下部に回路基板及びベースを貫通する開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことで、ベアチップで発生した熱が熱伝導率の悪いガラスエポキシ基板を経由せずに、熱伝導率の高い封止樹脂を経由して、ベースに熱を伝え、フランジ部を介して相手部材へ放熱することができる。また、封止樹脂をヒートシンクの代わりに熱伝導材として用いることで安価に放熱性を向上することができる。
第二の効果として、前記回路基板及びベースに封止樹脂が充填できる通路用の開口部を有することで、トランスファモールド成形時にベアチップ下部の回路基板及びベースを貫通する開口部への封止樹脂の流動性が改善され、ベアチップ下部のボイド発生を低減でき、ベアチップの両面に封止樹脂を効率よく熱的に連結するができる。
これらにより、前記電子回路装置において、放熱性向上および放熱構造の簡略化を図ることができる。
実施例１の電子回路装置の放熱構造。 実施例２の放熱構造の詳細断面図。 実施例３の放熱構造の詳細断面図。 回路基板に有する斜方向の通路用の開口詳細図。 回路基板に有する直行方向を組合せた通路用の開口詳細図。 回路基板に有する直行方向と斜方向を組合せた通路用の開口詳細図。 回路基板に有する溝形の通路用の開口断面図。 実施例４の電子回路装置の放熱構造。 実施例４の放熱構造の詳細断面図。 実施例４の回路基板に有する溝形の通路用の開口断面図。 従来の電子回路装置の放熱構造。
以下、本発明の実施例を図１から図１０より説明する。図１，図８は自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置１である。断面図はＩ−Ｉ線およびII−II線に沿う一部断面図である。図２，図３，図９はベアチップ７部の詳細図である。断面図はIII−III線に沿う一部断面図である。図４から図６は回路基板８に設けた貫通した通路用の開口部８ａ，８ｂの詳細図であり、図７，図１０は溝形の通路用の開口部８ｃの詳細図である。
図１は本発明の第１の実施例を示すものである。
本実施例では、フランジ部２ａを有するベース２に、回路素子６およびベアチップ７を実装した回路基板８からなる電子回路組立体５がエポキシ等の接着剤１０で接着固定されている。リード端子３は、電子回路組立体５のボンディングパット部１２と対応するように配置されている。電子回路組立体５とリード端子３は、電子回路組立体５に有するボンディングパット部１２とリード端子３に有するボンディングパット部３ａがワイヤボンディング法でアルミ細線１１を介して電気的に接続されている。電子回路組立体５を接着剤１０でベース２上面に接着固定し、電子回路組立体５とリード端子３とをアルミ細線１１で接続した後、これらの部品、回路素子６，ベアチップ７，回路基板８，ベース２，リード端子３を一括して封止樹脂４にリード端子３の一部やベース２のフランジ部２ａの一部を除いて埋設する。封止樹脂４は、トランスファモールド成形により製作され、一般に封止樹脂としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用い、型内に流動および固化させるものである。ベアチップ７ははんだおよび銀ペースト材で回路基板８に接合され、Ａｕ細線９で回路基板８と電気的に接続されている。回路基板８はガラスエポキシ基板が用いられる。ベアチップ７下部には回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３を有し、ベアチップ７の両面は封止樹脂４と密着している。ベアチップ７で発生した熱は、ベアチップ７の両面に密着している封止樹脂４から放熱される。また、封止樹脂４と密着しているベース２を経由して熱を伝え、フランジ部２ａを介して相手部材へ放熱するものである。
図２は本発明の第２の実施例を示すものである。前記の実施例１に対して回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３に封止樹脂４が充填しやすくするため、回路基板８に、樹脂の流動方向１４に対し直行方向の貫通した通路用の開口部８ａを有し、トランスファモールド成形時にベアチップ７下部の回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３への封止樹脂４の流動性を改善し、ベアチップ７下部のボイド発生を低減でき、ベアチップ７の両面に封止樹脂４を効率よく熱的に連結するものである。このとき、通路用の開口部は、図４に示すように、樹脂の流動方向１４に対し斜方向の貫通した通路用の開口部８ｂでもよい。また、図５，図６に示すように、直行方向の貫通した通路用の開口部８ａと斜方向の貫通した通路用の開口部８ｂを組み合わせて、さらに樹脂の流動性を改善してもよい。また、回路基板８に有する通路の開口部は、図７に示すように、溝形の通路用の開口部８ｃでもよい。
図３は本発明の第３の実施例を示すものである。前記の実施例１に対して回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３に封止樹脂４が充填しやすくするため、回路基板８とベース２に、樹脂の流動方向１４に対し直行方向の貫通した通路用の開口部８ａ，２ｃを有し、トランスファモールド成形時にベアチップ７下部の回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３への封止樹脂４の流動性を改善し、ベアチップ７下部のボイド発生を低減でき、ベアチップ７の両面に封止樹脂４を効率よく熱的に連結するものである。このとき、通路用の開口部は、図４に示すように、樹脂の流動方向１４に対し斜方向の貫通した通路用の開口部８ｂでもよい。また、図５，図６に示すように、直行方向の貫通した通路用の開口部８ａと斜方向の貫通した通路用の開口部８ｂを組み合わせて、さらに樹脂の流動性を改善してもよい。
図８は本発明の第４の実施例を示すものである。
本実施例では、フランジ部２ｂを有するベース２に、回路素子６およびベアチップ７を実装した回路基板８からなる電子回路組立体５がエポキシ等の接着剤１０で接着固定されている。リード端子３は、電子回路組立体５のボンディングパット部１２と対応するように配置されている。電子回路組立体５とリード端子３は、電子回路組立体５に有するボンディングパット部１２とリード端子３に有するボンディングパット部３ａがワイヤボンディング法でアルミ細線１１を介して電気的に接続されている。電子回路組立体５を接着剤１０でベース２上面に接着固定し、電子回路組立体５とリード端子３とをアルミ細線１１で接続した後、これらの部品、回路素子６，ベアチップ７，回路基板８，ベース２，リード端子３を一括して封止樹脂４にリード端子３の一部やベース２のフランジ部２ａの一部を除いて埋設する。封止樹脂４は、トランスファモールド成形により製作され、一般に封止樹脂としてはエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用い、型内に流動および固化させるものである。ベアチップ７ははんだおよび銀ペースト材で回路基板８に接合され、Ａｕ細線９で回路基板８と電気的に接続されている。回路基板８はガラスエポキシ基板が用いられる。ベアチップ７下部には回路基板８を貫通する開口部１３を有し、ベアチップ７の両面は封止樹脂４と密着している。ベアチップ７で発生した熱は、ベアチップ７の両面に密着している封止樹脂４から放熱される。また、封止樹脂４と密着しているベース２を経由して熱を伝え、ベースと一体になっているフランジ部２ａを介して相手部材へ放熱するものである。図９に示すように、回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３に封止樹脂４が充填しやすくするため、回路基板８に、樹脂の流動方向１４に対し直行方向の貫通した通路用の開口部８ａを有し、トランスファモールド成形時にベアチップ７下部の回路基板８及びベース２を貫通する開口部１３への封止樹脂４の流動性を改善し、ベアチップ７下部のボイド発生を低減でき、ベアチップ７の両面に封止樹脂４を効率よく熱的に連結するものである。このとき、通路用の開口部は、図４に示すように、樹脂の流動方向１４に対し斜方向の貫通した通路用の開口部８ｂでもよい。また、図５，図６に示すように、直行方向の貫通した通路用の開口部８ａと斜方向の貫通した通路用の開口部８ｂを組み合わせて、さらに樹脂の流動性を改善してもよい。また、回路基板８に有する通路の開口部は、図７に示すように、溝形の通路用の開口部８ｃでもよい。
１ 電子回路装置
２ ベース
２ａ フランジ部
２ｂ 基板接着部
２ｃ 貫通した開口部
３ リード端子
３ａ，１２ ボンディングパット部
４ 封止樹脂
５ 電子回路組立体
６ 回路素子
７ ベアチップ
８ 回路基板
８ａ 貫通した通路用の開口部（直行方向）
８ｂ 貫通した通路用の開口部（斜方向）
８ｃ 溝形の通路用の開口部
９ Ａｕ細線
１０ 接着剤
１１ アルミ細線
１３ チップ下部の開口部
１４ 封止樹脂の流動方向

Claims (6)

  1. 発熱素子が回路基板上に設けられ、自動車の変速機への制御信号を出力する制御回路と、
    前記回路基板を支持するベース部材とを備え、
    前記回路基板とベース部材とを樹脂でモールドした変速制御装置において、
    前記樹脂は前記回路基板よりも熱伝導性が高く、
    前記発熱素子直下の前記ベース部材と前記回路基板とに、それぞれの穴が重なるように貫通する開口部を設け、
    前記樹脂が前記開口部に充填されることにより前記発熱素子の上面及び下面に直接接触することを特徴とする変速制御装置。
  2. 請求項１において、
    前記回路基板には、前記開口部へ通じる通路が形成され、
    前記開口部と前記通路とが前記樹脂によって連続して充填されたことを特徴とする変速制御装置。
  3. 請求項１において、
    前記ベース部材の一部には、前記変速機への取り付けのためのフランジ部が形成され、
    前記フランジ部は前記樹脂によってモールドされていないことを特徴とする変速制御装置。
  4. 自動車の変速機及び駆動機を制御するための電子回路組立体と、前記電子回路組立体を固定するベースと、前記電子回路組立体を電気的に接続したリード端子とを、モールド樹脂で封止した電子回路装置において、
    発熱素子であるベアチップの下部に回路基板及びベースのそれぞれの穴が重なるように貫通する開口部を有し、前記モールド樹脂は前記回路基板よりも熱伝導性が高く、前記発熱素子の両面が前記開口部に充填された前記モールド樹脂と熱的に連結したことを特徴とする電子回路装置。
  5. 請求項４において、
    前記回路基板に封止樹脂が充填できる通路用の開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結し、前記封止樹脂とベースが熱的に連結したことを特徴とする電子回路装置。
  6. 請求項４において、
    前記回路基板及びベースに封止樹脂が充填できる通路用の開口部を有し、発熱素子の両面が封止樹脂と熱的に連結したことを特徴とする電子回路装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8207607B2 (en) * 2007-12-14 2012-06-26 Denso Corporation Semiconductor device with resin mold
KR20230023834A (ko) * 2020-12-09 2023-02-20 주식회사 솔루엠 에어포켓 방지 기판, 에어포켓 방지 기판 모듈, 이를 포함하는 전기기기 및 이를 포함하는 전기기기의 제조 방법
USD984397S1 (en) * 2021-03-16 2023-04-25 Yidong Cai Circuit board
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2749153B2 (ja) * 1989-10-25 1998-05-13 株式会社日立製作所 半導体デバイス
JP2000286379A (ja) * 1999-01-28 2000-10-13 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6188579B1 (en) * 1999-07-12 2001-02-13 Lucent Technologies Inc. Apparatus and methods for forming a printed wiring board assembly to reduce pallet warpage
US6400574B1 (en) * 2000-05-11 2002-06-04 Micron Technology, Inc. Molded ball grid array
JP3553513B2 (ja) 2001-03-06 2004-08-11 株式会社日立製作所 自動車用電子回路装置
DE10210041B4 (de) * 2002-03-07 2009-04-16 Continental Automotive Gmbh Wärmeableitvorrichtung zum Ableiten von Wärme, die von einem elektrischen Bauelement erzeugt wird und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Wärmeableitvorrichtung
JP4283514B2 (ja) * 2002-09-24 2009-06-24 株式会社日立製作所 電子回路装置
JP4821537B2 (ja) * 2006-09-26 2011-11-24 株式会社デンソー 電子制御装置
JP4244235B2 (ja) * 2006-10-10 2009-03-25 株式会社日立製作所 電子回路装置

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