JP6797002B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
実施の形態1.
図1〜図6を参照して、本発明の実施の形態1に係る半導体装置300について、図面に基づいて説明する。なお、各図において、図中、同一または相当部分には同一符号が付されている。本発明の実施の形態1に係る半導体装置300は、モールドパッケージ100と、絶縁ヒートシンク200とを備えている。まず、本実施の形態1に係るモールドパッケージ100について説明する。図1は、本実施の形態1に係る樹脂モールド型のモールドパッケージ100の構成を示す断面図である。図2は、トランスファー成形工程後のモールドパッケージ100を放熱面側から見た平面図である。
本実施の形態1の半導体装置300によれば、絶縁シート10の外周端の少なくとも一部はモールド樹脂7との間に隙間をあけて配置されている。したがって、絶縁シート10はモールド樹脂7によって封止されていないため、事前に金型内に絶縁シート10を配置する必要がない。事前に金型内に熱硬化性の絶縁シート10が半硬化状態で配置された場合には、金型内の熱を受けて絶縁シート10の硬化反応が進むため、絶縁シート10にリードフレーム2が置かれるのが遅くなると、リードフレーム2の放熱面2bの微細な凹凸に絶縁シート10が嵌まり込めなくなる。そのため、絶縁シート10がリードフレーム2と密着せずにリードフレーム2から剥離するおそれがある。本実施の形態1の半導体装置300では、事前に金型内に絶縁シート10を配置する必要がないため、金型内において絶縁シート10がリードフレーム2と密着するよりも早く硬化することにより絶縁シート10がリードフレーム2と密着せずにリードフレーム2から剥離することを抑制できる。これにより、放熱性および絶縁性を向上させることができる。
以下、特に説明しない限り、実施の形態2では、実施の形態1と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
以下、特に説明しない限り、実施の形態3では、実施の形態1と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
以下、特に説明しない限り、実施の形態4では、実施の形態1〜3と同一の構成には同一の符号を付し、説明を繰り返さない。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
Claims (8)
- 半導体素子と、
前記半導体素子が実装された実装面と、前記実装面と反対側に位置する放熱面とを有するリードフレームと、
前記半導体素子を封止し、かつ前記放熱面を露出するように前記リードフレームを封止するモールド樹脂と、
前記モールド樹脂から露出した前記リードフレームの前記放熱面に対向するヒートシンクと、
前記リードフレームの前記放熱面と前記ヒートシンクとの間に配置された絶縁シートと、
前記リードフレームの前記放熱面と前記絶縁シートとの間に配置された放熱部材とを備え、
前記モールド樹脂は、前記リードフレームの前記放熱面よりも前記実装面と反対側に突出し、かつ前記放熱部材の周囲を取り囲む枠状突起部を含み、
前記絶縁シートの外周端の少なくとも一部は前記モールド樹脂との間に隙間をあけて配置されており、
前記絶縁シートは、前記ヒートシンクの前記リードフレームに対向する対向面と、前記ヒートシンクの前記対向面に接続された側面とに配置され、
前記側面に配置された前記絶縁シートは、前記枠状突起部と対向する部分を有する、半導体装置。 - 前記絶縁シートは樹脂のみからなる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンクは、前記枠状突起部の内周側に挿入された凸部と、前記凸部から外方に張り出しかつ前記枠状突起部と前記枠状突起部が突出する方向に対向する側方張出部を含む、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記モールド樹脂は、前記リードフレームの前記放熱面よりも前記実装面側に配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ヒートシンクは、前記リードフレームの前記放熱面と前記ヒートシンクとが対向する方向において前記リードフレーム側に突出し、かつ前記モールド樹脂および前記放熱部材の周囲を取り囲む突出部を含む、請求項4に記載の半導体装置。
- 半導体素子と、前記半導体素子が実装面に実装されたリードフレームとを、前記実装面と反対側に位置する放熱面を露出するようにモールド樹脂で封止する工程と、
ヒートシンクに載置された絶縁シートを加熱することにより前記ヒートシンクに前記絶縁シートを接合する工程と、
前記リードフレームの前記放熱面と前記ヒートシンクに接合された前記絶縁シートとの間に放熱部材を配置して、前記モールド樹脂および前記ヒートシンクの少なくともいずれかを加圧することにより、前記絶縁シートおよび前記放熱部材を介して前記リードフレームの前記放熱面と前記ヒートシンクとを接合する工程とを備え、
前記モールド樹脂は、前記リードフレームの前記放熱面よりも前記実装面と反対側に突出し、かつ前記放熱部材の周囲を取り囲む枠状突起部を含み、
前記絶縁シートは、前記ヒートシンクの前記リードフレームに対向する対向面と、前記ヒートシンクの前記対向面に接続された側面とに配置され、
前記側面に配置された前記絶縁シートは、前記枠状突起部と対向する部分を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記ヒートシンクに前記絶縁シートを接合する工程の前に、
前記ヒートシンクの前記絶縁シートを接合する面に凹部を形成するようにレーザー処理を施す工程をさらに備えた、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記リードフレームの前記放熱面と前記ヒートシンクとを接合する工程において、前記モールド樹脂と前記ヒートシンクとを固定する固定部材を介して前記モールド樹脂および前記ヒートシンクを加圧する、請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
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