JP5607829B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 105
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 81
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 81
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 62
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 60
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5385—Assembly of a plurality of insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
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Description
本発明は、例えば、電気自動車や電動機を用いるハイブリッド車等の電動機の電力変換装置として用いられる半導体装置に関する。
一般に、電気自動車やハイブリッド車等の電動機の電力変換装置は、多数の半導体パワー素子から構成されており、電力変換装置を高出力化するためには、半導体パワー素子のそれぞれを大電力に対応できるようにする必要がある。この場合、半導体パワー素子は、大電力化に対応できるようにすると、これに伴って発生する熱も増大するので、該熱を放熱しなければならない。このため、従来、半導体パワー素子の表裏両面を一対のヒートシンクで挟持した構成とし、各ヒートシンクにて放熱することで冷却性の向上を図った半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この種の半導体装置では、半導体パワー素子が、下側ヒートシンクとなる金属板にダイボンディングされる。一方、半導体パワー素子の下側ヒートシンクと反対側の面が、金属板からなるヒートシンクブロックを介して上側ヒートシンクとなる金属板に接合されている。ヒートシンクブロックは、半導体パワー素子より一回り小さく、該半導体パワー素子は、該ヒートシンクブロックから露出する部分で、ワイヤボンディングによりリード電極に接合されている。
そして、半導体パワー素子と各金属板との間、各金属板同士の間は、ハンダにより接合されている。また、半導体装置は、下側ヒートシンク及び上側ヒートシンクの半導体パワー素子と反対側の面を露出させるとともに、リード電極や信号ピン等の配線部材の一部を露出させた以外は樹脂で封止してパッケージ化している。
そして、半導体パワー素子と各金属板との間、各金属板同士の間は、ハンダにより接合されている。また、半導体装置は、下側ヒートシンク及び上側ヒートシンクの半導体パワー素子と反対側の面を露出させるとともに、リード電極や信号ピン等の配線部材の一部を露出させた以外は樹脂で封止してパッケージ化している。
しかしながら、樹脂で封止してパッケージ化する場合、半導体パワー素子と各金属板との隙間は狭いため、粘性の高い樹脂材を用いる樹脂ポッティングでは対応することができず、トランスファーモールド成形に代表される高圧で樹脂材を射出成形する設備が必要となり、設備が大型化するとともに製造手順が煩雑になるといった問題がある。
また、従来の構成では、下側ヒートシンクと上側ヒートシンクとの絶縁距離を確保するために、半導体パワー素子と上側ヒートシンクとの間にスペーサとしてヒートシンクブロックを設ける必要があり、その分ハンダ層が増えていた。ハンダ層は、ヒートシンクの金属板よりも熱伝導率が劣るため、ハンダ層が増加することにより放熱性が低下して冷却性能を損なうという問題があった。
また、従来の構成では、下側ヒートシンクと上側ヒートシンクとの絶縁距離を確保するために、半導体パワー素子と上側ヒートシンクとの間にスペーサとしてヒートシンクブロックを設ける必要があり、その分ハンダ層が増えていた。ハンダ層は、ヒートシンクの金属板よりも熱伝導率が劣るため、ハンダ層が増加することにより放熱性が低下して冷却性能を損なうという問題があった。
そこで、本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、製造が容易で優れた冷却性能を備える半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、表裏両面に金属板が接合された一対の絶縁基板と、予め配線部材がインサート成形された板状の樹脂ケースと、半導体パワー素子とを備え、前記樹脂ケースが表裏面を貫通する開口部を備え、この開口部に前記半導体パワー素子を配置し、前記絶縁基板の一方の金属板が露出するように、前記一対の絶縁基板により前記半導体パワー素子及び前記樹脂ケースを挟み込んだ状態で、前記半導体パワー素子と当該絶縁基板の他方の金属板とがハンダ接合されたことを特徴とする。
この構成によれば、板状の樹脂ケースの開口部に半導体パワー素子を配置するとともに、これら樹脂ケース及び半導体パワー素子を一対の絶縁基板で挟み込んで、当該絶縁基板の他方の金属板と半導体パワー素子とをハンダ接合したため、樹脂ケース、半導体パワー素子及び絶縁基板を重ね合わせてリフローハンダ付けするといった簡単な手順で半導体装置を製造することができる。特に、樹脂ケースには予め配線部材がインサート成形されているため、これら配線部材の位置決めが容易となり、製造手順の一層の容易化を実現できる。また、上記絶縁基板は表裏両面に金属板が配置され、一方の金属板が露出することにより、半導体パワー素子の両面に放熱経路を設けることができ、冷却性能の向上を実現できる。また、樹脂ケースを一対の絶縁基板で挟み込むことにより、スペーサを設けることなく、各絶縁基板間の絶縁距離を確保することができるため、ハンダ層を低減することができ、その分、冷却性能の向上を図ることができる。
また、本発明は、上記構成において、前記絶縁基板間に形成される間隙部に熱硬化性の樹脂材が充填されている構成としても良い。この構成によれば、例えば、樹脂ケースの開口部における半導体パワー素子と絶縁基板との間に樹脂材が充填されることにより、絶縁基板間の絶縁性を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造できる。
また、前記樹脂材はシリコーンゲルであっても良い。シリコーンゲルは、柔らかく高い応力緩和性を有するため、上記した間隙部に充填されたシリコーンゲルの剥離や割れの発生を抑制することができる。
また、前記絶縁基板は、前記開口部の縁部を狭持しても良い。この構成によれば、開口部の縁部の厚みを調整することにより、絶縁性を確保しつつ半導体装置の薄型化及び小型化を図ることができる。
また、前記樹脂ケースは、前記開口部に前記半導体パワー素子を支持する支持片を備えても良い。この構成によれば、樹脂ケースの厚み方向における半導体パワー素子の位置決めをすることができ、この半導体パワー素子と絶縁基板の金属板との間に設けられるハンダ層の厚みを容易に調整することができる。
本発明によれば、板状の樹脂ケースの開口部に半導体パワー素子を配置するとともに、これら樹脂ケース及び半導体パワー素子を一対の絶縁基板で挟み込んで、当該絶縁基板の他方の金属板と半導体パワー素子とをハンダ接合したため、樹脂ケース、半導体パワー素子及び絶縁基板を重ね合わせてリフローハンダ付けするといった簡単な手順で半導体装置を製造することができる。特に、樹脂ケースには予め配線部材がインサート成形されているため、これら配線部材の位置決めが容易となり、製造手順の一層の容易化を実現できる。また、上記絶縁基板は表裏両面に金属板が配置され、一方の金属板が露出することにより、半導体パワー素子の両面に放熱経路を設けることができ、冷却性能の向上を実現できる。また、樹脂ケースを一対の絶縁基板で挟み込むことにより、スペーサを設けることなく、各絶縁基板間の絶縁距離を確保することができるため、ハンダ層を低減することができ、その分、冷却性能の向上を図ることができる。
また、本発明によれば、絶縁基板間に形成される間隙部に熱硬化性の樹脂材が充填されているため、絶縁基板間の絶縁性を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造できる。
また、本発明によれば、前記樹脂材は柔らかく高い応力緩和性を有するシリコーンゲルであるため、上記した間隙部に充填されたシリコーンゲルの剥離や割れの発生を抑制することができる。
また、本発明によれば、前記絶縁基板は、前記開口部の縁部を狭持するため、この開口部の縁部の厚みを調整することにより、絶縁性を確保しつつ半導体装置の薄型化及び小型化を図ることができる。
また、本発明によれば、前記樹脂ケースは、前記開口部に前記半導体パワー素子を支持する支持片を備えるため、樹脂ケースの厚み方向における半導体パワー素子の位置決めをすることができ、この半導体パワー素子と絶縁基板の金属板との間に設けられるハンダ層の厚みを容易に調整することができる。
また、本発明によれば、絶縁基板間に形成される間隙部に熱硬化性の樹脂材が充填されているため、絶縁基板間の絶縁性を確保することができ、信頼性の高い半導体装置を製造できる。
また、本発明によれば、前記樹脂材は柔らかく高い応力緩和性を有するシリコーンゲルであるため、上記した間隙部に充填されたシリコーンゲルの剥離や割れの発生を抑制することができる。
また、本発明によれば、前記絶縁基板は、前記開口部の縁部を狭持するため、この開口部の縁部の厚みを調整することにより、絶縁性を確保しつつ半導体装置の薄型化及び小型化を図ることができる。
また、本発明によれば、前記樹脂ケースは、前記開口部に前記半導体パワー素子を支持する支持片を備えるため、樹脂ケースの厚み方向における半導体パワー素子の位置決めをすることができ、この半導体パワー素子と絶縁基板の金属板との間に設けられるハンダ層の厚みを容易に調整することができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置の分解斜視図であり、図２は、半導体装置の外観斜視図である。
半導体装置１０は、電動車両やハイブリット車両に搭載されたモータを駆動するパワーモジュールとして構成されており、図１及び図２に示すように、半導体パワー素子としてのＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型トランジスタ）チップ１１、及び、モータの負荷電流を転流するためのＦＷＤ（Free Wheel Diode）チップ１３と、これらＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が並べて配置される開口部２１を有する樹脂ケース１５と、この樹脂ケース１５の表面１５Ａ側及び裏面１５Ｂ側から当該開口部２１を覆うように配置され、上記ＩＧＢＴチップ１１，ＦＷＤチップ１３及び当該樹脂ケース１５を狭持する一対の絶縁基板１７，１９とを備える。
図１は、本実施形態に係る半導体装置の分解斜視図であり、図２は、半導体装置の外観斜視図である。
半導体装置１０は、電動車両やハイブリット車両に搭載されたモータを駆動するパワーモジュールとして構成されており、図１及び図２に示すように、半導体パワー素子としてのＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型トランジスタ）チップ１１、及び、モータの負荷電流を転流するためのＦＷＤ（Free Wheel Diode）チップ１３と、これらＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が並べて配置される開口部２１を有する樹脂ケース１５と、この樹脂ケース１５の表面１５Ａ側及び裏面１５Ｂ側から当該開口部２１を覆うように配置され、上記ＩＧＢＴチップ１１，ＦＷＤチップ１３及び当該樹脂ケース１５を狭持する一対の絶縁基板１７，１９とを備える。
樹脂ケース１５は、配線部材としての信号ピン２２及びリード電極２３，２４が予めインサート成型された板状の部材である。これら信号ピン２２及びリード電極２３，２４は、銅やアルミニウム等の電気伝導性の高い金属で形成されている。また、樹脂ケース１５は、耐熱温度が高い（例えば２００度以上）樹脂材料（本実施形態では、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド(polyphenylene sulfide）樹脂に、ＧＦ（ガラスフィラー（Glass filler））を混入して高耐熱仕様としたもの)を用いて形成されている。
樹脂ケース１５の表面１５Ａ及び裏面１５Ｂの略中央には、絶縁基板１７，１９がそれぞれ配置される凹部２５が形成される。この凹部２５は、それぞれ絶縁基板１７，１９（後述するセラミック基板３０，３３）と略同一の大きさに形成され、当該絶縁基板１７、１９の位置決めを容易に行えるようになっている。
また、凹部２５は、絶縁基板１７，１９が配置された際に、当該絶縁基板１７，１９を支持する支持板部（開口部の縁部）２６，２７を備え、この支持板部２６，２７間に、当該樹脂ケース１５の表面１５Ａ及び裏面１５Ｂを貫通する開口部２１が形成されている。また、支持板部２６，２７は、略同一の高さ位置に略同一の厚みに形成され、凹部２５に配置された絶縁基板１７，１９が互いに略平行となるように構成されている。
樹脂ケース１５の表面１５Ａ及び裏面１５Ｂの略中央には、絶縁基板１７，１９がそれぞれ配置される凹部２５が形成される。この凹部２５は、それぞれ絶縁基板１７，１９（後述するセラミック基板３０，３３）と略同一の大きさに形成され、当該絶縁基板１７、１９の位置決めを容易に行えるようになっている。
また、凹部２５は、絶縁基板１７，１９が配置された際に、当該絶縁基板１７，１９を支持する支持板部（開口部の縁部）２６，２７を備え、この支持板部２６，２７間に、当該樹脂ケース１５の表面１５Ａ及び裏面１５Ｂを貫通する開口部２１が形成されている。また、支持板部２６，２７は、略同一の高さ位置に略同一の厚みに形成され、凹部２５に配置された絶縁基板１７，１９が互いに略平行となるように構成されている。
本実施形態では、一方の支持板部２６は、上記した信号ピン２２及びリード電極２３，２４の一部を露出するように形成され、絶縁基板１７，１９にそれぞれ設けられる回路基板を介して、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３に接続可能となっている。また、支持板部２６には、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の大きさにそれぞれ合致した切欠部２６Ａ，２６Ｂが形成され、開口部２１に配置されるＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の位置決めを容易にするとともに、当該ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が絶縁基板１７，１９に形成された回路基板上の所定位置に正確にリフローハンダ付けすることができる。
また、他方の支持板部２７には、樹脂ケース１５の幅方向の略中央部に切欠部２７Ａが形成され、樹脂ケース１５の表面１５Ａには、当該切欠部２７Ａに対応する位置に当該表面１５Ａよりも低い段部２８が形成されている。これら段部２８及び切欠部２７Ａは、樹脂ケース１５の凹部２５に絶縁基板１７，１９を配置した場合に、当該絶縁基板１７，１９間及び絶縁基板１７，１９とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３間に形成される間隙（間隙部）と連通し、当該間隙にシリコーンゲル等の樹脂材を注入するための注入口２９（図２）として機能する。
また、他方の支持板部２７には、樹脂ケース１５の幅方向の略中央部に切欠部２７Ａが形成され、樹脂ケース１５の表面１５Ａには、当該切欠部２７Ａに対応する位置に当該表面１５Ａよりも低い段部２８が形成されている。これら段部２８及び切欠部２７Ａは、樹脂ケース１５の凹部２５に絶縁基板１７，１９を配置した場合に、当該絶縁基板１７，１９間及び絶縁基板１７，１９とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３間に形成される間隙（間隙部）と連通し、当該間隙にシリコーンゲル等の樹脂材を注入するための注入口２９（図２）として機能する。
図３は、図２のIII−III断面図である。
この図３に示すように、絶縁基板１７は、ＩＧＢＴチップ１１のエミッタ面側に配置されるＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板であり、高電気絶縁性のセラミック基板３０と、このセラミック基板３０のチップ対向面に接合されるエミッタ用銅回路基板（金属板）３２と、このエミッタ用銅回路基板３２の反対側に接合される銅板（金属板）３１とを備える。また、絶縁基板１９は、ＩＧＢＴチップ１１のコレクタ面側に配置されるＤＣＢ基板であり、高電気絶縁性のセラミック基板３３と、このセラミック基板３３のチップ対向面に接合されるコレクタ用銅回路基板（金属板）３４と、このコレクタ用銅回路基板３４の反対側に接合される銅板（金属板）３５とを備える。
セラミック基板３０，３３は、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3からなる群から選択される１種のセラミックからなるものを用いることができる。また、各回路基板として銅金属でなくアルミニウムで形成したものを用いても良い。
本構成では、各絶縁基板１７，１９の表裏両面に配置された金属板のうち、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３とは反対側に配置される銅板３１，３５は、樹脂ケース１５の外部に露出するように配置されて放熱面として機能する。
この図３に示すように、絶縁基板１７は、ＩＧＢＴチップ１１のエミッタ面側に配置されるＤＣＢ（Direct Copper Bonding）基板であり、高電気絶縁性のセラミック基板３０と、このセラミック基板３０のチップ対向面に接合されるエミッタ用銅回路基板（金属板）３２と、このエミッタ用銅回路基板３２の反対側に接合される銅板（金属板）３１とを備える。また、絶縁基板１９は、ＩＧＢＴチップ１１のコレクタ面側に配置されるＤＣＢ基板であり、高電気絶縁性のセラミック基板３３と、このセラミック基板３３のチップ対向面に接合されるコレクタ用銅回路基板（金属板）３４と、このコレクタ用銅回路基板３４の反対側に接合される銅板（金属板）３５とを備える。
セラミック基板３０，３３は、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3からなる群から選択される１種のセラミックからなるものを用いることができる。また、各回路基板として銅金属でなくアルミニウムで形成したものを用いても良い。
本構成では、各絶縁基板１７，１９の表裏両面に配置された金属板のうち、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３とは反対側に配置される銅板３１，３５は、樹脂ケース１５の外部に露出するように配置されて放熱面として機能する。
エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４には、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３、信号ピン２２及びリード電極２３，２４に対向する所定の領域に、クリーム状のハンダ４０が塗布されており、この状態でリフローハンダ付けすることにより、エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４は、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３、信号ピン２２及びリード電極２３，２４とハンダ接合される。この場合、ハンダの接合性を確保するために、各銅回路基板３２，３４、信号ピン２２及びリード電極２３，２４の表面には、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），スズ（Ｓｎ），金（Ａｕ），プラチナ（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ）等によって皮膜層を形成しておくことが望ましい。
半導体パワー素子を絶縁基板で狭持して樹脂成型した従来の構成では、絶縁基板間の絶縁距離を確保するためにスペーサを配置する必要があり、このスペーサを配置することでハンダ層がその分増加することとなっていた。ハンダ層は、エミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４及び銅板３１，３５よりも熱伝導率が劣るため、ハンダ層が増加することにより放熱性が低下して冷却性能を損なうという問題がある。
本実施形態では、図３に示すように、絶縁基板１７，１９は、樹脂ケース１５の支持板部２６，２７を狭持しているため、この支持板部２６，２７の厚みによって絶縁基板１７，１９（エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４）間の絶縁距離が確保される。このため、ハンダ４０を２層に低減することができ、その分、放熱性及び冷却性能の向上を図ることができる。
本実施形態では、図３に示すように、絶縁基板１７，１９は、樹脂ケース１５の支持板部２６，２７を狭持しているため、この支持板部２６，２７の厚みによって絶縁基板１７，１９（エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４）間の絶縁距離が確保される。このため、ハンダ４０を２層に低減することができ、その分、放熱性及び冷却性能の向上を図ることができる。
また、絶縁基板１７，１９（エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４）とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３との間を接合するハンダ４０の厚みは、当該ハンダの信頼性を満足するために所定距離（例えば１．０ｍｍ）以下とすることが望ましい。このため、本実施形態では、樹脂ケース１５は、支持板部２６，２７の縁部からそれぞれ開口部２１内に延出し、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３を支持する支持片４１，４２が形成されている。これら支持片４１，４２は、樹脂ケース１５の略同一の高さ位置に形成され、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が設置される高さ位置を規制するものである。この支持片４１，４２を設けることにより、樹脂ケース１５の厚み方向におけるＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の高さ位置を決めることができ、これらＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３と、エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４との間を接合するハンダの厚みを容易に調整することができ、ひいては、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
図３において、符号４３は、樹脂ケース１５に絶縁基板１７，１９を固定するための接着材である。この接着剤４３は、各セラミック基板３０，３３の外側であって、銅板３１，３５と凹部２５の壁面との間に塗布され、内部に塵内や水分が侵入することを防止するものである。
また、本実施形態では、半導体装置１０は、予め成形された樹脂ケース１５に、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３、及び、絶縁基板１７，１９を組み付けて形成されているため、絶縁基板１７，１９間及び絶縁基板１７，１９とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３間に間隙が必ず形成される。このため、上記した間隙に注入口２９を通じてシリコーンゲル４４を充填することにより、間隙空間内にエミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が露出することが防止され、これら回路基板及びチップの保護を図ることができる。
また、シリコーンゲルは、熱硬化性の樹脂材であり、硬化後にあっても柔らかく高い応力緩和性、粘弾性特性を有する。このため、半導体装置１０に応力が生じた場合であっても、間隙に充填されたシリコーンゲル４４は当該応力に従って変形することにより、このシリコーンゲル４４がエミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の表面から剥離したり、当該シリコーンゲル４４に割れが生じたりすることが防止でき、当該エミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３をより強力に保護することができる。
また、本実施形態では、半導体装置１０は、予め成形された樹脂ケース１５に、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３、及び、絶縁基板１７，１９を組み付けて形成されているため、絶縁基板１７，１９間及び絶縁基板１７，１９とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３間に間隙が必ず形成される。このため、上記した間隙に注入口２９を通じてシリコーンゲル４４を充填することにより、間隙空間内にエミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が露出することが防止され、これら回路基板及びチップの保護を図ることができる。
また、シリコーンゲルは、熱硬化性の樹脂材であり、硬化後にあっても柔らかく高い応力緩和性、粘弾性特性を有する。このため、半導体装置１０に応力が生じた場合であっても、間隙に充填されたシリコーンゲル４４は当該応力に従って変形することにより、このシリコーンゲル４４がエミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の表面から剥離したり、当該シリコーンゲル４４に割れが生じたりすることが防止でき、当該エミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３をより強力に保護することができる。
図４（Ａ）〜図４（Ｈ）は半導体装置の製造手順を示す図である。
まず、図４（Ａ）に示すように、セラミック基板３３の一面にコレクタ用銅回路基板３４を形成するともに他面に銅板３５（図３）を接合して絶縁基板１９を形成する。この場合、コレクタ用銅回路基板３４には、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３に対応する領域、及び、信号ピン２２の一部及びリード電極２４に対応する領域にクリーム状のハンダが塗布される。
続いて、図４（Ｂ）に示すように、絶縁基板１９を樹脂ケース１５の裏面側の凹部２５に配置する。ここで、絶縁基板１９のセラミック基板３３は凹部２５と略同一の大きさに形成されているため、絶縁基板１９が凹部２５に嵌り、樹脂ケース１５に対する絶縁基板１９の位置決めが容易になされる。
まず、図４（Ａ）に示すように、セラミック基板３３の一面にコレクタ用銅回路基板３４を形成するともに他面に銅板３５（図３）を接合して絶縁基板１９を形成する。この場合、コレクタ用銅回路基板３４には、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３に対応する領域、及び、信号ピン２２の一部及びリード電極２４に対応する領域にクリーム状のハンダが塗布される。
続いて、図４（Ｂ）に示すように、絶縁基板１９を樹脂ケース１５の裏面側の凹部２５に配置する。ここで、絶縁基板１９のセラミック基板３３は凹部２５と略同一の大きさに形成されているため、絶縁基板１９が凹部２５に嵌り、樹脂ケース１５に対する絶縁基板１９の位置決めが容易になされる。
続いて、図４（Ｃ）に示すように、コレクタ用銅回路基板３４上にＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３をそれぞれ配置する。ここで、樹脂ケース１５の支持板部２６には各チップの大きさに合致した切欠部２６Ａ，２６Ｂが形成されているため、この切欠部２６Ａ，２６Ｂに合わせてＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３を配置することにより、当該チップの位置決めを容易に行うことができる。
続いて、図４（Ｄ）に示すように、樹脂ケース１５の表面側に絶縁基板１７を配置する。この絶縁基板１７は、予め、セラミック基板３０の一面にエミッタ用銅回路基板３２を形成するとともに他面に銅板３１を接合して形成されており、エミッタ用銅回路基板３２には、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３に対応する領域、及び、信号ピン２２及びリード電極２３に対応する領域にクリーム状のハンダが塗布される。
そして、この絶縁基板１７を樹脂ケース１５の表面側の凹部２５に配置し、当該絶縁基板１７，１９にて樹脂ケース１５及びＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３を狭持する。この場合、凹部２５は、絶縁基板１７のセラミック基板３０と略同一の大きさに形成されているため、樹脂ケース１５に対する絶縁基板１７の位置決めを容易に行うことができる。
続いて、図４（Ｄ）に示すように、樹脂ケース１５の表面側に絶縁基板１７を配置する。この絶縁基板１７は、予め、セラミック基板３０の一面にエミッタ用銅回路基板３２を形成するとともに他面に銅板３１を接合して形成されており、エミッタ用銅回路基板３２には、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３に対応する領域、及び、信号ピン２２及びリード電極２３に対応する領域にクリーム状のハンダが塗布される。
そして、この絶縁基板１７を樹脂ケース１５の表面側の凹部２５に配置し、当該絶縁基板１７，１９にて樹脂ケース１５及びＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３を狭持する。この場合、凹部２５は、絶縁基板１７のセラミック基板３０と略同一の大きさに形成されているため、樹脂ケース１５に対する絶縁基板１７の位置決めを容易に行うことができる。
続いて、図４（Ｅ）に示すように、樹脂ケース１５にＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３及び絶縁基板１７，１９を組み付けた状態で、加熱炉（不図示）で加熱してリフローハンダ付けを行なう。この場合、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３及び絶縁基板１７，１９は、上記した切欠部２６Ａ，２６Ｂ、凹部２５によって位置が規制されているため、ハンダが溶融した際に位置ずれを生じることが防止され、簡単な構成で信頼性の高い半導体装置１０を製造できる。
続いて、図４（Ｆ）に示すように、樹脂ケース１５の表面（エミッタ）側及び裏面（コレクタ）側に対して、銅板３１，３５と凹部２５の壁面との間に接着材を塗布する。この接着剤が硬化した後、図４（Ｇ）に示すように、樹脂ノズル５０から吐出されたシリコーンゲルを、樹脂ケース１５に形成された注入口２９を通じて、絶縁基板１７，１９間及び絶縁基板１７，１９とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３間に形成される間隙に充填する。これにより、エミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の露出が防止され、これら回路基板及びチップの保護を図ることができる。
以上、説明したように、本実施形態によれば、セラミック基板３０，３３の一面に銅回路基板３２，３４が接合され、他面に銅板３１，３５が接合された一対の絶縁基板１７，１９と、予め信号ピン２２及びリード電極２３，２４がインサート成形された板状の樹脂ケース１５と、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３とを備え、樹脂ケース１５が表面１５Ａ及び裏面１５Ｂを貫通する開口部２１を備え、この開口部２１にＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３を並べて配置し、絶縁基板１７，１９の銅板３１，３４が露出するように、一対の絶縁基板１７，１９によりＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３及び樹脂ケース１５を挟み込んだ状態で、当該ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３と、絶縁基板１７，１９の銅回路基板３２，３４とがハンダ接合されたため、樹脂ケース１５、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３、及び絶縁基板１７，１９を重ね合わせてリフローハンダ付けするといった簡単な手順で半導体装置１０を製造することができる。
特に、樹脂ケース１５には予め信号ピン２２及びリード電極２３，２４がインサート成形されているため、これら信号ピン２２及びリード電極２３，２４の位置決めが容易となり、製造手順の一層の容易化を実現できる。
また、本実施形態によれば、絶縁基板１７，１９は表裏両面に銅回路基板３２，３４及び銅板３１，３５が配置され、これら銅板が外部に露出することにより、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の両面に放熱経路を設けることができ、冷却性能の向上を実現できる。また、樹脂ケース１５の支持板部２６，２７を一対の絶縁基板１７，１９で挟み込むことにより、スペーサを設けることなく、各絶縁基板１７，１９間の絶縁距離を確保することができるため、ハンダ層を低減することができ、その分、冷却性能の向上を図ることができる。
また、本実施形態によれば、絶縁基板１７，１９は表裏両面に銅回路基板３２，３４及び銅板３１，３５が配置され、これら銅板が外部に露出することにより、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の両面に放熱経路を設けることができ、冷却性能の向上を実現できる。また、樹脂ケース１５の支持板部２６，２７を一対の絶縁基板１７，１９で挟み込むことにより、スペーサを設けることなく、各絶縁基板１７，１９間の絶縁距離を確保することができるため、ハンダ層を低減することができ、その分、冷却性能の向上を図ることができる。
また、本実施形態によれば、絶縁基板１７，１９間及び絶縁基板１７，１９とＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３間に形成される間隙部に熱硬化性の樹脂材が充填されているため、当該間隙空間内にエミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３が露出することが防止され、これら回路基板及びチップの保護を図ることができる。
また、本実施形態によれば、充填される樹脂材は、硬化後にあっても柔らかく高い応力緩和性、粘弾性特性を有するシリコーンゲルであるため、半導体装置１０に応力が生じた場合であっても、間隙に充填されたシリコーンゲル４４は当該応力に従って変形することにより、このシリコーンゲル４４がエミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の表面から剥離したり、当該シリコーンゲル４４に割れが生じたりすることが防止でき、当該エミッタ用銅回路基板３２、コレクタ用銅回路基板３４、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３をより強力に保護することができる。
また、本実施形態によれば、絶縁基板１７，１９は、開口部２１の縁部としての支持板部２６，２７を狭持しているため、支持板部２６，２７の厚みを調整することにより、絶縁性を確保しつつ半導体装置１０の薄型化及び小型化を図ることができる。
また、本実施形態によれば、樹脂ケース１５は、支持板部２６，２７の縁部からそれぞれ開口部２１内に延出し、ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３を支持する支持片４１，４２が形成されているため、樹脂ケース１５の厚み方向におけるＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３の高さ位置を決めることができ、これらＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３と、エミッタ用銅回路基板３２及びコレクタ用銅回路基板３４との間を接合するハンダの厚みを容易に調整することができ、ひいては、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
１０ 半導体装置
１１ ＩＧＢＴチップ（半導体パワー素子）
１３ ＦＷＤチップ（半導体パワー素子）
１５ 樹脂ケース
１５Ａ 表面
１５Ｂ 裏面
１７、１９ 絶縁基板
２１ 開口部
２２ 信号ピン（配線部材）
２３、２４ リード電極（配線部材）
２５ 凹部
２６、２７ 支持板部（開口部の縁部）
２６Ａ、２７Ａ 切欠部
２８ 段部
２９ 注入口
３０、３３ セラミック基板
３１、３５ 銅板（金属板）
３２ エミッタ用銅回路基板（金属板）
３４ コレクタ用銅回路基板（金属板）
４０ ハンダ
４１、４２ 支持片
４３ 接着剤
４４ シリコーンゲル（樹脂材）
５０ 樹脂ノズル
１１ ＩＧＢＴチップ（半導体パワー素子）
１３ ＦＷＤチップ（半導体パワー素子）
１５ 樹脂ケース
１５Ａ 表面
１５Ｂ 裏面
１７、１９ 絶縁基板
２１ 開口部
２２ 信号ピン（配線部材）
２３、２４ リード電極（配線部材）
２５ 凹部
２６、２７ 支持板部（開口部の縁部）
２６Ａ、２７Ａ 切欠部
２８ 段部
２９ 注入口
３０、３３ セラミック基板
３１、３５ 銅板（金属板）
３２ エミッタ用銅回路基板（金属板）
３４ コレクタ用銅回路基板（金属板）
４０ ハンダ
４１、４２ 支持片
４３ 接着剤
４４ シリコーンゲル（樹脂材）
５０ 樹脂ノズル
Claims (5)
- 表裏両面に金属板が接合された一対の絶縁基板と、予め配線部材がインサート成形された板状の樹脂ケースと、半導体パワー素子とを備え、前記樹脂ケースが表裏面を貫通する開口部を備え、この開口部に前記半導体パワー素子を配置し、前記絶縁基板の一方の金属板が露出するように、前記一対の絶縁基板により前記半導体パワー素子及び前記樹脂ケースを挟み込んだ状態で、前記半導体パワー素子と当該絶縁基板の他方の金属板とがハンダ接合されたことを特徴とする半導体装置。
- 前記絶縁基板間に形成される間隙部に熱硬化性の樹脂材が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
- 前記樹脂材はシリコーンゲルであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
- 前記絶縁基板は、前記開口部の縁部を狭持していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記樹脂ケースは、前記開口部に前記半導体パワー素子を支持する支持片を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013522515A JP5607829B2 (ja) | 2011-07-04 | 2012-05-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011148053 | 2011-07-04 | ||
| JP2011148053 | 2011-07-04 | ||
| JP2013522515A JP5607829B2 (ja) | 2011-07-04 | 2012-05-09 | 半導体装置 |
| PCT/JP2012/061833 WO2013005474A1 (ja) | 2011-07-04 | 2012-05-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5607829B2 true JP5607829B2 (ja) | 2014-10-15 |
| JPWO2013005474A1 JPWO2013005474A1 (ja) | 2015-02-23 |
Family
ID=47436832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013522515A Expired - Fee Related JP5607829B2 (ja) | 2011-07-04 | 2012-05-09 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5607829B2 (ja) |
| WO (1) | WO2013005474A1 (ja) |
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- 2012-05-09 WO PCT/JP2012/061833 patent/WO2013005474A1/ja active Application Filing
- 2012-05-09 JP JP2013522515A patent/JP5607829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2013005474A1 (ja) | 2015-02-23 |
| WO2013005474A1 (ja) | 2013-01-10 |
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|
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|
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