JP2003332671A - 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置および光ピックアップ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 偏光面が基板面に対して傾いた半導体レーザ
を備え、高出力で高信頼性かつ光ピックアップ装置の薄
型化に寄与できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 この半導体レーザ装置は、半導体レーザ
４が出射するレーザ光の偏光面が基板面４Ａから傾斜し
ていることで、半導体レーザ４を高出力かつ高信頼性に
することができる。しかも、この半導体レーザ４のダイ
ボンド面１７をステム本体１の基準面３に対して所定の
傾斜角θだけ傾斜させたことで、レーザ光の偏光面をス
テム本体１の基準面３に略平行とすることができる。こ
れにより、光ピックアップ装置の薄型化に寄与できて製
造が容易な半導体レーザ装置を実現できる。
を備え、高出力で高信頼性かつ光ピックアップ装置の薄
型化に寄与できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 この半導体レーザ装置は、半導体レーザ
４が出射するレーザ光の偏光面が基板面４Ａから傾斜し
ていることで、半導体レーザ４を高出力かつ高信頼性に
することができる。しかも、この半導体レーザ４のダイ
ボンド面１７をステム本体１の基準面３に対して所定の
傾斜角θだけ傾斜させたことで、レーザ光の偏光面をス
テム本体１の基準面３に略平行とすることができる。こ
れにより、光ピックアップ装置の薄型化に寄与できて製
造が容易な半導体レーザ装置を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、光ディ
スクシステムを構成する半導体レーザ装置および光ピッ
クアップ装置に関し、特に、出力レーザ光の偏光面が基
板に対して傾いた半導体レーザを備えた半導体レーザ装
置に関する。
スクシステムを構成する半導体レーザ装置および光ピッ
クアップ装置に関し、特に、出力レーザ光の偏光面が基
板に対して傾いた半導体レーザを備えた半導体レーザ装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に、従来の半導体レーザ装置１００
をレーザ光の出射方向である紙面に垂直な方向から下方
に見た様子を示す。図５では、説明のため、キャップを
取り除いた状態の半導体レーザ装置１００を示してい
る。
をレーザ光の出射方向である紙面に垂直な方向から下方
に見た様子を示す。図５では、説明のため、キャップを
取り除いた状態の半導体レーザ装置１００を示してい
る。
【０００３】この半導体レーザ装置１００は、金属製の
ステム本体１０１から上方に突き出した放熱台１０２の
側面１０２Ａに半導体レーザ１０４がダイボンドされて
いる。この半導体レーザ１０４が搭載されている側面１
０２Ａをダイボンド面と呼ぶ。なお、図５において、１
０５は半導体レーザ１０４の出力モニター用受光素子で
あり、１０７は金属ワイヤ、１０８は絶縁体を介してス
テム本体１０１に固定されたリードピンである。また、
１０６は信号検出用受光素子であり、複数の受光部およ
び信号処理用回路を集積している。
ステム本体１０１から上方に突き出した放熱台１０２の
側面１０２Ａに半導体レーザ１０４がダイボンドされて
いる。この半導体レーザ１０４が搭載されている側面１
０２Ａをダイボンド面と呼ぶ。なお、図５において、１
０５は半導体レーザ１０４の出力モニター用受光素子で
あり、１０７は金属ワイヤ、１０８は絶縁体を介してス
テム本体１０１に固定されたリードピンである。また、
１０６は信号検出用受光素子であり、複数の受光部およ
び信号処理用回路を集積している。
【０００４】この信号検出用受光素子１０６は、光ディ
スクで反射された信号光を検出しこの光ディスクから信
号を読み出したり、焦点誤差信号やトラック誤差信号を
検出する。
スクで反射された信号光を検出しこの光ディスクから信
号を読み出したり、焦点誤差信号やトラック誤差信号を
検出する。
【０００５】上記ダイボンド面１０２Ａは、通常、ステ
ム本体１０１の外周面１０１Ａの一部である基準面１０
３と平行に設定している。上記外周面１０１Ａは、基準
面１０３に平行に対向する平行面１１１、および、上記
基準面１０３と平行面１１１との間をつなぐ円弧面１１
２,１１３からなる。
ム本体１０１の外周面１０１Ａの一部である基準面１０
３と平行に設定している。上記外周面１０１Ａは、基準
面１０３に平行に対向する平行面１１１、および、上記
基準面１０３と平行面１１１との間をつなぐ円弧面１１
２,１１３からなる。
【０００６】通常は、この円弧面１１２,１１３の中心
が、上記半導体レーザ１０４の発光点になるように配置
されている。この配置によれば、この半導体レーザ装置
１００を、ステム本体１０１の円弧面１１２,１１３の
延長面である円筒面に沿って、上記発光点を中心に回転
させることにより、半導体レーザ１０４の発光点を移動
させることなく、上記発光点から延びる出射レーザ光の
光軸回りの傾きを調整できる。
が、上記半導体レーザ１０４の発光点になるように配置
されている。この配置によれば、この半導体レーザ装置
１００を、ステム本体１０１の円弧面１１２,１１３の
延長面である円筒面に沿って、上記発光点を中心に回転
させることにより、半導体レーザ１０４の発光点を移動
させることなく、上記発光点から延びる出射レーザ光の
光軸回りの傾きを調整できる。
【０００７】次に、図６に、半導体レーザ装置１００を
備えた光ピックアップ装置２００の構成を示す。この光
ピックアップ装置２００は、上記半導体レーザ装置１０
０とプリズム２０３とレーザ出力モニター用光検出器２
０４とコリメートレンズ２０２と立ち上げミラー２１４
および対物レンズ３０５からなる。図６において、一点
鎖線Ｊは、上記半導体レーザ装置１００の半導体レーザ
１０４から出射されたレーザ光の光軸である。
備えた光ピックアップ装置２００の構成を示す。この光
ピックアップ装置２００は、上記半導体レーザ装置１０
０とプリズム２０３とレーザ出力モニター用光検出器２
０４とコリメートレンズ２０２と立ち上げミラー２１４
および対物レンズ３０５からなる。図６において、一点
鎖線Ｊは、上記半導体レーザ装置１００の半導体レーザ
１０４から出射されたレーザ光の光軸である。
【０００８】上記半導体レーザ１０４から出たレーザ光
は、この光ピックアップ装置２００の基準面(図示せず)
に平行に出射される。このレーザ光は、その一部が分岐
用プリズム２０３で分岐されてレーザ出力モニター用光
検出器２０４に入射する。
は、この光ピックアップ装置２００の基準面(図示せず)
に平行に出射される。このレーザ光は、その一部が分岐
用プリズム２０３で分岐されてレーザ出力モニター用光
検出器２０４に入射する。
【０００９】なお、図５に示すように、この半導体レー
ザ装置１００は、半導体レーザ１０４の後面から出射さ
れたレーザ光を受光素子１０５で受光してレーザ出力を
モニターしているが、図６に示すように、半導体レーザ
１０４の前面から出射されたレーザ光を、上記光検出器
２０４でモニターしてもよい。この光検出器２０４は、
半導体レーザ１０４が後面からの出力が小さい高出力レ
ーザである場合や高いモニター精度を要求される高密度
光ディスクシステムを構築する場合などで使用される。
ザ装置１００は、半導体レーザ１０４の後面から出射さ
れたレーザ光を受光素子１０５で受光してレーザ出力を
モニターしているが、図６に示すように、半導体レーザ
１０４の前面から出射されたレーザ光を、上記光検出器
２０４でモニターしてもよい。この光検出器２０４は、
半導体レーザ１０４が後面からの出力が小さい高出力レ
ーザである場合や高いモニター精度を要求される高密度
光ディスクシステムを構築する場合などで使用される。
【００１０】上記分岐用プリズム２０３を透過したレー
ザ光は、コリメートレンズ２０２で平行光とされた後、
立上げミラー２１４で方向が転換され、対物レンズ３０
５により、光学的情報記録媒体である光ディスク３０６
の情報記録面に集光される。この光ディスク３０６で反
射された信号光は、一点鎖線で示す元の経路を辿り、半
導体レーザ装置１００と一体にされたホログラム素子
(図示せず)で一部が分岐されて、信号検出用受光素子１
０６に入射し、光ディスク３０６の信号が読み取られ
る。
ザ光は、コリメートレンズ２０２で平行光とされた後、
立上げミラー２１４で方向が転換され、対物レンズ３０
５により、光学的情報記録媒体である光ディスク３０６
の情報記録面に集光される。この光ディスク３０６で反
射された信号光は、一点鎖線で示す元の経路を辿り、半
導体レーザ装置１００と一体にされたホログラム素子
(図示せず)で一部が分岐されて、信号検出用受光素子１
０６に入射し、光ディスク３０６の信号が読み取られ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体レー
ザ装置１００の基準面１０３は、上記光ピックアップ装
置２００の上記基準面(図示せず)に対する半導体レーザ
装置１００の位置を決めるための基準面である。通常
は、この基準面１０３は、上記搭載面に平行となるよう
に設置し、レーザ光の光軸Ｊの周りにわずかに回転調整
される。
ザ装置１００の基準面１０３は、上記光ピックアップ装
置２００の上記基準面(図示せず)に対する半導体レーザ
装置１００の位置を決めるための基準面である。通常
は、この基準面１０３は、上記搭載面に平行となるよう
に設置し、レーザ光の光軸Ｊの周りにわずかに回転調整
される。
【００１２】したがって、基準面１０３から半導体レー
ザ１０４までの距離でもって、半導体レーザ装置１００
の厚さＤが決まり、この厚さＤを薄くすれば、半導体レ
ーザ装置１００が薄くなり、光ピックアップ装置２００
も薄形化できる。さらには、光ディスク３０６と光ピッ
クアップ装置２００の上記基準面との距離が小さいほ
ど、光ディスク装置を薄くできる。
ザ１０４までの距離でもって、半導体レーザ装置１００
の厚さＤが決まり、この厚さＤを薄くすれば、半導体レ
ーザ装置１００が薄くなり、光ピックアップ装置２００
も薄形化できる。さらには、光ディスク３０６と光ピッ
クアップ装置２００の上記基準面との距離が小さいほ
ど、光ディスク装置を薄くできる。
【００１３】また、図３に例示するように、上記半導体
レーザ１０４のレーザ光は、その光軸Ｊにそって進行す
るに伴なって広がり、この広がりは、光軸Ｊを中心軸と
する末広がりの円錐状となる。この円錐状の広がり円錐
は、外周が楕円形状となる。この楕円の長軸は、半導体
レーザ１０４の基板面１０４Ａに対して垂直(もしくは
平行)になっている。また、上記楕円の短軸は、上記基
板面１０４Ａに対して平行(もしくは垂直)になってい
る。また、上記基板面１０４Ａは、上記ダイボンド面１
０２Ａおよび基準面１０３に対して平行になっている。
レーザ１０４のレーザ光は、その光軸Ｊにそって進行す
るに伴なって広がり、この広がりは、光軸Ｊを中心軸と
する末広がりの円錐状となる。この円錐状の広がり円錐
は、外周が楕円形状となる。この楕円の長軸は、半導体
レーザ１０４の基板面１０４Ａに対して垂直(もしくは
平行)になっている。また、上記楕円の短軸は、上記基
板面１０４Ａに対して平行(もしくは垂直)になってい
る。また、上記基板面１０４Ａは、上記ダイボンド面１
０２Ａおよび基準面１０３に対して平行になっている。
【００１４】一方、従来では、半導体レーザ１０４で
は、レーザ光の偏光方向はレーザ光の広がり方向と同じ
であった。このため、レーザ光の偏光方向は特に考慮さ
れず、レーザ光の広がり方向だけが考慮されていた。す
なわち、従来、レーザ光の広がり円錐における長軸の方
向をステム本体１０１の基準面１０３に対して垂直(ま
たは水平)となるようにしていた。
は、レーザ光の偏光方向はレーザ光の広がり方向と同じ
であった。このため、レーザ光の偏光方向は特に考慮さ
れず、レーザ光の広がり方向だけが考慮されていた。す
なわち、従来、レーザ光の広がり円錐における長軸の方
向をステム本体１０１の基準面１０３に対して垂直(ま
たは水平)となるようにしていた。
【００１５】例えば、図３に示す具体的一例では、レー
ザ光の広がり円錐における長軸は、基準面１０３に垂直
なＹ軸であり、短軸は基準面１０３に平行なＸ軸であ
る。また、この一例では、上記レーザ光の偏向方向はＸ
軸の方向であり、一方、偏光方向はＹ軸方向である。
ザ光の広がり円錐における長軸は、基準面１０３に垂直
なＹ軸であり、短軸は基準面１０３に平行なＸ軸であ
る。また、この一例では、上記レーザ光の偏向方向はＸ
軸の方向であり、一方、偏光方向はＹ軸方向である。
【００１６】これに対し、最近、半導体レーザの特性を
改善(例えば、高出力化)することを目的として、レーザ
光の広がり方向や偏光方向が半導体レーザの基板面に対
し水平または垂直な方向から傾いている半導体レーザが
用いられるようになってきている。
改善(例えば、高出力化)することを目的として、レーザ
光の広がり方向や偏光方向が半導体レーザの基板面に対
し水平または垂直な方向から傾いている半導体レーザが
用いられるようになってきている。
【００１７】例えば、偏光方向が基板面から所定の角度
θだけ傾いている半導体レーザを、従来のステム本体１
０１のダイボンド面１０２Ａにダイボンドすると、出力
レーザ光の強度分布の短軸方向および偏光方向が基板面
に平行なＸ軸方向から所定の角度θだけ傾くことにな
る。
θだけ傾いている半導体レーザを、従来のステム本体１
０１のダイボンド面１０２Ａにダイボンドすると、出力
レーザ光の強度分布の短軸方向および偏光方向が基板面
に平行なＸ軸方向から所定の角度θだけ傾くことにな
る。
【００１８】このような、半導体レーザ装置を、従来の
光ピックアップ装置の光源として用いた場合、分岐用プ
リズム２０３の分岐比やホログラム素子の分岐比が設計
値からずれてしまうこととなり、所定の特性が得られな
くなるという問題があった。上記所定の特性が得られな
くなる理由は、光分岐用プリズム２０３となる誘電体多
層膜の反射特性と透過特性が偏光依存性を有することに
起因する。また、ホログラムのような一定方向に溝が並
んだ構造の光学素子では、溝方向と偏光方向との関係に
よって光の分岐特性が変化するからである。
光ピックアップ装置の光源として用いた場合、分岐用プ
リズム２０３の分岐比やホログラム素子の分岐比が設計
値からずれてしまうこととなり、所定の特性が得られな
くなるという問題があった。上記所定の特性が得られな
くなる理由は、光分岐用プリズム２０３となる誘電体多
層膜の反射特性と透過特性が偏光依存性を有することに
起因する。また、ホログラムのような一定方向に溝が並
んだ構造の光学素子では、溝方向と偏光方向との関係に
よって光の分岐特性が変化するからである。
【００１９】ここで、図５に示す半導体レーザ装置１０
０では、そのステム本体１０１の外周面１０１Ａの形状
を、円弧面１１２,１１３を含む円を上記基準面１０３
となる弦で切除した形状にして、基準面１０３から光軸
Ｊまでの距離を小さくして薄型化している。
０では、そのステム本体１０１の外周面１０１Ａの形状
を、円弧面１１２,１１３を含む円を上記基準面１０３
となる弦で切除した形状にして、基準面１０３から光軸
Ｊまでの距離を小さくして薄型化している。
【００２０】これに対して、上記半導体レーザ装置１０
０が、偏光方向が基板面から所定の角度θだけ傾いてい
る半導体レーザを有した場合、上記半導体レーザのレー
ザ光の偏光方向を、光ピックアップ装置２００の基準面
に平行にすべく、半導体レーザ装置１００を光ピックア
ップ装置２００に対して、上記光軸Ｊ回りに上記所定の
角度θとは逆の所定の角度(−θ)だけ回転させることと
なる。
０が、偏光方向が基板面から所定の角度θだけ傾いてい
る半導体レーザを有した場合、上記半導体レーザのレー
ザ光の偏光方向を、光ピックアップ装置２００の基準面
に平行にすべく、半導体レーザ装置１００を光ピックア
ップ装置２００に対して、上記光軸Ｊ回りに上記所定の
角度θとは逆の所定の角度(−θ)だけ回転させることと
なる。
【００２１】このように半導体レーザ装置１００を光ピ
ックアップ装置２００に対して回転させた配置の場合、
光軸Ｊと上記半導体レーザ装置１００の基準面１０３が
光ピックアップ装置２００の基準面に対して傾斜し、こ
のことは、光ピックアップ装置の薄型化の妨げになると
いう問題がある。
ックアップ装置２００に対して回転させた配置の場合、
光軸Ｊと上記半導体レーザ装置１００の基準面１０３が
光ピックアップ装置２００の基準面に対して傾斜し、こ
のことは、光ピックアップ装置の薄型化の妨げになると
いう問題がある。
【００２２】そこで、この発明の目的は、偏光方向が基
板面に対して傾いた特性改善された半導体レーザを備
え、光ピックアップ装置の高出力化,高信頼性化および
薄型化に寄与できる半導体レーザ装置および光ピックア
ップ装置を提供することにある。
板面に対して傾いた特性改善された半導体レーザを備
え、光ピックアップ装置の高出力化,高信頼性化および
薄型化に寄与できる半導体レーザ装置および光ピックア
ップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザが基
台の固定面に固定され、上記固定面は上記基台の基準面
に対して所定の傾斜角だけ傾斜しており、上記半導体レ
ーザが出射するレーザ光の偏光面は上記半導体レーザの
基板面から上記所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基台
の基準面に略平行になっているか、もしくは、上記レー
ザ光の偏光面は上記基板面に対して垂直な面に対して上
記所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基台の基準面に対
して略垂直になっていることを特徴としている。
め、この発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザが基
台の固定面に固定され、上記固定面は上記基台の基準面
に対して所定の傾斜角だけ傾斜しており、上記半導体レ
ーザが出射するレーザ光の偏光面は上記半導体レーザの
基板面から上記所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基台
の基準面に略平行になっているか、もしくは、上記レー
ザ光の偏光面は上記基板面に対して垂直な面に対して上
記所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基台の基準面に対
して略垂直になっていることを特徴としている。
【００２３】この発明の半導体レーザ装置では、半導体
レーザの偏光面が基板面、もしくは基板面に対して垂直
な面から傾斜していることで、半導体レーザを高出力か
つ高信頼性にすることができる。しかも、この半導体レ
ーザの固定面を基台の基準面に対して所定の傾斜角だけ
傾斜させたことで、レーザ光の偏光面を基台の基準面に
略平行、もしくは、略垂直とすることができる。これに
より、この発明の半導体レーザ装置では、上記基準面が
半導体レーザの偏光面、もしくは、偏光面に垂直な面を
表すこととなるから、偏光依存性を有する光学素子を有
する光ピックアップ装置に対する配置と組み付けが容易
になる。さらには、この発明の半導体レーザ装置によれ
ば、光ピックアップ装置が有する光学素子に対して斜め
に配置する必要がなくなるから、光ピックアップ装置の
薄型化あるいは小型化に寄与できる。
レーザの偏光面が基板面、もしくは基板面に対して垂直
な面から傾斜していることで、半導体レーザを高出力か
つ高信頼性にすることができる。しかも、この半導体レ
ーザの固定面を基台の基準面に対して所定の傾斜角だけ
傾斜させたことで、レーザ光の偏光面を基台の基準面に
略平行、もしくは、略垂直とすることができる。これに
より、この発明の半導体レーザ装置では、上記基準面が
半導体レーザの偏光面、もしくは、偏光面に垂直な面を
表すこととなるから、偏光依存性を有する光学素子を有
する光ピックアップ装置に対する配置と組み付けが容易
になる。さらには、この発明の半導体レーザ装置によれ
ば、光ピックアップ装置が有する光学素子に対して斜め
に配置する必要がなくなるから、光ピックアップ装置の
薄型化あるいは小型化に寄与できる。
【００２４】また、一実施形態の半導体レーザ装置は、
上記半導体レーザからなる第１の半導体レーザを有し、
上記基台は、上記固定面からなる第１の固定面と、この
第１の固定面に隣接し、上記基準面と略平行な第２の固
定面とを有し、上記第２の固定面に固定され、レーザ光
の偏光面が上記基準面と略平行もしくは略垂直である第
２の半導体レーザを有している。
上記半導体レーザからなる第１の半導体レーザを有し、
上記基台は、上記固定面からなる第１の固定面と、この
第１の固定面に隣接し、上記基準面と略平行な第２の固
定面とを有し、上記第２の固定面に固定され、レーザ光
の偏光面が上記基準面と略平行もしくは略垂直である第
２の半導体レーザを有している。
【００２５】この実施形態の半導体レーザ装置では、偏
光面が基板面または基板面に対して垂直な面から傾斜し
ている第１の半導体レーザを含む複数の半導体レーザを
備え、この複数の半導体レーザの偏光面が基台の基準面
に対して略平行または略垂直になっている。したがっ
て、この半導体レーザ装置によれば、光ピックアップ装
置への組み付けが容易であり、光ピックアップ装置の薄
型化あるいは小型化を図れる上に、さらなる高出力化を
図れる。
光面が基板面または基板面に対して垂直な面から傾斜し
ている第１の半導体レーザを含む複数の半導体レーザを
備え、この複数の半導体レーザの偏光面が基台の基準面
に対して略平行または略垂直になっている。したがっ
て、この半導体レーザ装置によれば、光ピックアップ装
置への組み付けが容易であり、光ピックアップ装置の薄
型化あるいは小型化を図れる上に、さらなる高出力化を
図れる。
【００２６】また、一実施形態の光ピックアップ装置
は、上記半導体レーザ装置を備えた。
は、上記半導体レーザ装置を備えた。
【００２７】この実施形態の光ピックアップ装置では、
上記高出力かつ光ピックアップ装置の薄型化,小型化に
寄与できて組み付けが容易な半導体レーザ装置を備えた
ことで、高速な書込みと読み出しが可能な光ピックアッ
プ装置を実現できる。
上記高出力かつ光ピックアップ装置の薄型化,小型化に
寄与できて組み付けが容易な半導体レーザ装置を備えた
ことで、高速な書込みと読み出しが可能な光ピックアッ
プ装置を実現できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態に基いて詳細に説明する。
態に基いて詳細に説明する。
【００２９】(第１の実施の形態)図１に、この発明の半
導体レーザ装置の第１の実施形態を示す。この第１実施
形態は、１つの半導体レーザ４を備えた半導体レーザ装
置である。
導体レーザ装置の第１の実施形態を示す。この第１実施
形態は、１つの半導体レーザ４を備えた半導体レーザ装
置である。
【００３０】この第１実施形態は、ステム本体１と、こ
のステム本体１の上面１Ａに固定された放熱台をなす据
付部１１と、この据付部１１に固定された半導体レーザ
４および信号検出用受光素子６を備えている。このステ
ム本体１と据付部１１が基台をなす。
のステム本体１の上面１Ａに固定された放熱台をなす据
付部１１と、この据付部１１に固定された半導体レーザ
４および信号検出用受光素子６を備えている。このステ
ム本体１と据付部１１が基台をなす。
【００３１】上記ステム本体１は、その外周面１Ｂが、
平坦な基準面３と対向面１３と円弧面１４,１５からな
る。この対向面１３は、上記基準面３と平行に対向して
おり、上記円弧面１４と１５は、１つの円の一部をなし
ている。
平坦な基準面３と対向面１３と円弧面１４,１５からな
る。この対向面１３は、上記基準面３と平行に対向して
おり、上記円弧面１４と１５は、１つの円の一部をなし
ている。
【００３２】上記据付部１１は、略逆Ｌ字形状であり、
基準面３と略平行に延在するＸ方向部１１Ａと基準面３
に対して略垂直に延在するＹ方向部１１Ｂからなる。こ
のＹ方向部１１Ｂの上面１１Ｂ−１には、上記信号検出
用受光素子６が固定されており、その受光面(図示せず)
は上面１１Ｂ−１が向いている方向、すなわち、紙面に
垂直なＺ方向に向いている。
基準面３と略平行に延在するＸ方向部１１Ａと基準面３
に対して略垂直に延在するＹ方向部１１Ｂからなる。こ
のＹ方向部１１Ｂの上面１１Ｂ−１には、上記信号検出
用受光素子６が固定されており、その受光面(図示せず)
は上面１１Ｂ−１が向いている方向、すなわち、紙面に
垂直なＺ方向に向いている。
【００３３】また、上記据付部１１のＸ方向部１１Ａの
側面１１Ａ−１をなす固定面としてのダイボンド面１７
に半導体レーザ４がダイボンドされている。このダイボ
ンド面１７は、ステム本体１の基準面３に対して、所定
の角度θだけ傾斜している。図１に示すように、Ｘ-Ｙ-
Ｚ直交座標系において、上記基準面３は、Ｙ軸に垂直な
Ｘ−Ｚ平面であり、上記ステム本体１の上面１ＡがＸ−
Ｙ平面であるとする。そして、上記ダイボンド面１７
は、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂直なＺ軸周
りに、時計回りに上記角度θ(例えば１５°)だけ傾斜し
ている。したがって、上記半導体レーザ４の基板面４Ａ
は、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂直なＺ軸周
りに、時計回りに上記角度θだけ傾斜することとなる。
側面１１Ａ−１をなす固定面としてのダイボンド面１７
に半導体レーザ４がダイボンドされている。このダイボ
ンド面１７は、ステム本体１の基準面３に対して、所定
の角度θだけ傾斜している。図１に示すように、Ｘ-Ｙ-
Ｚ直交座標系において、上記基準面３は、Ｙ軸に垂直な
Ｘ−Ｚ平面であり、上記ステム本体１の上面１ＡがＸ−
Ｙ平面であるとする。そして、上記ダイボンド面１７
は、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂直なＺ軸周
りに、時計回りに上記角度θ(例えば１５°)だけ傾斜し
ている。したがって、上記半導体レーザ４の基板面４Ａ
は、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂直なＺ軸周
りに、時計回りに上記角度θだけ傾斜することとなる。
【００３４】また、上記半導体レーザ４の発光点Ｖが、
上記円弧面１４と１５が含まれる１つの円の中心に位置
するように、半導体レーザ４は上記ダイボンド面１７に
固定されている。また、上記半導体レーザ４が出射する
レーザ光は、上記発光点Ｖから上記Ｚ軸方向に延びる軸
を光軸Ｊとしており、このレーザ光の偏光面は、この半
導体レーザ４の基板面４Ａから、光軸Ｊの周りに反時計
方向に、上記角度θだけ傾いている。これにより、上記
レーザ光の偏光面は、上記基準面３に対して平行にな
る。
上記円弧面１４と１５が含まれる１つの円の中心に位置
するように、半導体レーザ４は上記ダイボンド面１７に
固定されている。また、上記半導体レーザ４が出射する
レーザ光は、上記発光点Ｖから上記Ｚ軸方向に延びる軸
を光軸Ｊとしており、このレーザ光の偏光面は、この半
導体レーザ４の基板面４Ａから、光軸Ｊの周りに反時計
方向に、上記角度θだけ傾いている。これにより、上記
レーザ光の偏光面は、上記基準面３に対して平行にな
る。
【００３５】すなわち、この実施形態の半導体レーザ装
置によれば、半導体レーザ４のレーザ光の偏光面が基板
面４Ａに対して上記所定の角度θだけ傾斜していること
で、基板面と平行な偏光面を有する半導体レーザを有す
る場合に比べて、レーザ光の出力向上を図れる。また、
同時に、上記ダイボンド面１７を基準面３に対して上記
所定の角度だけ傾斜させたことで、上記レーザ光の偏光
面を、上記基準面３に対して平行にした。これにより、
この半導体レーザ装置によれば、基板面と平行な偏光面
を有する半導体レーザを有する半導体レーザ装置と同様
に、基準面３を光ピックアップ装置の基準面と一致させ
て、光ピックアップ装置に組み込めばよい。
置によれば、半導体レーザ４のレーザ光の偏光面が基板
面４Ａに対して上記所定の角度θだけ傾斜していること
で、基板面と平行な偏光面を有する半導体レーザを有す
る場合に比べて、レーザ光の出力向上を図れる。また、
同時に、上記ダイボンド面１７を基準面３に対して上記
所定の角度だけ傾斜させたことで、上記レーザ光の偏光
面を、上記基準面３に対して平行にした。これにより、
この半導体レーザ装置によれば、基板面と平行な偏光面
を有する半導体レーザを有する半導体レーザ装置と同様
に、基準面３を光ピックアップ装置の基準面と一致させ
て、光ピックアップ装置に組み込めばよい。
【００３６】したがって、この実施形態によれば、光ピ
ックアップ装置の薄型化を損なうことなく、出射レーザ
光の出力を向上させることができる半導体レーザ装置と
なる。
ックアップ装置の薄型化を損なうことなく、出射レーザ
光の出力を向上させることができる半導体レーザ装置と
なる。
【００３７】(第２の実施の形態)次に、図２に、この発
明の半導体レーザ装置の第２実施形態を示す。この第２
実施形態は、２つの半導体レーザ２１,２２を有してい
る。この第２実施形態は、前述の第１実施形態と同じス
テム本体１を備えている。
明の半導体レーザ装置の第２実施形態を示す。この第２
実施形態は、２つの半導体レーザ２１,２２を有してい
る。この第２実施形態は、前述の第１実施形態と同じス
テム本体１を備えている。
【００３８】この第２実施形態は、上記ステム本体１の
上面１Ａに固定された放熱台をなす据付部２３と、この
据付部２３に固定された２つの半導体レーザ２１,２２
および信号検出用受光素子２６を備えている。
上面１Ａに固定された放熱台をなす据付部２３と、この
据付部２３に固定された２つの半導体レーザ２１,２２
および信号検出用受光素子２６を備えている。
【００３９】上記ステム本体１は、前述の第１実施形態
におけるステム本体１と同じであるので、同一の符号を
付して説明を省略する。また、上記半導体レーザ２１が
第１の半導体レーザであり、半導体レーザ２２が第２の
半導体レーザであり、ステム本体１と据付部２３が基台
をなす。
におけるステム本体１と同じであるので、同一の符号を
付して説明を省略する。また、上記半導体レーザ２１が
第１の半導体レーザであり、半導体レーザ２２が第２の
半導体レーザであり、ステム本体１と据付部２３が基台
をなす。
【００４０】上記据付部２３は、略逆Ｌ字形状であり、
基準面３と略平行に延在するＸ方向部２３Ａと基準面３
に対して略垂直に延在するＹ方向部２３Ｂからなる。こ
のＹ方向部２３Ｂの上面２３Ｂ−１には、上記信号検出
用受光素子２６が固定されており、その受光面は上面２
３Ｂ−１が向いている方向、すなわち、紙面に垂直なＺ
方向に向いている。
基準面３と略平行に延在するＸ方向部２３Ａと基準面３
に対して略垂直に延在するＹ方向部２３Ｂからなる。こ
のＹ方向部２３Ｂの上面２３Ｂ−１には、上記信号検出
用受光素子２６が固定されており、その受光面は上面２
３Ｂ−１が向いている方向、すなわち、紙面に垂直なＺ
方向に向いている。
【００４１】また、据付部２３のＸ方向部２３Ａの側面
２３Ａ−１をなすダイボンド面２７,２８のうちの第１
の固定面としての第１のダイボンド面２７に第１の半導
体レーザ２１が固定され、第２の固定面としての第２の
ダイボンド面２８に第２の半導体レーザ２２が固定され
ている。
２３Ａ−１をなすダイボンド面２７,２８のうちの第１
の固定面としての第１のダイボンド面２７に第１の半導
体レーザ２１が固定され、第２の固定面としての第２の
ダイボンド面２８に第２の半導体レーザ２２が固定され
ている。
【００４２】上記第１のダイボンド面２７は、上記Ｘ方
向部２３Ａにおいて、第２のダイボンド面２８よりも基
準面３に平行なＸ方向の端に位置しており、この第１の
ダイボンド面２７は、上記ステム本体１の基準面３に対
して、所定の角度θだけ傾斜している。
向部２３Ａにおいて、第２のダイボンド面２８よりも基
準面３に平行なＸ方向の端に位置しており、この第１の
ダイボンド面２７は、上記ステム本体１の基準面３に対
して、所定の角度θだけ傾斜している。
【００４３】図２に示すように、上記基準面３は、Ｙ軸
に垂直なＸ−Ｚ平面であり、上記ステム本体１の上面１
ＡがＸ−Ｙ平面である。そして、上記第１のダイボンド
面２７は、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂直な
Ｚ軸周りに、時計回りに上記角度θ(例えば１５°)だけ
傾斜している。したがって、上記半導体レーザ２１の基
板面２１Ａは、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂
直なＺ軸周りに、時計回りに上記角度θだけ傾斜するこ
ととなる。
に垂直なＸ−Ｚ平面であり、上記ステム本体１の上面１
ＡがＸ−Ｙ平面である。そして、上記第１のダイボンド
面２７は、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂直な
Ｚ軸周りに、時計回りに上記角度θ(例えば１５°)だけ
傾斜している。したがって、上記半導体レーザ２１の基
板面２１Ａは、基準面３に対して、上記Ｘ−Ｙ平面に垂
直なＺ軸周りに、時計回りに上記角度θだけ傾斜するこ
ととなる。
【００４４】また、上記第１の半導体レーザ２１が、そ
の発光点Ｖ１から出射するレーザ光は、上記発光点Ｖ１
からＺ軸方向に延びる軸を光軸Ｊ１としており、このレ
ーザ光の偏光面は、この半導体レーザ２１の基板面２１
Ａから、光軸Ｊ１の周りに反時計方向に、上記角度θだ
け傾いている。これにより、上記レーザ光の偏光面は、
上記基準面３に対して平行になる。
の発光点Ｖ１から出射するレーザ光は、上記発光点Ｖ１
からＺ軸方向に延びる軸を光軸Ｊ１としており、このレ
ーザ光の偏光面は、この半導体レーザ２１の基板面２１
Ａから、光軸Ｊ１の周りに反時計方向に、上記角度θだ
け傾いている。これにより、上記レーザ光の偏光面は、
上記基準面３に対して平行になる。
【００４５】一方、上記第２の半導体レーザ２２は、基
準面３に対して平行なダイボンド面２８に固定されてお
り、この第２の半導体レーザ２２の基板面２２Ａは、基
準面３に対して平行である。上記第２の半導体レーザ２
２は、その発光点Ｖ２からＺ軸方向に延びる軸を光軸Ｊ
２としており、この第２の半導体レーザ２２が出射する
レーザ光の偏光面は、上記基準面３と平行なＸ方向であ
る。
準面３に対して平行なダイボンド面２８に固定されてお
り、この第２の半導体レーザ２２の基板面２２Ａは、基
準面３に対して平行である。上記第２の半導体レーザ２
２は、その発光点Ｖ２からＺ軸方向に延びる軸を光軸Ｊ
２としており、この第２の半導体レーザ２２が出射する
レーザ光の偏光面は、上記基準面３と平行なＸ方向であ
る。
【００４６】この第２実施形態では、ステム本体１の円
弧面１４,１５を含む円の中心が上記第１の半導体レー
ザ２１の発光点Ｖ１と第２の半導体レーザ２２の発光点
Ｖ２とを結ぶ線分の略中央に位置するようにした。した
がって、上記ダイボンド面２７とダイボンド面２８との
接点が、ほぼ上記円の中心となるように、据付部２３を
ステム本体１の上面１Ａに固定した。これにより、上記
接点を挟んで第１の半導体レーザ２１と第２の半導体レ
ーザ２２を近接配置すれば、発光点Ｖ１とＶ２とのほぼ
中点を、上記円の中心に位置させることが可能となる。
なお、この第２実施形態では、半導体レーザ２１,２２
の発光点Ｖ１,Ｖ２がダイボンド面２７,２８に、例え
ば、５μｍ程度の距離で近接している設定としたが、こ
の近接距離よりも離間している場合には、ステム本体１
の上面１Ａにおける据付部２３の固定位置や、ダイボン
ド面２７,２８における半導体レーザ２１,２２の固定位
置を調節して、発光点Ｖ１とＶ２との中点を上記円の中
心に位置させてもよい。
弧面１４,１５を含む円の中心が上記第１の半導体レー
ザ２１の発光点Ｖ１と第２の半導体レーザ２２の発光点
Ｖ２とを結ぶ線分の略中央に位置するようにした。した
がって、上記ダイボンド面２７とダイボンド面２８との
接点が、ほぼ上記円の中心となるように、据付部２３を
ステム本体１の上面１Ａに固定した。これにより、上記
接点を挟んで第１の半導体レーザ２１と第２の半導体レ
ーザ２２を近接配置すれば、発光点Ｖ１とＶ２とのほぼ
中点を、上記円の中心に位置させることが可能となる。
なお、この第２実施形態では、半導体レーザ２１,２２
の発光点Ｖ１,Ｖ２がダイボンド面２７,２８に、例え
ば、５μｍ程度の距離で近接している設定としたが、こ
の近接距離よりも離間している場合には、ステム本体１
の上面１Ａにおける据付部２３の固定位置や、ダイボン
ド面２７,２８における半導体レーザ２１,２２の固定位
置を調節して、発光点Ｖ１とＶ２との中点を上記円の中
心に位置させてもよい。
【００４７】この第２実施形態によれば、半導体レーザ
２１のレーザ光の偏光面が基板面２１Ａに対して上記所
定の角度θだけ傾斜していることで、レーザ光の出力向
上を図れる。また、同時に、上記ダイボンド面２７を基
準面３に対して上記所定の角度だけ傾斜させたことで、
上記レーザ光の偏光面を、上記基準面３に対して平行に
した。これにより、この半導体レーザ装置によれば、基
板面と平行な偏光面を有する半導体レーザを有する半導
体レーザ装置と同様に、基準面３を光ピックアップ装置
の基準面と一致させて、光ピックアップ装置に組み込め
ばよい。
２１のレーザ光の偏光面が基板面２１Ａに対して上記所
定の角度θだけ傾斜していることで、レーザ光の出力向
上を図れる。また、同時に、上記ダイボンド面２７を基
準面３に対して上記所定の角度だけ傾斜させたことで、
上記レーザ光の偏光面を、上記基準面３に対して平行に
した。これにより、この半導体レーザ装置によれば、基
板面と平行な偏光面を有する半導体レーザを有する半導
体レーザ装置と同様に、基準面３を光ピックアップ装置
の基準面と一致させて、光ピックアップ装置に組み込め
ばよい。
【００４８】したがって、この第２実施形態によれば、
光ピックアップ装置の薄型化を損なうことなく、出射レ
ーザ光の出力を向上させることができる半導体レーザ装
置となる。
光ピックアップ装置の薄型化を損なうことなく、出射レ
ーザ光の出力を向上させることができる半導体レーザ装
置となる。
【００４９】(第３の実施の形態)次に、図４に、第３の
実施形態として、上記第１の実施形態の半導体レーザ装
置３１を備えた光ピックアップ装置５１を示す。この光
ピックアップ装置５１は、上記半導体レーザ装置３１
と、分岐用プリズム３２とコリメートレンズ３３と立ち
上げミラー３５および対物レンズ６１を備え、この分岐
用プリズム３２,コリメートレンズ３３,立ち上げミラー
３５は、半導体レーザ装置３１のレーザ光の光軸Ｊに沿
って順に配置されている。また、対物レンズ６１は、上
記光軸Ｊに対して直交した光軸に沿って配置されてい
る。また、この光ピックアップ装置は、分岐用プリズム
３２で分岐したレーザ光を受光するレーザ出力モニタ用
光検出器３６を有している。
実施形態として、上記第１の実施形態の半導体レーザ装
置３１を備えた光ピックアップ装置５１を示す。この光
ピックアップ装置５１は、上記半導体レーザ装置３１
と、分岐用プリズム３２とコリメートレンズ３３と立ち
上げミラー３５および対物レンズ６１を備え、この分岐
用プリズム３２,コリメートレンズ３３,立ち上げミラー
３５は、半導体レーザ装置３１のレーザ光の光軸Ｊに沿
って順に配置されている。また、対物レンズ６１は、上
記光軸Ｊに対して直交した光軸に沿って配置されてい
る。また、この光ピックアップ装置は、分岐用プリズム
３２で分岐したレーザ光を受光するレーザ出力モニタ用
光検出器３６を有している。
【００５０】また、この光ピックアップ装置５１の上記
立ち上げミラー３５の上方には、対物レンズ６１が配置
され、この対物レンズ６１を通して、光学的情報記録媒
体としての光ディスク７１にレーザ光を照射する。
立ち上げミラー３５の上方には、対物レンズ６１が配置
され、この対物レンズ６１を通して、光学的情報記録媒
体としての光ディスク７１にレーザ光を照射する。
【００５１】この第３実施形態の光ピックアップ装置５
１によれば、第１実施形態の半導体レーザ装置３１を備
えたことにより、この半導体レーザ装置３１の基準面３
を光ピックアップ装置５１の基準面と一致させて、半導
体レーザ装置３１を光ピックアップ装置５１に組み込む
ことができる。
１によれば、第１実施形態の半導体レーザ装置３１を備
えたことにより、この半導体レーザ装置３１の基準面３
を光ピックアップ装置５１の基準面と一致させて、半導
体レーザ装置３１を光ピックアップ装置５１に組み込む
ことができる。
【００５２】したがって、この第３実施形態の光ピック
アップ装置５１によれば、基板面と平行な偏光面を有す
る半導体レーザを有する半導体レーザ装置を備えた場合
と同様の薄型化を実現しつつ、出射レーザ光の出力を向
上できる。
アップ装置５１によれば、基板面と平行な偏光面を有す
る半導体レーザを有する半導体レーザ装置を備えた場合
と同様の薄型化を実現しつつ、出射レーザ光の出力を向
上できる。
【００５３】尚、上記第３実施形態において、上記半導
体レーザ４から出射され、光ディスク７１から反射され
て、半導体レーザ装置に戻ってきた信号光を、上記信号
検出用受光素子６に向けて偏向させるホログラムを、ス
テム本体１と据付部１１とがなす基台に、取り付けた場
合には、光ピックアップ装置の組み立てがさらに容易に
なる。また、上記第１〜第３実施形態では、半導体レー
ザ４,２１のレーザ光の偏光面が上記半導体レーザ４,２
１の基板面４Ａ,２１Ａから上記所定の傾斜角だけ傾斜
していて上記基準面３に略平行としたが、半導体レーザ
４,２１のレーザ光の偏光面が上記基板面４Ａ,２１Ａに
垂直な面に対して所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基
準面３に対して略垂直としてもよい。この場合、上記基
準面３を偏光面に対して垂直な面とすることができるか
ら、偏光依存性を有する光学素子(例えば分岐用プリズ
ム)を有する光ピックアップ装置への半導体レーザ装置
の組み付けが容易になると共に、上記光学素子への半導
体レーザ装置の斜め配置が不要となって、光ピックアッ
プ装置の薄型化もしくは小型化を図れる。
体レーザ４から出射され、光ディスク７１から反射され
て、半導体レーザ装置に戻ってきた信号光を、上記信号
検出用受光素子６に向けて偏向させるホログラムを、ス
テム本体１と据付部１１とがなす基台に、取り付けた場
合には、光ピックアップ装置の組み立てがさらに容易に
なる。また、上記第１〜第３実施形態では、半導体レー
ザ４,２１のレーザ光の偏光面が上記半導体レーザ４,２
１の基板面４Ａ,２１Ａから上記所定の傾斜角だけ傾斜
していて上記基準面３に略平行としたが、半導体レーザ
４,２１のレーザ光の偏光面が上記基板面４Ａ,２１Ａに
垂直な面に対して所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基
準面３に対して略垂直としてもよい。この場合、上記基
準面３を偏光面に対して垂直な面とすることができるか
ら、偏光依存性を有する光学素子(例えば分岐用プリズ
ム)を有する光ピックアップ装置への半導体レーザ装置
の組み付けが容易になると共に、上記光学素子への半導
体レーザ装置の斜め配置が不要となって、光ピックアッ
プ装置の薄型化もしくは小型化を図れる。
【００５４】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の半
導体レーザ装置は、半導体レーザの偏光面が基板面、も
しくは基板面に対して垂直な面から傾斜していること
で、半導体レーザを高出力かつ高信頼性にすることがで
きる。しかも、この半導体レーザの固定面を基台の基準
面に対して所定の傾斜角だけ傾斜させたことで、レーザ
光の偏光面を基台の基準面に略平行、もしくは、略垂直
とすることができる。これにより、この発明の半導体レ
ーザ装置では、上記基準面が半導体レーザの偏光面、も
しくは、偏光面に垂直な面を表すこととなるから、偏光
依存性を有する光学素子を有する光ピックアップ装置に
対する配置と組み付けが容易になる。さらには、この発
明の半導体レーザ装置によれば、光ピックアップ装置が
有する光学素子に対して斜めに配置する必要がなくなる
から、光ピックアップ装置の薄型化あるいは小型化に寄
与できる。
導体レーザ装置は、半導体レーザの偏光面が基板面、も
しくは基板面に対して垂直な面から傾斜していること
で、半導体レーザを高出力かつ高信頼性にすることがで
きる。しかも、この半導体レーザの固定面を基台の基準
面に対して所定の傾斜角だけ傾斜させたことで、レーザ
光の偏光面を基台の基準面に略平行、もしくは、略垂直
とすることができる。これにより、この発明の半導体レ
ーザ装置では、上記基準面が半導体レーザの偏光面、も
しくは、偏光面に垂直な面を表すこととなるから、偏光
依存性を有する光学素子を有する光ピックアップ装置に
対する配置と組み付けが容易になる。さらには、この発
明の半導体レーザ装置によれば、光ピックアップ装置が
有する光学素子に対して斜めに配置する必要がなくなる
から、光ピックアップ装置の薄型化あるいは小型化に寄
与できる。
【００５５】また、一実施形態の半導体レーザ装置で
は、偏光面が基板面または基板面に対して垂直な面から
傾斜している第１の半導体レーザを含む複数の半導体レ
ーザを備え、この複数の半導体レーザの偏光面が基台の
基準面に対して略平行または略垂直になっている。した
がって、この半導体レーザ装置によれば、光ピックアッ
プ装置への組み付けが容易であり、光ピックアップ装置
の薄型化あるいは小型化を図れる上に、さらなる高出力
化を図れる。
は、偏光面が基板面または基板面に対して垂直な面から
傾斜している第１の半導体レーザを含む複数の半導体レ
ーザを備え、この複数の半導体レーザの偏光面が基台の
基準面に対して略平行または略垂直になっている。した
がって、この半導体レーザ装置によれば、光ピックアッ
プ装置への組み付けが容易であり、光ピックアップ装置
の薄型化あるいは小型化を図れる上に、さらなる高出力
化を図れる。
【００５６】また、一実施形態の光ピックアップ装置で
は、高出力かつ光ピックアップ装置の薄型化,小型化に
寄与できて組み付けが容易な半導体レーザ装置を備えた
ことで、高速な書込みと読み出しが可能な光ピックアッ
プ装置を実現できる。
は、高出力かつ光ピックアップ装置の薄型化,小型化に
寄与できて組み付けが容易な半導体レーザ装置を備えた
ことで、高速な書込みと読み出しが可能な光ピックアッ
プ装置を実現できる。
【図１】 この発明の半導体レーザ装置の第１実施形態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】 この発明の半導体レーザ装置の第２実施形態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 半導体レーザ装置のレーザ強度分布を説明す
る模式図である。
る模式図である。
【図４】 この発明の半導体レーザ装置を用いた光ピッ
クアップ装置を示す模式図である。
クアップ装置を示す模式図である。
【図５】 従来の半導体レーザ装置の平面図である。
【図６】 従来の半導体レーザ装置を用いた光ピックア
ップ装置を示す模式図である。
ップ装置を示す模式図である。
１…ステム本体、１Ａ…上面、３…基準面、４…半導体
レーザ、４Ａ…基板面、６…信号検出用受光素子、１１
…据付部、１１Ａ…Ｘ方向部、１１Ｂ…Ｙ方向部、１
４,１５…円弧面、１７…ダイボンド面、Ｖ,Ｖ１,Ｖ２
…発光点、２１…第１の半導体レーザ、２１Ａ…基板
面、２２…第２の半導体レーザ、２２Ａ…基板面、２３
…据付部、２３Ａ…Ｘ方向部、２３Ｂ…Ｙ方向部、２６
…信号検出用受光素子、２７…第１のダイボンド面、２
８…第２のダイボンド面。
レーザ、４Ａ…基板面、６…信号検出用受光素子、１１
…据付部、１１Ａ…Ｘ方向部、１１Ｂ…Ｙ方向部、１
４,１５…円弧面、１７…ダイボンド面、Ｖ,Ｖ１,Ｖ２
…発光点、２１…第１の半導体レーザ、２１Ａ…基板
面、２２…第２の半導体レーザ、２２Ａ…基板面、２３
…据付部、２３Ａ…Ｘ方向部、２３Ｂ…Ｙ方向部、２６
…信号検出用受光素子、２７…第１のダイボンド面、２
８…第２のダイボンド面。
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Ｆターム(参考） 5D119 AA01 AA02 AA24 AA38 AA41
AA42 BA01 FA05 FA08 FA28
HA13 HA65 HA66 HA67 JA12
JA14
5D789 AA01 AA02 AA24 AA38 AA41
AA42 BA01 FA05 FA08 FA28
HA13 HA65 HA66 HA67 JA12
JA14
5F073 AB04 AB27 AB29 BA04 FA06
FA16 FA30
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザが基台の固定面に固定さ
れ、上記固定面は上記基台の基準面に対して所定の傾斜
角だけ傾斜しており、 上記半導体レーザが出射するレーザ光の偏光面は上記半
導体レーザの基板面から上記所定の傾斜角だけ傾斜して
いて上記基台の基準面に略平行になっているか、もしく
は、上記レーザ光の偏光面は上記基板面に対して垂直な
面に対して上記所定の傾斜角だけ傾斜していて上記基台
の基準面に対して略垂直になっていることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記半導体レーザからなる第１の半導体レーザを有し、 上記基台は、上記固定面からなる第１の固定面と、この
第１の固定面に隣接し、上記基準面と略平行な第２の固
定面とを有し、 上記第２の固定面に固定され、レーザ光の偏光面が上記
基準面と略平行もしくは略垂直である第２の半導体レー
ザを有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体レーザ
装置を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142741A JP2003332671A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| US10/438,044 US6922425B2 (en) | 2002-05-17 | 2003-05-15 | Semiconductor laser device and optical pickup device |
| CNB031454445A CN1275367C (zh) | 2002-05-17 | 2003-05-17 | 半导体激光装置和光拾取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002142741A JP2003332671A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332671A true JP2003332671A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29417013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002142741A Pending JP2003332671A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6922425B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003332671A (ja) |
| CN (1) | CN1275367C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102005700A (zh) * | 2009-08-26 | 2011-04-06 | 株式会社东芝 | 半导体激光装置 |
| JP2018098256A (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5804814A (en) * | 1994-05-20 | 1998-09-08 | Musha; Toru | Optical pick-up head and integrated type optical unit for use in optical pick-up head |
| JPS5749287A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Stem of semiconductor laser |
| CA1258906A (en) * | 1985-04-22 | 1989-08-29 | Hiroshi Oinoue | Semiconductor laser apparatus for optical head |
| US5148322A (en) * | 1989-11-09 | 1992-09-15 | Omron Tateisi Electronics Co. | Micro aspherical lens and fabricating method therefor and optical device |
| JPH06314857A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| JP3216396B2 (ja) | 1994-03-02 | 2001-10-09 | 富士通株式会社 | 発光素子用ステム及び発光装置 |
| JP3281805B2 (ja) | 1996-06-28 | 2002-05-13 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2000260053A (ja) | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Sharp Corp | 集積化ユニット及びこれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP2000353335A (ja) | 1999-06-11 | 2000-12-19 | Hitachi Ltd | 光ピックアップ装置およびそれを用いた光学的情報記録／再生装置 |
| JP3849967B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2006-11-22 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ |
| JP2004146441A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002142741A patent/JP2003332671A/ja active Pending
-
2003
- 2003-05-15 US US10/438,044 patent/US6922425B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-17 CN CNB031454445A patent/CN1275367C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102005700A (zh) * | 2009-08-26 | 2011-04-06 | 株式会社东芝 | 半导体激光装置 |
| CN102005700B (zh) * | 2009-08-26 | 2012-07-04 | 株式会社东芝 | 半导体激光装置 |
| JP2018098256A (ja) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6922425B2 (en) | 2005-07-26 |
| US20030214988A1 (en) | 2003-11-20 |
| CN1461085A (zh) | 2003-12-10 |
| CN1275367C (zh) | 2006-09-13 |
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Legal Events
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