JP3760923B2 - 光モジュールの製造方法 - Google Patents
光モジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3760923B2 JP3760923B2 JP2003072041A JP2003072041A JP3760923B2 JP 3760923 B2 JP3760923 B2 JP 3760923B2 JP 2003072041 A JP2003072041 A JP 2003072041A JP 2003072041 A JP2003072041 A JP 2003072041A JP 3760923 B2 JP3760923 B2 JP 3760923B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- emitting element
- wiring member
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4248—Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4251—Sealed packages
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/4257—Details of housings having a supporting carrier or a mounting substrate or a mounting plate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4256—Details of housings
- G02B6/4262—Details of housings characterised by the shape of the housing
- G02B6/4265—Details of housings characterised by the shape of the housing of the Butterfly or dual inline package [DIP] type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4266—Thermal aspects, temperature control or temperature monitoring
- G02B6/4267—Reduction of thermal stress, e.g. by selecting thermal coefficient of materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4206—Optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
- G02B6/4227—Active alignment methods, e.g. procedures and algorithms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールの製造方法、及び光モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光モジュールの一種として、半導体発光素子と、半導体発光素子を搭載するためのサブマウントと、サブマウントを搭載するキャリアとを有し、半導体発光素子、サブマウント、及びキャリアがハウジングによって覆われ、半導体発光素子に電気的に接続されたリード端子がハウジングの外側へ突出された構造の光モジュールが知られている(例えば、特許文献1)。かかる光モジュールでは、半導体発光素子に電流を供給するためのプローブを直接、半導体発光素子に接触させることは困難であるため、ハウジングに半導体発光素子等が組み込まれ、リード端子と半導体発光素子とが電気的に接続された後に、リード端子から電流が供給されることによって半導体発光素子のスクリーニングが行われる。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−223025号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した光モジュールでは、ハウジングに半導体発光素子が組み込まれた後に、そのスクリーニングによって不良が発見されても、半導体発光素子の不良であるにもかかわらず、ハウジングに組み込まれた全部品が無駄になるという問題点がある。
【0005】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法を提供することを課題としている。
【0006】
上記課題を解決するため、本発明の光モジュールの製造方法は、キャリアの導電性の搭載面に、絶縁性の材料によって構成されており金属膜が設けられた第1の面と該第1の面に対向する第2の面とを有し、一電極と他電極とを有する半導体発光素子を該他電極が金属膜に接するように搭載したサブマウントと、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第1の配線部材とを搭載する第1の工程と、半導体発光素子の他電極と第1の配線部材の接続面とを電気的に接続する第2の工程と、第1のプローブを第1の配線部材の接続面に接触させ、半導体発光素子に第1のプローブを介して電流を供給し、半導体発光素子の所定の動作確認を行う第3の工程と、所定の動作確認後に、ワイヤを切断する第4の工程と、を備えることを特徴としている。
【0007】
かかる光モジュールの製造方法によれば、第1のプローブを第1の配線部材に接触させることによって半導体発光素子に電流を供給することができるので、第1の搭載部材に半導体発光素子を搭載した時点、すなわち、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に、半導体発光素子のスクリーニングを行うことができる。
【0008】
かかる製造方法によれば、第1の配線部材と半導体発光素子の電気的な接続を切断することによって、第1の配線部材による寄生容量を削減することができる。したがって、この製造方法によって製造される光モジュールは、半導体発光素子を高速に動作させることが可能とされる。
【0009】
本発明の光モジュールの製造方法において、第1の工程では、更に、導電性の材料で構成される第2の配線部材をキャリアの搭載面上に搭載し、第2の工程では、更に、第2の配線部材と半導体発光素子の一電極とをワイヤによって電気的に接続し、第3の工程において、第2のプローブを搭載面又は第2の搭載部材に接触させることを特徴とする。
【0010】
また、本発明の光モジュールの製造方法は、キャリアの導電性の搭載面に、導電性の材料によって構成されたサブマウントであって一電極と他電極とを有する半導体発光素子を該一電極と該サブマウントとが接触するように搭載した該サブマウントと、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第1の配線部材と、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第2の配線部材と、を前記キャリアの搭載面に搭載する第1の工程と、半導体発光素子の他電極と第2の配線部材の接続面とをワイヤによって電気的に接続し、第1の配線部材の接続面と第2の配線部材の接続面とをワイヤによって接続する第2の工程と、第1のプローブを第1の配線部材の接続面に接触させ、第2のプローブをキャリアの搭載面に接触させて、半導体発光素子に電流を供給し、半導体発光素子の所定の動作確認を行う第3の工程と、所定の動作確認後に、第1の配線部材の接続面と第2の配線部材の接続面とを接続するワイヤを切断する第4の工程を備えることを特徴とする。
【0011】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、第1の配線部材の金属膜は所定パターンの金属膜であり、第1のプローブは所定パターンに基づいて位置決めされることを特徴とすることが好ましい。
【0012】
この発明によれば、所定パターンとされた金属膜をリファレンスとすることによって、第1のプローブを精度良く位置決めすることができる。
【0013】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、半導体発光素子は所定軸に交差する光出射面と光反射面とを有し、搭載面は、所定軸線に沿って順に並ぶ第1、第2、及び第3の領域を有し、半導体発光素子は、第1の領域に光出射面を向けて第2の領域に搭載されており、所定の動作確認を経た半導体発光素子を搭載しているキャリアをハウジングに収容する工程と、半導体発光素子を駆動するための駆動素子を上記の所定パターンに基づいて第3の領域に搭載する工程とを更に備えることが好ましい。
【0014】
半導体発光素子を高速に動作させるためには、駆動素子を半導体発光素子に近づけて配設する必要がある。かかる発明によれば、上記の所定パターンをリファレンスとすることによって駆動素子を高精度に位置決めすることがができるので、駆動素子を半導体発光素子に近づけて第3の領域に配設することができる。
【0015】
また、第1のプローブによって半導体発光素子に電流を供給し、光出射面と光学的に結合すべきレンズを、半導体発光素子の光出射面から出射されレンズを通して観察される光に基づいて搭載面の第1の領域に配置する工程を更に備えることを特徴とすることが好ましい。
【0016】
駆動素子を介して半導体発光素子に電流を供給することによって半導体発光素子を発光させてレンズの調芯を行うと、駆動素子の発熱によって半導体発光素子の光出力が変動するため、精度良くレンズの調芯を行うことができない。かかる発明によれば、駆動素子を介することなく第1のプローブから半導体発光素子に電流を供給するので、半導体発光素子の光出力を安定させることができる。その結果、レンズの調芯を精度良く行うことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施形態にかかる光モジュール1について添付の図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態に関する説明においては、説明の理解を容易にするため、各図面において同一又は相当の部分には同一の符号を附すこととする。
【0018】
図1は、光モジュール1を一部破断して示す斜視図である。光モジュール1は、ハウジング10と、半導体発光素子12と、サブマウント14と、キャリア16と、第1の配線部材18と、第2の配線部材20と、駆動素子22と、配線基板24と、コリメートレンズ26と、保持部材28と、ハーメチックガラス30と、レンズホルダ32と、集光レンズ34と、フェルール36と、光ファイバ38と、フェルールホルダ40と、保持部材42とを備える。
【0019】
ハウジング10は、上壁部10aと、一対の側壁部10bと、後壁部10dと、前壁部10fと、底壁部を有しており、これらの壁部によって半導体発光素子12等の部品を収容するための収容空間を形成している。一対の側壁部10bには、複数のリード端子10cが設けられており、後壁部10dには複数のリード端子10eが設けられている。前壁部には、孔10gが設けられている。
【0020】
ハウジング10の収容空間には、半導体発光素子12が収容されている。半導体発光素子12は、サブマウント14に搭載されている。サブマウント14には絶縁性の部材を用いることができる。サブマウント14を構成する材料としては、例えば、AlNといった熱伝導性の良い材料が例示される。サブマウント14は、第1の面14aと、第1の面14aに対向する第2の面14bを有している。第1の面14a及び第2の面14bには、金属膜が設けられている。かかる金属膜は、例えば、サブマウント14にAuを蒸着することによって形成される。半導体発光素子12は、第1の面14aにAuSn等のダイボンド材を介して接合されている。
【0021】
サブマウント14は、キャリア16の搭載面16aに搭載されている。キャリア16は、熱伝導率の良い導電性の部材によって構成される。キャリア16を構成する材料には、例えばCuWが用いられる。キャリア16の搭載面16aには、所定軸Xに沿って、第1の領域16b、第2の領域16c、第3の領域16dが設けられている。半導体発光素子12を搭載したサブマウント14は、第2の領域16cに配設されており、搭載面16aと第2の面14bがAuSnといったダイボンド材によって接合されている。半導体発光素子12は、光出射面と光出射面に対向する光反射面とを有しており、光出射面と光反射面とが所定軸Xに交差するように、サブマウント14を介して搭載面16aに搭載されている。
【0022】
搭載面16aにおいて、所定軸Xに沿う方向に延びるサブマウント14の一対の縁に沿うそれぞれの領域には、第1の配線部材18と、第2の配線部材20とが分配されて搭載されている。
【0023】
第1の配線部材18は、絶縁性の部材である。第1の配線部材18を構成する材料としては、例えば、AlNやAl2O3を用いることができる。図2は、第1の配線部材18の斜視図である。第1の配線部材18は、第1の面18aと、第2の面18bとを有している。第1の面18aには金属膜18cが設けられており、第2の面18bには金属膜18dが設けられている。金属膜18dは第2の面18bの一面に設けられている。金属膜18cは、所定形状にパターニングされている。金属膜18cは、例えば、図2に示すように、十字形状のパターンとすることができる。金属膜18c及び18dは、例えばAuを蒸着することによって形成される。第1の配線部材18は、第2の面18bに設けられた金属膜18dが搭載面16aにAuSnといったダイボンド材を介して接合されることによって、搭載面16aに固定されている。
【0024】
第2の配線部材20は、導電性の部材である。第2の配線部材20を構成する材料としては、例えばCuWを用いることができる。第2の配線部材20は、ワイヤ44を介して半導体発光素子12の一電極と電気的に接続されている。第2の配線部材20を設けることによって、半導体発光素子12の一電極から配線を引き出すためのワイヤ44の長さを短くし、低いインダクタンスで半導体発光素子12の一電極と搭載面16aとを電気的に接続することができるので、光モジュール1は半導体発光素子12を高速に動作させることが可能とされている。
【0025】
搭載面16aの第3の領域16dには、半導体発光素子12に駆動信号を与えるための駆動素子22が搭載されている。駆動素子22と第2の配線部材20とはワイヤ46により結線されており、これによって半導体発光素子12の一電極と駆動素子22とが電気的に接続される。また、駆動素子22とサブマウント14の第1の面14aの金属膜とはワイヤ48により結線されており、これによって半導体発光素子12の他電極と駆動素子22とが電気的に接続される。
【0026】
駆動素子22は、配線基板24と電気的に接続される。配線基板24は、ハウジング10に収容されている。配線基板24は、高周波入力ライン24aと24bとを有しており、高周波入力ライン24a及び24bは、ワイヤ50によって駆動素子22にそれぞれ電気的に接続されている。
【0027】
搭載面16aの第1の領域16bには、コリメートレンズ26が載置されている。コリメートレンズ26は、半導体発光素子12の光出射面と光学的に結合されている。
【0028】
ハウジング10の孔10gを囲むように、保持部材28が取り付けられている。保持部材28は、ハーメチックガラス30を保持している。保持部材28の一端には、レンズホルダ32が接合されている。レンズホルダ32は、集光レンズ34を保持している。集光レンズ34は、コリメートレンズ26と光学的に結合されており、半導体発光素子12の光出射面からの光は、コリメートレンズ26及び集光レンズ34を介して、光ファイバ38の一端面に集光される。
【0029】
光ファイバ38は、フェルール36によって一部が覆われており、フェルール36はフェルールホルダ40によって覆われている。フェルールホルダ40の一端は、レンズホルダ32の一端と接合されている。上記の保持部材28、レンズホルダ32、及びフェルールホルダ40は、保持部材42によって覆われている。
【0030】
以下、第1実施形態にかかる光モジュール1の製造方法について説明する。かかる製造方法においては、まず、キャリア16の斜視図である図3に示すように、キャリア16の第2の領域16cに半導体発光素子12を搭載したサブマウント14が搭載される。また、搭載面16a上に、第1の配線部材18と、2の配線部材20とが搭載される。半導体発光素子12、第1の配線部材18、及び第2の配線部材20は、キャリア16の周縁形状をリファレンスとした画像認識によって、精度良く搭載面16aに配設される。
【0031】
図4は、キャリア16の斜視図であり、半導体発光素子12が第1の配線部材18、第2の配線部材20のそれぞれにワイヤによって結線された状態を示す。次の工程においては、図4に示すように、半導体発光素子12の一電極と第2の配線部材20とがワイヤ44によって結線される。また、サブマウント14の第1の面14aの金属膜と第1の配線部材18の金属膜18cとがワイヤ52によって結線される。
【0032】
図5(a)は、キャリア16の斜視図であり、半導体発光素子12が通電されている状態を示している。次の工程においては、図5(a)に示すように、第1のプローブ54及び第2のプローブ56を用いて、半導体発光素子12に電流を供給して、半導体発光素子12のスクリーニングが行われる。かかる工程においては、第1のプローブ54が第1の配線部材18の金属膜18cに当てられ、第2のプローブ56が第2の配線部材20に当てられる。なお、図5(b)に示すように、第2のプローブ56は、第2の配線部材20と同電位のキャリア16に当てられても良い。
【0033】
第1の配線部材18と第2の配線部材20の位置は、第1の配線部材18の金属膜18cのパターンをリファレンスとした画像認識によって認識され、第1のプローブ54及び第2のプローブ56は、高精度に位置決めされる。第1のプローブ54及び第2のプローブ56によって半導体発光素子12に電流を供給しつつ、半導体発光素子12が所定の特性を満たすか否かによって半導体発光素子12のスクリーニングが行われる。かかるスクリーニングの方法によれば、第1のプローブ54を第1の配線部材18に、第2のプローブ56を第2の配線部材20に当てることによって、ハウジング10に組み込む前に半導体発光素子12へ容易に電流を供給することができるので、半導体発光素子12をハウジング10に組み込む前に半導体発光素子12の不良を検出することができる。
【0034】
半導体発光素子12のスクリーニングは、高温度(例えば85℃)、大電流(例えば120mA)の高負荷を与えることによって行われる場合があるが、図1に示すように組み立てられた状態の光モジュール1では、かかる高負荷に駆動素子22が耐性を有しない。図5に示すように、キャリア16をハウジング10に組み込む前の状態であれば、半導体発光素子12に上記した高負荷を与えることが可能となる。
【0035】
図6は、図4に示すキャリア16をハウジング10に組み込んだ状態を示す斜視図であり、半導体発光素子12のスクリーニングを経たキャリア16が、ハウジング10に組み込まれた状態を示す。
【0036】
図7は、キャリア16が組み込まれたハウジング10の斜視図であり、駆動素子22がキャリア16に搭載された状態を示している。この工程においては、駆動素子22が、キャリア16の第3の領域16dに搭載される。第3の領域16dは、第1の配線部材18の金属膜18cのパターンをリファレンスとする画像認識によって認識することができ、駆動素子を第3の領域16dにおいて半導体発光素子12に近づけて高精度に配設することができる。半導体発光素子12を高速動作させる為には、駆動素子22を半導体発光素子12に近づける必要があるが、本製造方法によれば、第1の配線部材18の金属膜18cのパターンをリファレンスとする画像認識に基づいて、駆動素子22を半導体発光素子12に高精度に近づけることができる。
【0037】
この工程においては、図7に示すように、第2の配線部材20と駆動素子22とがワイヤ46によって結線され、サブマウント14の第1の面14aの金属膜と駆動素子22とがワイヤ48によって結線される。また、駆動素子22と配線基板24の高周波入力ライン24a及び24bとが、ワイヤ50によって結線される。
【0038】
図8は、キャリア16が組み込まれたハウジング10の斜視図であり、コリメートレンズ26の調芯が行われる状態を示している。この工程においては、コリメートレンズ26がキャリア16の第1の領域16bに搭載され、コリメートレンズ26と半導体発光素子12の光出射面とが光学的に結合される。第1のプローブ54が第1の配線部材18の金属膜18cに当てられ、第2のプローブ56が第2の配線部材20に当てられることによって、半導体発光素子12に電流が供給される。上述した半導体発光素子12のスクリーニングと同様に、第1の配線部材18と第2の配線部材20とは、第1の配線部材18の金属膜18cのパターンをリファレンスとした画像認識によって位置が認識され、第1のプローブ54及び第2のプローブ56が位置決めされる。
【0039】
第1のプローブ54及び第2のプローブ56によって電流が供給され、半導体発光素子12の光出射面から光が発せられる。この光をファイバ38の他端部において観察することによって、コリメートレンズ26の調芯が行われる。
【0040】
駆動素子22から半導体発光素子12に電流を供給して、コリメートレンズ26の調芯を行うと、駆動素子22の発熱によって半導体発光素子12の温度が上昇する結果、半導体発光素子12からの光のファーフィールドパターンが変動するため、コリメートレンズ26の調芯を精度良く行えない。本製造方法によれば、駆動素子22から半導体発光素子12に電流を供給せず、第1のプローブ54及び第2のプローブ56によって半導体発光素子12に電流を供給するので、半導体発光素子12は高温に曝されない。したがって、半導体発光素子12から安定したファーフィルールドパターンの光を得ることができるので、コリメートレンズ26の調芯を精度良く行うことができる。
【0041】
コリメートレンズ26の調芯を経た後、第1の配線部材18とサブマウント14とを結ぶワイヤ52が切断される。ワイヤ52が切断されることによって、第1の配線部材18による寄生容量が削減される。そして、ハウジング10の上壁部10aが取り付けられることによって、図1に示す光モジュール1が製造される。
【0042】
以下、第2実施形態にかかる光モジュール2について説明する。図9は、光モジュール2を一部破断して示す斜視図である。光モジュール2は、ハウジング10と、半導体発光素子12と、サブマウント15と、キャリア16と、第1の配線部材18と、第2の配線部材21と、駆動素子22と、配線基板24と、コリメートレンズ26と、保持部材28と、ハーメチックガラス30と、レンズホルダ32と、集光レンズ34と、フェルール36と、光ファイバ38と、フェルールホルダ40と、保持部材42とを備える。以下、第1実施形態の光モジュール1の構成と異なる構成についてのみ説明する。
【0043】
光モジュール2では、半導体発光素子12を搭載するサブマウントとして、導電性のサブマウント15が用いられている。サブマウント15は、キャリア16の搭載面16aにAuSnといったダイボンド材を介して接合されている。サブマウント15を構成する材料としては、例えばCuWといった熱伝導性に優れる材料を用いることができる。サブマウント15は駆動素子22にワイヤ62によって結線されており、半導体発光素子12の一電極はサブマウント15及びワイヤ62を介して駆動素子22と電気的に接続される。
【0044】
第2の配線部材21は、絶縁性の部材である。第2の配線部材21を構成する材料としては、AlNやAl2O3といった材料を用いることができる。第2の配線部材21は、第1の面21aと第2の面21bとを有する。第1の面21aと第2の面21bには金属膜が設けられている。かかる金属膜は、例えば、Auを蒸着することによって形成される。
【0045】
サブマウント15と絶縁された半導体発光素子12の他電極は、第2の配線部材21の第1の面21aの金属膜とワイヤ58によって結線されている。第2の配線部材21の第1の面21aの金属膜は、ワイヤ60によって駆動素子22に結線されている。半導体発光素子12の他電極は、ワイヤ58、第2の配線部材21、及びワイヤ60を介して、駆動素子22に電気的に接続される。
【0046】
次に、光モジュール2の製造方法について説明する。この製造方法についても、第1実施形態の光モジュール1の製造方法と異なる点を説明する。本製造方法においては、キャリア16の斜視図である図10に示すように、半導体発光素子12、第1の配線部材18、及び第2の配線部材21の配線方法が異なる。本製造方法では、半導体発光素子12を搭載したサブマウント15、第1の配線部材18、及び第2の配線部材21がキャリア16の搭載面16aに搭載される。サブマウント15と電気的に絶縁された半導体発光素子12の他電極と第2の配線部材21の第1の面21aの金属膜とが、ワイヤ58によって結線される。第2の配線部材21の第1の面21aの金属膜と第1の配線部材18の金属膜18cとが、ワイヤ64によって結線される。サブマウント15と電気的に絶縁された半導体発光素子12の他電極は、ワイヤ58、第2の配線部材21、ワイヤ64を介して、第1の配線部材18に電気的に接続される。一方、サブマウント15と電気的に接続された半導体発光素子12の一電極は、サブマウント15を介してキャリア16と電気的に接続されている。
【0047】
半導体発光素子12のスクリーニングを行う工程においては、図11に示すように、第1のプローブ54が第1の配線部材18の金属膜18cに当てられ、第2のプローブ56が、搭載面16aに当てられることによって、半導体発光素子12に電流が供給される。
【0048】
また、コリメートレンズ26の調芯を行う工程においても、1のプローブ54が第1の配線部材18の金属膜18cに当てられ、第2のプローブ56が、搭載面16aに当てられる。
【0049】
コリメートレンズ26の調芯を経た後、ワイヤ64が切断され、ハウジング10に上壁部10aが取り付けられることによって、図9に示すように光モジュール2が製造される。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法と、かかる製造方法によって製造される光モジュールが提供される。かかる発明によれば、半導体発光素子の不良がハウジングに組み込む前に発見されるので、光モジュールに組み込まれる部品の無駄を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、第1実施形態にかかる光モジュールを一部破断して示す斜視図である。
【図2】図2は、第1の配線部材の斜視図である。
【図3】図3は、キャリアの斜視図であり、サブマウント、ワイヤリングポスト、及び中継基板がキャリアに搭載された状態を示す。
【図4】図4は、キャリアの斜視図であり、半導体発光素子がワイヤリングポスト及び中継基板にワイヤによって結線された状態を示す。
【図5】図5(a)は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図であり、第2のプローブが第2の配線部材に当てられた状態を示している。
図5(b)は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図であり、第2のプローブがキャリアに当てられた状態を示している。
【図6】図6は、図4に示すキャリアをハウジングに組み込んだ状態を示す斜視図である。
【図7】図7は、キャリアが組み込まれたハウジングの斜視図であり、駆動素子がキャリアに搭載された状態を示している。
【図8】図8は、キャリアが組み込まれたハウジングの斜視図であり、コリメートレンズの調芯が行われる状態を示している。
【図9】図9は、第2実施形態の光モジュールを一部破断して示す斜視図である。
【図10】図10は、キャリアの斜視図であり、半導体発光素子、ワイヤリングポスト及び中継基板がワイヤによって結線された状態を示す。
【図11】図11は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図である。
【符号の説明】
1…光モジュール、10…ハウジング、12…半導体発光素子、14…サブマウント、16…キャリア、16a…搭載面、16b…第1の領域、16c…第2の領域、16d…第3の領域、18…第1の配線部材、18c…金属膜(第1の配線部材)、20…第2の配線部材、22…駆動素子、24…配線基板、26…コリメートレンズ、54…第1のプローブ、56…第2のプローブ。
Claims (5)
- キャリアの導電性の搭載面に、絶縁性の材料によって構成されており金属膜が設けられた第1の面と該第1の面に対向する第2の面とを有し、一電極と他電極とを有する半導体発光素子を該他電極が前記金属膜に接するように搭載したサブマウントと、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第1の配線部材とを搭載する第1の工程と、
前記半導体発光素子の他電極と前記第1の配線部材の前記接続面とをワイヤによって電気的に接続する第2の工程と、
第1のプローブを前記第1の配線部材の前記接続面に接触させ、前記半導体発光素子に該第1のプローブを介して電流を供給し、該半導体発光素子の所定の動作確認を行う第3の工程と、
前記所定の動作確認後に、前記ワイヤを切断する第4の工程と、
を備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 前記第1の工程では、更に、導電性の材料で構成される第2の配線部材を前記キャリアの前記搭載面上に搭載し、
前記第2の工程では、更に、前記第2の配線部材と前記半導体発光素子の一電極とをワイヤによって電気的に接続し、
前記第3の工程において、前記第2のプローブを前記搭載面又は前記第2の搭載部材に接触させる、
ことを特徴とする請求項1に記載の光モジュールの製造方法。 - キャリアの導電性の搭載面に、導電性の材料によって構成されたサブマウントであって一電極と他電極とを有する半導体発光素子を該一電極と該サブマウントとが接触するように搭載した該サブマウントと、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第1の配線部材と、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第2の配線部材と、を搭載する第1の工程と、
前記半導体発光素子の前記他電極と前記第2の配線部材の前記接続面とをワイヤによって電気的に接続し、前記第1の配線部材の前記接続面と前記第2の配線部材の前記接続面とをワイヤによって接続する第2の工程と、
第1のプローブを前記第1の配線部材の前記接続面に接触させ、第2のプローブを前記キャリアの前記搭載面に接触させて、前記半導体発光素子に電流を供給し、前記半導体発光素子の所定の動作確認を行う第3の工程と、
前記所定の動作確認後に、前記第1の配線部材の前記接続面と前記第2の配線部材の前記接続面とを接続する前記ワイヤを切断する第4の工程と、
を備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 前記半導体発光素子は所定軸に交差する光出射面と光反射面とを有し、
前記搭載面は、所定軸の方向に沿って順に並ぶ第1、第2、及び第3の領域を有し、
前記半導体発光素子は、前記第1の領域に光出射面を向けて前記第2の領域に搭載されており、
前記所定の動作確認を経た前記半導体発光素子を搭載している前記キャリアをハウジングに収容する工程と、
前記半導体発光素子を駆動するための駆動素子を前記第3の領域に搭載する工程と、
を更に備える、ことを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の光モジュールの製造方法。 - 前記第1のプローブ及び前記第2のプローブによって前記半導体発光素子に電流を供給し、前記光出射面と光学的に結合すべきレンズを、該半導体発光素子の光出射面から出射され該レンズを通して観察される光に基づいて前記搭載面の第1の領域に配置する工程を
更に備えることを特徴とする請求項4に記載の光モジュールの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003072041A JP3760923B2 (ja) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | 光モジュールの製造方法 |
US10/800,003 US20040228587A1 (en) | 2003-03-17 | 2004-03-15 | Method for manufacturing a light-transmitting module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003072041A JP3760923B2 (ja) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | 光モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004281770A JP2004281770A (ja) | 2004-10-07 |
JP3760923B2 true JP3760923B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=33288340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003072041A Expired - Fee Related JP3760923B2 (ja) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | 光モジュールの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040228587A1 (ja) |
JP (1) | JP3760923B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2952944B1 (en) * | 2013-01-29 | 2019-01-09 | Kyocera Corporation | Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device |
US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6155724A (en) * | 1997-03-04 | 2000-12-05 | Hamamatsu Photonics Kk | Light transmitting module for optical communication and light transmitting unit thereof |
US6160834A (en) * | 1998-11-14 | 2000-12-12 | Cielo Communications, Inc. | Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies |
JP3770115B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-04-26 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュール |
JP3822080B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-09-13 | 富士通株式会社 | レセプタクル型光モジュール及びその生産方法 |
US6485198B1 (en) * | 2001-12-12 | 2002-11-26 | Industrial Technology Research Institute | Optoelectronic transceiver having integrated optical and electronic components |
-
2003
- 2003-03-17 JP JP2003072041A patent/JP3760923B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-15 US US10/800,003 patent/US20040228587A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040228587A1 (en) | 2004-11-18 |
JP2004281770A (ja) | 2004-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4479875B2 (ja) | 光学的サブアセンブリ | |
JP2005260223A (ja) | 光送信サブアセンブリ | |
JP2003298173A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法、並びにそれを用いた光ピックアップ | |
JPS62276892A (ja) | 電子部品 | |
JP2006351610A (ja) | 光モジュール | |
US6646291B2 (en) | Advanced optical module which enables a surface mount configuration | |
CN114026752B (zh) | 半导体激光装置 | |
JP3760923B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
JP2010135688A (ja) | 光モジュール製造方法 | |
JP2002141597A (ja) | 光通信モジュールおよび光通信器 | |
JP2010135687A (ja) | 光モジュール | |
JP2009253176A (ja) | 光電変換モジュール及び光サブアセンブリ | |
JP2009295772A (ja) | 発光モジュール | |
JPS62276515A (ja) | 光電子装置およびサブキヤリア | |
KR100590991B1 (ko) | 레이저 유니트 및 이에 사용되는 절연블록 | |
JP3945528B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP2003329894A (ja) | カードエッジ型光通信モジュール及び光通信装置 | |
JPH10223788A (ja) | 光電子装置およびその製造方法 | |
JP2005064483A (ja) | 発光モジュール | |
JP2004317629A (ja) | 光送信モジュール | |
JP2004289011A (ja) | 発光モジュール | |
JP3775369B2 (ja) | レーザモジュール | |
JP2007011143A (ja) | 光モジュール | |
JP2010245264A (ja) | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 | |
JPH04124891A (ja) | 光素子モジュール半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140120 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |