JP2004281770A - 光モジュールの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリア１６に、絶縁性のサブマウント１４を介して搭載された半導体発光素子１２は、その一電極が第２の配線部材２０に電気的に接続され、その他電極は第１の配線部材１８の第１の面１８ａに形成された金属膜１８ｃに接続される。金属膜１８ｃに第１のプローブ５４を当て、第２の配線部材２０に第２のプローブ５６を当てて半導体発光素子１２に電流を供給することによって、半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。かかる製造方法によれば、第１の配線部材１８を介して半導体発光素子１２に電流を供給できるので、半導体発光素子１２をハウジングに組み込む前にその不良を発見することができる。
【選択図】 図４
【解決手段】キャリア１６に、絶縁性のサブマウント１４を介して搭載された半導体発光素子１２は、その一電極が第２の配線部材２０に電気的に接続され、その他電極は第１の配線部材１８の第１の面１８ａに形成された金属膜１８ｃに接続される。金属膜１８ｃに第１のプローブ５４を当て、第２の配線部材２０に第２のプローブ５６を当てて半導体発光素子１２に電流を供給することによって、半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。かかる製造方法によれば、第１の配線部材１８を介して半導体発光素子１２に電流を供給できるので、半導体発光素子１２をハウジングに組み込む前にその不良を発見することができる。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールの製造方法、及び光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光モジュールの一種として、半導体発光素子と、半導体発光素子を搭載するためのサブマウントと、サブマウントを搭載するキャリアとを有し、半導体発光素子、サブマウント、及びキャリアがハウジングによって覆われ、半導体発光素子に電気的に接続されたリード端子がハウジングの外側へ突出された構造の光モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。かかる光モジュールでは、半導体発光素子に電流を供給するためのプローブを直接、半導体発光素子に接触させることは困難であるため、ハウジングに半導体発光素子等が組み込まれ、リード端子と半導体発光素子とが電気的に接続された後に、リード端子から電流が供給されることによって半導体発光素子のスクリーニングが行われる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２２３０２５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した光モジュールでは、ハウジングに半導体発光素子が組み込まれた後に、そのスクリーニングによって不良が発見されても、半導体発光素子の不良であるにもかかわらず、ハウジングに組み込まれた全部品が無駄になるという問題点がある。
【０００５】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の光モジュールの製造方法は、第１の搭載部材の導電性の搭載面に、一電極と他電極とを有する半導体発光素子を搭載した第２の搭載部材と、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第１の配線部材とを搭載する第１の工程と、半導体発光素子の一電極と第１の配線部材の接続面とを電気的に接続する第２の工程と、第１のプローブを第１の配線部材の接続面に接触させ、第２のプローブを搭載面に接触させて、半導体発光素子に第１のプローブ及び第２のプローブを介して電流を供給し、半導体発光素子の所定の動作確認を行う第３の工程とを備えることを特徴としている。
【０００７】
かかる光モジュールの製造方法によれば、第１のプローブを第１の配線部材に接触させ、第２のプローブを搭載面に接触させることによって半導体発光素子に電流を供給することができるので、第１の搭載部材に半導体発光素子を搭載した時点、すなわち、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に、半導体発光素子のスクリーニングを行うことができる。
【０００８】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、上記の所定の動作確認後に、第１の配線部材と半導体発光素子の電気的な接続を切断する第４の工程を更に備えることを特徴とすることが好適である。
【０００９】
かかる製造方法によれば、第１の配線部材と半導体発光素子の電気的な接続を切断することによって、第１の配線部材による寄生容量を削減することができる。したがって、この製造方法によって製造される光モジュールは、半導体発光素子を高速に動作させることが可能とされる。
【００１０】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、第２の搭載部材は絶縁性材料によって構成されており、第１の工程は、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第２の配線部材を第１の搭載部材の搭載面に搭載する工程を更に含み、第２の工程は、半導体発光素子の他電極と第２の配線部材を接続する工程を更に含み、第３の工程は、第２のプローブを前記第２の配線部材に接触させ、第１のプローブ、第１の配線部材、第２の配線部材、及び第２のプローブを介して半導体発光素子に電流を供給し、半導体発光素子の所定の動作確認を行うことを特徴としても良い。
【００１１】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、第１の配線部材の搭載面は所定パターンの金属膜であり、第１及び第２のプローブは所定パターンに基づいて位置決めされることを特徴とすることが好ましい。
【００１２】
この発明によれば、所定パターンとされた金属膜をリファレンスとすることによって、第１及び第２のプローブを精度良く位置決めすることができる。
【００１３】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、半導体発光素子は所定軸に交差する光出射面と光反射面とを有し、搭載面は、所定軸線に沿って順に並ぶ第１、第２、及び第３の領域を有し、半導体発光素子は、第１の領域に光出射面を向けて第２の領域に搭載されており、所定の動作確認を経た半導体発光素子を搭載している第１の搭載部材をハウジングに収容する工程と、半導体発光素子を駆動するための駆動素子を上記の所定パターンに基づいて第３の領域に搭載する工程とを更に備えることが好ましい。
【００１４】
半導体発光素子を高速に動作させるためには、駆動素子を半導体発光素子に近づけて配設する必要がある。かかる発明によれば、上記の所定パターンをリファレンスとすることによって駆動素子を高精度に位置決めすることがができるので、駆動素子を半導体発光素子に近づけて第３の領域に配設することができる。
【００１５】
また、第１及び第２のプローブによって半導体発光素子に電流を供給し、光出射面と光学的に結合すべきレンズを、半導体発光素子の光出射面から出射されレンズを通して観察される光に基づいて搭載面の第１の領域に配置する工程を更に備えることを特徴とすることが好ましい。
【００１６】
駆動素子を介して半導体発光素子に電流を供給することによって半導体発光素子を発光させてレンズの調芯を行うと、駆動素子の発熱によって半導体発光素子の光出力が変動するため、精度良くレンズの調芯を行うことができない。かかる発明によれば、駆動素子を介することなく第１及び第２のプローブから半導体発光素子に電流を供給するので、半導体発光素子の光出力を安定させることができる。その結果、レンズの調芯を精度良く行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態にかかる光モジュール１について添付の図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態に関する説明においては、説明の理解を容易にするため、各図面において同一又は相当の部分には同一の符号を附すこととする。
【００１８】
図１は、光モジュール１を一部破断して示す斜視図である。光モジュール１は、ハウジング１０と、半導体発光素子１２と、サブマウント１４と、キャリア１６と、第１の配線部材１８と、第２の配線部材２０と、駆動素子２２と、配線基板２４と、コリメートレンズ２６と、保持部材２８と、ハーメチックガラス３０と、レンズホルダ３２と、集光レンズ３４と、フェルール３６と、光ファイバ３８と、フェルールホルダ４０と、保持部材４２とを備える。
【００１９】
ハウジング１０は、上壁部１０ａと、一対の側壁部１０ｂと、後壁部１０ｄと、前壁部１０ｆと、底壁部を有しており、これらの壁部によって半導体発光素子１２等の部品を収容するための収容空間を形成している。一対の側壁部１０ｂには、複数のリード端子１０ｃが設けられており、後壁部１０ｄには複数のリード端子１０ｅが設けられている。前壁部には、孔１０ｇが設けられている。
【００２０】
ハウジング１０の収容空間には、半導体発光素子１２が収容されている。半導体発光素子１２は、サブマウント１４に搭載されている。サブマウント１４には絶縁性の部材を用いることができる。サブマウント１４を構成する材料としては、例えば、ＡｌＮといった熱伝導性の良い材料が例示される。サブマウント１４は、第１の面１４ａと、第１の面１４ａに対向する第２の面１４ｂを有している。第１の面１４ａ及び第２の面１４ｂには、金属膜が設けられている。かかる金属膜は、例えば、サブマウント１４にＡｕを蒸着することによって形成される。半導体発光素子１２は、第１の面１４ａにＡｕＳｎ等のダイボンド材を介して接合されている。
【００２１】
サブマウント１４は、キャリア１６の搭載面１６ａに搭載されている。キャリア１６は、熱伝導率の良い導電性の部材によって構成される。キャリア１６を構成する材料には、例えばＣｕＷが用いられる。キャリア１６の搭載面１６ａには、所定軸Ｘに沿って、第１の領域１６ｂ、第２の領域１６ｃ、第３の領域１６ｄが設けられている。半導体発光素子１２を搭載したサブマウント１４は、第２の領域１６ｃに配設されており、搭載面１６ａと第２の面１４ｂがＡｕＳｎといったダイボンド材によって接合されている。半導体発光素子１２は、光出射面と光出射面に対向する光反射面とを有しており、光出射面と光反射面とが所定軸Ｘに交差するように、サブマウント１４を介して搭載面１６ａに搭載されている。
【００２２】
搭載面１６ａにおいて、所定軸Ｘに沿う方向に延びるサブマウント１４の一対の縁に沿うそれぞれの領域には、第１の配線部材１８と、第２の配線部材２０とが分配されて搭載されている。
【００２３】
第１の配線部材１８は、絶縁性の部材である。第１の配線部材１８を構成する材料としては、例えば、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３を用いることができる。図２は、第１の配線部材１８の斜視図である。第１の配線部材１８は、第１の面１８ａと、第２の面１８ｂとを有している。第１の面１８ａには金属膜１８ｃが設けられており、第２の面１８ｂには金属膜１８ｄが設けられている。金属膜１８ｄは第２の面１８ｂの一面に設けられている。金属膜１８ｃは、所定形状にパターニングされている。金属膜１８ｃは、例えば、図２に示すように、十字形状のパターンとすることができる。金属膜１８ｃ及び１８ｄは、例えばＡｕを蒸着することによって形成される。第１の配線部材１８は、第２の面１８ｂに設けられた金属膜１８ｄが搭載面１６ａにＡｕＳｎといったダイボンド材を介して接合されることによって、搭載面１６ａに固定されている。
【００２４】
第２の配線部材２０は、導電性の部材である。第２の配線部材２０を構成する材料としては、例えばＣｕＷを用いることができる。第２の配線部材２０は、ワイヤ４４を介して半導体発光素子１２の一電極と電気的に接続されている。第２の配線部材２０を設けることによって、半導体発光素子１２の一電極から配線を引き出すためのワイヤ４４の長さを短くし、低いインダクタンスで半導体発光素子１２の一電極と搭載面１６ａとを電気的に接続することができるので、光モジュール１は半導体発光素子１２を高速に動作させることが可能とされている。
【００２５】
搭載面１６ａの第３の領域１６ｄには、半導体発光素子１２に駆動信号を与えるための駆動素子２２が搭載されている。駆動素子２２と第２の配線部材２０とはワイヤ４６により結線されており、これによって半導体発光素子１２の一電極と駆動素子２２とが電気的に接続される。また、駆動素子２２とサブマウント１４の第１の面１４ａの金属膜とはワイヤ４８により結線されており、これによって半導体発光素子１２の他電極と駆動素子２２とが電気的に接続される。
【００２６】
駆動素子２２は、配線基板２４と電気的に接続される。配線基板２４は、ハウジング１０に収容されている。配線基板２４は、高周波入力ライン２４ａと２４ｂとを有しており、高周波入力ライン２４ａ及び２４ｂは、ワイヤ５０によって駆動素子２２にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２７】
搭載面１６ａの第１の領域１６ｂには、コリメートレンズ２６が載置されている。コリメートレンズ２６は、半導体発光素子１２の光出射面と光学的に結合されている。
【００２８】
ハウジング１０の孔１０ｇを囲むように、保持部材２８が取り付けられている。保持部材２８は、ハーメチックガラス３０を保持している。保持部材２８の一端には、レンズホルダ３２が接合されている。レンズホルダ３２は、集光レンズ３４を保持している。集光レンズ３４は、コリメートレンズ２６と光学的に結合されており、半導体発光素子１２の光出射面からの光は、コリメートレンズ２６及び集光レンズ３４を介して、光ファイバ３８の一端面に集光される。
【００２９】
光ファイバ３８は、フェルール３６によって一部が覆われており、フェルール３６はフェルールホルダ４０によって覆われている。フェルールホルダ４０の一端は、レンズホルダ３２の一端と接合されている。上記の保持部材２８、レンズホルダ３２、及びフェルールホルダ４０は、保持部材４２によって覆われている。
【００３０】
以下、第１実施形態にかかる光モジュール１の製造方法について説明する。かかる製造方法においては、まず、キャリア１６の斜視図である図３に示すように、キャリア１６の第２の領域１６ｃに半導体発光素子１２を搭載したサブマウント１４が搭載される。また、搭載面１６ａ上に、第１の配線部材１８と、２の配線部材２０とが搭載される。半導体発光素子１２、第１の配線部材１８、及び第２の配線部材２０は、キャリア１６の周縁形状をリファレンスとした画像認識によって、精度良く搭載面１６ａに配設される。
【００３１】
図４は、キャリア１６の斜視図であり、半導体発光素子１２が第１の配線部材１８、第２の配線部材２０のそれぞれにワイヤによって結線された状態を示す。次の工程においては、図４に示すように、半導体発光素子１２の一電極と第２の配線部材２０とがワイヤ４４によって結線される。また、サブマウント１４の第１の面１４ａの金属膜と第１の配線部材１８の金属膜１８ｃとがワイヤ５２によって結線される。
【００３２】
図５（ａ）は、キャリア１６の斜視図であり、半導体発光素子１２が通電されている状態を示している。次の工程においては、図５（ａ）に示すように、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６を用いて、半導体発光素子１２に電流を供給して、半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。かかる工程においては、第１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が第２の配線部材２０に当てられる。なお、図５（ｂ）に示すように、第２のプローブ５６は、第２の配線部材２０と同電位のキャリア１６に当てられても良い。
【００３３】
第１の配線部材１８と第２の配線部材２０の位置は、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとした画像認識によって認識され、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６は、高精度に位置決めされる。第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６によって半導体発光素子１２に電流を供給しつつ、半導体発光素子１２が所定の特性を満たすか否かによって半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。かかるスクリーニングの方法によれば、第１のプローブ５４を第１の配線部材１８に、第２のプローブ５６を第２の配線部材２０に当てることによって、ハウジング１０に組み込む前に半導体発光素子１２へ容易に電流を供給することができるので、半導体発光素子１２をハウジング１０に組み込む前に半導体発光素子１２の不良を検出することができる。
【００３４】
半導体発光素子１２のスクリーニングは、高温度（例えば８５℃）、大電流（例えば１２０ｍＡ）の高負荷を与えることによって行われる場合があるが、図１に示すように組み立てられた状態の光モジュール１では、かかる高負荷に駆動素子２２が耐性を有しない。図５に示すように、キャリア１６をハウジング１０に組み込む前の状態であれば、半導体発光素子１２に上記した高負荷を与えることが可能となる。
【００３５】
図６は、図４に示すキャリア１６をハウジング１０に組み込んだ状態を示す斜視図であり、半導体発光素子１２のスクリーニングを経たキャリア１６が、ハウジング１０に組み込まれた状態を示す。
【００３６】
図７は、キャリア１６が組み込まれたハウジング１０の斜視図であり、駆動素子２２がキャリア１６に搭載された状態を示している。この工程においては、駆動素子２２が、キャリア１６の第３の領域１６ｄに搭載される。第３の領域１６ｄは、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとする画像認識によって認識することができ、駆動素子を第３の領域１６ｄにおいて半導体発光素子１２に近づけて高精度に配設することができる。半導体発光素子１２を高速動作させる為には、駆動素子２２を半導体発光素子１２に近づける必要があるが、本製造方法によれば、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとする画像認識に基づいて、駆動素子２２を半導体発光素子１２に高精度に近づけることができる。
【００３７】
この工程においては、図７に示すように、第２の配線部材２０と駆動素子２２とがワイヤ４６によって結線され、サブマウント１４の第１の面１４ａの金属膜と駆動素子２２とがワイヤ４８によって結線される。また、駆動素子２２と配線基板２４の高周波入力ライン２４ａ及び２４ｂとが、ワイヤ５０によって結線される。
【００３８】
図８は、キャリア１６が組み込まれたハウジング１０の斜視図であり、コリメートレンズ２６の調芯が行われる状態を示している。この工程においては、コリメートレンズ２６がキャリア１６の第１の領域１６ｂに搭載され、コリメートレンズ２６と半導体発光素子１２の光出射面とが光学的に結合される。第１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が第２の配線部材２０に当てられることによって、半導体発光素子１２に電流が供給される。上述した半導体発光素子１２のスクリーニングと同様に、第１の配線部材１８と第２の配線部材２０とは、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとした画像認識によって位置が認識され、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６が位置決めされる。
【００３９】
第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６によって電流が供給され、半導体発光素子１２の光出射面から光が発せられる。この光をファイバ３８の他端部において観察することによって、コリメートレンズ２６の調芯が行われる。
【００４０】
駆動素子２２から半導体発光素子１２に電流を供給して、コリメートレンズ２６の調芯を行うと、駆動素子２２の発熱によって半導体発光素子１２の温度が上昇する結果、半導体発光素子１２からの光のファーフィールドパターンが変動するため、コリメートレンズ２６の調芯を精度良く行えない。本製造方法によれば、駆動素子２２から半導体発光素子１２に電流を供給せず、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６によって半導体発光素子１２に電流を供給するので、半導体発光素子１２は高温に曝されない。したがって、半導体発光素子１２から安定したファーフィルールドパターンの光を得ることができるので、コリメートレンズ２６の調芯を精度良く行うことができる。
【００４１】
コリメートレンズ２６の調芯を経た後、第１の配線部材１８とサブマウント１４とを結ぶワイヤ５２が切断される。ワイヤ５２が切断されることによって、第１の配線部材１８による寄生容量が削減される。そして、ハウジング１０の上壁部１０ａが取り付けられることによって、図１に示す光モジュール１が製造される。
【００４２】
以下、第２実施形態にかかる光モジュール２について説明する。図９は、光モジュール２を一部破断して示す斜視図である。光モジュール２は、ハウジング１０と、半導体発光素子１２と、サブマウント１５と、キャリア１６と、第１の配線部材１８と、第２の配線部材２１と、駆動素子２２と、配線基板２４と、コリメートレンズ２６と、保持部材２８と、ハーメチックガラス３０と、レンズホルダ３２と、集光レンズ３４と、フェルール３６と、光ファイバ３８と、フェルールホルダ４０と、保持部材４２とを備える。以下、第１実施形態の光モジュール１の構成と異なる構成についてのみ説明する。
【００４３】
光モジュール２では、半導体発光素子１２を搭載するサブマウントとして、導電性のサブマウント１５が用いられている。サブマウント１５は、キャリア１６の搭載面１６ａにＡｕＳｎといったダイボンド材を介して接合されている。サブマウント１５を構成する材料としては、例えばＣｕＷといった熱伝導性に優れる材料を用いることができる。サブマウント１５は駆動素子２２にワイヤ６２によって結線されており、半導体発光素子１２の一電極はサブマウント１５及びワイヤ６２を介して駆動素子２２と電気的に接続される。
【００４４】
第２の配線部材２１は、絶縁性の部材である。第２の配線部材２１を構成する材料としては、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３といった材料を用いることができる。第２の配線部材２１は、第１の面２１ａと第２の面２１ｂとを有する。第１の面２１ａと第２の面２１ｂには金属膜が設けられている。かかる金属膜は、例えば、Ａｕを蒸着することによって形成される。
【００４５】
サブマウント１５と絶縁された半導体発光素子１２の他電極は、第２の配線部材２１の第１の面２１ａの金属膜とワイヤ５８によって結線されている。第２の配線部材２１の第１の面２１ａの金属膜は、ワイヤ６０によって駆動素子２２に結線されている。半導体発光素子１２の他電極は、ワイヤ５８、第２の配線部材２１、及びワイヤ６０を介して、駆動素子２２に電気的に接続される。
【００４６】
次に、光モジュール２の製造方法について説明する。この製造方法についても、第１実施形態の光モジュール１の製造方法と異なる点を説明する。本製造方法においては、キャリア１６の斜視図である図１０に示すように、半導体発光素子１２、第１の配線部材１８、及び第２の配線部材２１の配線方法が異なる。本製造方法では、半導体発光素子１２を搭載したサブマウント１５、第１の配線部材１８、及び第２の配線部材２１がキャリア１６の搭載面１６ａに搭載される。サブマウント１５と電気的に絶縁された半導体発光素子１２の一電極と第２の配線部材２１の第１の面１９ａの金属膜とが、ワイヤ５８によって結線される。第２の配線部材２１の第１の面１９ａの金属膜と第１の配線部材１８の金属膜１８ｃとが、ワイヤ６４によって結線される。サブマウント１５と電気的に絶縁された半導体発光素子１２の一電極は、ワイヤ５８、第２の配線部材２１、ワイヤ６４を介して、第１の配線部材１８に電気的に接続される。一方、サブマウント１５と電気的に接続された半導体発光素子１２の他電極は、サブマウント１５を介してキャリア１６と電気的に接続されている。
【００４７】
半導体発光素子１２のスクリーニングを行う工程においては、図１１に示すように、第１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が、搭載面１６ａに当てられることによって、半導体発光素子１２に電流が供給される。
【００４８】
また、コリメートレンズ２６の調芯を行う工程においても、１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が、搭載面１６ａに当てられる。
【００４９】
コリメートレンズ２６の調芯を経た後、ワイヤ６４が切断され、ハウジング１０に上壁部１０ａが取り付けられることによって、図９に示すように光モジュール２が製造される。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法と、かかる製造方法によって製造される光モジュールが提供される。かかる発明によれば、半導体発光素子の不良がハウジングに組み込む前に発見されるので、光モジュールに組み込まれる部品の無駄を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる光モジュールを一部破断して示す斜視図である。
【図２】図２は、第１の配線部材の斜視図である。
【図３】図３は、キャリアの斜視図であり、サブマウント、ワイヤリングポスト、及び中継基板がキャリアに搭載された状態を示す。
【図４】図４は、キャリアの斜視図であり、半導体発光素子がワイヤリングポスト及び中継基板にワイヤによって結線された状態を示す。
【図５】図５（ａ）は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図であり、第２のプローブが第２の配線部材に当てられた状態を示している。
図５（ｂ）は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図であり、第２のプローブがキャリアに当てられた状態を示している。
【図６】図６は、図４に示すキャリアをハウジングに組み込んだ状態を示す斜視図である。
【図７】図７は、キャリアが組み込まれたハウジングの斜視図であり、駆動素子がキャリアに搭載された状態を示している。
【図８】図８は、キャリアが組み込まれたハウジングの斜視図であり、コリメートレンズの調芯が行われる状態を示している。
【図９】図９は、第２実施形態の光モジュールを一部破断して示す斜視図である。
【図１０】図１０は、キャリアの斜視図であり、半導体発光素子、ワイヤリングポスト及び中継基板がワイヤによって結線された状態を示す。
【図１１】図１１は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図である。
【符号の説明】
１…光モジュール、１０…ハウジング、１２…半導体発光素子、１４…サブマウント、１６…キャリア、１６ａ…搭載面、１６ｂ…第１の領域、１６ｃ…第２の領域、１６ｄ…第３の領域、１８…第１の配線部材、１８ｃ…金属膜（第１の配線部材）、２０…第２の配線部材、２２…駆動素子、２４…配線基板、２６…コリメートレンズ、５４…第１のプローブ、５６…第２のプローブ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールの製造方法、及び光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光モジュールの一種として、半導体発光素子と、半導体発光素子を搭載するためのサブマウントと、サブマウントを搭載するキャリアとを有し、半導体発光素子、サブマウント、及びキャリアがハウジングによって覆われ、半導体発光素子に電気的に接続されたリード端子がハウジングの外側へ突出された構造の光モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。かかる光モジュールでは、半導体発光素子に電流を供給するためのプローブを直接、半導体発光素子に接触させることは困難であるため、ハウジングに半導体発光素子等が組み込まれ、リード端子と半導体発光素子とが電気的に接続された後に、リード端子から電流が供給されることによって半導体発光素子のスクリーニングが行われる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２２３０２５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した光モジュールでは、ハウジングに半導体発光素子が組み込まれた後に、そのスクリーニングによって不良が発見されても、半導体発光素子の不良であるにもかかわらず、ハウジングに組み込まれた全部品が無駄になるという問題点がある。
【０００５】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の光モジュールの製造方法は、第１の搭載部材の導電性の搭載面に、一電極と他電極とを有する半導体発光素子を搭載した第２の搭載部材と、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第１の配線部材とを搭載する第１の工程と、半導体発光素子の一電極と第１の配線部材の接続面とを電気的に接続する第２の工程と、第１のプローブを第１の配線部材の接続面に接触させ、第２のプローブを搭載面に接触させて、半導体発光素子に第１のプローブ及び第２のプローブを介して電流を供給し、半導体発光素子の所定の動作確認を行う第３の工程とを備えることを特徴としている。
【０００７】
かかる光モジュールの製造方法によれば、第１のプローブを第１の配線部材に接触させ、第２のプローブを搭載面に接触させることによって半導体発光素子に電流を供給することができるので、第１の搭載部材に半導体発光素子を搭載した時点、すなわち、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に、半導体発光素子のスクリーニングを行うことができる。
【０００８】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、上記の所定の動作確認後に、第１の配線部材と半導体発光素子の電気的な接続を切断する第４の工程を更に備えることを特徴とすることが好適である。
【０００９】
かかる製造方法によれば、第１の配線部材と半導体発光素子の電気的な接続を切断することによって、第１の配線部材による寄生容量を削減することができる。したがって、この製造方法によって製造される光モジュールは、半導体発光素子を高速に動作させることが可能とされる。
【００１０】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、第２の搭載部材は絶縁性材料によって構成されており、第１の工程は、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第２の配線部材を第１の搭載部材の搭載面に搭載する工程を更に含み、第２の工程は、半導体発光素子の他電極と第２の配線部材を接続する工程を更に含み、第３の工程は、第２のプローブを前記第２の配線部材に接触させ、第１のプローブ、第１の配線部材、第２の配線部材、及び第２のプローブを介して半導体発光素子に電流を供給し、半導体発光素子の所定の動作確認を行うことを特徴としても良い。
【００１１】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、第１の配線部材の搭載面は所定パターンの金属膜であり、第１及び第２のプローブは所定パターンに基づいて位置決めされることを特徴とすることが好ましい。
【００１２】
この発明によれば、所定パターンとされた金属膜をリファレンスとすることによって、第１及び第２のプローブを精度良く位置決めすることができる。
【００１３】
また、本発明の光モジュールの製造方法においては、半導体発光素子は所定軸に交差する光出射面と光反射面とを有し、搭載面は、所定軸線に沿って順に並ぶ第１、第２、及び第３の領域を有し、半導体発光素子は、第１の領域に光出射面を向けて第２の領域に搭載されており、所定の動作確認を経た半導体発光素子を搭載している第１の搭載部材をハウジングに収容する工程と、半導体発光素子を駆動するための駆動素子を上記の所定パターンに基づいて第３の領域に搭載する工程とを更に備えることが好ましい。
【００１４】
半導体発光素子を高速に動作させるためには、駆動素子を半導体発光素子に近づけて配設する必要がある。かかる発明によれば、上記の所定パターンをリファレンスとすることによって駆動素子を高精度に位置決めすることがができるので、駆動素子を半導体発光素子に近づけて第３の領域に配設することができる。
【００１５】
また、第１及び第２のプローブによって半導体発光素子に電流を供給し、光出射面と光学的に結合すべきレンズを、半導体発光素子の光出射面から出射されレンズを通して観察される光に基づいて搭載面の第１の領域に配置する工程を更に備えることを特徴とすることが好ましい。
【００１６】
駆動素子を介して半導体発光素子に電流を供給することによって半導体発光素子を発光させてレンズの調芯を行うと、駆動素子の発熱によって半導体発光素子の光出力が変動するため、精度良くレンズの調芯を行うことができない。かかる発明によれば、駆動素子を介することなく第１及び第２のプローブから半導体発光素子に電流を供給するので、半導体発光素子の光出力を安定させることができる。その結果、レンズの調芯を精度良く行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態にかかる光モジュール１について添付の図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態に関する説明においては、説明の理解を容易にするため、各図面において同一又は相当の部分には同一の符号を附すこととする。
【００１８】
図１は、光モジュール１を一部破断して示す斜視図である。光モジュール１は、ハウジング１０と、半導体発光素子１２と、サブマウント１４と、キャリア１６と、第１の配線部材１８と、第２の配線部材２０と、駆動素子２２と、配線基板２４と、コリメートレンズ２６と、保持部材２８と、ハーメチックガラス３０と、レンズホルダ３２と、集光レンズ３４と、フェルール３６と、光ファイバ３８と、フェルールホルダ４０と、保持部材４２とを備える。
【００１９】
ハウジング１０は、上壁部１０ａと、一対の側壁部１０ｂと、後壁部１０ｄと、前壁部１０ｆと、底壁部を有しており、これらの壁部によって半導体発光素子１２等の部品を収容するための収容空間を形成している。一対の側壁部１０ｂには、複数のリード端子１０ｃが設けられており、後壁部１０ｄには複数のリード端子１０ｅが設けられている。前壁部には、孔１０ｇが設けられている。
【００２０】
ハウジング１０の収容空間には、半導体発光素子１２が収容されている。半導体発光素子１２は、サブマウント１４に搭載されている。サブマウント１４には絶縁性の部材を用いることができる。サブマウント１４を構成する材料としては、例えば、ＡｌＮといった熱伝導性の良い材料が例示される。サブマウント１４は、第１の面１４ａと、第１の面１４ａに対向する第２の面１４ｂを有している。第１の面１４ａ及び第２の面１４ｂには、金属膜が設けられている。かかる金属膜は、例えば、サブマウント１４にＡｕを蒸着することによって形成される。半導体発光素子１２は、第１の面１４ａにＡｕＳｎ等のダイボンド材を介して接合されている。
【００２１】
サブマウント１４は、キャリア１６の搭載面１６ａに搭載されている。キャリア１６は、熱伝導率の良い導電性の部材によって構成される。キャリア１６を構成する材料には、例えばＣｕＷが用いられる。キャリア１６の搭載面１６ａには、所定軸Ｘに沿って、第１の領域１６ｂ、第２の領域１６ｃ、第３の領域１６ｄが設けられている。半導体発光素子１２を搭載したサブマウント１４は、第２の領域１６ｃに配設されており、搭載面１６ａと第２の面１４ｂがＡｕＳｎといったダイボンド材によって接合されている。半導体発光素子１２は、光出射面と光出射面に対向する光反射面とを有しており、光出射面と光反射面とが所定軸Ｘに交差するように、サブマウント１４を介して搭載面１６ａに搭載されている。
【００２２】
搭載面１６ａにおいて、所定軸Ｘに沿う方向に延びるサブマウント１４の一対の縁に沿うそれぞれの領域には、第１の配線部材１８と、第２の配線部材２０とが分配されて搭載されている。
【００２３】
第１の配線部材１８は、絶縁性の部材である。第１の配線部材１８を構成する材料としては、例えば、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３を用いることができる。図２は、第１の配線部材１８の斜視図である。第１の配線部材１８は、第１の面１８ａと、第２の面１８ｂとを有している。第１の面１８ａには金属膜１８ｃが設けられており、第２の面１８ｂには金属膜１８ｄが設けられている。金属膜１８ｄは第２の面１８ｂの一面に設けられている。金属膜１８ｃは、所定形状にパターニングされている。金属膜１８ｃは、例えば、図２に示すように、十字形状のパターンとすることができる。金属膜１８ｃ及び１８ｄは、例えばＡｕを蒸着することによって形成される。第１の配線部材１８は、第２の面１８ｂに設けられた金属膜１８ｄが搭載面１６ａにＡｕＳｎといったダイボンド材を介して接合されることによって、搭載面１６ａに固定されている。
【００２４】
第２の配線部材２０は、導電性の部材である。第２の配線部材２０を構成する材料としては、例えばＣｕＷを用いることができる。第２の配線部材２０は、ワイヤ４４を介して半導体発光素子１２の一電極と電気的に接続されている。第２の配線部材２０を設けることによって、半導体発光素子１２の一電極から配線を引き出すためのワイヤ４４の長さを短くし、低いインダクタンスで半導体発光素子１２の一電極と搭載面１６ａとを電気的に接続することができるので、光モジュール１は半導体発光素子１２を高速に動作させることが可能とされている。
【００２５】
搭載面１６ａの第３の領域１６ｄには、半導体発光素子１２に駆動信号を与えるための駆動素子２２が搭載されている。駆動素子２２と第２の配線部材２０とはワイヤ４６により結線されており、これによって半導体発光素子１２の一電極と駆動素子２２とが電気的に接続される。また、駆動素子２２とサブマウント１４の第１の面１４ａの金属膜とはワイヤ４８により結線されており、これによって半導体発光素子１２の他電極と駆動素子２２とが電気的に接続される。
【００２６】
駆動素子２２は、配線基板２４と電気的に接続される。配線基板２４は、ハウジング１０に収容されている。配線基板２４は、高周波入力ライン２４ａと２４ｂとを有しており、高周波入力ライン２４ａ及び２４ｂは、ワイヤ５０によって駆動素子２２にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２７】
搭載面１６ａの第１の領域１６ｂには、コリメートレンズ２６が載置されている。コリメートレンズ２６は、半導体発光素子１２の光出射面と光学的に結合されている。
【００２８】
ハウジング１０の孔１０ｇを囲むように、保持部材２８が取り付けられている。保持部材２８は、ハーメチックガラス３０を保持している。保持部材２８の一端には、レンズホルダ３２が接合されている。レンズホルダ３２は、集光レンズ３４を保持している。集光レンズ３４は、コリメートレンズ２６と光学的に結合されており、半導体発光素子１２の光出射面からの光は、コリメートレンズ２６及び集光レンズ３４を介して、光ファイバ３８の一端面に集光される。
【００２９】
光ファイバ３８は、フェルール３６によって一部が覆われており、フェルール３６はフェルールホルダ４０によって覆われている。フェルールホルダ４０の一端は、レンズホルダ３２の一端と接合されている。上記の保持部材２８、レンズホルダ３２、及びフェルールホルダ４０は、保持部材４２によって覆われている。
【００３０】
以下、第１実施形態にかかる光モジュール１の製造方法について説明する。かかる製造方法においては、まず、キャリア１６の斜視図である図３に示すように、キャリア１６の第２の領域１６ｃに半導体発光素子１２を搭載したサブマウント１４が搭載される。また、搭載面１６ａ上に、第１の配線部材１８と、２の配線部材２０とが搭載される。半導体発光素子１２、第１の配線部材１８、及び第２の配線部材２０は、キャリア１６の周縁形状をリファレンスとした画像認識によって、精度良く搭載面１６ａに配設される。
【００３１】
図４は、キャリア１６の斜視図であり、半導体発光素子１２が第１の配線部材１８、第２の配線部材２０のそれぞれにワイヤによって結線された状態を示す。次の工程においては、図４に示すように、半導体発光素子１２の一電極と第２の配線部材２０とがワイヤ４４によって結線される。また、サブマウント１４の第１の面１４ａの金属膜と第１の配線部材１８の金属膜１８ｃとがワイヤ５２によって結線される。
【００３２】
図５（ａ）は、キャリア１６の斜視図であり、半導体発光素子１２が通電されている状態を示している。次の工程においては、図５（ａ）に示すように、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６を用いて、半導体発光素子１２に電流を供給して、半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。かかる工程においては、第１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が第２の配線部材２０に当てられる。なお、図５（ｂ）に示すように、第２のプローブ５６は、第２の配線部材２０と同電位のキャリア１６に当てられても良い。
【００３３】
第１の配線部材１８と第２の配線部材２０の位置は、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとした画像認識によって認識され、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６は、高精度に位置決めされる。第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６によって半導体発光素子１２に電流を供給しつつ、半導体発光素子１２が所定の特性を満たすか否かによって半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。かかるスクリーニングの方法によれば、第１のプローブ５４を第１の配線部材１８に、第２のプローブ５６を第２の配線部材２０に当てることによって、ハウジング１０に組み込む前に半導体発光素子１２へ容易に電流を供給することができるので、半導体発光素子１２をハウジング１０に組み込む前に半導体発光素子１２の不良を検出することができる。
【００３４】
半導体発光素子１２のスクリーニングは、高温度（例えば８５℃）、大電流（例えば１２０ｍＡ）の高負荷を与えることによって行われる場合があるが、図１に示すように組み立てられた状態の光モジュール１では、かかる高負荷に駆動素子２２が耐性を有しない。図５に示すように、キャリア１６をハウジング１０に組み込む前の状態であれば、半導体発光素子１２に上記した高負荷を与えることが可能となる。
【００３５】
図６は、図４に示すキャリア１６をハウジング１０に組み込んだ状態を示す斜視図であり、半導体発光素子１２のスクリーニングを経たキャリア１６が、ハウジング１０に組み込まれた状態を示す。
【００３６】
図７は、キャリア１６が組み込まれたハウジング１０の斜視図であり、駆動素子２２がキャリア１６に搭載された状態を示している。この工程においては、駆動素子２２が、キャリア１６の第３の領域１６ｄに搭載される。第３の領域１６ｄは、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとする画像認識によって認識することができ、駆動素子を第３の領域１６ｄにおいて半導体発光素子１２に近づけて高精度に配設することができる。半導体発光素子１２を高速動作させる為には、駆動素子２２を半導体発光素子１２に近づける必要があるが、本製造方法によれば、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとする画像認識に基づいて、駆動素子２２を半導体発光素子１２に高精度に近づけることができる。
【００３７】
この工程においては、図７に示すように、第２の配線部材２０と駆動素子２２とがワイヤ４６によって結線され、サブマウント１４の第１の面１４ａの金属膜と駆動素子２２とがワイヤ４８によって結線される。また、駆動素子２２と配線基板２４の高周波入力ライン２４ａ及び２４ｂとが、ワイヤ５０によって結線される。
【００３８】
図８は、キャリア１６が組み込まれたハウジング１０の斜視図であり、コリメートレンズ２６の調芯が行われる状態を示している。この工程においては、コリメートレンズ２６がキャリア１６の第１の領域１６ｂに搭載され、コリメートレンズ２６と半導体発光素子１２の光出射面とが光学的に結合される。第１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が第２の配線部材２０に当てられることによって、半導体発光素子１２に電流が供給される。上述した半導体発光素子１２のスクリーニングと同様に、第１の配線部材１８と第２の配線部材２０とは、第１の配線部材１８の金属膜１８ｃのパターンをリファレンスとした画像認識によって位置が認識され、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６が位置決めされる。
【００３９】
第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６によって電流が供給され、半導体発光素子１２の光出射面から光が発せられる。この光をファイバ３８の他端部において観察することによって、コリメートレンズ２６の調芯が行われる。
【００４０】
駆動素子２２から半導体発光素子１２に電流を供給して、コリメートレンズ２６の調芯を行うと、駆動素子２２の発熱によって半導体発光素子１２の温度が上昇する結果、半導体発光素子１２からの光のファーフィールドパターンが変動するため、コリメートレンズ２６の調芯を精度良く行えない。本製造方法によれば、駆動素子２２から半導体発光素子１２に電流を供給せず、第１のプローブ５４及び第２のプローブ５６によって半導体発光素子１２に電流を供給するので、半導体発光素子１２は高温に曝されない。したがって、半導体発光素子１２から安定したファーフィルールドパターンの光を得ることができるので、コリメートレンズ２６の調芯を精度良く行うことができる。
【００４１】
コリメートレンズ２６の調芯を経た後、第１の配線部材１８とサブマウント１４とを結ぶワイヤ５２が切断される。ワイヤ５２が切断されることによって、第１の配線部材１８による寄生容量が削減される。そして、ハウジング１０の上壁部１０ａが取り付けられることによって、図１に示す光モジュール１が製造される。
【００４２】
以下、第２実施形態にかかる光モジュール２について説明する。図９は、光モジュール２を一部破断して示す斜視図である。光モジュール２は、ハウジング１０と、半導体発光素子１２と、サブマウント１５と、キャリア１６と、第１の配線部材１８と、第２の配線部材２１と、駆動素子２２と、配線基板２４と、コリメートレンズ２６と、保持部材２８と、ハーメチックガラス３０と、レンズホルダ３２と、集光レンズ３４と、フェルール３６と、光ファイバ３８と、フェルールホルダ４０と、保持部材４２とを備える。以下、第１実施形態の光モジュール１の構成と異なる構成についてのみ説明する。
【００４３】
光モジュール２では、半導体発光素子１２を搭載するサブマウントとして、導電性のサブマウント１５が用いられている。サブマウント１５は、キャリア１６の搭載面１６ａにＡｕＳｎといったダイボンド材を介して接合されている。サブマウント１５を構成する材料としては、例えばＣｕＷといった熱伝導性に優れる材料を用いることができる。サブマウント１５は駆動素子２２にワイヤ６２によって結線されており、半導体発光素子１２の一電極はサブマウント１５及びワイヤ６２を介して駆動素子２２と電気的に接続される。
【００４４】
第２の配線部材２１は、絶縁性の部材である。第２の配線部材２１を構成する材料としては、ＡｌＮやＡｌ２Ｏ３といった材料を用いることができる。第２の配線部材２１は、第１の面２１ａと第２の面２１ｂとを有する。第１の面２１ａと第２の面２１ｂには金属膜が設けられている。かかる金属膜は、例えば、Ａｕを蒸着することによって形成される。
【００４５】
サブマウント１５と絶縁された半導体発光素子１２の他電極は、第２の配線部材２１の第１の面２１ａの金属膜とワイヤ５８によって結線されている。第２の配線部材２１の第１の面２１ａの金属膜は、ワイヤ６０によって駆動素子２２に結線されている。半導体発光素子１２の他電極は、ワイヤ５８、第２の配線部材２１、及びワイヤ６０を介して、駆動素子２２に電気的に接続される。
【００４６】
次に、光モジュール２の製造方法について説明する。この製造方法についても、第１実施形態の光モジュール１の製造方法と異なる点を説明する。本製造方法においては、キャリア１６の斜視図である図１０に示すように、半導体発光素子１２、第１の配線部材１８、及び第２の配線部材２１の配線方法が異なる。本製造方法では、半導体発光素子１２を搭載したサブマウント１５、第１の配線部材１８、及び第２の配線部材２１がキャリア１６の搭載面１６ａに搭載される。サブマウント１５と電気的に絶縁された半導体発光素子１２の一電極と第２の配線部材２１の第１の面１９ａの金属膜とが、ワイヤ５８によって結線される。第２の配線部材２１の第１の面１９ａの金属膜と第１の配線部材１８の金属膜１８ｃとが、ワイヤ６４によって結線される。サブマウント１５と電気的に絶縁された半導体発光素子１２の一電極は、ワイヤ５８、第２の配線部材２１、ワイヤ６４を介して、第１の配線部材１８に電気的に接続される。一方、サブマウント１５と電気的に接続された半導体発光素子１２の他電極は、サブマウント１５を介してキャリア１６と電気的に接続されている。
【００４７】
半導体発光素子１２のスクリーニングを行う工程においては、図１１に示すように、第１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が、搭載面１６ａに当てられることによって、半導体発光素子１２に電流が供給される。
【００４８】
また、コリメートレンズ２６の調芯を行う工程においても、１のプローブ５４が第１の配線部材１８の金属膜１８ｃに当てられ、第２のプローブ５６が、搭載面１６ａに当てられる。
【００４９】
コリメートレンズ２６の調芯を経た後、ワイヤ６４が切断され、ハウジング１０に上壁部１０ａが取り付けられることによって、図９に示すように光モジュール２が製造される。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体発光素子をハウジングに組み込む前に半導体発光素子の不良を発見することが可能な光モジュールの製造方法と、かかる製造方法によって製造される光モジュールが提供される。かかる発明によれば、半導体発光素子の不良がハウジングに組み込む前に発見されるので、光モジュールに組み込まれる部品の無駄を最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる光モジュールを一部破断して示す斜視図である。
【図２】図２は、第１の配線部材の斜視図である。
【図３】図３は、キャリアの斜視図であり、サブマウント、ワイヤリングポスト、及び中継基板がキャリアに搭載された状態を示す。
【図４】図４は、キャリアの斜視図であり、半導体発光素子がワイヤリングポスト及び中継基板にワイヤによって結線された状態を示す。
【図５】図５（ａ）は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図であり、第２のプローブが第２の配線部材に当てられた状態を示している。
図５（ｂ）は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図であり、第２のプローブがキャリアに当てられた状態を示している。
【図６】図６は、図４に示すキャリアをハウジングに組み込んだ状態を示す斜視図である。
【図７】図７は、キャリアが組み込まれたハウジングの斜視図であり、駆動素子がキャリアに搭載された状態を示している。
【図８】図８は、キャリアが組み込まれたハウジングの斜視図であり、コリメートレンズの調芯が行われる状態を示している。
【図９】図９は、第２実施形態の光モジュールを一部破断して示す斜視図である。
【図１０】図１０は、キャリアの斜視図であり、半導体発光素子、ワイヤリングポスト及び中継基板がワイヤによって結線された状態を示す。
【図１１】図１１は、半導体発光素子がスクリーニングされている状態のキャリアの斜視図である。
【符号の説明】
１…光モジュール、１０…ハウジング、１２…半導体発光素子、１４…サブマウント、１６…キャリア、１６ａ…搭載面、１６ｂ…第１の領域、１６ｃ…第２の領域、１６ｄ…第３の領域、１８…第１の配線部材、１８ｃ…金属膜（第１の配線部材）、２０…第２の配線部材、２２…駆動素子、２４…配線基板、２６…コリメートレンズ、５４…第１のプローブ、５６…第２のプローブ。
Claims (6)
- 第１の搭載部材の導電性の搭載面に、一電極と他電極とを有する半導体発光素子を搭載した第２の搭載部材と、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第１の配線部材とを搭載する第１の工程と、
前記半導体発光素子の一電極と前記第１の配線部材の接続面とを電気的に接続する第２の工程と、
第１のプローブを前記第１の配線部材の接続面に接触させ、第２のプローブを前記搭載面に接触させて、前記半導体発光素子に該第１のプローブ及び該第２のプローブを介して電流を供給し、該半導体発光素子の所定の動作確認を行う第３の工程とを備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。 - 前記所定の動作確認後に、前記第１の配線部材と前記半導体発光素子の電気的な接続を切断する第４の工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光モジュールの製造方法。
- 前記第２の搭載部材は絶縁性材料によって構成されており、前記第１の工程は、絶縁性材料で構成され導電性の接続面を有する第２の配線部材を前記第１の搭載部材の搭載面に搭載する工程を更に含み、
前記第２の工程は、前記半導体発光素子の他電極と前記第２の配線部材を接続する工程を更に含み、
前記第３の工程は、前記第２のプローブを前記第２の配線部材に接触させ、前記第１のプローブ、前記第１の配線部材、前記第２の配線部材、及び前記第２のプローブを介して前記半導体発光素子に電流を供給し、前記半導体発光素子の所定の動作確認を行うことを特徴とする請求項２に記載の光モジュールの製造方法。 - 前記第１の配線部材の搭載面は所定パターンの金属膜であり、
前記第１及び第２のプローブは前記所定パターンに基づいて位置決めされることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。 - 前記半導体発光素子は所定軸に交差する光出射面と光反射面とを有し、
前記搭載面は、所定軸の方向に沿って順に並ぶ第１、第２、及び第３の領域を有し、
前記半導体発光素子は、前記第１の領域に光出射面を向けて前記第２の領域に搭載されており、
前記所定の動作確認を経た前記半導体発光素子を搭載している前記第１の搭載部材をハウジングに収容する工程と、
前記半導体発光素子を駆動するための駆動素子を前記所定パターンに基づいて前記第３の領域に搭載する工程と
を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の光モジュールの製造方法。 - 前記第１及び第２のプローブによって前記半導体発光素子に電流を供給し、前記光出射面と光学的に結合すべきレンズを、該半導体発光素子の光出射面から出射され該レンズを通して観察される光に基づいて前記搭載面の第１の領域に配置する工程を更に備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光モジュールの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003072041A JP3760923B2 (ja) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | 光モジュールの製造方法 |
| US10/800,003 US20040228587A1 (en) | 2003-03-17 | 2004-03-15 | Method for manufacturing a light-transmitting module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003072041A JP3760923B2 (ja) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | 光モジュールの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004281770A true JP2004281770A (ja) | 2004-10-07 |
| JP3760923B2 JP3760923B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=33288340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003072041A Expired - Fee Related JP3760923B2 (ja) | 2003-03-17 | 2003-03-17 | 光モジュールの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040228587A1 (ja) |
| JP (1) | JP3760923B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2952944B1 (en) * | 2013-01-29 | 2019-01-09 | Kyocera Corporation | Package for housing optical semiconductor element and optical semiconductor device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6155724A (en) * | 1997-03-04 | 2000-12-05 | Hamamatsu Photonics Kk | Light transmitting module for optical communication and light transmitting unit thereof |
| US6160834A (en) * | 1998-11-14 | 2000-12-12 | Cielo Communications, Inc. | Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies |
| JP3770115B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-04-26 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュール |
| JP3822080B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-09-13 | 富士通株式会社 | レセプタクル型光モジュール及びその生産方法 |
| US6485198B1 (en) * | 2001-12-12 | 2002-11-26 | Industrial Technology Research Institute | Optoelectronic transceiver having integrated optical and electronic components |
-
2003
- 2003-03-17 JP JP2003072041A patent/JP3760923B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-15 US US10/800,003 patent/US20040228587A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9243761B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-01-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
| US9644805B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-05-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040228587A1 (en) | 2004-11-18 |
| JP3760923B2 (ja) | 2006-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060102 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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