JPH10125997A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザがパッケージの外部の温度及び
温度変化の影響を受けることなく、変調信号入力ライン
に対応するグランドラインの長さを短くする。 【解決手段】 パッケージ１０１の内部には、半導体レ
ーザ１０５を保持したレーザマウント１０４が収納され
ている。パッケージ１０１の側壁に設けられた第１の絶
縁板１３０及び第２の絶縁板１３１にはセラミックより
なる架橋板１１０が架設されている。架橋板１１０の表
面にはマイクロストリップライン１１１が形成され、マ
イクロストリップライン１１１の一端部と半導体レーザ
１０５とはレーザ用ボンディングワイヤ１１２により接
続されており、マイクロストリップライン１１１の他端
部と入力用リードパターン１１３の一端部とは入力用ボ
ンディングワイヤ１１４により接続されている。架橋板
１１０の裏面には架橋板導電膜１２２が形成され、架橋
板導電膜１２２の一端部はコンタクトホールを介してグ
ランドパッド１２０に接続され、架橋板導電膜１２２の
他端部は接地用リードパターン１２３に接続されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、直接変調方式の光
ファイバ通信システムの光源として用いられる半導体レ
ーザモジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＡＴＶや移動体通信の分野にお
いては、伝送設備の簡素化及び低コスト化を図るため
に、高周波信号を直接変調信号としての光信号に変換す
る直接変調方式の導入及び実用化が進んでいる。このよ
うな直接変調方式を用いる光ファイバ通信システムの実
用化の進展に伴って、使用される周波数帯域は１０ＧＨ
ｚ以上まで要求されるようになってきており、光源であ
る半導体レーザモジュールに対しても一層の広帯域化が
求められている。

【０００３】以下、従来の半導体レーザモジュールにつ
いて図１３を参照しながら説明する。図１３は従来の半
導体レーザモジュールの平面構造及び変調信号入力時の
回路構成を示している。

【０００４】図１３に示すように、パッケージ１１の底
面にハンダ付けされたペルチェ素子１２の上にレンズマ
ウント１３が載置されている。レンズマウント１３の上
における中央部にはレーザマウント１４がハンダ付けさ
れ、該レーザマウント１４の上に半導体レーザ１５が保
持されている。レンズマウント１３の上における半導体
レーザ１５のレーザ出射方向後方側（図１３における左
側）にはモニタマウント１６がハンダ付けされ、該モニ
タマウント１６の前面にモニタ用受光素子１７が保持さ
れている。レンズマウント１３の上における半導体レー
ザ１５のレーザ出射方向前方側（図１３における右側）
には光アイソレータ１８が保持されている。尚、レンズ
マウント１３の上におけるレーザマウント１４と光アイ
ソレータ１８との間には半導体レーザ１５から出射され
たレーザ光を集光する集光レンズが設けられているが、
図示は省略している。

【０００５】レーザマウント１４の上に形成された変調
信号入力用ボンディングパッド１９とパッケージ１１の
側壁の突出部に形成された金メッキ層よりなる入力用リ
ードパターン２０とは入力用ボンディングワイヤ２１に
より接続され、入力用リードパターン２０はパッケージ
１１の側壁の外部に延びて変調信号入力用リードピン２
２と接続されている。

【０００６】変調信号を生成して変調信号入力用リード
ピン２２に出力する変調信号入力回路２３には、高周波
カット用のインダクタンスコイル２４、ＤＣカット用の
チップコンデンサ２５及び入力インピーダンス整合用の
チップ抵抗２６がそれぞれ接続されている。尚、変調信
号入力用ボンディングパッド１９と半導体レーザ１５と
はレーザ用ボンディングワイヤ２７により接続されてい
る。

【０００７】レンズマウント１３と、パッケージ１１の
側壁の突出部に形成された金メッキ層よりなる接地用リ
ードパターン２８とは接地用ボンディングワイヤ２９に
より接続され、接地用リードパターン２８はパッケージ
１１の外部に延びて接地用リードピン３０と接続されて
いる。

【０００８】以下、前記のように構成された半導体レー
ザモジュールの動作について説明する。

【０００９】高周波カット用のインダクタンスコイル２
４を介して供給される半導体レーザ１５を励起するため
のＤＣ駆動電流と、ＤＣカット用のチップコンデンサ及
び２５入力インピーダンス整合用のチップ抵抗２６を介
して入力される変調信号とは、パッケージ１１の外部に
おいて多重化されて変調信号入力用リードピン２２に入
力される。変調信号入力用リードピン２２に入力された
変調信号は、入力用リードパターン２０、入力用ボンデ
ィングワイヤ２１、変調信号入力用ボンディングパッド
１９及びレーザ用ボンディングワイヤ２７を介して半導
体レーザ１５に伝えられる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前記のように構成され
た従来の半導体レーザモジュールにおいては、以下に説
明するような問題点を有している。

【００１１】まず、第１の問題点について説明する。

【００１２】変調信号入力ラインに対応する第１のグラ
ンドラインは、半導体レーザ１５、レーザマウント１
４、レンズマウント１３、接地用ボンディングワイヤ２
９、接地用リードパターン２８及び接地用リードピン３
０の順に延びているので、第１のグランドラインの電気
長は長くなり、このため、第１のグランドラインには多
数の寄生インダクタンスや寄生コンダクタンスが複雑に
存在する。

【００１３】また、変調信号入力ラインに対応する第２
のグランドラインが、半導体レーザ１５、レーザマウン
ト１４、レンズマウント１３、ペルチェ素子１２、パッ
ケージ１１の底面及び接地用リードピン３０の順に長く
延びており、電気長の長い第２のグランドラインが第１
のグランドラインと並列に存在している。ペルチェ素子
１２の基板が大きなコンデンサ容量をもっているため、
第２のグランドラインが支配的になるが、該第２のグラ
ンドラインは、長い電気長を持つと共に大きな寄生イン
ダクタンスや寄生コンダクタンスを持っているので、周
波数応答特性に共振状ディップが生じるという問題が発
生する。

【００１４】この問題を解決するため、図１４に示すよ
うに、パッケージ１１の側壁に取り付けられた絶縁板３
２の上に出力用リードパターン２８を形成し、該出力用
リードパターン２８とレーザマウント１４との間に、表
面にマイクロストリップライン３３ａを有すると共に裏
面に導電膜３３ｂを有するセラミック板３３を設けるこ
とが考慮される。尚、図１４においては、図１３と同一
の部材については同一の符号を付すことにより説明を省
略する。この場合、導電膜３３ｂの一端部とレーザマウ
ント１４、導電膜３３ｂの他端部と出力用リードパター
ン２８とはそれぞれハンダ付けされる。また、マイクロ
ストリップライン３３ａの一端部と半導体レーザ１５と
はレーザ用ボンディングワイヤ２７により接続されると
共に、マイクロストリップライン３３ａの他端部と入力
用リードパターン２０とは図示しないボンディングワイ
ヤにより接続される。

【００１５】このようにすると、グランドラインの電気
長は短くなるが、パッケージ１１とレーザマウント１４
とがセラミック板３３を介して直接に接続されるため、
パッケージ１１から半導体レーザ１５への熱還流を招
く。このため、半導体レーザ１５がパッケージ１１の外
部の環境温度及び温度変化の影響を直接に受け、半導体
レーザ１５の光出力特性が変化したり劣化したりすると
いう新たな問題が発生する。

【００１６】そこで、パッケージ１１から半導体レーザ
１５への熱還流を防ぐために、セラミック板３３の一端
部（レーザマウント１４側の端部）をレーザマウント１
４から浮かせると共に、セラミック板３３の他端部をパ
ッケージ１１の側壁に設けられた絶縁板３２に固定する
構造が考慮される。ところが、セラミック板３３の一端
部をレーザマウント１４から浮かせると、セラミック板
３３は他端部のみにおいて保持された片持ち梁となり、
衝撃試験等の信頼性試験をクリアできないという新たな
問題が発生する。

【００１７】また、セラミック板３３の他端部をパッケ
ージ１１の側壁に設けられた絶縁板３２に固定すると、
ペルチェ素子１２の実装工程又はレンズマウント１３の
実装工程においてスクラブが十分に行えない等のモジュ
ール組立工法上の制約も生じる。

【００１８】次に、図１３に示す従来の半導体レーザモ
ジュールの第２の問題点について説明する。

【００１９】従来の半導体レーザモジュールにおいて
は、変調信号入力ラインは、入力用リードパターン２
０、入力用ボンディングワイヤ２１及び変調信号入力用
ボンディングパッド１９の順に延びており、変調信号入
力用ボンディングパッド１９と半導体レーザ１５とはレ
ーザ用ボンディングワイヤ２７により接続されている。
このため、レーザ用ボンディングワイヤ２７がインダク
タンスとして作用し、長さが１ｍｍのレーザ用ボンディ
ングワイヤ２７はほぼ１ｎＨのインダクタンスに相当す
る。従来の半導体レーザモジュールにおいては、レーザ
用ボンディングワイヤ２７のワイヤ長が数ｍｍ以上にも
なるため、数ｎＨ以上のインダクタンスが変調信号入力
ラインに直列に挿入されていることになる。このため、
所望の周波数においてインピーダンス整合を実現するこ
とは困難である。

【００２０】前記に鑑み、本発明は、半導体レーザがパ
ッケージの外部の温度及び温度変化の影響を受けること
なく、変調信号入力ラインに対応するグランドラインの
長さを短くすることを第１の目的とし、所望の周波数に
おいてインピーダンス整合をとることができるようにす
ることを第２の目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】前記の第１の目的を達成
するため、請求項１の発明が講じた解決手段は、半導体
レーザモジュールを、半導体レーザと、前記半導体レー
ザを保持しており、該半導体レーザの接地側と電気的に
接続されているレーザマウントと、前記レーザマウント
を収納しているパッケージと、前記パッケージの対向す
る一対の側壁の一方に設けられた変調信号入力端子及び
接地端子と、前記一対の側壁同士の間に架設された絶縁
性の架橋板と、前記架橋板の上面に形成されており、一
端部が前記半導体レーザの入力側とボンディングワイヤ
により接続され且つ他端部が前記変調信号入力端子と電
気的に接続されているマイクロストリップラインと、前
記架橋板の下面に形成されており、一端部が前記レーザ
マウントと電気的に接続され且つ他端部が前記接地端子
と電気的に接続されている架橋板導電膜とを備えている
構成とするものである。

【００２２】請求項１の構成により、パッケージの対向
する一対の側壁同士の間に架設された絶縁性の架橋板の
裏面に、一端部がレーザマウントと電気的に接続され且
つ他端部が接地端子と電気的に接続されている架橋板導
電膜を形成したため、変調信号入力ラインに対するグラ
ンドラインの長さを短くすることができるので、周波数
応答特性における共振状ディップが生じ難くなる。ま
た、架橋板は対向する一対の側壁同士の間に架設されて
いると共に、該架橋板の上に形成されたマイクロストリ
ップラインと半導体レーザとはボンディングワイヤによ
って接続されているため、パッケージと半導体レーザと
は熱的に遮断されているので、パッケージから半導体レ
ーザへの熱還流は生じない。

【００２３】請求項２の発明は、請求項１の構成に、前
記パッケージの対向する一対の側壁にそれぞれ内側へ突
出するように設けられた一対の絶縁板をさらに備えてお
り、前記架橋板は前記一対の絶縁板同士の間に架設され
ている構成を付加するものである。

【００２４】請求項３の発明は、請求項２の構成に、前
記一対の絶縁板の各上面には凹部又は凸部よりなる架橋
板載置部がそれぞれ形成されており、前記架橋板の各端
部は前記架橋板載置部にそれぞれ凹凸嵌合されている構
成を付加するものである。

【００２５】請求項４の発明は、請求項２の構成に、前
記一対の絶縁板の各内面には内側に突出する突出部がそ
れぞれ形成されており、前記架橋板の各端部は前記突出
部にそれぞれ載置支持されている構成を付加するもので
ある。

【００２６】請求項５の発明は、請求項４の構成に、前
記接地端子は前記一対の絶縁板のうちの一方の上に複数
個形成されており、前記接地端子が複数個形成されてい
る前記絶縁板における前記突出部を含む表面のうちの少
なくとも一部分を覆うように形成され、前記架橋板導電
膜と前記複数個の接地端子とを電気的に接続する絶縁板
導電膜をさらに備えている構成を付加するものである。

【００２７】請求項６の発明は、請求項１〜５の構成
に、前記架橋板導電膜は、前記パッケージ及び前記一対
の側壁の他方に形成されている端子のいずれとも電気的
に接続されていない構成を付加するものである。

【００２８】請求項７の発明は、請求項１〜６の構成
に、前記半導体レーザから出射されるレーザ光をモニタ
するモニタ用受光素子を保持するモニタマウントをさら
に備えており、前記モニタマウントは前記架橋板の上に
固定されている構成を付加するものである。

【００２９】請求項８の発明は、請求項１〜６の構成
に、前記架橋板の上面に該架橋板と一体に形成された凸
状部よりなり、前記半導体レーザから出射されるレーザ
光をモニタするモニタ用受光素子を保持するモニタマウ
ントをさらに備えている構成を付加するものである。

【００３０】請求項９の発明は、請求項１〜８の構成
に、前記架橋板には前記半導体レーザに向かって突出す
る突出部が設けられており、前記マイクロストリップラ
インは、その一端部が前記架橋板の突出部の上に延びる
ように形成されている構成を付加するものである。

【００３１】請求項１０の発明は、請求項１〜９の構成
に、前記架橋板は、該架橋板の上面と前記半導体レーザ
の上面とがほぼ同じ高さになるように前記一対の側壁同
士の間に架設されている構成を付加するものである。

【００３２】前記第２の目的を達成するため、請求項１
１の発明が講じた解決手段は、半導体レーザモジュール
を、半導体レーザと、前記半導体レーザを保持してお
り、該半導体レーザの接地側と電気的に接続されている
レーザマウントと、前記レーザマウントを収納している
パッケージと、前記パッケージの対向する一対の側壁の
一方に設けられた変調信号入力端子と、前記一対の側壁
同士の間に架設された絶縁性の架橋板と、前記架橋板の
上面に形成されており、一端部が前記半導体レーザの入
力側とレーザ用ボンディングワイヤにより接続され且つ
他端部が前記変調信号入力端子と入力用ボンディングワ
イヤにより接続されているマイクロストリップライン
と、前記マイクロストリップラインの一端部と接地側と
の間に接続された第１のコンダクタンス素子と、前記変
調信号入力端子と接地側との間に接続された第２のコン
ダクタンス素子とを備え、前記マイクロストリップライ
ン、レーザ用ボンディングワイヤ、入力用ボンディング
ワイヤ、第１のコンダクタンス素子及び第２のコンダク
タンス素子によって入力インピーダンス回路が構成され
ている構成とするものとする。

【００３３】請求項１１の構成により、マイクロストリ
ップライン、レーザ用ボンディングワイヤ、入力用ボン
ディングワイヤ、第１のコンダクタンス素子及び第２の
コンダクタンス素子によって入力インピーダンス回路が
構成されているため、変調信号入力ラインに入力インピ
ーダンス回路を内蔵することができる。

【００３４】前記の第２の目的を達成するため、請求項
１２の発明が講じた解決手段は、半導体レーザモジュー
ルを、半導体レーザと、前記半導体レーザを保持してお
り、該半導体レーザの接地側と電気的に接続されている
レーザマウントと、前記レーザマウントを収納している
パッケージと、前記パッケージの対向する一対の側壁の
一方に設けられた変調信号入力端子と、前記一対の側壁
同士の間に架設された絶縁性の架橋板と、前記架橋板の
上面に形成されており、一端部が前記半導体レーザの入
力側とボンディングワイヤにより接続され且つ他端部が
前記変調信号入力端子と電気的に接続されているマイク
ロストリップラインと、前記マイクロストリップライン
と接地側との間に接続されたインダクタンス素子及びコ
ンダクタンス素子とを備え、前記マイクロストリップラ
イン、ボンディングワイヤ、インダクタンス素子及びコ
ンダクタンス素子によって入力インピーダンス回路が構
成されている構成とするものである。

【００３５】請求項１２の構成により、マイクロストリ
ップライン、ボンディングワイヤ、インダクタンス素子
及びコンダクタンス素子によって入力インピーダンス回
路が構成されているため、変調信号入力ラインに入力イ
ンピーダンス回路を内蔵することができる。

【００３６】前記の第２の目的を達成するため、請求項
１３の発明が講じた解決手段は、半導体レーザモジュー
ルを、半導体レーザと、前記半導体レーザを保持してお
り、該半導体レーザの接地側と電気的に接続されている
レーザマウントと、前記レーザマウントを収納している
パッケージと、前記パッケージの対向する一対の側壁の
一方に設けられた変調信号入力端子と、前記一対の側壁
同士の間に架設された絶縁性の架橋板と、前記架橋板の
上面に形成されており、一端部が前記半導体レーザの入
力側とボンディングワイヤにより接続され且つ他端部が
前記変調信号入力端子と電気的に接続されているマイク
ロストリップラインと、前記マイクロストリップライン
の一部分の断面が縮小されてなるインダクタンス素子
と、前記マイクロストリップラインの一部分の断面が拡
大されてなるコンダクタンス素子とを備え、前記マイク
ロストリップライン、ボンディングワイヤ、インダクタ
ンス素子及びコンダクタンス素子は入力インピーダンス
回路を構成している構成とするものである。

【００３７】請求項１３の構成により、マイクロストリ
ップライン、ボンディングワイヤ、インダクタンス素子
及びコンダクタンス素子によって入力インピーダンス回
路が構成されているため、変調信号入力ラインに入力イ
ンピーダンス回路を内蔵することができる。

【００３８】請求項１４の発明は、請求項１２又は１３
の構成に、前記マイクロストリップラインの他端部と前
記変調信号入力端子との間に接続された抵抗素子をさら
に備え、前記マイクロストリップライン、ボンディング
ワイヤ、インダクタンス素子、コンダクタンス素子及び
抵抗素子よりなる入力インピーダンス回路が構成されて
いる構成を付加するものである。

【００３９】請求項１５の発明は、請求項１２又は１３
の構成に、前記マイクロストリップラインの一部分に形
成された抵抗素子をさらに備えており、前記マイクロス
トリップライン、ボンディングワイヤ、インダクタンス
素子、コンダクタンス素子及び抵抗素子によって前記入
力インピーダンス回路が構成されている構成を付加する
ものである。

【００４０】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施形態に係
る半導体レーザモジュールについて、図１及び図２を参
照しながら説明する。

【００４１】図１は第１の実施形態に係る半導体レーザ
モジュールの平面構造を示し、図２は第１の実施形態に
係る半導体レーザモジュールの断面構造を示している。

【００４２】図１及び図２に示すように、パッケージ１
０１の底面にハンダ付けされたペルチェ素子１０２の上
にレンズマウント１０３が載置されており、該レンズマ
ウント１０３は接地されている。レンズマウント１０３
の上における中央部にはレーザマウント（ステム）１０
４がハンダ付けされ、該レーザマウント１０４の上に半
導体レーザ１０５が保持されている。レンズマウント１
０３の上における半導体レーザ１０５のレーザ出射方向
後方側（図１における左側）にはモニタマウント１０６
がハンダ付けされ、該モニタマウント１０６の前面に
は、半導体レーザ１０５から出射されるレーザ光をモニ
タするモニタ用受光素子１０７が保持されている。レン
ズマウント１０３の上における半導体レーザ１０５のレ
ーザ出射方向前方側（図１１における右側）には光アイ
ソレータ１０８が保持されている。尚、レンズマウント
１０３の上におけるレーザマウント１０４と光アイソレ
ータ１０８との間には、半導体レーザ１０５から出射さ
れたレーザ光を集光する図示しない集光レンズが設けら
れていると共に、レーザマウント１０４の上にはプロー
ブ針接触用パッド１０９が形成されている。

【００４３】第１の実施形態の特徴として、パッケージ
１０１の側壁に設けられた第１の絶縁板１３０及び第２
の絶縁板１３１には、モニタマウント１０６の領域が切
り欠かれたセラミックよりなる架橋板１１０が架設され
ている。

【００４４】架橋板１１０の表面にはマイクロストリッ
プライン１１１が形成されており、該マイクロストリッ
プライン１１１の一端部と半導体レーザ１０５とはレー
ザ用ボンディングワイヤ１１２により接続されている。
また、マイクロストリップライン１１１の他端部と第１
の絶縁板１３０の上に形成された金メッキ層よりなる入
力用リードパターン１１３の一端部とは入力用ボンディ
ングワイヤ１１４により接続されており、入力用リード
パターン１１３の他端部は、パッケージ１０１の側壁を
貫通して外部に延びて、変調信号入力用リードピン１１
５と接続されている。

【００４５】変調信号を生成して変調信号入力用リード
ピン１１５に出力する変調信号入力回路１１６には、高
周波カット用のインダクタンスコイル１１７、ＤＣカッ
ト用のチップコンデンサ１１８及び入力インピーダンス
整合用のチップ抵抗１１９がそれぞれ接続されている。

【００４６】また、架橋板１１０の表面にはグランドパ
ッド１２０が形成されており、該グランドパッド１２０
とレーザマウント１０４とは接地用ボンディングワイヤ
１２１により接続されている。

【００４７】また、第１の実施形態の特徴として、架橋
板１１０の裏面には架橋板導電膜１２２が形成されてい
る。架橋板導電膜１２２の一端部はコンタクトホールを
介してグランドパッド１２０に接続され、架橋板導電膜
１２２の他端部は、第１の絶縁板１３０の上に形成され
た金メッキ層よりなる接地用リードパターン１２３の一
端部に接続されている。接地用リードパターン１２３の
他端部は接地用リードピン１２４に接続されている。

【００４８】一方、第２の絶縁板１３１の上には、ペル
チェ素子１０２及びモニタ用受光素子１０７を駆動する
ための金メッキ層よりなるＤＣバイアス用リードパター
ン１２５が形成されている。

【００４９】架橋板１１０の一端部はＤＣバイアス用リ
ードパターン１２５にハンダ付けされていると共に、架
橋板１１０の他端部は接地用リードパターン１２３にハ
ンダ付けされており、これによって、架橋板１１０の両
端部はパッケージ１０１にそれぞれ固定されている。

【００５０】以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ
モジュールの動作について説明する。

【００５１】高周波カット用のインダクタンスコイル１
１７を介して供給される半導体レーザ１０５を駆動する
ためのＤＣ駆動電流と、ＤＣカット用のチップコンデン
サ１１８及び入力インピーダンス整合用のチップ抵抗１
１９を介して入力される変調信号は、パッケージ１０１
の外部において多重化されて変調信号入力用リードピン
１１５に伝えられた後、入力用リードパターン１１３、
入力用ボンディングワイヤ１１４、マイクロストリップ
ライン１１１及びレーザ用ボンディングワイヤ１１２を
介して半導体レーザ１０５に入力される。

【００５２】前記のように、架橋板１１０の両端部がパ
ッケージ１０１に保持された構造であるため、図１に示
すように、架橋板１１０の一部分を半導体レーザ１０５
の近傍まで突出させることができるので、マイクロスト
リップライン１１１を半導体レーザ１０５の近傍にまで
延ばすことができる。このため、レーザ用ボンディング
ワイヤ１１２の長さを短くすることができる。

【００５３】一方、変調信号入力ラインに対応するグラ
ンドラインは、半導体レーザ１０５、レーザマウント１
０４、接地用ボンディングワイヤ１２１、グランドパッ
ド１２０、架橋板導電膜１２２、接地用リードパターン
１２３及び接地用リードピン１２４の順に延びている。

【００５４】前記のように、架橋板１１０の両端部がパ
ッケージ１０１に保持された構造であるため、図１に示
すように、架橋板１１０の上における半導体レーザ１０
５の近傍にグランドパッド１２０を形成し、該グランド
パッド１２０と架橋板１１０の裏面に形成された架橋板
導電膜１２２の一端部とをコンタクトで接続し、架橋板
導電膜１２２の他端部と接地用リードパターン１２３と
を直接に接続することができるので、短い電気長で強固
なグランドラインを形成することができ、これにより高
周波特性を向上させることができる。

【００５５】また、半導体レーザ１０５及びレーザマウ
ント１０４とパッケージ１０１とが熱的に接続されてい
ないため、パッケージ１０１から半導体レーザ１０５へ
の熱還流を招くことがないので、半導体レーザ１０５が
パッケージ１０１の外部の環境温度及び温度変化の影響
を直接に受けることがない。

【００５６】従って、第１の実施形態によると、従来の
構造において高周波特性とトレードオフの関係にあった
温度制御能力特性を損なうことなく、周波数応答特性に
おける共振状ディップに起因する帯域制限がない半導体
レーザモジュールを実現することができる。

【００５７】また、マイクロストリップライン１１１が
形成された架橋板１１０は、パッケージ１０１の壁部の
第１の絶縁板１３０に形成された接地用リードパターン
１２３及びパッケージ１０１の壁部の第２の絶縁板１３
１に形成されたＤＣバイアス用リードパターン１２５に
それぞれハンダ付けされているので、衝撃試験等に対す
る信頼性を確保することができる。

【００５８】さらに、パッケージ１０１の底面にペルチ
ェ素子１０２をハンダにより固定した後、該ペルチェ素
子１０２の上に少なくともレンズマウント１０３、レー
ザマウント１０４及びモニタマウント１０６をハンダ付
けし、その後、第１の絶縁板１３０と第２の絶縁板１３
１との間に架橋板１１０を架設することができるので、
ペルチェ素子１０２の実装工程やレンズマウント実装工
程におけるスクラブに支障をきたすことなく、簡便なモ
ジュール組立工法を実現できる。

【００５９】（第１の実施形態の第１変形例）図３は第
１の実施形態の第１変形例に係る半導体モジュールの一
部分の構造を示しており、図３においては、図１及び図
２に示す第１の実施形態と同一の部材については同一の
符号を付すことにより説明を省略する。

【００６０】第１変形例においては、第１及び第２の絶
縁板１３０，１３１における架橋板１１０が取り付けら
れる位置には凹部がそれぞれ形成されており、架橋板１
１０の各端部は第１及び第２の絶縁板１３０，１３１の
凹部にそれぞれ嵌合されている。

【００６１】これにより、第１及び第２の絶縁板１３
０，１３１に形成された接地用リードパターン１２３及
びＤＣバイアス用リードパターン１２５に対する架橋板
１１０の位置精度が向上するため、架橋板１１０の裏面
に形成された架橋板導電膜１２２と入力用リードパター
ン１１３とが電気的に接続してしまう恐れが低減すると
共に、レーザ用ボンディングワイヤ１１２、接地用ボン
ディングワイヤ１２１及び入力用ボンディングワイヤ１
１４の長さのバラツキが低減して各ボンディングワイヤ
の持つインダクタンスＬの値を安定にすることができる
ので、変調信号入力ラインにおけるインピーダンス整合
を確実にとることができる。

【００６２】また、架橋板１１０の高さ調整は凹部の深
さを調節することにより容易に行なうことができる。す
なわち、第１及び第２の絶縁板１３０，１３１の高さが
半導体レーザ１０５が載置されるレーザマウント１０４
の高さよりも高いときでも、架橋板１１０を半導体レー
ザ１０５とほぼ同じ高さに設けることができる。尚、第
１及び第２の絶縁板１３０，１３１の高さがレーザマウ
ント１０４の高さよりも低いときには、第１及び第２の
絶縁板１３０，１３１における架橋板１１０が取り付け
られる位置に凸部を設けることが好ましい。

【００６３】（第１の実施形態の第２変形例）図４は第
１の実施形態の第２変形例に係る半導体モジュールの断
面構造を示しており、図４においては、図１及び図２に
示す第１の実施形態と同一の部材については同一の符号
を付すことにより説明を省略する。

【００６４】第２変形例においては、第１及び第２の絶
縁板１３０，１３１の各内側の側面に、第１及び第２の
絶縁板１３０，１３１よりも薄い厚さの突出部が形成さ
れている。突出部を除く第１の絶縁板１３０には入力用
リードパターン１１３が形成され、突出部を含む第１の
絶縁板１３０には接地用リードパターン１２３が形成さ
れ、突出部を含む第２の絶縁板１３１にはＤＣバイアス
用リードパターン１２５が形成されている。架橋板１１
０の一端部は第２の絶縁板１３１に形成されたＤＣバイ
アス用リードパターン１２５に載置され、架橋板１１０
の他端部は第１の絶縁板１３０に形成された接地用リー
ドパターン１２３に載置され、それぞれハンダ付けされ
ている。

【００６５】このようにすると、架橋板１１０の高さ調
整は突出部の位置を調節することにより容易に行なうこ
とができるので、第１及び第２の絶縁板１３０，１３１
の高さがレーザマウント１０４の高さよりも高いときで
も、架橋板１１０を半導体レーザ１０５とほぼ同じ高さ
に設けることができる。

【００６６】尚、図示は省略しているが、入力用リード
パターン１１３、接地用リードパターン１２３及びＤＣ
バイアス用リードパターン１２５を突出部を除く第１及
び第２の絶縁板１３０，１３１にのみ形成してもよい。
このようにすると、第１の絶縁板１３０に形成される入
力用リードパターン１１３と架橋板導電膜１２２とが電
気的に接続される事態を防止するべく入力用リードパタ
ーン１１３を架橋板１１０が取り付けられる位置を避け
て形成する必要がなくなるので、入力用リードパターン
１１３を第１の絶縁板１３０における所望の位置に形成
することができる。また、架橋板１１０をハンダ付けす
る際に、架橋板１１０の近傍のリードパターンに誤って
ハンダが付着する事態を回避できる。

【００６７】（第１の実施形態の第３変形例）図５は第
１の実施形態の第３変形例に係る半導体モジュールの断
面構造を示しており、図５においては、図１及び図２に
示す第１の実施形態と同一の部材については同一の符号
を付すことにより説明を省略する。

【００６８】第３変形例においても、第２変形例と同様
に、第１及び第２の絶縁板１３０，１３１の各内側の側
面に、第１及び第２の絶縁板１３０，１３１の厚さより
も薄い厚さを持つ突出部が形成されている。

【００６９】第３変形例の特徴として、第１の絶縁板１
３０側のリードピンのうち入力用リードピンを除くすべ
てのリードピンが接地用リードピンに設定されていると
共に、第１の絶縁板１３０における入力用リードパター
ン１１３が形成される領域を除くすべての領域を囲むよ
うに、接地用リードパターンとなる絶縁板導電膜１３２
が形成されている。また、第２の絶縁板１３１において
は、突出部を含む第２の絶縁板１３１にＤＣバイアス用
リードパターン１２５が形成されているが、接地用リー
ドパターンは形成されていない。

【００７０】架橋板１１０の一端部は第２の絶縁板１３
１に形成されたＤＣバイアス用リードパターン１２５に
載置され、架橋板１１０の他端部は第１の絶縁板１３０
の突出部に形成された絶縁板導電膜１３２に載置され、
それぞれハンダ付けされている。

【００７１】このようにすることにより、接地用リード
パターンの面積が増加するため、電気長の短い強固なグ
ランドラインを形成できるので、高周波特性とトレード
オフの関係にあった温度制御能力特性を損なうことな
く、周波数応答特性における共振状ディップに起因する
帯域制限のない半導体レーザモジュールを実現すること
ができる。

【００７２】また、架橋板１１０に裏面に形成された架
橋板導電膜１２２と、第２の絶縁板１３１に形成された
すべてのリードパターンとは電気的に接続されていな
い。

【００７３】これにより、パッケージ１０１を迂回する
電気長の長い第２のグランドラインが形成されないた
め、第２のグランドラインに寄生するインダクタンス：
Ｌやコンダクタンス：Ｃの影響を排除することができ
る。

【００７４】（第１の実施形態の第４変形例）図６は第
１の実施形態の第４変形例に係る半導体モジュールの平
面構造を示し、図７は第４変形例に係る半導体モジュー
ルの一部分の側面構造を示している。図６及び図７にお
いては、図１及び図２に示す第１の実施形態と同一の部
材については同一の符号を付すことにより説明を省略す
る。

【００７５】第４変形例においては、第１の実施形態と
同様、架橋板１１０は第１の絶縁板１３０と第２の絶縁
板１３１との間に架設されている。架橋板１１０の上に
はモニタマウント１０６が載置された状態でハンダ付け
されており、モニタマウント１０６の前面にはモニタ用
受光素子１０７が保持されている。

【００７６】このようにすることにより、架橋板１１０
にモニタマウント１０６の領域を切り欠く必要がないた
め、架橋板１１０の形状をシンプルにできるので、モジ
ュール構成及びモジュール組立て上の制約が低減すると
共に、マイクロストリップライン１１１をモニタマウン
ト１０６を迂回するように形成する必要がない。

【００７７】（第１の実施形態の第５変形例）図８は第
１の実施形態の第５変形例に係る半導体モジュールの平
面構造を示し、図９は第５変形例に係る半導体モジュー
ルの一部分の側面構造を示している。図８及び図９にお
いては、図１及び図２に示す第１の実施形態と同一の部
材については同一の符号を付すことにより説明を省略す
る。

【００７８】第５変形例においては、架橋板１１０にお
ける半導体レーザ１０５のレーザ出射方向後方側の領域
に凸状部１１０ａを架橋板１１０と一体に形成してお
き、該凸状部１１０ａにモニタ用受光素子１０７を保持
させている。すなわち、凸状部１１０ａがモニタマウン
トの役割を担っている。

【００７９】このようにすると、モニタマウント１０６
をレンズマウント１０３の上にハンダ付けする場合に比
べて以下のような効果を得ることができる。すなわち、
モニタマウント１０６が不要になるため、半導体レーザ
モジュールの薄型化を図ることができると共にモジュー
ル組立工程数を低減できるので、半導体レーザモジュー
ルの低コスト化を図ることができ、また、半導体レーザ
１０５とモニタ用受光素子１０７との位置精度を向上で
きるので、モニタ用受光素子１０７のモニタ電流値の安
定化を図ることができる。

【００８０】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る半導体レーザモジュールについて、図１
０を参照しながら説明する。

【００８１】図１０は本発明の第２の実施形態に係る半
導体レーザモジュールの平面構造を示している。

【００８２】第２の実施形態においては、第１の実施形
態と同様、パッケージ１０１の底面にハンダ付けされた
ペルチェ素子１０２の上にレンズマウント１０３が載置
されて、該レンズマウント１０３の上における中央部に
はレーザマウント１０４がハンダ付けされ、該レーザマ
ウント１０４の上に半導体レーザ１０５が保持されてい
る。レンズマウント１０３の上における半導体レーザ１
０５のレーザ出射方向後方側（図１０における左側）に
はモニタマウント１０６がハンダ付けされ、該モニタマ
ウント１０６の前面にモニタ用受光素子１０７が保持さ
れている。レンズマウント１０３の上における半導体レ
ーザ１０５のレーザ出射方向前方側（図１０における右
側）には光アイソレータ１０８が保持されている。尚、
レンズマウント１０３の上におけるレーザマウント１０
４と光アイソレータ１０８との間には、半導体レーザ１
０５から出射されたレーザ光を集光する図示しない集光
レンズが設けられていると共に、レーザマウント１０４
の上にはプローブ針接触用パッド１０９が形成されてい
る。

【００８３】また、パッケージ１０１の側壁に設けられ
た第１の絶縁板１３０及び第２の絶縁板１３１には、モ
ニタマウント１０６の領域が切り欠かれたセラミックよ
りなる架橋板１１０が架設されており、該架橋板１１０
の上にはマイクロストリップライン１１１が形成されて
いる。

【００８４】第２の実施形態の特徴として、レーザマウ
ント１０４の上には第１のチップコンデンサ１４０が設
けられており、該第１のチップコンデンサ１４０の一端
部は第１のチップ用ボンディングワイヤ１４１を介して
半導体レーザ１０５に接続されていると共にマイクロス
トリップライン１１１の一端部と直接に接続され、第１
のチップコンデンサ１４０の他端部は接地状態のレーザ
マウント１０４に接続されている。

【００８５】マイクロストリップライン１１１の他端部
と入力用リードパターン１１３の一端部とは入力用ボン
ディングワイヤ１１４により接続されており、入力用リ
ードパターン１１３の他端部は、パッケージ１０１の側
壁を貫通して外部に延びて、変調信号入力用リードピン
１１５と接続されている。

【００８６】変調信号を生成して変調信号入力用リード
ピン１１５に出力する変調信号入力回路１１６には、高
周波カット用のインダクタンスコイル１１７、ＤＣカッ
ト用のチップコンデンサ１１８及び入力インピーダンス
整合用のチップ抵抗１１９がそれぞれ接続されている。

【００８７】架橋板１１０の表面にはグランドパッド１
２０が形成されており、該グランドパッド１２０とレー
ザマウント１０４とは接地用ボンディングワイヤ１２１
により接続されている。グランドパッド１２０はコンタ
クトホールを介して架橋板１１０の裏面に形成された架
橋板導電膜の一端部に接続され、該架橋板導電膜の他端
部は接地用リードパターン１２３の一端部に接続され、
該接地用リードパターン１２３の他端部は接地用リード
ピン１２４に接続されている。

【００８８】また、第２の実施形態の特徴として、第１
の絶縁板１３０の上には第２のチップコンデンサ１４２
が設けられており、該第２のチップコンデンサ１４２の
一端部は入力用リードパターン１１３に接続され、第２
のチップコンデンサ１４２の他端部は第２のチップ用ボ
ンディングワイヤ１４３を介して接地用リードパターン
１２３に接続されている。

【００８９】以下、第２の実施形態に係る半導体レーザ
モジュールの動作について説明する。

【００９０】高周波カット用のインダクタンスコイル１
１７を介して供給される半導体レーザ１０５を駆動する
ためのＤＣ駆動電流と、ＤＣカット用のチップコンデン
サ１１８及び入力インピーダンス整合用のチップ抵抗１
１９を介して入力される変調信号は、パッケージ１０１
の外部において多重化されて変調信号入力用リードピン
１１５に伝えられた後、入力用リードパターン１１３、
入力用ボンディングワイヤ１１４、マイクロストリップ
ライン１１１、第１のチップコンデンサ１４０及びレー
ザ用ボンディングワイヤ１４１を介して半導体レーザ１
０５に入力される。

【００９１】一方、変調信号入力ラインに対応するグラ
ンドラインは、半導体レーザ１０５、レーザマウント１
０４、接地用ボンディングワイヤ１２１、グランドパッ
ド１２０、架橋板導電膜、接地用リードパターン１２３
及び接地用リードピン１２４の順に延びている。

【００９２】変調信号入力用リードピン１１５から半導
体レーザ１０５に延びる変調信号入力ラインは、入力用
リードパターン１１３、インダクタンスＬとして直列に
挿入され入力用ボンディングワイヤ１１４及びレーザ用
ボンディングワイヤ１４１、コンダクタンスＣとして並
列に挿入された第１のチップコンデンサ１４０及び第２
のチップコンデンサ１４２よりなる入力インピーダンス
整合回路を有している。従って、これらの回路定数を選
択することによって、所望の周波数で入力インピーダン
ス整合をとる入力インピーダンス整合回路を実現するこ
とができる。

【００９３】尚、図１０に示すように、架橋板１１０に
突出部を設け、マイクロストリップライン１１１の一端
部を半導体レーザ１０５の近傍に延伸させて、第１のチ
ップ用ボンディングワイヤ１４１の長さを短くすると、
第１のチップ用ボンディングワイヤ１４１に寄生するイ
ンダクタンスＬを低減することができる。このようにす
ると、第１のチップ用ボンディングワイヤ１４１の長さ
のバラツキを低減できるため、第１のチップ用ボンディ
ングワイヤ１４１が持つインダクタンスＬの値を安定化
できるので、入力インピーダンス整合を容易にとること
ができる。

【００９４】（第２の実施形態の第１変形例）図１１は
第２の実施形態の第１変形例に係る半導体モジュールの
平面構造を示しており、図１１においては、図１０に示
す第２の実施形態と同一の部材については同一の符号を
付すことにより説明を省略する。

【００９５】第１変形例の特徴として、マイクロストリ
ップライン１１１とレーザマウント１０４との間にチッ
プインダクタンス１４５が挿入され、マイクロストリッ
プライン１１１とレンズマウント１０３との間にチップ
コンデンサ１４６が挿入され、マイクロストリップライ
ン１１１と入力用リードパターン１１３との間にチップ
抵抗１４７が挿入されている。

【００９６】これによって、チップインダクタンス１４
５及びチップコンデンサ１４６が並列に接続され且つチ
ップ抵抗１４７が直列に接続された入力インピーダンス
回路を半導体レーザモジュールに内蔵することができる
ので、半導体レーザモジュールが実装される伝送ユニッ
ト基板を簡素化することができる。

【００９７】（第２の実施形態の第２変形例）図１２は
第２の実施形態の第２変形例に係る半導体モジュールの
平面構造を示しており、図１２においては、図１０に示
す第２の実施形態と同一の部材については同一の符号を
付すことにより説明を省略する。

【００９８】第２変形例の特徴として、マイクロストリ
ップライン１１１には、マイクロストリップライン１１
１の断面が縮小した部分よりなるインダクタンス１１１
ａ、マイクロストリップライン１１１の断面が拡大した
部分よりなるコンダクタンス１１１ｂ及びマイクロスト
リップライン１１１にタングステン等が蒸着された部分
よりなる抵抗素子１１１ｃがそれぞれ直列に接続されて
いる。

【００９９】これによって、インダクタンス１１１ａ、
コンダクタンス１１１ｂ及び抵抗素子１１１ｃが直列に
接続された入力インピーダンス回路を半導体レーザモジ
ュールに内蔵することができるため、負荷抵抗及びイン
ピーダンス整合素子の定数精度が向上すると共に、半導
体レーザモジュールが実装される伝送ユニット基板を簡
素化することができる。

【０１００】以上説明した第２の実施形態、第２の実施
形態の第１変形例及び第２変形例において、所望の複数
の周波数帯域における伝送が可能になる回路定数を持つ
入力インピーダンス整合回路を備えることにより、複数
の周波数帯域における伝送が可能になるため、伝送帯域
数に対応する数の半導体レーザモジュールを備える必要
がなくなる。これにより、半導体レーザモジュールの数
を低減できるので、光ファイバ通信システムの伝送コス
トを低減することができる。

【０１０１】

【発明の効果】請求項１の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、変調信号入力ラインに対するグランド
ラインの長さを短くすることができるため、周波数応答
特性における共振状ディップが生じ難くなり、また、パ
ッケージと半導体レーザとは熱的に遮断されているた
め、パッケージから半導体レーザへの熱還流が生じない
ので、高周波特性とトレードオフの関係にあった温度制
御能力特性を損なうことなく、周波数応答特性における
共振状ディップに起因する帯域制限がない半導体レーザ
モジュールを実現することができる。

【０１０２】また、マイクロストリップライン及び架橋
板導電膜が形成されている架橋板は対向する一対の側壁
同士の間に架設されているので、衝撃試験等に耐える信
頼性も確保することができる。

【０１０３】さらに、架橋板はパッケージの対向する一
対の側壁同士の間に架設される構造であるため、パッケ
ージの底面に半導体レーザの温度制御を行なうためのペ
ルチェ素子を固定するペルチェ素子実装工程や、ペルチ
ェ素子の上にレンズマウントを固定するレンズマウント
実装工程を行なった後に、架橋板をパッケージに固定で
きるので、ペルチェ素子実装工程やレンズマウント実装
工程におけるスクラブを十分に行なうことができる。

【０１０４】請求項２の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、架橋板はパッケージの各側壁に内側へ突
出するように設けられた一対の絶縁板同士の間に架設さ
れているため、架橋板の取付工程は容易になる。

【０１０５】請求項３の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、架橋板は一対の絶縁板の各上面に形成さ
れた凹部又は凸部よりなる架橋板載置部に凹凸嵌合され
ているため、架橋板の位置決めが容易且つ確実になり、
架橋板の位置精度が向上するので、マイクロストリップ
ラインと半導体レーザとを接続するボンディングワイヤ
の長さのバラツキを低減できる。このため、ボンディン
グワイヤの持つインダクタンスの値を安定化できるの
で、インピーダンス整合を容易にとることができる。

【０１０６】また、架橋板は一対の絶縁板の各上面に形
成された凹部又は凸部よりなる架橋板載置部に凹凸嵌合
される構造のため、絶縁板の上面の高さとレーザマウン
トの上面の高さとが異なる場合でも、架橋板ひいてはマ
イクロストリップラインの高さとレーザマウントの高さ
とを等しくすることができるので、ボンディングワイヤ
の長さを短くして、該ボンディングワイヤのインダクタ
ンスを低減することができる。このため、所望の周波数
におけるインピーダンス整合を実現することが可能にな
る。

【０１０７】請求項４の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、架橋板は一対の絶縁板から内側に突出す
る突出部に載置支持される構造のため、絶縁板の上面の
高さとレーザマウントの上面の高さとが異なる場合で
も、架橋板ひいてはマイクロストリップラインの高さと
レーザマウントの高さとを等しくすることができるの
で、ボンディングワイヤの長さを短くして、該ボンディ
ングワイヤのインダクタンスを低減することができる。
このため、所望の周波数におけるインピーダンス整合を
実現することが可能になる。

【０１０８】また、絶縁板から突出する突出部に変調入
力用端子や接地端子を形成しない場合には、架橋板を突
出部にハンダ付けする際に誤ってハンダが変調入力用端
子や接地端子に付着する事態を回避することができる。

【０１０９】請求項５の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、絶縁板における突出部を含む表面のうち
の少なくとも一部分を覆うように形成され、架橋板導電
膜と複数個の接地端子とを電気的に接続する絶縁板導電
膜を備えているため、変調信号入力ラインに対するグラ
ンドラインを短い電気長で且つ強固にできるので、周波
数応答特性における共振状ディップを一層低減でき、帯
域制限を一層解消することができる。

【０１１０】請求項６の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、架橋板導電膜は、パッケージ及び一対の
側壁の他方に形成されている端子のいずれとも電気的に
接続されていないため、パッケージを経由する長いグラ
ンドラインに寄生するインダクタンス及びコンダクタン
スをなくすことができる。

【０１１１】請求項７の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、モニタ用受光素子を保持するモニタマウ
ントは架橋板の上に固定されているため、架橋板をモニ
タマウントの部分が切り欠かれた形状にしなくてもよい
ので、架橋板をシンプルな形状で且つ小型化できるの
で、モジュール構成上及びモジュールの組立て上の制約
を排除することができる。

【０１１２】請求項８の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、架橋板の上面に該架橋板と一体に形成さ
れた凸状部よりなるモニタマウントを備えているため、
モニタマウントを固定する工程が不要になると共にモニ
タマウントの小型化することができるので、半導体レー
ザモジュールの低コスト化及び小型化を図ることができ
る。また、半導体レーザとモニタ用受光素子との間の位
置精度が向上するので、モニタ用受光素子のモニタ電流
を安定化することができる。

【０１１３】請求項９の発明に係る半導体レーザモジュ
ールによると、架橋板には半導体レーザに向かって突出
する突出部が設けられ、マイクロストリップラインの一
端部は架橋板の突出部の上に延びているため、マイクロ
ストリップラインと半導体レーザとを接続するボンディ
ングワイヤの長さを短くできるので、該ボンディングワ
イヤのインダクタンスを低減することができる。また、
ボンディングワイヤの長さのバラツキを低減できるの
で、ボンディングワイヤの持つインダクタンスの値を安
定化でき、これによりインピーダンス整合を容易にとる
ことができる。

【０１１４】請求項１０の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、架橋板の上面と半導体レーザの上面と
がほぼ同じ高さであるため、請求項９の発明と同様、ボ
ンディングワイヤのインダクタンスを低減できると共に
安定化できるので、インピーダンス整合を容易にとるこ
とができる。

【０１１５】請求項１１の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、変調信号入力ラインに、マイクロスト
リップライン、レーザ用ボンディングワイヤ、入力用ボ
ンディングワイヤ、第１のコンダクタンス素子及び第２
のコンダクタンス素子よりなる入力インピーダンス回路
が内蔵されているため、レーザ用及び入力用のボンディ
ングワイヤの長さを短くして寄生インダクタンス値を低
減すると共に、第１及び第２のコンダクタンス素子のコ
ンダクタンス値を選択することによって、所望の周波数
においてインピーダンス整合をとることができる。

【０１１６】請求項１２の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、変調信号入力ラインに、マイクロスト
リップライン、ボンディングワイヤ、インダクタンス素
子及びコンダクタンス素子よりなる入力インピーダンス
回路が内蔵されているため、ボンディングワイヤの長さ
を短くして寄生インダクタンス値を低減すると共に、イ
ンダクタンス素子のインダクタンス値及びコンダクタン
ス素子のコンダクタンス値を選択することによって、所
望の周波数においてインピーダンス整合をとることがで
きる。

【０１１７】請求項１３の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、変調信号入力ラインに、マイクロスト
リップライン、ボンディングワイヤ、インダクタンス素
子及びコンダクタンス素子よりなる入力インピーダンス
回路が内蔵されているため、ボンディングワイヤの長さ
を短くして寄生インダクタンス値を低減すると共に、イ
ンダクタンス素子のインダクタンス値及びコンダクタン
ス素子のコンダクタンス値を選択することによって、所
望の周波数においてインピーダンス整合をとることがで
きる。この場合、インダクタンス素子及びコンダクタン
ス素子はマイクロストリップラインの一部分により形成
されているため、インピーダンス整合素子の定数精度が
向上すると共に架橋板をシンプルな形状で且つ小型にす
ることができる。

【０１１８】請求項１４の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、抵抗素子が入力インピーダンス回路に
挿入されているため、半導体レーザモジュールが実装さ
れる伝送ユニット基板の構造を簡素化することができ
る。

【０１１９】請求項１５の発明に係る半導体レーザモジ
ュールによると、抵抗素子が入力インピーダンス回路に
挿入されているため、半導体レーザモジュールが実装さ
れる伝送ユニット基板の構造を簡素化することができ
る。この場合、抵抗素子はマイクロストリップラインの
一部分により形成されているため、抵抗値の精度が向上
するので、インピーダンス整合素子の定数の許容度を増
加させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザモ
ジュールの平面図である。

【図２】前記第１の実施形態に係る半導体レーザモジュ
ールの断面図である。

【図３】前記第１の実施形態の第１変形例に係る半導体
レーザモジュールの一部分の斜視図である。

【図４】前記第１の実施形態の第２変形例に係る半導体
レーザモジュールの断面図である。

【図５】前記第１の実施形態の第３変形例に係る半導体
レーザモジュールの断面図である。

【図６】前記第１の実施形態の第４変形例に係る半導体
レーザモジュールの平面図である。

【図７】前記第１の実施形態の第４変形例に係る半導体
レーザモジュールの一部分の側面図である。

【図８】前記第１の実施形態の第５変形例に係る半導体
レーザモジュールの平面図である。

【図９】前記第１の実施形態の第５変形例に係る半導体
レーザモジュールの一部分の側面図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ
モジュールの平面図である。

【図１１】前記第２の実施形態の第１変形例に係る半導
体レーザモジュールの平面図である。

【図１２】前記第２の実施形態の第２変形例に係る半導
体レーザモジュールの平面図である。

【図１３】従来の半導体レーザモジュールの平面図であ
る。

【図１４】本発明の前提となる半導体レーザモジュール
の断面図である。

【符号の説明】

１０１ パッケージ １０２ ペルチェ素子 １０３ レンズマウント １０４ レーザマウント １０５ 半導体レーザ １０６ モニタマウント １０７ モニタ用受光素子 １０８ 光アイソレータ １０９ プローブ針接触用パッド １１０ 架橋板 １１０ａ 凸状部 １１１ マイクロストリップライン １１１ａ インダクタンス １１１ｂ コンダクタンス １１１ｃ 抵抗素子 １１２ レーザ用ボンディングワイヤ １１３ 入力用リードパターン １１４ 入力用ボンディングワイヤ １１５ 変調信号入力用リードピン １１６ 変調信号入力回路 １１７ インダクタンスコイル １１８ チップコンデンサ １１９ チップ抵抗 １２０ グランドパッド １２１ 接地用ボンディングワイヤ １２２ 架橋板導電膜 １２３ 接地用リードパターン １２４ 接地用リードピン １２５ ＤＣバイアス用リードパターン １３０ 第１の絶縁板 １３１ 第２の絶縁板 １３２ 絶縁板導電膜 １４０ 第１のチップコンデンサ １４１ 第１のチップ用ボンディングワイヤ １４２ 第２のチップコンデンサ １４３ 第２のチップ用ボンディングワイヤ １４５ チップインダクタンス １４６ チップコンデンサ １４７ チップ抵抗

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザと、 前記半導体レーザを保持しており、該半導体レーザの接
   地側と電気的に接続されているレーザマウントと、 前記レーザマウントを収納しているパッケージと、 前記パッケージの対向する一対の側壁の一方に設けられ
   た変調信号入力端子及び接地端子と、 前記一対の側壁同士の間に架設された絶縁性の架橋板
   と、 前記架橋板の上面に形成されており、一端部が前記半導
   体レーザの入力側とボンディングワイヤにより接続され
   且つ他端部が前記変調信号入力端子と電気的に接続され
   ているマイクロストリップラインと、 前記架橋板の下面に形成されており、一端部が前記レー
   ザマウントと電気的に接続され且つ他端部が前記接地端
   子と電気的に接続されている架橋板導電膜とを備えてい
   ることを特徴とする半導体レーザモジュール。
2. 【請求項２】 前記パッケージの対向する一対の側壁に
   それぞれ内側へ突出するように設けられた一対の絶縁板
   をさらに備えており、 前記架橋板は前記一対の絶縁板同士の間に架設されてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジ
   ュール。
3. 【請求項３】 前記一対の絶縁板の各上面には凹部又は
   凸部よりなる架橋板載置部がそれぞれ形成されており、 前記架橋板の各端部は前記架橋板載置部にそれぞれ凹凸
   嵌合されていることを特徴とする請求項２に記載の半導
   体レーザモジュール。
4. 【請求項４】 前記一対の絶縁板の各内面には内側に突
   出する突出部がそれぞれ形成されており、 前記架橋板の各端部は前記突出部にそれぞれ載置支持さ
   れていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レー
   ザモジュール。
5. 【請求項５】 前記接地端子は前記一対の絶縁板のうち
   の一方の上に複数個形成されており、 前記接地端子が複数個形成されている前記絶縁板におけ
   る前記突出部を含む表面のうちの少なくとも一部分を覆
   うように形成され、前記架橋板導電膜と前記複数個の接
   地端子とを電気的に接続する絶縁板導電膜をさらに備え
   ていることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ
   モジュール。
6. 【請求項６】 前記架橋板導電膜は、前記パッケージ及
   び前記一対の側壁の他方に形成されている端子のいずれ
   とも電気的に接続されていないことを特徴とする請求項
   １〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュー
   ル。
7. 【請求項７】 前記半導体レーザから出射されるレーザ
   光をモニタするモニタ用受光素子を保持するモニタマウ
   ントをさらに備えており、 前記モニタマウントは前記架橋板の上に固定されている
   ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の
   半導体レーザモジュール。
8. 【請求項８】 前記架橋板の上面に該架橋板と一体に形
   成された凸状部よりなり、前記半導体レーザから出射さ
   れるレーザ光をモニタするモニタ用受光素子を保持する
   モニタマウントをさらに備えていることを特徴とする請
   求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュ
   ール。
9. 【請求項９】 前記架橋板には前記半導体レーザに向か
   って突出する突出部が設けられており、 前記マイクロストリップラインは、その一端部が前記架
   橋板の突出部の上に延びるように形成されていることを
   特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体
   レーザモジュール。
10. 【請求項１０】 前記架橋板は、該架橋板の上面と前記
    半導体レーザの上面とがほぼ同じ高さになるように前記
    一対の側壁同士の間に架設されていることを特徴とする
    請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザモジ
    ュール。
11. 【請求項１１】 半導体レーザと、 前記半導体レーザを保持しており、該半導体レーザの接
    地側と電気的に接続されているレーザマウントと、 前記レーザマウントを収納しているパッケージと、 前記パッケージの対向する一対の側壁の一方に設けられ
    た変調信号入力端子と、 前記一対の側壁同士の間に架設された絶縁性の架橋板
    と、 前記架橋板の上面に形成されており、一端部が前記半導
    体レーザの入力側とレーザ用ボンディングワイヤにより
    接続され且つ他端部が前記変調信号入力端子と入力用ボ
    ンディングワイヤにより接続されているマイクロストリ
    ップラインと、 前記マイクロストリップラインの一端部と接地側との間
    に接続された第１のコンダクタンス素子と、 前記変調信号入力端子と接地側との間に接続された第２
    のコンダクタンス素子とを備え、 前記マイクロストリップライン、レーザ用ボンディング
    ワイヤ、入力用ボンディングワイヤ、第１のコンダクタ
    ンス素子及び第２のコンダクタンス素子によって入力イ
    ンピーダンス回路が構成されていることを特徴とする半
    導体レーザモジュール。
12. 【請求項１２】 半導体レーザと、 前記半導体レーザを保持しており、該半導体レーザの接
    地側と電気的に接続されているレーザマウントと、 前記レーザマウントを収納しているパッケージと、 前記パッケージの対向する一対の側壁の一方に設けられ
    た変調信号入力端子と、 前記一対の側壁同士の間に架設された絶縁性の架橋板
    と、 前記架橋板の上面に形成されており、一端部が前記半導
    体レーザの入力側とボンディングワイヤにより接続され
    且つ他端部が前記変調信号入力端子と電気的に接続され
    ているマイクロストリップラインと、 前記マイクロストリップラインと接地側との間に接続さ
    れたインダクタンス素子及びコンダクタンス素子とを備
    え、 前記マイクロストリップライン、ボンディングワイヤ、
    インダクタンス素子及びコンダクタンス素子によって入
    力インピーダンス回路が構成されていることを特徴とす
    る半導体レーザモジュール。
13. 【請求項１３】 半導体レーザと、 前記半導体レーザを保持しており、該半導体レーザの接
    地側と電気的に接続されているレーザマウントと、 前記レーザマウントを収納しているパッケージと、 前記パッケージの対向する一対の側壁の一方に設けられ
    た変調信号入力端子と、 前記一対の側壁同士の間に架設された絶縁性の架橋板
    と、 前記架橋板の上面に形成されており、一端部が前記半導
    体レーザの入力側とボンディングワイヤにより接続され
    且つ他端部が前記変調信号入力端子と電気的に接続され
    ているマイクロストリップラインと、 前記マイクロストリップラインの一部分の断面が縮小さ
    れてなるインダクタンス素子と、 前記マイクロストリップラインの一部分の断面が拡大さ
    れてなるコンダクタンス素子とを備え、 前記マイクロストリップライン、ボンディングワイヤ、
    インダクタンス素子及びコンダクタンス素子は入力イン
    ピーダンス回路を構成していることを特徴とする半導体
    レーザモジュール。
14. 【請求項１４】 前記マイクロストリップラインの他端
    部と前記変調信号入力端子との間に接続された抵抗素子
    をさらに備え、 前記マイクロストリップライン、ボンディングワイヤ、
    インダクタンス素子、コンダクタンス素子及び抵抗素子
    によって前記入力インピーダンス回路が構成されている
    ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の半導体レ
    ーザモジュール。
15. 【請求項１５】 前記マイクロストリップラインの一部
    分に形成された抵抗素子をさらに備えており、 前記マイクロストリップライン、ボンディングワイヤ、
    インダクタンス素子、コンダクタンス素子及び抵抗素子
    によって前記入力インピーダンス回路が構成されている
    ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の半導体レ
    ーザモジュール。