JP2003110182A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】発光素子２を不活性ガスで気密に内包する収容
空間を有するパッケージ５を備える光モジュール１にお
いて、パッケージ５の有する気密な収容空間５ｉを有効
に活用し、収容する電子部品数が増加してもパッケージ
５のサイズを小型に構成することが可能な光モジュール
の提供。 【解決手段】パッケージ５の収容空間５ｉには、発光素
子２と、第１の配線回路が形成された第１の回路基板１
１と、第２の配線回路が形成された第２の回路基板１２
と、前記第１の配線回路と前記第２の配線回路を電気的
に接続する接続基板１３と、を備える。そして、前記第
１の回路基板１１と前記第２の回路基板１２は前記基準
面５ｇと略平行となるよう前記基準面５ｇと略垂直とな
る方向へ順次配置され、接続基板１３によって電気的に
接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子を含む光
モジュールに関する。詳細には、発光素子を不活性ガス
で気密に内包する収容空間を有するパッケージを備える
光モジュールに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は、従来技術による光モジュール１
の側面断面図である。光モジュール１は、発光素子２
と、発光素子２を温調するペルチェ素子３と、発光素子
２の発光状態を検出するための受光素子４と、発光素子
２とペルチェ素子３と受光素子４とを気密に内包する収
容空間を有するパッケージ５を備える。気密に内容され
た収容空間には窒素などの不活性ガスが充填されてい
る。

【０００３】発光素子２は供給される周波数成分を含む
駆動電気信号を受けて、前記駆動電気信号に応じた光信
号を出射する。また受光素子４は、発光素子２が出射す
る光信号の一部を受光し、受光した光量に応じた受光電
気信号を送出する。光モジュール１はパッケージ５に、
前記駆動電気信号をパッケージ５の内部に供給するため
の及び前記受光電気信号をパッケージ５の外部へ供給す
るための複数のリード端子を備える。発光素子２及び受
光素子４は、それぞれ収容空間内のリード端子からボン
ディングワイヤを介して電気的に接続がされている。

【０００４】パッケージ５の前壁面５ａには、発光素子
２から出射される光をパッケージ５の外部に通過させる
ための窓部５ｂが備えられている。そして光モジュール
１は、更に集光レンズ６と光ファイバ７を備え、発光素
子２から出射された光は、集光レンズ６と窓部５ｂと順
次通過して光ファイバ７に入射するよう構成されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】光モジュール１を高機
能化させる要求がある。このため、パッケージ５に内包
される電子部品数も増加する。

【０００６】しかし、収容空間が気密となる光モジュー
ル１では、発光素子２から出射される光を遮断すること
なく窓部５ｂを通過させるため、パッケージ５の窓部５
ｂに付着して窓部５ｂを通過する光を阻害する物質を放
出する部材、例えば樹脂材料を内包することが出来な
い。

【０００７】故に、パッケージ５に内包される部材は一
定の制限が課され、増加する電子部品数に対してパッケ
ージ５の収容空間を有効に活用するための構成を設ける
ことが困難であった。

【０００８】このため光モジュール１では、パッケージ
５の有する気密な収容空間に内包する電子部品数を増加
させる場合、増加する電子部品９に応じて搭載基板８の
搭載部８ａを大きくすることが一般的であった。しか
し、これは搭載基板８を内包するパッケージ５のサイズ
を、増加する電子部品数に応じて大きくすることが必要
となり、光モジュール１の実用上のメリットを低減させ
てしまうものであった。

【０００９】よって本発明は、発光素子２を不活性ガス
で気密に内包する収容空間を有するパッケージ５を備え
る光モジュール１において、パッケージ５の有する気密
な収容空間を有効に活用し、収容する電子部品数が増加
してもパッケージ５のサイズを小型に構成することが可
能な光モジュールを提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の光モジュール
は、発光素子と、第１の配線回路が形成された第１の回
路基板と、第２の配線回路が形成された第２の回路基板
と、前記第１の配線回路と前記第２の配線回路を電気的
に接続する接続基板と、基準面に沿ったベース部を有し
前記発光素子と前記第１の回路基板と前記第２の回路基
板と前記接続基板を気密に内包するパッケージと、を備
える。そして、前記第１の回路基板と前記第２の回路基
板は前記基準面と略平行となるよう前記基準面と略垂直
となる方向へ順次配置されていることを特徴とする。

【００１１】請求項１の光モジュールによれば、前記第
１の回路基板と前記第２の回路基板は基準面と略平行と
なるよう前記基準面と略垂直となる方向へ順次配置さ
れ、第１の配線回路と第２の配線回路は接続基板で電気
的に接続されている。よって、パッケージが有する収容
空間をベース部と略垂直方向に対して有効に利用するこ
とが出来るので、収容する電子部品数が増加してもパッ
ケージのサイズを小型に構成することが出来る。

【００１２】請求項２の光モジュールは、請求項１の光
モジュールにおいて前記接続基板は複数の導電ラインを
有し、前記第１の配線回路と前記第２の配線回路は前記
複数の導電ラインで電気的に接続されていることを特徴
とする。

【００１３】請求項２の光モジュールによれば、前記第
１の配線回路と前記第２の配線回路は前記複数の導電ラ
インで電気的に接続されているのでパッケージを小型に
構成するのに好適である。

【００１４】請求項３の光モジュールは、請求項１また
は請求項２の光モジュールにおいて前記第１の回路基板
は前記ベース部にハンダを介して実装されている、こと
を特徴とする。

【００１５】請求項３の光モジュールによれば、第１の
回路基板は前記ベース部にハンダを介して実装されてい
るので、前記第１の回路基板の搭載面に高発熱な電子部
品を搭載するのに好適である。

【００１６】請求項４の光モジュールは、請求項１乃至
請求項３に記載の光モジュールにおいて前記パッケージ
は発光素子を冷却するためのペルチェ素子とペルチェ素
子制御半導体回路素子を内包し、前記ペルチェ素子制御
半導体回路素子は前記第１の回路基板に搭載されてい
る、ことを特徴とする。

【００１７】請求項４の光モジュールによれば、パッケ
ージはペルチェ素子及びペルチェ素子制御半導体回路素
子を内包するので光モジュールが高機能になされる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の上記の目的及び特徴は、
以下に添付図面を用いて詳述する本発明の好適な実施の
形態から容易に明らかになる。同一の構成要素には同一
の符号を付した。

【００１９】

【実施例】図１は、本発明の実施形態にかかわる光モジ
ュール１の斜め斜視図である。

【００２０】光モジュール１は、パッケージ５と光ファ
イバ７を備える。

【００２１】パッケージ５は、基準面Ｚに沿ったベース
部５ｇ（図２参照）と、前記ベース部５ｇに対して略垂
直となる前壁部５ａと、前壁部５ａと対向する後壁部５
ｆと、前壁部５ａと後壁部５ｆとを繋ぐ側壁部５ｅと、
前記ベース部５ｇと対向する蓋部５ｈを備える。パッケ
ージ５は、ベース部５ｇと前壁部５ａと後壁部５ｆと側
壁部５ｅと蓋部５ｈとで規定される気密な収容空間５ｉ
（図２参照）を備える。更に、側壁部５ｅには、パッケ
ージ５の外部と収容空間５ｉとを電気的に接続する複数
のリード端子５ｄを備える。リード端子５ｄは収容空間
５ｉに内包される内部リードと、パッケージ５の側壁部
５ｅを貫通して外部に突出する外部リードを含む。

【００２２】パッケージ５の前壁部５ａには光ファイバ
７が具備されており、光ファイバ７とパッケージ５との
固定部分は、保護部材７１によって覆われている。ここ
で、Ａ−Ａ’軸は、Ｚ面と平行をなしている。

【００２３】図２は、図１におけるＡ−Ａ’軸を含みＺ
面と垂直をなす平面での光モジュール１の断面図であ
る。

【００２４】光モジュール１はパッケージ５の収容空間
５ｉに、発光素子である半導体レーザ素子２と、第１の
回路基板１１及び第２の回路基板１２とからなる２つの
回路基板と、ボンディングワイヤと共に第１の回路基板
１１と第２の回路基板１２を電気的に接続する接続基板
１３を内包している。収容空間５ｉに半導体レーザ素子
２を内包するため、収容空間５ｉは窒素などの不活性ガ
スが充填されている。

【００２５】半導体レーザ素子２は、出射面とこれと対
向する反射面からなる共振器を有し、供給される周波数
成分を含む駆動電気信号に応じた光信号を生成する。そ
して。出射面から生成される光の殆どを出射し、反射面
からは出射面から出射した光の残りを出射する。

【００２６】パッケージ５の収容空間５ｉには、更にペ
ルチェ素子３、発光素子搭載基板８、半導体レーザ素子
２を実装する実装面２１ａを有するチップキャリア２１
が内包され、半導体レーザ素子２はベース部５ｇに対し
てペルチェ素子３、発光素子搭載基板８、チップキャリ
ア２１を介して配置されている。ここで、半導体レーザ
素子２の出射面から出射する光の光軸がＡ−Ａ’軸に沿
うと共にパッケージ５の前壁部５ａへ向けて伝搬するよ
う、ペルチェ素子３、光素子搭載基板８、チップキャリ
アそれぞれの高さ及びチップキャリア２１への半導体レ
ーザ素子２の実装方向が規定されている。更に、パッケ
ージ５の前壁部５ａには、Ａ−Ａ’軸に沿って窓部５ｂ
が設けられ、半導体レーザ素子２の出射面からの光をパ
ッケージ５の収容空間５ｉからパッケージ５の外部へ通
過させる。

【００２７】発光素子搭載基板８は、チップキャリア２
１を搭載する搭載部８ａと、ベース部５ｇに対して略垂
直に蓋部５ｈの側へ延伸する光学レンズ固定部８ｂを備
える。レンズ固定部８ｂは貫通孔を有し、半導体レーザ
素子２の出射面からの出射光を前壁部５ａへ通過させ
る。

【００２８】レンズ固定部８ｂには第１の光学レンズ素
子６ａ、パッケージ５の外側となる前壁部５ａには第２
の光学レンズ素子６ｂを備え、半導体レーザ素子２の出
射面からの光を光ファイバ７へ入射させる。光ファイバ
７は、端部にフェルール７２を備え、フェルールホルダ
ー７３、第２の光学レンズ素子６ｂを介してパッケージ
５の前壁部５ａに固定されている。第２のレンズ素子６
ｂと、フェルールホルダ７３、フェルール７２、光ファ
イバ７の一部分は、保護部材７１で覆われている。

【００２９】また更に、パッケージ５の収容空間５ｉに
は、金属性の台座１４が内包される。台座１４は、第２
の回路基板１２を搭載する基板搭載部１４ｂと、基板搭
載部１４ｂを支持する４つの支持柱１４ａを備える。

【００３０】図３は、図２における一点鎖線で包囲して
指示した部位Ｂの分解斜視図である。図４は、接続基板
１３の斜視図である。図５は、図４のＣ−Ｃ’軸に沿っ
た接続基板１３の側面断面図である。図３乃至図５を用
いて部位Ｂの構成を説明する。尚、図３においてベース
部５ｇの図示は省略してある。

【００３１】図３に記された通り、第１の回路基板１１
は搭載面１１ａと前記搭載面１１ａの反対側となる反対
面１１ｂを備える。第２の回路基板１２も同様に、搭載
面１２ａと前記搭載面１２ａと反対側となる反対面１２
ｂ（図示せず）を備える。そして、第１の回路基板１１
と第２の回路基板１２はセラミックで形成され、それぞ
れの搭載面１１ａ、１２ａには、銅薄膜によって配線回
路が形成されている。

【００３２】第１の回路基板１１の搭載面１１ａには、
電子部品１５と接続基板１３がハンダを介して実装さ
れ、電子部品１５は搭載面１１ａの配線回路とハンダ接
続またはボンディングワイヤによって適宜電気的な接続
がなされている。接続基板１３は、搭載面１１ａの後辺
１１ｅに沿って配置されている。また、電子部品１５
は、搭載面１１ａの配線回路とはボンディングワイヤ
（図示せず）で電気的に接続されている。尚、図３で
は、ひとつの電子部品１５のみを図示しているが、搭載
面１１ａに搭載する電子部品はこれに限られる訳ではな
い。

【００３３】図４を参照すると、接続基板１３は、第１
の端子面１３ａと第２の端子面１３ｂとを有し、第２の
端子面１３ｂは、第１の端子面１３ａと第２の端子面１
３ｂとの反対側となる接続基板底面１３ｌに対して、第
１の端子面１３ａよりも離間して設けられている。そし
て、接続基板１３には、接続基板１３を貫通して第１の
端子面１３ａと第２の端子面１３ｂを電気的に接続する
複数の導電ラインが形成されている。

【００３４】図５を参照すると、導電ラインそれぞれ
は、Ｃ−Ｃ’軸に沿って延伸する銅張膜で形成された導
電層１３ｃ、１３ｄ、１３ｉと第１、第２、第３のスル
ーホール１３ｈ、１３ｊ、１３ｋで構成され、接続基板
１３の導電ライン以外が絶縁性のセラミックで形成され
ることで、それぞれ互いに絶縁されている。尚、接続基
板１３は、上面側に導電層１３ｉを有する第１部位１３
ｅと、第１のスルーホール１３ｈと第２のスルーホール
１３ｊを有し第１のスルーホール１３ｈの上面側に導電
層１３ｃが形成された第２部位１３ｆと、第３のスルー
ホール１３ｋを有し上面側に導電層１３ｄが形成された
第３部位１３ｇと、をそれぞれを個別に形成した後、一
体化して形成してもよい。

【００３５】図３に戻って、第１の回路基板１１の搭載
面１１ａには、接続基板１３の第１の端子面１３ａに形
成された複数の導電層１３ｃそれぞれに対応するよう複
数のボンディングパッド１１ｄが、実装された接続基板
１３に近接して形成されている。ボンディングパッド１
１ｄそれぞれは第１の回路基板１１の搭載面１１ａに形
成された配線回路と適宜電気的な接続がなされており、
ボンディングパッド１１ｄと導電層１３ｃはそれぞれボ
ンディングワイヤ１７で接続されることで電気的な接続
がなされる。

【００３６】更に、第１の回路基板１１の搭載面１１ａ
の４隅付近それぞれには、台座１４の支持柱１４ａが接
着固定される支持柱被着部１１ｃがそれぞれ銅薄膜によ
って形成されており、ハンダを介して台座１４の支持柱
１４ａが支持柱被着部１１ｃに接着固定されている。そ
して、台座１４の基板搭載部１４ｂには、第２の回路基
板１２が反対面１２ｂを基板搭載部１４ｂへ対面するよ
うハンダを介して接着固定されている。

【００３７】第２の回路基板１２の搭載面１２ａには、
複数の電子部品１６がハンダを介して実装され、搭載面
１２ａの配線回路とハンダ接続またはボンディングワイ
ヤによって適宜電気的な接続がなされている。そして、
接続基板１３に近接する第２の回路基板１２の搭載面１
２ａの後辺１２ｅには、接続基板１３の第２の端子面１
３ｂに形成された複数の導電層１３ｄそれぞれに対応す
るように、複数のボンディングパッド１２ｄが形成され
ている。

【００３８】ボンディングパッド１２ｄそれぞれは第２
の回路基板１２の搭載面１２ａに形成された配線回路と
適宜電気的な接続がなされている。そして、ボンディン
グパッド１２ｄと導電層１３ｄはそれぞれボンディング
ワイヤ１８（図２参照）で電気的な接続がなされてい
る。

【００３９】即ち、第１の回路基板１１の配線回路と第
２の回路基板１２の配線回路とは、それぞれ複数のボン
ディングワイヤ１７、１８と、接続基板１３の有する複
数の導電ラインを介して電気的に接続されている。

【００４０】上記の通り構成された第１の回路基板１１
と第２の回路基板１２と台座４を含むサブアッセンブリ
１０は、第１の回路基板１１の反対面１１ｂがパッケー
ジ５の収容空間５ｉのベース部５ｇに、ハンダを介して
実装されている（図２参照）。

【００４１】また、第１の回路基板１１の搭載面１１ａ
には、辺１１ｅと対向する辺１１ｇに近接して回路基板
１１の搭載面１１ａの配線回路と電気的に接続した複数
のボンディングパッド１１ｆ（図３参照）が形成されて
おり、ボンディングパッド１１ｆとペルチェ素子３とは
ボンディングワイヤ１９（図２参照）によって電気的に
接続されている。

【００４２】そして、第２の回路基板１２の搭載面１２
ａに形成された配線回路と複数のリード端子５ｄの内部
リードとはボンディングワイヤ（図示せず）で電気的に
接続がなされ、よって第２の回路基板１２に実装された
複数の電子部品１６と第１の回路基板１１に実装された
電子部品１５とは、複数のリード端子５ｄと電気的な接
続がなされている。ここで、ペルチェ素子３の制御電気
信号が数アンペア程度の大電流になる場合は、ペルチェ
素子３の制御電気信号のために、上述の電気的な接続に
かえて、内部リード端子とペルチェ素子３とを接続基板
１３とボンディングワイヤ１８、１７を介さずに直接接
続することも可能である。この場合、回路基板１２の搭
載面１２ａまたは、及び回路基板１１の搭載面１１ａを
介して接続してもよく、ボンディングワイヤーにかえて
より径太なワイヤーを用いることも好適であり、ペルチ
ェ素子３の制御電気信号を入力するリード端子１３ｄを
第２の回路基板１２の辺１１ｇに近接したリード端子１
３ｄとすることも、更に回路基板１２の搭載面１２ａ及
び回路基板１１の搭載面１１ａを介して接続する場合に
は搭載面１２ａと搭載面１１ａとを接続するために図２
に示す通り第２の回路基板１２の大きさを第１の回路基
板１１に対して小さくしてもよい。

【００４３】次に図３を用いて、図２における一点鎖線
で包囲した指示した部位Ｂの組立手順について説明す
る。

【００４４】まず、第２の回路基板１２と台座１４とを
第１のハンダで接着固定する。第１のハンダは、融点が
約３１５℃と比較的高いＰｂ／Ｓｎハンダとすることが
出来る。次に、第２の回路基板１２の搭載面１２ａへ電
子部品１６を、第１の回路基板１１の搭載面１１ａへ電
子部品１５と接続基板１３を、それぞれ第２のハンダで
実装する。第２のハンダは、融点が約２８０℃となるＡ
ｕ／Ｓｎハンダとすることが出来る。ここで、搭載面１
１ａのボンディングパッド１１ｄと接続基板１３の導電
層１３ｃをボンディングワイヤ１７で接続し、合わせて
更に回路基板１１の配線回路と電子部品１５の電気的な
接続をボンディングワイヤでなす場合にはこの段階で回
路基板１１の配線回路と電子部品１５を繋ぐためのワイ
ヤリングがなされる。そして、第２の回路基板１２が接
着固定された台座１４と第１の回路基板１１とを第３の
ハンダで接着固定する。第３のハンダは、融点が約２３
２℃となるＳｎ／Ｓｂハンダとすることが出来る。そし
て、回路基板１１の反対面１１ｂがベース部５ｇと対面
するよう第４のハンダで接続固定する。第４のハンダ
は、融点が約１８３℃となるＳｎ／Ｐｂハンダとするこ
とが出来る。そして、第２の回路基板１２とリード端子
５ｄを電気的に接続するためのボンディングワイヤ、回
路基板１２の配線回路と電子部品１６を繋ぐためのボン
ディングワイヤ、及び第２の回路基板１２の配線回路と
接続基板１３の導電層１３ｄとを電気的に接続するため
のボンディングワイヤ１８をワイヤリングする。尚、回
路基板１２の配線回路と接続基板１３の導電層１３ｄと
を電気的に接続するためのボンディングワイヤ１８は、
第２の回路基板１２が接着固定された台座１４と第１の
回路基板１１とを第３のハンダで接着固定した後、回路
基板１１の反対面１１ｂとベース部５ｇとを対面して第
４のハンダで接続固定する前に実施してもよい。

【００４５】上記に詳細に説明した通り、光モジュール
１は、第１の回路基板１１と第２の回路基板１２はそれ
ぞれの搭載面１１ａ、１２ａがベース部５ｇと略平行と
なるようベース部５ｇと略垂直となる方向へ順次配置さ
れ、第１の回路基板１１の配線回路と第２の回路基板１
２の配線回路は複数の導電ラインを有する接続基板１３
及びボンディングワイヤ１７、１８で電気的に接続され
ている。よって、パッケージ５が有する収容空間５ｉを
ベース部５ｇと略垂直方向に対して有効に利用すること
が出来るので、収容する電子部品数が増加してもパッケ
ージ５のサイズを小型に構成することが出来る。

【００４６】図２に戻って、ここでＡ−Ａ’軸を含みベ
ース部５ｇと略平行となる平面に近接して、第２の回路
基板１２の搭載面１２ａ、チップキャリア２１の実装面
２１ａ、複数のリード端子５ｄ、を設けるよう規定して
もよい。この場合、複数のリード端子５ｄそれぞれと、
第２の回路基板１２の搭載面１２ａに形成された配線回
路及びチップキャリア２１に搭載された半導体レーザ素
子２とを電気的に接続するためのボンディングワイヤ
（図示せず）を短く形成することが出来るので、駆動電
気信号を高速周波数成分を含む場合に好適となる。

【００４７】また、光モジュール１では、接続基板１３
は複数の導電ラインを有し、第１の回路基板１１の配線
回路と第２の回路基板１２の配線回路とは複数の導電ラ
インとそれぞれ複数のボンディングワイヤ１７、１８と
で電気的に接続されている。よって、ボンディングワイ
ヤ１７、１８はそれぞれ短く構成することが出来るの
で、第１の回路基板１１の搭載面１１ａに搭載する電子
部品数と、及び第２の回路基板１２の搭載面１２ａに搭
載する電子部品数を増加して、第１の回路基板１１の配
線回路と第２の回路基板１２の配線回路をそれぞれ個別
に電気的に接続するための導電ラインを複数設ける場合
でも、ボンディングワイヤ１７、１８それぞれにおいて
互いに接触する虞がなく、よって複数の導電ラインを高
密度に設けた場合でも接続基板１３は小型に構成される
ので、パッケージ５を小型に構成することが出来る。

【００４８】そして光モジュール１では、第１の回路基
板１１の反対面１１ｂは、ハンダを介してパッケージ５
のベース部５ｇに実装がなされているので、第１の回路
基板１１の搭載面１１ａに搭載する電子部品１５からの
発熱をベース部５ｉを介してパッケージ５の外部へ伝達
することが出来る。よって、第１の回路基板１１の搭載
面１１ａには、高発熱な電子部品を搭載することが出来
る。即ち、収容空間５ｉに高発熱な電子部品を内包する
ことが可能な光モジュール１が提供された。ここで、パ
ッケージ５のベース部５ｉを熱伝導特性に優れたＣｕＷ
で形成することは更に好適である。

【００４９】更に、電子部品１５はペルチェ素子３を制
御するためのペルチェ素子制御半導体回路素子１５とし
て、またチップキャリア２１には半導体レーザ素子２に
近接して検出した温度に応じた電気信号を出力するサー
ミスタ素子（図示せず）を配置するようにしてもよい。
ペルチェ素子制御半導体回路素子１５は、サーミスタ素
子からの出力される制御電気信号に基づきペルチェ素子
３を制御して半導体レーザ素子２を一定の温度となるよ
う制御をなす機能が付加された。

【００５０】以上、好適な実施の形態において本発明の
原理を図示し説明してきたが、この実施形態から本発明
の原理を逸脱することなく容易になし得る変更は、本発
明の範囲に含まれることを請求する。例えば、実施例に
おいては、複数の回路基板を第１の回路基板１１と第２
の回路基板１２の２つの回路基板として説明した。しか
し、新たに第３の回路基板を設け、第２の回路基板と第
３の回路基板との電気的な接続を、上記実施例で説明し
た第１の回路基板１１と第２の回路基板１２の電気的な
接続と同様になして、ベース部５ｇと略垂直方向に第１
から第３の３つの回路基板を順次配置し、更に収容空間
５ｉに多くの電子部品を収容可能とすることは容易に想
到されうる。

【００５１】

【発明の効果】本発明によれば、半導体レーザ素子を不
活性ガスで気密に内包する収容空間を有するパッケージ
を備える光モジュールにおいて、パッケージの有する気
密な収容空間を有効に活用し、収容する電子部品の数が
増加してもパッケージのサイズが小型な光モジュールが
提供された。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施形態にかかわる光モジュ
ール１の斜め斜視図である。

【図２】図２は、図１におけるＡ−Ａ’軸を含みＺ面と
垂直をなす平面での光モジュール１の断面図である。

【図３】図３は、図２における一点鎖線で包囲して指示
した部位Ｂの分解斜視図である。

【図４】図４は、接続基板１３の斜視図である。

【図５】図５は、図４のＣ−Ｃ’軸に沿った接続基板１
３の側面断面図である。

【図６】図６は、従来技術による光モジュール１の側面
断面図である。

【符号の説明】

１…光モジュール ２…半導体レーザ素子 ３…ペルチェ素子 ５…パッケージ ６ａ、６ｂ…光学レンズ素子 ７…光ファイバ ８…搭載基板 １０…サブアッセンブリ １１…第１の回路基板 １２…第２の回路基板 １３…接続基板 １４…台座 １５…電子部品（ペルチェ素子制御半導体回路素子） １６…電子部品 １７、１８、１９…ボンディングワイヤ ２１…チップキャリア ７１…保護部材 ７２…フェルール ７３…フェルールホルダ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 茂郎 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 DA03 DA05 DA36 5F073 FA06 FA25 FA30

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】発光素子と、第１の配線回路が形成された
   第１の回路基板と、第２の配線回路が形成された第２の
   回路基板と、前記第１の配線回路と前記第２の配線回路
   を電気的に接続する接続基板と、基準面に沿ったベース
   部を有し前記発光素子と前記第１の回路基板と前記第２
   の回路基板と前記接続基板を気密に内包するパッケージ
   と、を備え、 前記第１の回路基板と前記第２の回路基板は前記基準面
   と略平行となるよう前記基準面と略垂直となる方向へ順
   次配置されている、ことを特徴とする光モジュール。
2. 【請求項２】前記接続基板は複数の導電ラインを有し、
   前記第１の配線回路と前記第２の配線回路は前記複数の
   導電ラインで電気的に接続されている、ことを特徴とす
   る請求項１に記載の光モジュール。
3. 【請求項３】前記第１の回路基板は前記ベース部にハン
   ダを介して実装されている、ことを特徴とする請求項１
   または請求項２に記載の光モジュール。
4. 【請求項４】更に、前記パッケージは発光素子を冷却す
   るためのペルチェ素子とペルチェ素子制御半導体回路素
   子を内包し、前記ペルチェ素子制御半導体回路素子は前
   記第１の回路基板に搭載されている、ことを特徴とする
   請求項１乃至請求項３に記載の光モジュール。