JP2013225011A - 光モジュール用基体及び光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】フリップチップボンディングされる光素子の電極に合わせてリードフレームを狭小化した場合であっても、一体成形されている樹脂構造体に対するリードフレームの十分な固定強度を確保する。
【解決手段】複数のリードフレーム３１〜３５と、それらリードフレーム３１〜３５と一体成形された樹脂構造体４０とよりなり、光素子実装部５１，５２と光導波路体実装部５３が樹脂構造体４０に形成されている光モジュール用基体２０において、リードフレーム３１〜３５は光素子が搭載されて電気的接続される接続部３１ａ〜３５ａと、その接続部３１ａ〜３５ａに続くリード部３１ｂ〜３５ｈとを有し、接続部３１ａ〜３５ａはその厚さ方向の一部が樹脂構造体４０に埋め込まれて光素子実装部５１，５２に位置されている。
【選択図】図１

Description

この発明は光モジュールに関し、特に光モジュールを構成するために用いる光モジュール用基体の構造に関する。

図９は光モジュールの従来例として、特許文献１に記載されている構成を示したものである。光モジュールはこの例ではリードフレーム１１と受光素子１２と封止体１３とフェルール１４とプリアンプ１５とコンデンサ１６を備えている。

リードフレーム１１は複数の端子１１ａ〜１１ｅを有している。端子１１ａは受光素子１２への給電端子であり、受光素子搭載領域１１ｆを含んでいる。受光素子１２には対向する２つの面に電極が形成されており、受光素子搭載領域１１ｆに受光素子１２が搭載されることによって、端子１１ａに受光素子１２の一方の電極が電気的に接続されている。

受光素子搭載領域１１ｆには開口１１ｇが形成されており、フェルール１４に保持された光ファイバ１７からの光は、開口１１ｇを通じて受光素子１２の受光面１２ａに導かれる。

端子１１ｂはＧＮＤ端子であり、プリアンプ搭載領域１１ｈを含んでいる。プリアンプ搭載領域１１ｈにはプリアンプ１５及びコンデンサ１６が搭載されている。プリアンプ１５と受光素子１２の他方の電極とはボンディングワイヤによって電気的に接続されている。コンデンサ１６は平行平板型コンデンサであり、プリアンプ１５はコンデンサ１６を介して給電端子である端子１１ｃに接続されている。

端子１１ｄ及び１１ｅはプリアンプ１５からの信号を出力するための端子であり、ボンディングワイヤによってプリアンプ１５に電気的に接続されている。

リードフレーム１１は端子１１ａ〜１１ｅの各端部が露出するように封止体１３によって覆われている。封止体１３は光ファイバ１７からの光に対して透明な樹脂によって成形されて構成されており、位置決め部１３ａ、光路変換部１３ｂ、素子配置部１３ｃを有している。

位置決め部１３ａはフェルール収容部１３ｄと光ファイバ収容部１３ｅとよりなり、フェルール収容部１３ｄはフェルール１４の位置を規定し、光ファイバ収容部１３ｅは光ファイバ１７の位置を規定する。

光路変換部１３ｂは入射面１３ｆと反射面１３ｇを有している。反射面１３ｇは光ファイバ１７から出射され、入射面１３ｆを透過した光を反射して受光面１２ａに入射させる。

素子配置部１３ｃはリードフレーム１１の受光素子搭載領域１１ｆとプリアンプ搭載領域１１ｈとを露出させるための部分であり、凹状をなしている。素子配置部１３ｃは最終的にポッテング樹脂により覆われ、これにより受光素子１２、プリアンプ１５、コンデンサ１６及びボンディングワイヤが保護されるものとなっている。

特開２００５−１６５１２５号公報

上述した光モジュールでは、受光素子は対向する２つの面に電極を有する構成とされ、一方の電極をリードフレームに搭載して接続し、他方の電極はワイヤボンディングによって接続するものとなっている。しかしながら、受光素子や発光素子はこのような電極配置を有する構成に限らず、例えばフリップチップボンディングされるタイプのものもあり、フリップチップボンディングされる面発光素子や面受光素子では一般に発光面や受光面が位置する面と同一面に複数の電極が配置された構成となっている。

このような電極配置の場合、各電極は狭小となり、これに合わせてフリップチップボンディングされる相手方のリードフレームも狭小化する必要がある。

ところで、フリップチップボンディングにおいては、チップ（素子）に超音波を印加し、超音波振動により接合する方式も用いられており、この方式の場合には接合部分に超音波振動が確実に印加されるように、リードフレームは堅固に固定されていなければならない。

しかしながら、図９に示した光モジュールにおけるリードフレーム１１の受光素子搭載領域１１ｆの固定構造を見ると、受光素子搭載領域１１ｆは封止体１３の上に単に載置され、下面のみが封止体１３と接している構造のため、封止体１３に堅固に固定されているとは言えず、超音波印加によりリードフレーム自体が振動してしまう恐れが高いものとなっている。従って、フリップチップボンディングされる面発光素子や面受光素子の電極に合わせてリードフレームを狭小化した場合には、リードフレーム自体が振動してしまう恐れはさらに高くなり、十分な接合強度が得られず、接合不良が発生するといった問題がある。

この発明の目的はこの問題に鑑み、フリップチップボンディングされる光素子の電極に合わせてリードフレームを狭小化した場合であっても、リードフレームと一体成形された樹脂構造体に対するリードフレームの十分な固定強度を確保することができるようにした光モジュール用基体を提供することにあり、さらにその光モジュール用基体を用いて構成された光モジュールを提供することにある。

請求項１の発明によれば、複数のリードフレームと、それらリードフレームと一体成形された樹脂構造体とよりなり、光素子実装部と光導波路体実装部が樹脂構造体に形成されている光モジュール用基体において、リードフレームは光素子が搭載されて電気的接続される接続部と、その接続部に続くリード部とを有し、接続部はその厚さ方向の一部が樹脂構造体に埋め込まれて光素子実装部に位置されているものとされる。

請求項２の発明では請求項１の発明において、接続部はリード部と接続されている基端側が折り曲げられてリード部より１段高くされている。

請求項３の発明では請求項２の発明において、接続部とリード部の段差はリードフレームの厚さよりも小さくされる。

請求項４の発明では請求項１乃至３のいずれかの発明において、光素子実装部に前記接続部が３つ位置され、それら３つの接続部によって光素子が３点支持される構造とされる。

請求項５の発明では請求項１乃至４のいずれかの発明において、光素子実装部は樹脂構造体の一面の端縁に形成された凹部とされ、凹部は前記一面に続く樹脂構造体の側面に開放されているものとされる。

請求項６の発明では請求項５の発明において、リード部は前記側面に導出されているものとされる。

請求項７の発明では請求項５又は６の発明において、樹脂構造体は光素子が扱う光に対して透明とされ、光導波路体実装部は樹脂構造体の前記一面と反対側の面に形成されているものとされる。

請求項８の発明では請求項７の発明において、光素子は面発光素子及び面受光素子のいずれか一方もしくは双方とされ、光導波路体実装部に実装される光導波路体と光素子との間の光路を変換して光軸を一致させる反射面が樹脂構造体の前記反対側の面に形成されているものとされる。

請求項９の発明では請求項８の発明において、光導波路体実装部に実装される光導波路体は光ファイバとされ、光導波路体実装部は光ファイバを位置決めする溝もしくは収容穴とされる。

請求項１０の発明では請求項５乃至９のいずれかの発明において、樹脂構造体は前記側面から突出延長された基板搭載部を有するものとされる。

請求項１１の発明によれば、光モジュールは請求項１０記載の光モジュール用基体と、光素子実装部に実装された光素子と、光導波路体実装部に実装された光導波路体と、リード部とワイヤボンディングにより接続されるＩＣが実装された基板とよりなり、基板は基板搭載部に搭載され、ＩＣのワイヤボンディング面の高さがリード部のワイヤボンディング面の高さと等しくされている。

この発明による光モジュール用基体によれば、光素子が搭載されて電気的に接続されるリードフレームの接続部の固定強度を向上させることができる。

また、この発明による光モジュールによれば、リードフレームの接続部が樹脂構造体に堅固に固定されているため、光素子のフリップチップボンディングにおいて超音波印加による接合方式を用いた場合においても十分な接合強度を得ることができる。

Ａはこの発明による光モジュール用基体の一実施例を示す斜視図、ＢはＡの部分拡大図、Ｃはリードフレーム接続部の折り曲げを説明するための図。 Ａはキャリアに繋がった状態のリードフレームを示す斜視図、ＢはＡの部分拡大図。 図１Ａに示した光モジュール用基体のキャリア切断除去前の状態を示す斜視図。 Ａは面発光素子の斜視図、Ｂは面受光素子の斜視図。 Ａは図１Ａに示した光モジュール用基体を用いて構成された光モジュールの斜視図、ＢはＡの部分拡大図。 図５Ａに示した光モジュールを底面側から見た斜視図。 Ａは図５Ａに示した光モジュールの底面図、Ｂはその正面図、ＣはＡのＤＤ線部分拡大断面図。 この発明による光モジュール用基体の他の実施例を示す部分拡大図。 Ａは光モジュールの従来例を示す斜視図、ＢはＡのＣＣ線断面図。

この発明の実施形態を図面を参照して実施例により説明する。

図１はこの発明による光モジュール用基体の一実施例の構成を示したものであり、光モジュール用基体２０はリードフレーム３１〜３５と樹脂構造体４０とよりなり、樹脂構造体４０はリードフレーム３１〜３５がインサートされて一体成形されている。

図２はリードフレーム３１〜３５の詳細を、インサート成形される際のキャリアに繋がった状態で示したものであり、図２中、３０はキャリアを示し、３０ａ〜３０ｅはブリッジを示す。また、３０ｆはパイロット穴を示す。

リードフレーム３１は光素子が搭載されてその電極と電気的に接続される接続部３１ａと、接続部３１ａに続くリード部３１ｂとを有しており、他のリードフレーム３２〜３５も同様に、接続部３２ａ〜３５ａとリード部３２ｂ〜３５ｂとを有している。各リード部３１ｂ〜３５ｂはブリッジ３０ａ〜３０ｅに至るように延伸されている。

リードフレーム３１，３２の接続部３１ａ，３２ａは、リード部３１ｂ、３２ｂの互いの内側面から互いに内向きに突出されて形成されており、この例ではリードフレーム３１は接続部３１ａを２つ有するものとなっている。

なお、リード部３１ｂ，３２ｂの先端側には、互いの外側面から互いに外向きに突出延長された延長部３１ｃ，３２ｃが設けられている。

リードフレーム３３，３４の接続部３３ａ，３４ａは、リード部３３ｂ，３４ｂの互いの内側面から互いに内向きに突出されて形成されている。リード部３３ｂ，３４ｂの先端側にはリード部３３ｂ，３４ｂの延伸方向にさらに延伸された延長部３３ｃ，３４ｃがリード３３ｂ，３４ｂの互いの外側面から延長されて形成されている。

一方、リードフレーム３５のリード部３５ｂはＬ字状をなすように延伸されており、先端側に位置するＬ字の一辺の内側に接続部３５ａが突出形成されている。接続部３５ａの突出方向は接続部３３ａ，３４ａの突出方向と直交する方向とされ、接続部３３ａ，３４ａが位置する方向に向かって突出されている。なお、接続部３５ａが形成されているリード部３５ｂのＬ字の一辺は図２に示したように幅広とされている。

各接続部３１ａ〜３５ａはリード部３１ｂ〜３５ｂと接続されている基端側が図２Ｂに示したように折り曲げられてリード部３１ｂ〜３５ｂより１段高くされている。

上記のような構成を有し、キャリア３０に支持されたリードフレーム３１〜３５は金属板をプレスで打ち抜き、曲げ加工を施すことによって製造される。金属板は例えば銅板とされ、プレス後、金めっきが施される。なお、接続部３１ａ〜３５ａは極めて狭小であって、図２Ｂ中に例示した幅ｗ及び間隔ｓの数値例を示せば、ｗ＝５０μｍ、ｓ＝７５μｍである。

図３はキャリア３０に支持された図２Ａに示したリードフレーム３１〜３５が樹脂構造体４０と一体成形された状態を示したものであり、ブリッジ３０ａ〜３０ｅを切断し、キャリア３０を除去することによって、図１に示した光モジュール用基体２０となる。

光モジュール用基体２０はこの例では光素子として面発光素子と面受光素子の双方が実装される構造とされ、樹脂構造体４０には２つの光素子実装部５１，５２が設けられている。

樹脂構造体４０は方形板状をなす本体部４１と、本体部４１から突出されて延長された一対の腕部４２とよりなる。一対の腕部４２はそれぞれ本体部４１の下面４１ｂから突出された基部４２ａと、その基部４２ａから下面４１ｂと平行方向に延長されて形成された基板搭載部４２ｂとよりなる。一対の基板搭載部４２ｂは図１Ａに示したように本体部４１の方形の一辺の両端部に位置して、その一辺をなす本体部４１の側面４１ｃから互いに平行に突出された形状となっている。

本体部４１の側面４１ｃには両端部を除いて両端部より１段低い凹部４１ｄが形成されており、この凹部４１ｄは一対の腕部４２の基部４２ａにまで延長されて形成されている。また、凹部４１ｄの上端（本体部４１の上面４１ａ側）には凹部４１ｄよりさらに１段低い段部４１ｅが形成されている。

光素子実装部５１，５２は本体部４１の上面（一面）４１ａの段部４１ｅが形成されている端縁に、段部４１ｅと連通して形成された凹部とされ、凹部によって構成された光素子実装部５１，５２は本体部４１の側面４１ｃ側に開放されている。光素子実装部５１，５２の内部底面５１ａ，５２ａは、段部４１ｅによって形成された本体部４１の上面４１ａより１段低い段差面４１ｆと同一平面上に位置されている。

インサート成形されたリードフレーム３１，３２の接続部３１ａ，３２ａは一方の光素子実装部５１の内部底面５１ａに位置し、リードフレーム３３〜３５の接続部３３ａ〜３５ａは他方の光素子実装部５２の内部底面５２ａに位置されている。リードフレーム３１〜３５の各リード部３１ｂ〜３５ｂは本体部４１の側面４１ｃ側に導出され、側面４１ｃに形成されている凹部４１ｄよりわずかに突出されている。この突出部分の先端面はブリッジ切断面をなす。

リードフレーム３１〜３５のリード部３１ｂ〜３５ｂの各一部、延長部３１ｃ，３２ｃ及び延長部３３ｃ，３４ｃの各一部は樹脂構造体４０の樹脂によって覆われており、リード部３１ｂ〜３５ｂ及び延長部３３ｃ，３４ｃの露出している部分は露出面が光素子実装部５１，５２の内部底面５１ａ，５２ａ及び段差面４１ｆと同一平面をなすように、凹部４１ｄより突出している部分を除いてその厚さ方向の全てが樹脂構造体４０に埋め込まれている。

一方、リードフレーム３１〜３５の各接続部３１ａ〜３５ａは、前述したように折り曲げられてリード部３１ｂ〜３５ｂより１段高くされているため、厚さ方向の一部が樹脂構造体４０に埋め込まれた状態となる。図１Ｃはこの様子を接続部３２ａの部分を例に示したものであり、接続部３２ａはその厚さ方向の一部が樹脂構造体４０に埋め込まれた状態となるように、接続部３２ａとリード部３２ｂの折り曲げによる段差ｄはリードフレーム３２の厚さｔよりも小さくされている。リードフレーム３１〜３５の各接続部３１ａ〜３５ａはこのように樹脂構造体４０に厚さ方向の一部が埋め込まれることにより、光素子実装部５１，５２の内部底面５１ａ，５２ａからわずかに突出した状態となる。

図４Ａ，Ｂはこれら光素子実装部５１，５２に実装される光素子を例示したものであり、図４Ａは面発光素子を示し、図４Ｂは面受光素子を示す。面発光素子６０は例えばＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）とされ、面受光素子７０は例えばＰＤ（フォトダイオード）とされる。図４Ａにおいて、６１は発光面を示し、６２〜６４は電極を示す。また、図４Ｂにおいて、７１は受光面を示し、７２，７３は電極を示す。なお、面発光素子６０の電極６４は面発光素子６０を機械的に固定するためのダミー電極となっている。

以上、光モジュール用基体２０の光素子実装部５１，５２及び基板搭載部４２ｂの構成、光素子実装部５１，５２に実装される面発光素子６０、面受光素子７０の構成について説明したが、光モジュール用基体２０はこれら面発光素子６０及び面受光素子７０と光接続される光導波路体が実装される光導波路体実装部をさらに備えている。光導波路体実装部は樹脂構造体４０の本体部４１の光素子実装部５１，５２が形成されている上面４１ａと反対側の下面４１ｂに形成されている。光導波路体実装部の構成については後述する。

図５〜７は上述した光モジュール用基体２０を用いて構成された光モジュール１００の構成を示したものである。光モジュール１００は光モジュール用基体２０と、面発光素子６０と、面受光素子７０と、光導波路体としての光ファイバ８１，８２と、所要の配線パターンが形成され、かつ所要の素子（ＩＣ）が実装された基板９０とよりなる。なお、基板９０に形成されている配線パターンの図示は省略している。

面受光素子７０及び面発光素子６０はそれぞれ光モジュール用基体２０の光素子実装部５１，５２にフリップチップボンディングされて実装される。フリップチップボンディングはこの例では超音波印加により行われ、即ち面受光素子７０及び面発光素子６０にそれぞれ超音波を印加して超音波振動させることにより、面受光素子７０の電極７２，７３を対応するリードフレーム３１，３２の接続部３１ａ，３２ａに接合し、面発光素子６０の電極６２〜６４を対応するリードフレーム３３〜３５の接続部３３ａ〜３５ａに接合する。なお、光素子実装部５１，５２の、本体部４１の上面４１ａに開口する開口端には面受光素子７０及び面発光素子６０をそれぞれ収容しやすいようにテーパ面５１ｂ，５２ｂが設けられている。

光ファイバ８１，８２は樹脂構造体４０の本体部４１の下面４１ｂに形成されている光導波路体実装部５３に実装される。光導波路体実装部５３はこの例ではＶ溝によって構成されており、２本の光ファイバ８１，８２を実装すべく、２つのＶ溝が形成されている。Ｖ溝よりなる光導波路体実装部５３は本体部４１の下面４１ｂに形成された凹溝４１ｇの底面に形成されている。

光ファイバ８１，８２の各ファイバ素線８１ａ，８２ａは、Ｖ溝よりなる光導波路体実装部５３に実装されて位置決め固定される。固定は接着により行われる。

凹溝４１ｇの延伸方向一端側には凹溝４１ｇに続いて凹溝４１ｇより一段深い段部４１ｈが形成されており、この段部４１ｈは本体部４１の側面４１ｉに至るように形成されている。一方、凹溝４１ｇの延伸方向他端側には凹溝４１ｇに続いて凹溝４１ｇより一段深い凹部４１ｊが形成されており、ファイバ素線８１ａ，８２ａの各先端はこの凹部４１ｊに位置されている。

ファイバ素線８１ａ，８２ａの各先端が位置する凹部４１ｊの先には本体部４１の下面４１ｂの端部が切り欠かれて傾斜面４１ｋが形成されている。傾斜面４１ｋの、ファイバ素線８１ａ，８２ａの延長上に位置する領域には図７Ｃに示したように凸面形状をなす反射面４１ｍがそれぞれ形成されている。

一対の反射面４１ｍは光ファイバ８１，８２と面受光素子７０、面発光素子６０との各間の光路を変換して光軸を一致させるもので、図７Ｃに示したように光ファイバ素線８１ａから出射された光は反射面４１ｍで反射され、集光されて面受光素子７０に入射される。一方、面発光素子６０から出射された光は反射面４１ｍで反射され、集光されて光ファイバ素線８２ａに入射される。このようにこの例では樹脂構造体４０内を光が透過して光ファイバ８１，８２と面受光素子７０、面発光素子６０との各間の光接続が行われるものとなっており、樹脂構造体４０はこれら透過する光に対して透明な絶縁樹脂によって構成されている。

次に、光モジュール用基体２０への基板９０の搭載、接続について説明する。

基板９０は樹脂構造体４０に形成されている基板搭載部４２ｂに搭載されて固定される。リードフレーム３１〜３５の内、電気的接続を担うリードフレーム３１〜３４の各リード部３１ｂ〜３４ｂはワイヤボンディングにより基板９０に搭載されているＩＣと電気的に接続される。図５では２つのＩＣ９１，９２を例示している。ＩＣ９１は例えばトランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ：Trans Impedance Amplifier）であり、この例ではＩＣ９１は電極が上向きとされて（上面側とされて）基板９０に接着固定されている。ＩＣ９１は面受光素子７０が実装されているリードフレーム３１，３２のリード部３１ｂ，３２ｂとワイヤボンディングにより接続される。図５中、９５はボンディングワイヤを示す。なお、図５では面発光素子６０が実装されているリードフレーム３３，３４のリード部３３ｂ，３４ｂとワイヤボンディングにより接続されるＩＣの図示は省略している。

光モジュール用基体２０におけるリードフレーム３１〜３５のリード部３１ｂ〜３５ｂが位置する高さと基板搭載部４２ｂの高さとの差（段差）は、図７Ｂ中に示したように基板９０の厚さをＴ₁、リード部と接続されるＩＣ９１の厚さをＴ₂とした時、Ｔ₁＋Ｔ₂とされる。このように設定することにより、ＩＣのワイヤボンディング面の高さがリード部のワイヤボンディング面の高さと等しくなり、よってボンディングワイヤ９５の長さは短かくなる。

以上、この発明による光モジュール用基体の一実施例の構成及びそれを用いて構成された光モジュールについて説明したが、図１に示した光モジュール用基体２０の構成によれば、以下に示したような作用効果を得ることができる。

（１）光素子の電極と接続されるリードフレーム３１〜３５の接続部３１ａ〜３５ａは、その厚さ方向の一部が樹脂構造体４０に埋め込まれているため、樹脂構造体４０に対する十分な固定強度を確保することができる。よって、フリップチップボンディングにおいて超音波印加による接合方式を用いる場合であっても、接続部３１ａ〜３５ａ自体の振動を抑制することができ、接合部に超音波振動を集中させることができるので接合を良好に行うことができ、十分な接合強度を得ることができる。これにより、低パワーの超音波印加でも接合が可能となる。

（２）リードフレーム３１〜３５の接続部３１ａ〜３５ａは、リード部３１ｂ〜３５ｂと接続されている基端側が折り曲げられてリード部３１ｂ〜３５ｂより１段高くされており、これにより光素子の電極との接合面が小さく限定されているので、例えば超音波印加による接合方式を用いる場合に接合部に超音波振動をより集中させることができる。

（３）各光素子実装部５１，５２にはそれぞれリードフレームの接続部が３つ位置し、それら３つの接続部は一直線上ではなく、三角形の頂点を構成し、実装される光素子はそれぞれ３つの接続部によって３点支持される構成となっている。よって、光素子の実装が安定すると共に、良好な電気的接続状態（接合状態）を得ることができ、また位置決め作業（光軸合わせ作業）もやりやすいものとなる。

（４）基板搭載部４２ｂとリードフレーム３１〜３５のリード部３１ｂ〜３５ｂとの高さの差により、基板搭載部４２ｂに搭載される基板９０に実装されているＩＣのワイヤボンディング面の高さとリードフレームのリード部のワイヤボンディング面の高さが等しくなるようにされているため、ボンディングワイヤを短かくすることができ、よって高速伝送に有利となり、その点で高性能化を図ることができる。

次に、図８に示した構成について説明する。

図８はこの発明による光モジュール用基体の他の実施例の要部構成を示したものであり、この例ではリードフレーム３１〜３５の各接続部３１ａ′〜３５ａ′は曲げ加工が施されておらず、リード部３１ｂ〜３５ｂと同一平面をなすものとされている。

一方、樹脂構造体４０に設けられている光素子実装部５１，５２の内部底面５１ａ，５２ａはリードフレーム３１〜３５の上面より低くされており、段差面４１ｆのうち、これら内部底面５１ａ，５２ａに続く部分４１ｆ′もリードフレーム３１〜３５の上面より低くされ、内部底面５１ａ，５２ａと同一平面をなすものとされている。

リードフレーム３１〜３５の接続部３１ａ′〜３５ａ′はこの例においてもその厚さ方向の一部が樹脂構造体４０に埋め込まれた構造になっており、樹脂構造体４０に対する十分な固定強度を確保することができる。

以上、この発明の実施例について説明したが、光モジュール用基体は光素子実装部を２つではなく、１つだけ有するものであってもよく、面発光素子及び面受光素子のいずれか一方が実装される構成のものであってもよい。

光ファイバを位置決めする光導波路体実装部はＶ溝に替えて光ファイバを収容固定する収容穴とすることもでき、また光導波路体は光ファイバに限らず、光導波路基板であってもよい。

なお、リードフレームは金めっきが施されたものとしているが、例えばリードフレームの、光素子の電極との接続部に金バンプを設けるといった構成を採用してもよい。

１１ リードフレーム １１ａ〜１１ｅ 端子
１１ｆ 受光素子搭載領域 １１ｇ 開口
１１ｈ プリアンプ搭載領域 １２ 受光素子
１２ａ 受光面 １３ 封止体
１３ａ 位置決め部 １３ｂ 光路変換部
１３ｃ 素子配置部 １３ｄ フェルール収容部
１３ｅ 光ファイバ収容部 １３ｆ 入射面
１３ｇ 反射面 １４ フェルール
１５ プリアンプ １６ コンデンサ
１７ 光ファイバ ２０ 光モジュール用基体
３０ キャリア ３０ａ〜３０ｅ ブリッジ
３０ｆ パイロット穴 ３１〜３５ リードフレーム
３１ａ〜３５ａ，３１ａ′〜３５ａ′ 接続部 ３１ｂ〜３５ｂ リード部
３１ｃ〜３４ｃ 延長部 ４０ 樹脂構造体
４１ 本体部 ４１ａ 上面
４１ｂ 下面 ４１ｃ 側面
４１ｄ 凹部 ４１ｅ 段部
４１ｆ，４１ｆ′ 段差面 ４１ｇ 凹溝
４１ｈ 段部 ４１ｉ 側面
４１ｊ 凹部 ４１ｋ 傾斜面
４１ｍ 反射面 ４２ 腕部
４２ａ 基部 ４２ｂ 基板搭載部
５１，５２ 光素子実装部 ５１ａ，５２ａ 内部底面
５１ｂ，５２ｂ テーパ面 ５３ 光導波路体実装部
６０ 面発光素子 ６１ 発光面
６２〜６４ 電極 ７０ 面受光素子
７１ 受光面 ７２，７３ 電極
８１，８２ 光ファイバ ８１ａ，８２ａ ファイバ素線
９０ 基板 ９１，９２ ＩＣ
９５ ボンディングワイヤ １００ 光モジュール

Claims (11)

1. 複数のリードフレームと、それらリードフレームと一体成形された樹脂構造体とよりなり、光素子実装部と光導波路体実装部が前記樹脂構造体に形成されている光モジュール用基体であって、
   前記リードフレームは光素子が搭載されて電気的接続される接続部と、その接続部に続くリード部とを有し、
   前記接続部はその厚さ方向の一部が前記樹脂構造体に埋め込まれて前記光素子実装部に位置されていることを特徴とする光モジュール用基体。
2. 請求項１記載の光モジュール用基体において、
   前記接続部は前記リード部と接続されている基端側が折り曲げられて前記リード部より１段高くされていることを特徴とする光モジュール用基体。
3. 請求項２記載の光モジュール用基体において、
   前記接続部と前記リード部の段差は前記リードフレームの厚さよりも小さくされていることを特徴とする光モジュール用基体。
4. 請求項１乃至３記載のいずれかの光モジュール用基体において、
   前記光素子実装部に前記接続部が３つ位置され、それら３つの接続部によって前記光素子が３点支持される構造とされていることを特徴とする光モジュール用基体。
5. 請求項１乃至４記載のいずれかの光モジュール用基体において、
   前記光素子実装部は前記樹脂構造体の一面の端縁に形成された凹部とされ、
   前記凹部は前記一面に続く前記樹脂構造体の側面に開放されていることを特徴とする光モジュール用基体。
6. 請求項５記載の光モジュール用基体において、
   前記リード部は前記側面に導出されていることを特徴とする光モジュール用基体。
7. 請求項５又は６記載の光モジュール用基体において、
   前記樹脂構造体は前記光素子が扱う光に対して透明とされ、
   前記光導波路体実装部は前記樹脂構造体の前記一面と反対側の面に形成されていることを特徴とする光モジュール用基体。
8. 請求項７記載の光モジュール用基体において、
   前記光素子は面発光素子及び面受光素子のいずれか一方もしくは双方とされ、
   前記光導波路体実装部に実装される光導波路体と前記光素子との間の光路を変換して光軸を一致させる反射面が前記樹脂構造体の前記反対側の面に形成されていることを特徴とする光モジュール用基体。
9. 請求項８記載の光モジュール用基体において、
   前記光導波路体実装部に実装される光導波路体は光ファイバとされ、
   前記光導波路体実装部は前記光ファイバを位置決めする溝もしくは収容穴とされていることを特徴とする光モジュール用基体。
10. 請求項５乃至９記載のいずれかの光モジュール用基体において、
    前記樹脂構造体は前記側面から突出延長された基板搭載部を有することを特徴とする光モジュール用基体。
11. 請求項１０記載の光モジュール用基体と、
    前記光素子実装部に実装された光素子と、
    前記光導波路体実装部に実装された光導波路体と、
    前記リード部とワイヤボンディングにより接続されるＩＣが実装された基板とよりなり、
    前記基板は前記基板搭載部に搭載され、
    前記ＩＣのワイヤボンディング面の高さが前記リード部のワイヤボンディング面の高さと等しくされていることを特徴とする光モジュール。

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