JP2002064212A - 光受信モジュール - Google Patents

光受信モジュール

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JP2002064212A
JP2002064212A JP2000248611A JP2000248611A JP2002064212A JP 2002064212 A JP2002064212 A JP 2002064212A JP 2000248611 A JP2000248611 A JP 2000248611A JP 2000248611 A JP2000248611 A JP 2000248611A JP 2002064212 A JP2002064212 A JP 2002064212A
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semiconductor
optical
receiving element
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Yasushi Fujimura
康 藤村
Yuji Kida
雄次 木田
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】データ伝送レートの劣化無しにプラトー領域を
確保できる光受信モジュールを提供する。 【解決手段】所定の軸に沿った第１および第２の支持面
32a,32bを持つ光ファイバ支持溝32が光ファイバ搭載基
板20の第１の領域にある。光ファイバ支持溝32の一端に
設けられ所定の軸と交差する突き当て面38aを有する位
置決め溝38が第２の領域にある。所定の軸と交差する反
射面とこの反射面に光ファイバ18からの光を導く光導入
路42とを有する受光素子実装部が第３の領域にある。光
ファイバ18は、支持面32a,32bに支持され、突き当て面3
8aにより位置決めされる。半導体受光素子22は、光ファ
イバ搭載基板20にモノリシックレンズを向けるように配
置される。半導体信号処理素子28は、光ファイバ搭載基
板20に隣接した搭載部材26上に配置され、半導体受光素
子22からの電気信号を処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光受信モジュール
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光受信モジュールには、以下の２
つのタイプが考えられる。その１つタイプは、導波路型
の半導体受光素子を用いる光受信モジュールであり、他
方のタイプは、面受光型の半導体受光素子を用いる光受
信モジュールである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前者のタイプでは、光
ファイバ、および導波路型半導体受光素子が一直線上に
配置される。このため、光信号の方向と、電気信号の方
向が一致している。光ファイバの端面は導波路型半導体
受光素子の一端面と光学的に結合される。このタイプで
は、その性能が光ファイバと導波路型受光素子との調芯
に敏感であり、このため、この両者の位置決めを高精度
で行う必要がある。
【０００４】後者のタイプでは、光ファイバの端面は、
面受光型半導体受光素子の受光面と光学的に結合され
る。しかしながら、この形態では、光ファイバの一端
が、面受光型半導体受光素子の光検出面と対面してい
る。一方、一般には受光素子は、他の電子素子とボンデ
ィングワイヤを介して接続できるように、その電子素子
と一平面に配置されている。このため、光信号が進む方
向と、電気信号が進む方向と一致していない。このよう
な構造は、光受信モジュールに適用し易い形態とは言い
難い。
【０００５】また、上記の形態を避けるためには、以下
のような構造が考えられる。例えば、面受光型半導体受
光素子が直方体形状のサブマウントの一側面に配置され
ていると共に、他の電子素子がそのサブマウントの上面
に配置されている光受信モジュールがある。両素子は、
サブマウントの上面から側面に伸びる導電層を介して接
続されている。この構造は、光ファイバ、面受光型半導
体受光素子、および他の電子素子が一直線に沿って配置
される構造を有するけれども複雑である。
【０００６】あるいは、面受光型半導体受光素子および
他の電子素子をサプマウントの上面に配置すると共に、
光ファイバの一端部からの光が凹面鏡を介して面受光型
受光素子の受光面に導かれる光受信モジュールが知られ
ている。この構造によれば、光ファイバ、面受光型半導
体受光素子、および他の電子素子が一直線に沿って配置
される。しかしながら、光ファイバを面受光型受光素子
と光学的に結合するために凹面鏡といった部品が必要と
される。
【０００７】上記によれば、いずれの形態も、光受信モ
ジュールの構造は複雑である。また、光ファイバと受光
素子との間の位置合わせに対するトレランスが小さい。
つまり、光ファイバと受光素子との位置合わせを変化さ
せたときに、光ファイバと受光素子との結合効率が実質
的に変動しない範囲(プラトー領域ともいう)が小さいの
である。
【０００８】また、光受信モジュールでは、光ファイバ
と受光素子との間にレンズが設けられる。レンズを配置
すれば光ファイバと受光素子との間の光学的な結合を高
めることができる。しかしながら、レンズのために新た
な位置合わせが必要となる。
【０００９】このような問題点と併せて解決が望まれて
いる課題として、高速な動作が可能な光受信モジュール
が求められている。例えば、最近では、光受信モジュー
ルでに対して、約１０Ｇｂｐｓ程度の伝送を行うことが
求められている。
【００１０】そこで、本発明の目的は、データ伝送レー
トを劣化させることなく、光ファイバと受光素子との結
合効率を確保することが可能な光受信モジュールを提供
することとした。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる光受信モ
ジュールは、光ファイバ搭載基板と、光ファイバと、半
導体受光素子と、搭載部材と、半導体信号処理素子とを
備える。
【００１２】光ファイバ搭載基板は、所定の軸に沿って
主面上に設けられた第１、第２および第３の領域を有す
る。この光ファイバ搭載基板の第１の領域には、光ファ
イバ支持部が設けられ、光ファイバ支持部は、所定の軸
方向に沿って伸び第１および第２の支持面を持つ。第２
の領域には、位置決め部が設けられ、位置決め部は、光
ファイバ支持部の一端に設けられ所定の軸と交差する突
き当て面を有する。第３の領域には、受光素子実装部が
設けられ、受光素子実装部は、所定の軸と交差する反射
面とこの反射面に光ファイバからの光を導くための光導
入路とを有する。光ファイバは、第１および第２の支持
面に支持されると共に、その一端が突き当て面に突き当
てられ位置決めされる。半導体受光素子は、モノリシッ
クレンズが設けられた光入射面と光検出部とを有し、光
ファイバ搭載基板の受光素子実装部に光入射面を対面さ
せた状態で配置されている。半導体信号処理素子は、光
ファイバ搭載基板に隣接して配置されている搭載部材上
に配置される。
【００１３】光ファイバは、光ファイバ支持部に支持さ
れた状態で、その一端が突き当て面に突き当てられてい
る。これによって、光ファイバは光ファイバ搭載基板に
対して位置決めされる。また、半導体受光素子は、光フ
ァイバ搭載基板に対して位置決めされた状態で受光素子
実装部に配置されている。これらにより、光ファイバお
よび半導体受光素子の位置合わせ精度が確保される。加
えて、半導体受光素子は、光入射面にモノリシックレン
ズを備えるので、光検出部とモノリシックレンズとの相
対的な位置精度が確保されている。したがって、光ファ
イバからの光は、光ファイバ搭載基板に設けられた反射
面に反射された後に、半導体受光素子のモノリシックレ
ンズを介して光検出部に到達する。
【００１４】また、半導体信号処理素子が、光ファイバ
搭載基板に隣接している搭載部材上に配置されているの
で、半導体受光素子と半導体信号処理素子との電気的な
接続長を短縮できる。
【００１５】本発明に係わる光受信モジュールでは、半
導体受光素子の光検出部は、反射面およびモノリシック
レンズを介して光ファイバの一端と光学的に結合される
と共に、モノリシックレンズによって集光された光を受
けるために必要な光検出領域を有する。つまり、光検出
部の位置は、モノリシックレンズとの位置関係だけでな
く、光ファイバ搭載基板上に配置された光ファイバの一
端の位置および光ファイバ搭載基板上に設けられた反射
面の位置とも関連づけられる。
【００１６】また、光ファイバから出た光はモノリシッ
クレンズにより光検出部に集光される。このため、所定
の光量を確保するために必要な光検出領域の面積が縮小
される。このため、光検出部のキャパシタンスを低減で
きる。
【００１７】本発明に係わる光受信モジュールでは、光
ファイバ、半導体受光素子、半導体信号処理素子は、こ
の順に所定の軸に沿って配置されている。これによっ
て、光受信モジュールにおいて、光ファイバおよび半導
体受光素子との間の光学的な結合だけでなく、半導体受
光素子および半導体信号処理素子との間の電気的な接続
長が短縮される。
【００１８】本発明に係わる光受信モジュールでは、光
導入路は、モノリシックレンズを収容可能な大きさ、例
えば幅および長さを有する。これによって、受光半導体
素子が受光素子実装部に配置されると、光入射面に配置
された凸部であるモノリシックレンズが光導入路に収ま
る。
【００１９】本発明に係わる光受信モジュールでは、搭
載部材は、光ファイバ搭載基板の熱伝導率より大きい。
これによって、半導体信号処理素子において発生した熱
が光受信モジュール外へ効率的に伝搬される。また、搭
載部材を光ファイバ搭載基板と別個の部材にしたので、
この熱は、受光素子および光ファイバに直接的に伝搬し
ない。
【００２０】本発明に係わる光受信モジュールでは、搭
載部材上に配置された半導体信号処理素子の高さは、光
ファイバ搭載基板上に配置された半導体受光素子の高さ
に対して位置決めされている。これによって、半導体信
号処理素子と半導体受光素子とを電気的に接続する際の
接続経路、例えばボンディングワイヤの長さが短縮され
る。
【００２１】本発明に係わる光受信モジュールでは、光
ファイバ搭載基板の主面上には、半導体受光素子が配置
される位置を規定するための位置決め手段を有する。位
置決め手段としては、光ファイバ搭載基板の主面上に設
けられた１またはそれ以上の凹部が例示される。
【００２２】本発明に係わる光受信モジュールは、第１
および第２の支持面と協同して光ファイバを位置決めす
るための覆い面を有する覆い部材を更に備えることがで
きる。これによって、光ファイバは、覆い部材の覆い面
と第１および第２の支持面とによって位置決めされてい
る。
【００２３】本発明に係わる光受信モジュールは、光フ
ァイバ搭載基板、半導体受光素子、半導体信号処理素
子、および搭載部材を収容すると共に、光ファイバが導
入される導入部を有するパッケージを更に備える。
【００２４】このような光受信モジュールでは、光ファ
イバ搭載基板は、パッケージの導入部から導入された光
ファイバが通過する光ファイバ導入部を有する。光ファ
イバ導入部は、パッケージの導入部に面する一辺から所
定の軸に沿って伸び光ファイバ支持部に繋がる。光ファ
イバ導入軸に沿ってパッケージ内に導かれた光ファイバ
は、光ファイバ導入部を通過した後に光ファイバ搭載基
板上の光ファイバ支持部に至る。この光ファイバ導入軸
と、光ファイバ搭載基板の光ファイバ支持部の軸との間
にミスマッチがあると、パッケージと光ファイバ搭載基
板との間で光ファイバが屈曲する。光ファイバ導入部
は、パッケージの導入部と光ファイバ搭載基板の光ファ
イバ支持部との間にあって、ミスマッチを補償するため
の領域として利用可能である。
【００２５】本発明に係わる光受信モジュールでは、光
ファイバ導入部は、所定の軸に沿って伸び光ファイバが
通過する凹部を規定する第１および第２の面を備える。
また、光ファイバ導入部は、光ファイバ支持部と繋がる
端部にテーパ領域を有する。テーパ領域は、光ファイバ
支持部の第１および第２の支持面と、光ファイバ導入部
の第１および第２の面との間にそれぞれ配置された第１
および第２のテーパ面を備える。第１および第２のテー
パ面と第１および第２の支持面との成す角度は鈍角とな
る。
【００２６】本発明に係わる光受信モジュールでは、搭
載部材は、凹部が設けられた主面を有し、この凹部に半
導体信号処理素子が配置されている。凹部は、半導体信
号処理素子の高さを、半導体受光素子との高さに合わせ
て調整するために役立つ。搭載部材の主面上には、半導
体受動素子だけでなく、半導体信号処理素子と半導体受
光素子との配線のための配線用部材も配置できる。
【００２７】本発明に係わる光受信モジュールでは、光
ファイバ搭載基板、半導体受光素子、搭載部材、および
半導体信号処理素子を収容するパッケージを更に備え
る。このパッケージは、壁部および端子を有する。搭載
部材は、光ファイバ搭載基板と壁部との間に位置するよ
うに設けられている。半導体受光素子は、搭載部材上に
実装されれた配線用部材を介して端子に電気的に接続さ
れている。
【００２８】本発明に係わる光受信モジュールでは、光
ファイバ、半導体受光素子、半導体信号処理素子は、こ
の順に所定の軸に沿って配置されている。半導体受光素
子は、半導体信号処理素子の一辺に面して配置されてい
る。光信号は光ファイバから半導体受光素子へ伝搬し、
電気信号は半導体受光素子から半導体信号処理素子に伝
搬するので、この配置によれば、光信号および電気信号
が伝搬する経路を短縮可能である。
【００２９】本発明に係わる光受信モジュールでは、パ
ッケージに固定され光ファイバを支持するフェルールを
更に備える。例えば、光ファイバの他端は、フェルール
の一端部に位置している。
【００３０】本発明に係わる光受信モジュールは、光フ
ァイバ搭載基板と、搭載部材と、パッケージとを備え
る。光ファイバ搭載基板は、光ファイバと、光ファイバ
に光学的に結合された半導体受光素子とを搭載する。搭
載部材は、半導体受光素子に電気的に接続された半導体
信号処理素子を搭載する。パッケージは、光ファイバ搭
載基板、半導体受光素子、搭載部材、および半導体信号
処理素子を収容すると共に、壁部および端子を有す。光
ファイバ搭載基板および搭載部材は、半導体信号処理素
子の一辺が半導体受光素子の一辺に対面するように配置
されている。搭載部材は、光ファイバ搭載基板と壁部と
の間に位置するように設けられている。半導体受光素子
は、搭載部材を経由して端子に電気的に接続されてい
る。
【００３１】この形態により、光ファイバと半導体受光
素子との間の光学的に結合を確保する一方で、半導体受
光素子と半導体信号処理素子との間の電気的な接続経
路、並びに半導体受光素子と端子との間の電気的な接続
経路、を短縮可能になる。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明の上記の目的および他の目
的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められ
る本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からよ
り容易に明らかになる。可能な場合には、同一の部分に
は同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００３３】図１(a)、図１(ｂ)および図２を参照しな
がら、第１の実施の形態に係わるピグテール型光受信モ
ジュールを説明する。この光受信モジュール２は、光結
合デバイス１０ａと、パッケージ１２といったハウジン
グと、受光素子アセンブリ１４と、信号処理素子アセン
ブリ１６と、光ファイバ１８とを備える。
【００３４】光結合デバイス１０ａは、光ファイバ１８
の他端に接続されている。光結合デバイス１０ａとして
は、例えば、光ファイバ１８の一端に接続された光コネ
クタまたは光ファイバ１８の他端に接続されたフェルー
ルがある。
【００３５】パッケージ１２は、所定に軸に沿って伸び
る第１および第２の側壁１２ａ、１２ｂと、光ファイバ
を受け入れる導入壁１２ｃと、導入壁と対向する第３の
側壁１２ｄとを有する。パッケージ１２としては、バタ
フライ型パッケージが例示される。第１〜第３の側壁１
２ａ、１２ｂ、１２ｄには、それぞれ複数の端子１２ｅ
が設けられている。導入壁１２ｃには、光ファイバを受
け入れるための光ファイバ導入孔１２ｆが設けられてい
る。光ファイバ導入壁１２ｃの外側には、導入孔１２ｆ
の位置に合わせて、ガイド部１２ｇが所定の軸に沿って
突出している。ガイド部１２ｇには、その一端から他端
に向けて光ファイバを挿入可能な光ファイバ挿入孔(こ
の孔が伸びる方向を光ファイバ導入軸という)が設けら
れている。光ファイバ１８は、光ファイバ挿入孔に挿入
され、導入孔１２ｆを介してパッケージ内部に到達す
る。ガイド部１２ｇには、光ファイバ挿入孔に至る貫通
孔１２ｊが設けられている。ガイド部１２ｇに光ファイ
バ１８を挿入した後に、この貫通孔１２ｊから樹脂を導
入して、光ファイバ１８をガイド部１２ｇに固定する。
ガイド部１２ｇの外周はゴムブーツ１９といった保護部
材で覆れているので、ガイド部１２ｇの端部において光
ファイバ１８に加わる外力を低減できる。
【００３６】パッケージ１２の底部１２ｉには、受光素
子アセンブリ１４および信号処理素子アセンブリ１６が
所定の軸１に沿って配置されている。底部１２ｉの材料
には、例えばＣｕＷを使用することができる。
【００３７】受光素子アセンブリ１４は、光ファイバ搭
載基板２０と、半導体受光素子２２とを備える。光ファ
イバ搭載基板２０の主面上には、半導体受光素子２２が
配置されている。光ファイバ搭載基板２０の主面の高さ
は、受光素子アセンブリ１４がパッケージ１２に配置さ
れたときに、光ファイバ挿入軸の高さと位置合わせされ
ている。この位置合わせにより、光ファイバ１８の高さ
は、光ファイバ搭載基板２０の主面の高さとほぼ一致す
る。このため、パッケージ１２内に導入された光ファイ
バ１８は、不要な屈曲することなく受光素子アセンブリ
１４に到達する。光ファイバ１８が、光ファイバ搭載基
板２０上において位置決めされた後に、覆い部材２４に
より固定される。信号処理素子アセンブリ１６は、搭載
部材２６および半導体信号処理素子２８を含む。半導体
信号処理素子２８は、搭載部材２６上に配置されてい
る。
【００３８】信号処理素子アセンブリ１６は、搭載部材
２６と、半導体信号処理素子２８と、抵抗およびコンデ
ンサといった受動素子３１とを備える。半導体信号処理
素子２８の素子面の高さは、光ファイバ搭載基板２０の
主面上に配置された半導体受光素子２２の上面の高さと
関連付けられている。これを実現するために、必要な場
合には、半導体信号処理素子２８は、搭載部材２６の凹
部(図１(ｂ)の２６ａ)に配置されている。半導体信号処
理素子２８の高さは、この凹部の深さに応じて調整され
る。この調整によって、半導体信号処理素子２８と半導
体受光素子２２とのボンディングワイヤ長を短縮するこ
とができる。
【００３９】さらに、パッケージ１２は、配線基板１２
ｈを備える。配線基板１２ｈの配線面を介して、端子１
２ｅと半導体受光素子２２および半導体信号処理素子２
８との間を電気的に接続するための配線用部材３３が搭
載部材２６上に配置されている。このため、配線基板１
２ｈは、端子１２ｅが設けられている側壁１２ａ、１２
ｂ、１２ｄに沿って設けられている。具体的には、配線
基板１２ｈは、第１〜第３の領域からなる。第１および
第２の領域は、光ファイバ搭載基板２０と側壁１２ａ、
１２ｂの各々との間に所定の軸に沿って設けられてい
る。第３の領域は、第１および第２の領域を繋ぐように
これらの間に挟まれて、また光ファイバ搭載基板２０と
側壁１２ｄとの間に所定の軸と交差する方向に沿って伸
びる。このため、配線基板１２ｈは、受光素子アセンブ
リ１４および信号処理素子アセンブリ１６に複数の辺
(図１(ｂ)の例では三辺)に面している。
【００４０】また、配線基板１２ｈの配線面の高さは、
搭載部材２６の主面の高さと関連づけられている。これ
によって、半導体信号処理素子２８および搭載部材２６
と配線基板１２ｈとのボンディングワイヤ長を短縮する
ことができる。また、搭載部材２６の主面の高さは、光
ファイバ搭載基板２０の主面と関連付けられている。こ
れによって、半導体受光素子２２の電極が搭載部材２６
を介して配線基板１２ｈに接続される場合にも、光ファ
イバ搭載基板２０と搭載部材２６とを結ぶボンディング
ワイヤ長を短縮できる。好適な実施例では、配線基板１
２ｈの配線面、半導体信号処理素子２８の上面、および
半導体受光素子２４の上面のそれぞれの高さは、幅２ｍ
ｍの範囲に含まれる。加えて、配線基板１２ｈ、半導体
信号処理素子２８、および半導体受光素子２２を搭載部
材２６上の導電層を介して接続することによって、ボン
ディングワイヤ長を１ｍｍ以下にまで短縮した。
【００４１】次いで、搭載部材２６を説明する。搭載部
材２６は、第１〜第３の部分からなる。第１および第２
の部分は、光ファイバ搭載基板２０と側壁１２ａ、１２
ｂの各々との間に所定の軸に沿って配置される腕部であ
ることができる。第３の部分は、第１および第２の部分
を結合するように設けられ、また光ファイバ搭載基板２
０と側壁１２ｄとの間において所定の軸と交差する方向
に沿って設けられている素子搭載部であることができ
る。このため、搭載部材２６と、光ファイバ搭載基板２
０とが対面する辺が増加する。これによって、これらの
辺において相互の電気的な接続を行えば、ワイヤ長が短
縮される。また、搭載部材２６は、端子１２ｅが設けら
れている側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｄに沿って配置され
る。搭載部材２６は、素子搭載部に凹部を有し、この凹
部には、半導体信号処理素子２８が配置される。
【００４２】好適な実施例では、搭載部材２６は、Ｃｕ
Ｗといった熱伝導性に優れた金属材料で形成される。加
えて、パッケージ１２の底部１２ｉにもＣｕＷといった
熱伝導性に優れた金属材料を採用すれば、半導体信号処
理素子２８で発生した熱をパッケージ外へ放散できる。
また、第３の部分には、半導体信号処理素子２８が配置
され、第１および第２の部分には、受動素子３１または
配線用部材３３が配置される。このような搭載部材２６
によって、半導体信号処理素子２８と半導体受光素子２
２とを近接して配置できるので、これら素子を接続する
ボンディングワイヤ長を短縮できる。
【００４３】１０Ｇｂｐ／ｓ程度またはそれ以上の伝送
速度では、ワイヤによって生じるインダクタンスも無視
することができない。ワイヤ直径２５μｍの場合、長さ
１ｍｍでは０．８ｎＨ程度のインダクタンスを有する。
この場合、インピーダンス値は、７．５ＧＨｚの周波数
では、３７．７Ω程度となる。また、フォトダイオード
または集積回路の入力部にはサブｐＦ程度のキャパシタ
ンスが存在する。例えば、キャパシタンスを０．３ｐＦ
と見積もると、このキャパシタンスおよび１ｍｍ長のワ
イヤによる共振周波数は１０．３ＧＨｚとなり、１．９
ｎＨのインダクタンスでは共振周波数が６．７ＧＨｚと
なる。このため、１０Ｇｂｐ／ｓ程度またはそれ以上の
伝送速度の光受信モジュールでは、ワイヤ長が１ｍｍを
越えないようにする必要がある。このためには、光ファ
イバ導入軸を含む平面に対して±１ｍｍ以内に収まるよ
うに、半導体受光素子２２、半導体信号処理素子２８、
配線基板１２ｈの高さが規定される。
【００４４】図３は、光受信モジュール２の等価回路を
示す。半導体受光素子２２、例えばフォトダイオードの
アノードが、半導体信号処理素子２８、例えばプリアン
プの入力に接続されている。プリアンプは、入力に受け
た信号を増幅すると共に、差動信号に変換された一対の
信号を提供する。このような形態では、半導体受光素子
２２からの微少信号は、近接して配置された半導体信号
処理素子２８に増幅されると共に差動信号に変換された
後に、光受信モジュールの端子１２ｅに与えられる。
【００４５】図４(ａ) 〜図４(ｃ)は、本実施の形態に
適用可能な半導体受光素子２２ａ〜２２ｃを示す。図４
(ａ) 〜図４(ｃ)に示された半導体受光素子のいずれも
裏面入射型ｐｉｎ受光素子である。
【００４６】図４(ａ)を参照すると、半導体受光素子２
２ａは、Ｓドープｎ+型ＩｎＰ基板１００と、この基板
１００の主面上に順に配置されたｉ型ＩｎＰ半導体層１
０２、ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１０４、ｉ型ＩｎＰ半
導体層１０６、Ｚｎドープｐ +型半導体領域１０８ａお
よびｐ+型半導体領域１０８ｂとを備える。ｐ+型半導体
領域１０８ａおよびｐ+型半導体領域１０８ｂは、ｉ型
ＩｎＰ半導体層１０６およびｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層
１０４内に形成されている。ｐ+型半導体領域１０８ａ
は、軸Ａ１によって規定される位置に配置されている。
ｐ+型半導体領域１０８ａは光検出部として働き、ｐ+型
半導体領域１０８ｂは、ｐ+型半導体領域１０８ａを囲
んで形成され、光検出部の外側に入射した光によって生
成されたキャリアを速やかに消失させるキャリア捕獲部
として働く。ｐ+型半導体領域１０８ａには、アノード
電極１１０が設けられる。基板１００の主面に対向する
裏面には、中心軸(光軸)Ａ２を持つモノリシックレンズ
１１４が形成されている。モノリシックレンズ１１４の
周囲を囲むようにカソード電極１１２が設けられてい
る。
【００４７】図４(ｂ)を参照すると、半導体受光素子２
２ｂは、Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ基板１２０と、この
基板１２０の主面上に順に配置されたＳドープｎ+型Ｉ
ｎＰ半導体層１２２、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２４、ｉ型
ＩｎＧａＡｓ半導体層１２６、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２
８、およびＺｎドープｐ+型半導体領域１３０、１３２
とを備える。半導体領域１３２は、半導体領域１３０を
囲んでいる。ｐ+型半導体領域１３０、１３２は、ｉ型
ＩｎＰ半導体層１２８およびｉ型ＩｎＰＧａＡｓ半導体
層１２６内に形成されている。ｐ+型半導体領域１３０
は、軸Ａ１によって規定される位置に配置されている。
ｐ+型半導体領域１３０は光検出部として働く。ｐ+型半
導体領域１３０には、アノード電極１３４が設けられ
る。一方、ｎ+型半導体領域１３２は、ｐ+型半導体領域
１３０を囲んで形成され、電荷捕獲領域として働く。Ｉ
ｎＰ半導体層１２８上には、カソード電極１３５が設け
られる。基板１２０の主面に対向する裏面には、中心軸
(光軸)Ａ２を持つモノリシックレンズ１３８が形成され
ている。モノリシックレンズ１３８の周囲を囲むように
メタライズ層１３６が設けられている。このような素子
２２ｂでは、Ｆｅドープ半絶縁性基板を用いるので、基
板中の吸収損失が小さい。
【００４８】図４(ｃ)を参照すると、メサ型半導体受光
素子２２ｃは、Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ基板１４０
と、この基板１４０の主面上に順に配置されたＳドープ
ｎ+型ＩｎＰ半導体層１４２、ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体
層１４４、Ｚｎドープｐ+型ＩｎＧａＡｓ半導体層１４
６、および高濃度にＺｎドープｐ+型ＩｎＧａＡｓ半導
体領域１４８とを備える。ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１
４４、Ｚｎドープｐ+型ＩｎＧａＡｓ半導体層１４６、
および、+型ＩｎＧａＡｓ半導体領域１４８は、軸Ａ１
によって規定される位置に配置されている。ｉ型ＩｎＧ
ａＡｓ半導体層１４４、Ｚｎドープｐ+型ＩｎＧａＡｓ
半導体層１４６、および、ｐ+型ＩｎＧａＡｓ半導体領
域１４８は光検出部として働く。ｐ+型ＩｎＧａＡｓ半
導体領域１４８には、アノード電極１５２が設けられ
る。一方、ｎ+型ＩｎＰ半導体層１４２は、カソード引
き出し領域として働く。ｎ+型ＩｎＰ半導体領域１４２
上には、カソード電極１５４が設けられる。基板１４０
の主面に対向する裏面には、中心軸(光軸)Ａ２を持つモ
ノリシックレンズ１５８が形成されている。モノリシッ
クレンズ１５８の周囲を囲むようにメタライズ層１５６
が設けられている。
【００４９】半導体受光素子の上面には金属膜が設けら
れている。半導体受光素子に入射した光は、光吸収領域
で吸収しきれずに透過しこの金属膜に反射されると、再
度、光吸収領域(１０４，１２６，１４４，１４６，１
４８)を通過するので吸収される。
【００５０】図５(ａ) 〜図５(ｃ)を参照しながら、光
ファイバ搭載基板２０を説明する。光ファイバ搭載基板
２０は、所定に軸に沿って第１〜第３の領域２０ａ、２
０ｂ、２０ｃを備える。第１の領域２０ａには、所定の
軸に沿って光ファイバ支持溝３２が形成されている。光
ファイバ支持溝３２は、光ファイバの側面を支持するこ
とが可能な２つの光ファイバ支持面３２ａ、３２ｂを備
える。
【００５１】第１の領域２０ａは、また、所定の軸に沿
って伸びる光ファイバ導入溝３４を有する。光ファイバ
導入溝３４は、光ファイバ搭載基板２０の一辺から光フ
ァイバ支持溝３２に向けて伸びる。光ファイバ導入溝３
４も、光ファイバ支持溝３２と同様に、２つの構成面３
４ａ、３４ｂを備えるけれども、光ファイバ支持溝３２
よりも深い。光ファイバ導入溝３４は、光ファイバ支持
溝３２との接続部分において、テーパ領域３６を備え
る。テーパ領域３６は、光ファイバ支持面３２ａ、３２
ｂと構成面３４ａ、３４ｂとの間をそれぞれ接続するテ
ーパ面３６ａ、３６ｂを有する。光ファイバ支持溝３２
は、所定の軸と交差する方向に関する光ファイバの位置
を規定する。
【００５２】第２の領域２０ｂには、所定の軸と交差す
る方向に伸びる位置決め溝３８を有する。位置決め溝３
８は、所定の軸に交差する方向に伸びる突き当て面３８
ａを有する。光ファイバ支持溝３２に配置された光ファ
イバの一端が突き当て面３８ａに突き当てられることに
よって、所定の軸の方向に関して、光ファイバの配置位
置が決定される。このため、光ファイバの調芯が必要な
い。光ファイバを覆うように光ファイバ搭載基板２０上
に覆い部材２４を配置すると、光ファイバが固定され
る。
【００５３】第３の領域２０ｃには、受光素子実装部が
設けられている。受光素子実装部は、所定の軸と交差す
る反射面４０と、反射面４０から位置決め３８まで所定
の軸に沿って伸びる光導入路４２とを有する。光導入路
４２は、光ファイバ支持溝３２に配置された光ファイバ
の一端から反射面４０への光路を提供するための溝であ
る。受光素子実装部には、半導体受光素子２２のカソー
ドおよびアノードの一方のための電極４６が設けられて
いる。受光素子実装部には、また、所定の軸と交差する
方向に伸びる傾斜面(参照番号４０に対応する)を有する
溝４８が形成されている。この傾斜面を反射面として利
用すると、反射面４０の幅が光導入路４２の幅より広く
なる。故に、光導入路４２の端部に形成される斜面を反
射面として利用する場合に比べて、反射面の面積を大き
くできる。一方、溝４８が無い場合には、光導入路４２
を構成する２側面が、光導入路４２の端部に位置する斜
面に隣接する面となる。このとき、光ファイバから出射
された光は、これらの側面によって反射される。
【００５４】また、第３の領域には、半導体受光素子２
２の搭載位置を規定するための複数の位置決めマーカ４
４が設けられている。位置決めマーカ４４が、光ファイ
バ支持溝３２、反射面４０、および光導入路４２と同一
の製造工程で形成されるとき、光ファイバ１８と半導体
受光素子２２との位置決め精度が改善される。
【００５５】好適な実施例では、光ファイバ搭載基板２
０はシリコン基板で形成される。このとき、エッチング
によって、光ファイバ支持溝３２、光ファイバ導入溝３
４、反射面４０、位置決めマーカ４４および光導入路４
２を同時に形成できる。また、光ファイバ支持溝３２お
よび光ファイバ導入溝３４は、Ｖ溝または台形溝であ
る。
【００５６】図６は、光ファイバ１８および半導体受光
素子２２を光ファイバ搭載基板２０上に搭載した際の模
式図である。光ファイバ１８は、光ファイバ支持溝３２
および突き当て面３８ａにより位置決めされる。この光
ファイバ１８の一端から放出された光は、光導入路４２
を通過する。所定に軸１上を進む光Ｂは、反射面４０で
反射される。この反射光Ｃは、モノリシックレンズ２３
ａを通過して光検出部２３ｂに到達する。
【００５７】光ファイバ１８及び半導体受光素子２２
は、光ファイバ１８からの光がモノリシックレンズの中
心近傍を通過するように、反射面４０に関して位置決め
されることが好ましい。これによって、モノリシックレ
ンズ２３ａの曲率半径におけるばらつきに対する許容度
が増す。この曲率半径は、光検出部２３ｂの光検出領域
の面積と関連づけて決定されている。なぜなら、光検出
領域が小さくできれば、高速動作に関して有利であるか
らである。発明者の見積によれば１０Ｇｂｐｓ程度の伝
送速度を実現するためには、光検出部の直径は約７０μ
ｍ以下であることが必要であり、キャパシタンス値は約
０．４２ｐＦ以下である。
【００５８】また、モノリシックレンズ２３ａの焦点距
離が長い場合には、受光素子厚が厚くなる。曲率半径が
大きい場合には、曲率半径のばらつきに対する許容度が
小さくなり、また受光素子厚を薄くなるので受光素子の
機械的な強度が弱くなる。
【００５９】図７(ａ)〜図７(ｄ)および図８は、モノリ
シックレンズの曲率半径Ｒを変更した際に、位置合わせ
誤差に対する結合効率の変動について実験した結果を示
す。図７(ａ)〜図７(ｄ)に示された特性は、実用上、満
足できるが、図８に示された特性は、必ずしも満足でき
るものではない。これらの図面において、「lens」は、
光ファイバから出射した光がレンズに入射するときの結
合効率のトレランス曲線を示し、「dia20um」は、光フ
ァイバから出射した光が直径２０μｍの光検知部領域に
レンズを介して入射するときの結合効率のトレランス曲
線を示し、「dia30um」は、光ファイバから出射した光
が直径３０μｍの光検知部領域にレンズを介して入射す
るときの結合効率のトレランス曲線を示す。これらの実
験結果によれば、ある範囲の曲率半径を選択することに
よって、広いプラトー領域を確保することが可能な光受
信モジュールが得られる。
【００６０】図７(ａ)〜図７(ｄ)および図８においる
Ｄ、Ｒ、Ｚに関しては、図６に示されるように、光ファ
イバ１８、反射面４０および半導体受光素子２２からな
る光学系において、モノリシックレンズの直径をＤと
し、モノリシックレンズの曲率半径をＲとし、および光
ファイバの一端と光ファイバ搭載基板２０の反射面４０
との距離をＺとする。Ｚ軸は、光ファイバ１８が伸びる
方向に取られ、Ｘ軸は位置決め溝３８が伸びる方向に取
られる。Ｄ＝１２０μｍおよびＺ＝３２２μｍであると
き、曲率半径Ｒ＝１００μｍから１３０μｍの範囲で、
Ｘ軸に関して±３０μｍのプラトー領域が確保され、ま
たＺ軸に関しても±３０μｍのプラトー領域が確保され
た。発明者は、実用的な結合効率は９０％以上であると
考えている。
【００６１】ついで、図９(ａ)から図９(ｄ)を参照しな
がら、光受信モジュール２ａの組立について説明する。
【００６２】まず、パッケージ１２、受光素子アセンブ
リ１４および信号処理素子アセンブリ１６を準備する
(図９(ａ))。受光素子アセンブリ１４では、既に、光フ
ァイバ搭載基板２０上に半導体受光素子２２が配置さ
れ、半導体受光素子２２は光ファイバ搭載基板２０上の
電極と接続されている。信号処理素子アセンブリ１６で
は、既に、半導体信号処理素子２８および受動素子３１
が搭載部材２６上に配置され、これらの素子は互いに電
気的に接続され、また配線用部材３３も搭載部材２６上
に配置されている。
【００６３】次いで、受光素子アセンブリ１４および信
号処理素子アセンブリ１６をパッケージ１２の底部１２
ｉ上に配置する(図９(ｂ))。受光素子アセンブリ１４
は、光ファイバ導入孔１２ｆに対して位置決めされてい
る。信号処理素子アセンブリ１６は、受光素子アセンブ
リ１４に対して位置決めされる。半導体受光素子２２お
よび半導体信号処理素子２８は、搭載部材２６、受動部
品３１および配線用部材３３を介して、または直接に、
配線基板１２ｈと接続されている。
【００６４】光ファイバ１８、ゴムブーツ１９、および
覆い部材２４を準備する(図９(ｃ))。
【００６５】続いて、ガイド部１２ｇおよび光ファイバ
導入孔１２ｆを通してパッケージ１２内に光ファイバ１
８を導入する。導入された光ファイバ１８は、光ファイ
バ搭載基板２０の光ファイバ支持溝３２に配置される。
さらに、所定の軸１に沿って光ファイバ１８を移動さ
せ、光ファイバ１８の一端を位置決め溝３８の突き当て
面３８ａに突き当てる。これにより、光ファイバ１８の
位置決めが完了する。この位置決めが完了した後に、覆
い部材２４を用いて光ファイバ１８を光ファイバ搭載基
板２０に固定する。この後に、ガイド部１２ｇをゴムブ
ーツ１９で覆う(図９(ｄ))。
【００６６】最後に、蓋部材(図示せず)でパッケージ１
２の開口部を覆う。これによって光受信モジュール２が
完成した。
【００６７】図１０(ａ)、図１０(ｂ)および図１１を参
照しながら、第２の実施の形態に係わる光受信モジュー
ルを説明する。
【００６８】光受信モジュール４は、光結合デバイス１
０ｂ、パッケージ１２と、受光素子アセンブリ１４と、
信号処理素子アセンブリ１６と、光ファイバ１８とを備
える。
【００６９】パッケージ１２は、ガイド１２ｇの代わり
にヘッド部１３を備える。ヘッド部１３は、所定に軸１
に沿って伸びるフェルールガイド孔１３ｆ及び光ファイ
バ通過孔１３ｇを備える。フェルールガイド孔１３ｆに
は、フェルール１０ｂが挿入されている。フェルール１
０ｂの一端には、光ファイバ１８に端部が現れている。
【００７０】また、ヘッド部１３は、フェルール１０ｂ
を挟む一対の側面にガイド突起１３ａとラッチ突起１３
ｂを備える。ガイド突起１３ａは、所定の軸１に沿って
伸びるように設けられ、またラッチ突起１３ｂは、ガイ
ド突起１３ａの一端に配置され、所定の軸１と交差する
方向に伸びる。
【００７１】ガイド突起１３ａとラッチ突起１３ｂによ
って、光受信モジュール４と接続される光学デバイス
(図示せず)がヘッド部１３に容易に填め合わせるできる
ようになる。例えば、光コネクタといった光結合デバイ
スに光受信モジュール４を填め合わせるに際して、この
光結合デバイスの填め合わせ部をガイド突起１３ａに位
置合わせする。この位置合わせを容易にするために、ガ
イド突起１３ａの他端にはテーパ面１３ｃが設けられて
いる。光結合デバイスをガイド突起１３ａに沿って移動
すると、光結合デバイスの填め合わせ部がラッチ突起１
３ｂに突き当たる。光結合デバイスに填め合わせ部がラ
ッチ突起１３ｂを乗り越えると、ラッチが完了する。こ
のラッチを容易にするために、ラッチ突起１３ｂの側面
には、テーパ面１３ｄが設けられている。
【００７２】図１２(ａ)および図１２(ｂ)を参照しなが
ら、第３の実施の形態に係わる光受信モジュールを説明
する。この光受信モジュール４は、これまでの実施の形
態の受光素子アセンブリ１４と異なる受光素子アセンブ
リ１１を備える。
【００７３】この光受信モジュール６は、封止用樹脂体
５０と、リード５２ｂ、５２ｃおよびアイランド５２ａ
を含む組立部材５１と、受光素子アセンブリ１１と、信
号処理素子アセンブリ１６と、光ファイバ１８とを備え
る。本実施の形態では、受光素子アセンブリ１１は、フ
ェルール１０ｃと、光ファイバ搭載基板２１と、半導体
受光素子２２と、覆い部材２４とを備える。
【００７４】光受信モジュール６では、受光素子アセン
ブリ１１および信号処理素子アセンブリ１６は、組立部
材５１のアイランド５２ａ上に所定に軸１に沿って搭載
されている。また、受光素子アセンブリ１１および信号
処理素子アセンブリ１６は、組立部材５１のインナリー
ド５２ｂにボンディングワイヤを介して電気的に接続さ
れている。
【００７５】封止用樹脂体５０は、ヘッド樹脂部１５お
よび本体樹脂部１７からなる。ヘッド樹脂部１５および
本体樹脂部１１は、フェルール１０ｃ、アイランド５２
ａ上に配置された受光素子アセンブリ１７、および信号
処理素子アセンブリ１６を封止する。本体樹脂部１７の
側面には、複数のリードピン５２ｃが配列されている。
外部リードピン５２ｃは、樹脂本体部１７にある内部リ
ードピン５２ｂを介して半導体受光素子２２および半導
体信号処理素子２８と電気的に接続されている。
【００７６】特に、樹脂ヘッド部１５は、所定の軸１に
沿って伸びるようにフェルール１０ｃを保持する。フェ
ルール１０ｃの一端には、光ファイバ１８の一端が現れ
ている。また、樹脂ヘッド部１５は、フェルール１０ｃ
を挟む一対の側面にガイド突起１５ａとラッチ突起１５
ｂを備える。ガイド突起１５ａ、ラッチ突起１５ｂ、お
よびテーパ面１５ｃ、１５ｄは、これに限定されるもの
ではないが、第２の実施の形態におけるヘッド部１３の
ガイド突起１３ａ、ラッチ突起１３ｂ、およびテーパ面
１３ｃ、１３ｄに対応する。
【００７７】図１３(ａ)に示されるように、受光素子ア
センブリ１１は、光ファイバ搭載基板２１を有する。光
ファイバ搭載基板２１は、第１〜第３の領域２１ａ〜２
１ｃを有する。光ファイバ搭載基板２１の第２および第
３の領域２１ｂ、２１ｃは、これに限定されるものでは
ないが、光ファイバ搭載基板２０の第２および第３の領
域２０ｂ、２０ｃと同じ構造を備えることができる。光
ファイバ搭載基板２１の第１の領域２１ａは、所定の軸
１に沿って伸びる光ファイバ支持溝５４、光ファイバ導
入溝５６およびフェルール支持溝(フェルール支持部)５
８を有する。フェルール支持溝５８は、２つの面によっ
てフェルール１０ｃを支持することができる。光ファイ
バ導入溝５６とフェルール支持溝５８との間には、所定
の軸１と交差する方向に伸びる分離溝６０が設けられて
いる。
【００７８】図１３(ｂ)のように、フェルール１０ｃお
よび光ファイバ１８は、それぞれ光ファイバ支持溝５４
およびフェルール支持溝に配置される。また、光ファイ
バ１８の一端は、(例えば、図５(ｂ)の３８ａに対応す
る)突き当て溝に突き当てられる。これによって、光フ
ァイバ１８は、光ファイバ搭載基板２１に対して位置決
めされる。位置決め後に、光ファイバ１６は光ファイバ
搭載基板２１と覆い部材２４との間に固定される。
【００７９】図１４(ａ)を参照すると、受信アセンブリ
１１および信号処理アセンブリ１６はリードフレーム５
２に搭載されている。リードフレーム５２は、アイラン
ド５２ａ、内部リード５２ｄ、外部リード５２ｅ、並び
に内部リード５２ｄおよび外部リード５２ｅを支持する
外枠５２ｆを備える。受信アセンブリ１１および信号処
理アセンブリ１６は、アイランド５２ａ上に搭載され、
フェルール１０ｃは所定の軸１方向に向いている。
【００８０】図１４(ｂ)を参照すると、受信アセンブリ
１１および信号処理アセンブル１６並びにリードフレー
ム５２は樹脂で封止され、樹脂体５０より受信アセンブ
リ１１および信号処理アセンブリ１６が保護される。こ
れによって、光受信モジュール６が完成した。
【００８１】好適な実施の形態において本発明の原理を
図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から
逸脱することなく配置および詳細において変更されるこ
とができることは、当業者によって認識される。以上、
説明した光受信モジュールでは、レンズホルダおよび凹
面鏡といった部品を含まないので、光受信モジュールの
小型化が実装面積および高さの点で可能になる。このた
め、例えば、光受信モジュールの高さが４．１ｍｍまで
縮小された。また、光ファイバ搭載部材とは別の搭載部
材上に半導体信号処理素子を配置するようにした。この
ため、電気的特性を変更するために半導体信号処理素子
を変更する場合にも、搭載部材を変更するだけであり他
の部品の変更は不要である。
【００８２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる光受信モジュールでは、光ファイバおよび半導体受
光素子が光ファイバ搭載基板に対して位置決めされてい
るので、両者の位置合わせ精度が確保される。このた
め、光ファイバの調芯が不要になり、また、光ファイバ
からの光は、光ファイバ搭載基板に設けられた反射面に
反射された後に、半導体受光素子のモノリシックレンズ
を介して半導体受光素子の光検出部に到達する。加え
て、半導体信号処理素子が、光ファイバ搭載基板に隣接
している搭載部材上に配置されているので、半導体受光
素子と半導体信号処理素子との電気的な接続長を短縮で
きる。
【００８３】したがって、データ伝送レートを劣化させ
ることなくプラトー領域を確保することが可能な光受信
モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１(a)は、第１の実施の形態に係わるピグテ
ール型光受信モジュールの平面図である。図１(ｂ)は、
第１の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュー
ルのI-I線における断面図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態に係わるピグテール
型光受信モジュールの主要部を示す斜視図である。
【図３】図３は、第１の実施の形態のピグテール型光受
信モジュールの等価回路図である。
【図４】図４(ａ)〜図４(ｃ)は、本発明に従う実施の形
態の光受信モジュールに適用可能な半導体受光素子の構
造の模式図である。
【図５】図５(ａ)は、光ファイバ搭載基板の平面図であ
る。図５(ｂ)は、光ファイバ搭載基板の側面図である。
図５(ｃ)は、図５(ａ)のII-II線における光ファイバ搭
載基板の平面図である。
【図６】図６は、光ファイバおよび半導体受光素子を光
ファイバ搭載基板上に搭載した際の模式図である。
【図７】図７(ａ)〜図７(ｄ)は、位置合わせ誤差に対す
る結合効率の変動に関する実験結果を示す図面である。
【図８】図８は、位置合わせ誤差に対する結合効率の変
動の実験結果を示す図面である。
【図９】図９(ａ)から図９(ｄ)は、光受信モジュールの
組立工程を示す図面である。
【図１０】図１０(a)は、第２の実施の形態に係わる光
受信モジュールの平面図である。図１０(ｂ)は、第２の
実施の形態に係わる光受信モジュールのIII-III線にお
ける断面図である。
【図１１】図１１は、第２の実施の形態の光受信モジュ
ールの主要部を示す斜視図である。
【図１２】図１２(a)は、第３の実施の形態に係わる光
受信モジュールの斜視図である。図１２(ｂ)は、第３の
実施の形態に係わる光受信モジュールの一部破断図であ
る。
【図１３】図１３(ａ)及び図１３(ｂ)は、光受信モジュ
ールの製造工程を示す図面である。
【図１４】図１４(ａ)及び図１４(ｂ)は、光受信モジュ
ールの製造工程を示す図面である。
【符号の説明】
２、４、６…光受信モジュール、１０ａ、１０ｂ、１０
ｃ…光結合デバイス、１２…パッケージ、１４…受光素
子アセンブリ、１６…信号処理素子アセンブリ、１８…
光ファイバ、２０…光ファイバ搭載基板、２０ａ、２０
ｂ、２０ｃ…第１〜第３の領域、２２…半導体受光素
子、２４…覆い部材、２６…搭載部材、２８…半導体信
号処理素子、３２…光ファイバ支持溝、３２ａ、３２ｂ
…光ファイバ支持面、３４…光ファイバ導入溝、３４
ａ、３４ｂ…構成面、３６…テーパ領域、３６ａ、３６
ｂ…テーパ面、３８…位置決め溝、３８ａ…突き当て
面、４０…反射面、４２…光導入路、４４…位置決めマ
ーカ、４６…電極、４８…溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA12 CA38 DA12 DA13 DA36 DA38 5F088 AA01 BB10 JA02 JA05 JA10 JA14 KA01 KA10

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の軸に沿って主面上に設けられた第
    １、第２および第３の領域を備える光ファイバ搭載基板
    であって、前記第１の領域には、前記所定の軸方向に沿
    って伸びる第１および第２の支持面を持つ光ファイバ支
    持部が設けられ、前記第２の領域には、前記所定の軸と
    交差する方向に伸びる突き当て面を有し前記光ファイバ
    支持部の一端に位置決め部が設けられ、前記第３の領域
    には、前記所定の軸と交差する反射面とこの反射面に前
    記光ファイバからの光を導くための光導入路とを有する
    受光素子実装部が設けられた光ファイバ搭載基板と、 一端および他端を有し前記光ファイバ支持部の前記第１
    および第２の支持面に支持されると共に、前記一端が前
    記突き当て面に突き当てられた光ファイバと、 モノリシックレンズが設けられた光入射面と光検出部と
    を有し、前記光ファイバ搭載基板の前記受光素子実装部
    に前記光入射面を向けて配置された半導体受光素子と、 前記光ファイバ搭載基板に隣接して配置された搭載部材
    と、 前記搭載部材上に配置され、前記半導体受光素子からの
    信号を処理するための半導体信号処理素子と、を備える
    光受信モジュール。
  2. 【請求項２】 前記搭載部材は、前記光ファイバ搭載基
    板の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する、請求項１に
    記載の光受信モジュール。
  3. 【請求項３】 前記光導入路は、前記モノリシックレン
    ズを収容可能な大きさを有する、請求項１または請求項
    ２に記載の光受信モジュール。
  4. 【請求項４】 前記光ファイバを位置決めするための覆
    い面を有する覆い部材を更に備え、 前記光ファイバは、前記第１の領域において、前記覆い
    部材の覆い面と前記第１および第２の支持面とによって
    位置決めされている、請求項１から請求項３のいずれか
    に記載の光受信モジュール。
  5. 【請求項５】 前記搭載部材はその主面に設けられた凹
    部を有し、前記半導体信号処理素子は凹部に配置されて
    いる、請求項１から請求項４のいずれかに記載の光受信
    モジュール。
  6. 【請求項６】 前記光ファイバ搭載基板、前記半導体受
    光素子、前記半導体信号処理素子、および前記搭載部材
    を収容すると共に、前記光ファイバが導入される導入部
    を有するパッケージを更に備え、 前記光ファイバ搭載基板は、前記パッケージの導入部か
    ら導入された前記光ファイバが通過する光ファイバ導入
    部を有し、前記光ファイバ導入部は、前記パッケージの
    導入部に面する一辺から前記所定の軸に沿って伸び前記
    光ファイバ支持部に至る、請求項１から請求項５のいず
    れかに記載の光受信モジュール。
  7. 【請求項７】 前記光ファイバ搭載基板、前記半導体受
    光素子、前記搭載部材、および前記半導体信号処理素子
    を収容するパッケージを更に備え、 前記パッケージは、壁部および端子を有し、 前記搭載部材は、前記光ファイバ搭載基板と前記壁部と
    の間に位置するように設けられ、 前記半導体受光素子は、前記搭載部材上に実装されれた
    配線用部材を介して前記端子に電気的に接続されてい
    る、請求項１から請求項５のいずれかに記載の光受信モ
    ジュール。
  8. 【請求項８】 前記光ファイバ、前記半導体受光素子、
    前記半導体信号処理素子は、この順に所定の軸に沿って
    配置され、 前記半導体受光素子は、前記半導体信号処理素子の一辺
    に面して配置されている、請求項１から請求項７のいず
    れかに記載の光受信モジュール。
  9. 【請求項９】 前記パッケージに固定され前記光ファイ
    バを支持するフェルールを更に備える請求項１から請求
    項８のいずれかに記載の光受信モジュール。
  10. 【請求項１０】 光ファイバと、前記光ファイバに光学
    的に結合された半導体受光素子とを搭載する光ファイバ
    搭載基板と、 前記半導体受光素子に電気的に接続された半導体信号処
    理素子を搭載する搭載部材と、 前記光ファイバ搭載基板、前記半導体受光素子、前記搭
    載部材、および前記半導体信号処理素子を収容すると共
    に、壁部および端子を有するパッケージと、を備え、 前記光ファイバ搭載基板および前記搭載部材は、前記半
    導体信号処理素子の一辺が前記半導体受光素子の一辺に
    対面するように配置され、 前記搭載部材は、前記光ファイバ搭載基板と前記壁部と
    の間に位置するように設けられ、前記搭載部材を経由し
    て、前記半導体受光素子は前記端子に電気的に接続され
    ている、光受信モジュール。
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