JPH0582810A

JPH0582810A - 光電変換装置

Info

Publication number: JPH0582810A
Application number: JP3240026A
Authority: JP
Inventors: Haruhiko Tabuchi; 晴彦田淵
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-09-19
Filing date: 1991-09-19
Publication date: 1993-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】受光素子及び鏡を備えた光電変換装置に関し、
製作が容易で、取扱が簡単な大きさを持ち、受光素子の
実装が容易で、光路長を短くすることを目的とする。【構成】光進行方向に対して４５度の角度で傾斜された
鏡面１０を一端に有する支持基板９と、前記鏡面１０の
上に張り出される受光領域を下面側とする受光素子５
ａ，５ｂを備え、かつ、該受光領域を前記鏡面１０に張
り出した状態で前記支持基板９に接着される接着領域５
ｅを有する受光器５とを含み構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光電変換装置に関し、
より詳しくは、受光素子及び鏡を備えた光電変換装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】コヒーレント通信の受光装置には、図１
２に示すような構成のコヒーレントレシーバが用いられ
る。

【０００３】これは、方向性結合器101 、二つの受光素
子102,103 を備えた受光器104 及びマイクロ波増幅器10
5 からなるバランス型光電変換装置であり、光をより効
率良く利用し、局部発振光の過剰雑音を減らすといった
利点がある。そして、受光器104 は方向性結合器101 か
ら気密封止されている。

【０００４】また、方向性結合器101 の出力側の２つの
光導波路101a,101b は、図１２(b)に示すように平行に
配置され、これから出力された光を２個のレンズ106,10
7 により集束した後に、窓108 を通して受光素子102,10
3 に照射するが、結合効率の向上とクロストーク防止の
ために平行化後の光束径を例えば１００μｍ以下に小さ
くする必要がある。

【０００５】その理由は次のとおりである。受光器104
には図１３(a),(b) に示すように表面入射型或いは裏面
入射型のものがあり、その外観は例えば図１３(c) のよ
うである。入射光側にはモノリシックレンズ102b,103b
が形成されている。モノリシックレンズ102b,103b に対
向する面には受光素子102a,103a が形成され、これらの
間は電気配線で接続され、その中間から電気信号が取り
出される。

【０００６】従って、２つの受光素子102a,103a の間隔
が広くなると信号が配線を伝播する時間が長くなった
り、浮遊容量が増加したりする。さらに、チップサイズ
を大きくすると一つのウェハから製造出来る素子の数が
減少する。このため、２つの受光素子102a，103aの間隔
は２００μｍ程度より小さくすることが望ましい。以上
の理由から平行化後の光束径を、例えば１００μｍ以下
に小さくする必要がある。

【０００７】さらに、２つの受光素子102a，103aの間隔
が２００μｍ以下なので、平行化に用いるレンズの直径
も１００μｍ以下に制限される。特定の直径のレンズを
用いた場合は、集光位置がレンズから遠ざかるほど、集
光された光束の直径は大きくなる。１００μｍ以下のレ
ンズを用いて集光された光束の直径を１００μｍ以下と
するためには集光位置を１．５mm程度以下にする必要が
ある。

【０００８】従って、図１２の受光素子102,103 とレン
ズ106,107 の距離をできるだけ近づける必要がある（例
えば受光素子102a，103a同士の間隔が２００μｍの場合
は1.5 mm程度以下）。

【０００９】次に、光電変換装置をプリント基板上に高
密度実装しようとする場合には、装置は薄い方がよい。
図１４に例示するように、方向性結合器101 、受光器10
4 、マイクロ波増幅器105 等を光進行方向に配置してパ
ッケージ109 に組み込み、装置の薄層化を図りたいとい
う要求が生じる。なお、図１４(a) は平面図、同図(b)
は側面図、同図(c) は光進行方向からみた同図(b) のＸ
−Ｘ線断面図である。

【００１０】この場合、受光素子102,103 の電気配線11
0は、受光器104 の受光面に沿った方向にあるので、受
光器104 からは光の進行方向と直交する向きに取り出
し、途中で直角に曲げられ、後段のマイクロ波増幅器10
4 に接続される。

【００１１】ところが、直角に曲げられた電気配線110
によれば信号の反射等によって高周波特性が悪化するた
め、これは採用できない。そこで、図１３(d) に示すよ
うに、受光素子102,103 の配線の引出方向とマイクロ波
増幅器105 の入力端面の向きを同じにすることが望まし
いが、今度は、方向性結合器101 から出た光を受光素子
102,103 に向けて直角に曲げる必要がある。この場合に
は、方向性結合器101 と受光素子102,103 の受光面との
距離を短くして光束の広がりを抑えるように注意しなけ
ればならない。

【００１２】そこで、光電変換装置においては、光路を
曲げるために図１５(a) に例示するプリズム111 や平板
ミラーを設けることは従来より良く知られている。しか
し、プリズム111 は、直交する２つの辺ａ、ｂをぞれぞ
れ３ｍｍ程度まで小型化する必要があるが、その加工は
難しい。また、プリズム111 あるいは平板ミラーを仮に
小型化できたとしてもその取扱いや実装が難しくなると
いう欠点を有する。これに対し、固定し易いようにプリ
ズム111 の辺ａ、ｂを大きくすると、受光素子102,103
に達するまでの光路が長くなるという欠点がある。

【００１３】この欠点を解消する方法として、図１５
(b) に示すように、半導体基板112 の下部に受光素子10
2,103 を形成する一方、その上部に斜めの反射面113 を
形成したのものがある。この装置によれば、半導体基板
112 内に入射した光をその内部の反射面113 により反射
し、これを受光素子102,103 に照射することになる。

【００１４】この場合、反射面113 の形成のために機械
的研磨を用いることができないために、反射面113 の形
成にはウエット或いはドライのケミカルエッチング法が
用いられる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ケミカルエッ
チング法によって反射面113 を光進行方向に対して４５
°傾けることは難しく、図１５(b)の破線で示すように
反射光が受光素子102,103 に斜めに入射するので、結合
損失が大きくなるといった不都合がある。

【００１６】しかも、エッチングにより形成される反射
面113 には粗い凹凸があり、これにより反射損失を生
じ、また、図１５(a) に示すプリズム111 と同様に、光
路長に関して光の通過距離ｃ、ｅはあまり小さくならな
いという欠点がある。

【００１７】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、製作が容易、取扱が簡単な大きさを持
ち、受光素子の実装が容易で、光路長を短くできる光路
変更器を有する光電変更装置を提供することを目的とす
る。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記した課題は、図３に
例示するように、光進行方向に対して４５度の角度で傾
斜された鏡面１０を一端に有する支持基板９と、前記鏡
面１０の上に張り出される受光領域を下面側とする受光
素子５ａ，５ｂを備え、かつ、該受光領域を前記鏡面１
０に張り出した状態で前記支持基板９に接着される接着
領域５ｅを有する受光器５とを備えたことを特徴とする
光電変換装置により達成する。

【００１９】または、前記支持基板９が金属以外の材料
により形成され、前記鏡面１０の上に反射膜１１が形成
されていることを特徴とする前記の光電変換装置によっ
て達成する。

【００２０】

【作用】本発明によれば、受光器５を載置する支持基
板９の一端に４５度傾斜した鏡面１０を形成し、その鏡
面１０に受光器５の受光素子５ａ，５ｂを張り出すよう
にしている。

【００２１】この鏡面１０は、支持基板９の端面に形成
しているために、機械研磨によって形成することは容易
で、凹凸の少ない面に仕上げることが可能であり、制作
は容易である。

【００２２】しかも、鏡面１０は大きな支持基板９と一
体となっているために、その取扱いが容易で、位置合わ
せがし易い。さらに、鏡面１０は支持基板９の端部に一
体形成されているため、鏡面１０先端と封止窓との距離
（ｄ₁）を１mm以下に短くして、しかも受光器５の受光
面と鏡面１０との距離（ｄ₂）を１００μｍまで小さく
することは容易である。

【００２３】さらに、受光器５は、支持基板９の一端に
寄せて搭載され、その受光面を鏡面１０の４５°上方に
配置するだけであり、その実装は容易となり、しかも光
の進行方向に対して４５度傾いた鏡面１０により反射さ
れた光は、支持基板９上の受光素子５ａ，５ｂに垂直に
入るので、結合損失は小さくなる。

【００２４】なお、支持基板９が金属以外の材料により
形成されている場合には、その鏡面１０に反射膜１１を
形成すれば、反射率が高くなる。

【００２５】

【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例装置を示す側
断面図、図２は、その装置の上蓋を省略した平断面図、
図３はその要部を示す側面図である。

【００２６】図において符号１は、図１２に示す方向性
結合器101 の導波路管101a,101b から放出された光信号
を電気信号に変換する光電変換装置で、そのパッケージ
２の光入射面には、厚さ１００μｍの硝子板３が嵌めら
れた封止窓４が取付けられ、また、そのパッケージ２の
内部には光進行方向に向かって受光器５、第一の配線基
板６、GaAs-FETハイブリッドＩＣよりなるマイクロ波増
幅器７及び第二の配線基板８が収納されている。

【００２７】そして、受光器５、配線基板６，８等は、
サファイア、石英、金属等よりなる支持基板９の上に搭
載され、金錫（AuSn）等の接着用融材により固定されて
いる。

【００２８】上記した支持基板９は、ステンレス、サフ
ァイヤその他の無機材料により２００μｍ以下の厚さ、
長さ２０ｍｍ、幅６ｍｍに形成されたもので、その一端
には、図３，４に示すように上面に対して上向きに４５
°傾斜する鏡面１０が機械研磨により形成され、その鏡
面１０にはクロム、SiO₂、Si₃N₄等よりなる反射膜１１
が単層又は多層構造にコーティングされている。この鏡
面１０は、図３に示すように、高さａと長さｂをそれぞ
れ２００μｍ以下に極めて小さくでき、封止窓４から受
光素子５ａ，５ｂの受光面までの距離をｄ₀±２００μ
ｍまで小さくできる。

【００２９】また、この支持基板９は、鏡面１０の先端
が封止窓４から１ｍｍ以下離れるように配置され、上面
には厚さ３μｍのAuSn共晶金属膜９ｂが電子線蒸着さ
れ、下面には厚さ１μｍ以下の金膜９ａがメッキされ、
支持基板９の下面はパッケージ２内の底面のAuSn膜に熱
融着される。AuSn共晶金属膜９ｂは受光器５との接着を
行う接着材で、また金膜９ａは、接着に用いられる低融
点金属（Sn等）との接着性を高めるものである。

【００３０】上記した受光器５は、図５に示すように、
同一基板に形成した２つのバランス型受光素子５ａ，ｂ
を有するとともに、受光素子５ａ，ｂに隣接する接着領
域５ｅを有するもので、これをコヒーレントレシーバに
使用すると、クロストークが小さく、結合効率が高く、
高速動作が実現できる。

【００３１】２つの受光素子５ａ，ｂの受光面は１２５
μｍ以下の間隔で離され、直径８０μｍのモノリシック
レンズ５ｃ，ｄで覆われている。受光器の基板の大きさ
は光進行方向長さ６００μｍ、幅４００μｍで、受光素
子５ａ，ｂは光進行方向の端部から２００μｍの領域で
あり、接着領域５ｅは残りの部分となっている。

【００３２】また、受光器５は、図３、５に示すよう
に、その受光面を支持基板９の鏡面１０の上に張り出さ
せてその法線に対して４５°の角度で対向させ、この状
態で、接着領域５ｅのAu膜５ｋを支持基板９のAuSn共晶
金属膜９ｂに合わせて熱融着されている。

【００３３】このように直接接着することにより光路長
を短くでき、また鏡面１０に水平方向に入射した光は垂
直方向に曲がる。受光器５の受光素子５ａ，ｂは、例え
ば図５(c) に示すようなTwin-PINフォトダイオードが用
いられ、この素子は、半絶縁性InP 基板５１の上にｎ⁺
型InP 層５２、ノンドープInGaAs吸収層５３及びｎ^-型
InP 層５４をメサ型に積層し、また、ｎ^-型InP 層５４
の上面から吸収層５３の途中までＺn を拡散してｐ⁺型
拡散層５５を設けて構成される。また、受光素子５ａ，
５ｂの下方であってInP 基板５１の下面には、上記した
モノリシックレンズ５ｃ，ｄが形成されている。さら
に、ｎ^-型InP 層５４の上面にはｐ電極５６が取付けら
れ、しかも、ｎ⁺型InP 層５２の側部にはｎ電極５７が
接続されている。

【００３４】また、２つの受光素子５ａ，５ｂは、電極
５６，５７を介して図１２に示すように直列に接続さ
れ、その両端のｎ電極５７及びｐ電極５６は図２に示す
ようにInP 基板５１上のバイアス配線パターンを介して
第一、第二のボンディングパッド５ｆ，５ｇまで延在
し、また、素子間のノードは第三のボンディングパッド
５ｈに接続されている。

【００３５】上記した第一の配線基板６は、セラミック
の上に３つの電極配線６ａ〜６ｃを形成したもので、そ
の両側の電極配線６ａ，ｂは金メッキ膜より形成され、
その一端は受光器５の第一、第二のボンディングパッド
５ｄ，ｅと導通し、それらの他端はパッケージ２の両側
のリード端子１２、１３に接続されて外部に引出され、
所定のバイアス電圧が印加されるようになっている。ま
た、中央の電極配線６ｃはストリップラインで、その一
端は上記した受光器５の第三のボンディングパッド５ｆ
にAuワイヤ接続され、その他端は、Auワイヤを介して次
段のマイクロ波増幅器７の入力パッド７ａと導通してい
る。

【００３６】上記したマイクロ波増幅器７は、受光器５
のノードに流れる信号を増幅する回路で、その出力端７
ｂはボンディングAuワイヤ及び第二の配線基板８上のボ
ンディングパッド８ａを介してパッケージ側部のリード
端子１４に接続されて外部に引出されている。

【００３７】なお、図中符号１５は、導波管101a,101b
と受光素子５ａ，５ｂの間に介在されるレンズを示して
いる。次に、上記した実施例の作用について説明する。

【００３８】上述した実施例において、方向性光結合器
101 の出力側の２つの導波管101a,101b から出た光はレ
ンズ１５によって集束され、封止窓４を通った後に、支
持基板９の一端に４５°傾斜させた鏡面１０上の反射膜
１１を反射して２つの受光素子５ａ，５ｂに入射して電
気的に変換され、マイクロ波増幅器７によって増幅さ
れ、リード端子１４を介して外部に送られることにな
る。

【００３９】この場合の鏡面１０は、支持基板９の端面
を研磨して凹凸の少ない面に仕上げたものであるため、
鏡面１０の反射面の角度を４５°に傾けることは容易で
あり、しかも大きな支持基板９と一体となっているため
に、その取扱いが容易で、位置合わせがし易い。

【００４０】また、鏡面１０は支持基板９の端部に一体
形成されているため、鏡面１０先端と封止窓４の硝子板
３との距離ｄ₁を１mm以下に近づけ、しかも受光器５の
受光面と鏡面１０との距離ｄ₂を１００μｍまで小さく
することは容易である。

【００４１】さらに、受光器５は、支持基板９の一端に
寄せて搭載され、その受光面を鏡面１０の４５°上方に
配置するだけであり、その実装は容易となり、しかも光
の進行方向に対して４５°傾いた鏡面１０により反射さ
れた光は、支持基板９上の受光素子５ａ，５ｂに垂直に
入るので、結合損失は小さくなる。

【００４２】次に、上記した受光器５の他の例を図６に
基づいて説明する。図５に示す受光器５は接着領域５ｅ
を他の領域と平坦に形成しているが、図６に示すように
段５ｉを形成してモノリシックレンズ５ｃ，ｄと同じ高
さまで突出させてもよい。なお、図において符号６１は
Au膜を示している。

【００４３】この場合のモノリシックレンズ５ｃ，ｄと
接着領域５ｃの段５ｆを形成する工程を図７に基づいて
説明する。まず、InP 基板５１に受光素子５ａ，５ｂを
形成した後に、受光面の反対側に厚さ２０μｍのフォト
レジスト６２を塗布し、これをフォトリソグラフィー法
によりパターニングし、受光素子５ａ，５ｂの受光領域
に半径８０μｍのフォトレジスト６２を残存させるとと
もに、受光素子が形成されていない接着領域５ｅをフォ
トレジスト６２で覆うようにする（図７(a))。

【００４４】この後に、フォトレジスト６２を２００〜
２５０℃の温度でベーキングするとフォトレジスト６２
の周縁が丸くなり、受光領域では半球面状になる（図７
(b))。

【００４５】そして、フォトレジスト６２をそのまま冷
却した後に、フォトレジスト６２及びInP 基板５１をイ
オンミリングによりドライエッチングすると、フォトレ
ジスト６２とInP 基板５１が同じ速度でエッチングさ
れ、フォトレジスト６２の形状がInP 基板５１に転写さ
れる。この結果、受光素子５ａ，５ｂと反対側の受光領
域には直径８０μｍの半球状の突起が形成され、これを
モノリシックレンズ５ｃ，５ｄとして使用する（図７
(c))。

【００４６】また、接着領域５ｅには他の領域との境界
に段５ｉが形成され、この上段の面が接着領域５ｅとな
りAu膜を付着して支持基板９の上に直に接着することに
なる。しかも、この段５ｉにより、モノリシックレンズ
５ｃ，ｄが持ち上げられ、鏡面１０に当たることはな
い。なお、段５ｉをモノリシックレンズ５ｃ，ｄよりも
高くしてもよい。

【００４７】また、受光器５をボンディングする場合に
受光素子５ａ，ｂに対する光の入射角のズレが最も大き
な問題となるが、モノリシックレンズ５ｃ，ｄの光軸合
わせのトレランスは７０μｍであり、この程度あれば取
付け角度のズレが１０°以上であっても結合に支障をき
たさなくなる。

【００４８】次に、支持基板９の先端に鏡面１０、反射
膜１１を形成する工程を図８に基づいて説明する。ま
ず、支持基板９の材料板として石英基板８０を用い、例
えば光進行方向に配置される長さを２０ｍｍ、それに直
交する方向の幅を５０ｍｍ、厚さを２００μｍとする。

【００４９】そして、図８(a) に示すように、２つの挟
持面が下面に対して一方向に４５°傾斜した治具８１
ａ，ｂを用いて、１枚或いは数枚の石英基板８０を挟ん
で研磨面からの角度４５°を決める。複数枚の石英基板
８０を挟む場合には、ガラス基板８０の間にエポキシ系
接着剤を塗布して互いを接着し、位置ズレを防止する
（図８(b))。この時、治具８１ａ，ｂとの間には接着材
を付けないようにする。

【００５０】複数枚同時に研磨すると、大量に一括研磨
ができ、研磨角度が正確になり、しかも薄い基板を歩留
り良く研磨できる効果がある。次に、石英基板８０の端
部が平らになるように３０００番以上の研磨剤を用いて
研磨し、基板下面に対して４５°傾斜した鏡面１０を形
成する（図８(c))。この後に、研磨したものをトリクレ
ン中にいれ、トリクレンを加熱沸騰させて、エポキシ樹
脂を溶解し、複数の石英基板８０を分離する。これによ
り図９(d) に示す支持基板９が完成する。

【００５１】この工程においては石英基板８０の一端に
のみ鏡面１０を傾斜したが、図１１(a) に示すように両
端に鏡面１０を形成し、分離後に石英基板８０を２分割
して図９(d) のような形状にしてもよい。

【００５２】なお、鏡面１０が形成された石英基板８０
は、図９(e) の破線で示すように、最後の工程又は反射
膜１１、融着材等の形成前か後に所定の幅、例えば６ｍ
ｍ幅に複数分割される。

【００５３】次に、蒸着法、スパッタ法、熱ＣＶＤ法、
プラズマＣＶＤ法、その他の成膜技術を用いて支持基板
９の上面及び鏡面１０にクロムよりなる反射膜１１を２
０００Åの厚さに形成する（図９(f))。

【００５４】それから、反射膜１１の上にポジ型フォト
レジスト８１を塗布した後に、４５°傾斜した鏡面１０
の上をマスク８２で覆い、それ以外の領域にあるフォト
レジスト８１を紫外線露光する（図９(g))。続いて現像
を行うと、図１０(h) に示すように、鏡面１０以外のフ
ォトレジスト８１が除去される。

【００５５】この後に、支持基板９の上から接着用融
材、例えばAuSn共晶金属膜９ａを蒸着する（図１０
(i))。さらに、鏡面１０の反対面をマスク８３で覆い、
支持基板９の下面に金属蒸着膜、例えば金膜９ｂを積層
する（図１０(j))。

【００５６】この後でフォトレジスト８１を除去して鏡
面１０領域のAuSn共晶金属膜９ａを除去すれば、図４と
同様なものが完成する（図１０(k))。なお、図１０(k)
においては、AuSn共晶金属膜９ａが支持基板９の上に残
存しているが、特に問題はない。また、支持基板９の材
料に金属を使用した場合は、その端部で45°に研磨され
た鏡面１０は反射率が高く、その上に反射膜１１を施す
必要はない。

【００５７】さらに、上記した実施例では、支持基板９
上に配線基板６，８を取付けたが、その上面に直接回路
パターン、ストリップライン等を形成することも可能で
ある。ただし、支持基板９が金属材より形成されている
場合は、その上面に誘導体膜を一層以上コーティングし
て、その上に回路パターン等を形成する。

【００５８】次に、支持基板の別の製造方法を図１１に
基づいて説明する。まず、図１１(b) に示すように、長
さ１００ｍｍ、幅１００ｍｍ、厚さ２００μｍの石英基
板８０を複数枚用意し、これをエポキシ系接着剤を介し
て積層する。この場合、各石英基板８０の各周面が平坦
になるように位置を合わせる。

【００５９】ついで、薄い刃をもつダイヤモンドカッタ
を使用し、図１１(c) の破線で示すように、各石英基板
８０の境界面に対して４５°の傾き角度で切断する。こ
のとき、切断後の石英基板８０の長さが４０ｍｍとなる
ように切断する。この切断後の状態は、図１１(a) に示
すようになる。これにつづいて、傾斜した切断面の両面
を研磨する。

【００６０】そして、研磨後の石英基板８０をトリクレ
ン中にいれ、トリクレンを加熱沸騰させて、エポキシ樹
脂を溶解し、分解すると、両端に傾斜した鏡面１０を有
するものが出来上がる。

【００６１】次に、石英基板８０を中央で切断すると、
図９(d) に示す支持基板９が完成する。この後には、図
９(f) に示す以降の手順で処理を行い、最後に所定の
幅、例えば６ｍｍ程度の幅に切断することになる。

【００６２】なお、上記した実施例の受光素子は、基板
の上面に形成し、その下面から光を入射するタイプのも
のについて説明したが、受光素子を基板の下面に形成
し、下から光を照射するものを適用してもよい。

【００６３】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、受光
器を載置する支持基板の一端に４５度傾斜した鏡面を形
成し、その鏡面に受光器の受光素子を張り出すようにし
ているので、鏡面は機械研磨によって形成することは容
易で、凹凸の少ない面に仕上げることが可能であり、容
易に制作できる。

【００６４】しかも、鏡面は大きな支持基板と一体とな
っているので、その取扱いが容易で、位置合わせが簡単
にできる。さらに、鏡面は支持基板の端部に一体形成さ
れているため、鏡面先端と封止窓との距離を１mm以下に
短くして、しかも受光器の受光面と鏡面との距離を１０
０μｍまで小さくすることが容易になる。

【００６５】さらに、受光器は、支持基板の一端に寄せ
て搭載され、その受光面を鏡面の４５度上方に配置する
だけであり、その実装は容易であり、しかも光の進行方
向に対して４５度傾いた鏡面により反射された光は、支
持基板上の受光素子に垂直に入るので、結合損失を小さ
くすることができる。

【００６６】また、支持基板が金属以外の材料により形
成されている場合には、その鏡面に反射膜を形成してい
るので、反射率を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例装置を示す側断面図である。

【図２】本発明の一実施例装置を示す平面図である。

【図３】本発明の一実施例装置の要部側面図である。

【図４】本発明の一実施例装置に適用される支持基板の
一例を示す平面図及び側面図である。

【図５】本発明の一実施例装置に適用される受光器の一
例を示す側面図である。

【図６】本発明の一実施例装置に適用される受光器の第
２の例を示す側面図及び平面図である。

【図７】本発明の一実施例装置に適用される受光器の第
２の例の製造工程を示す側面図である。

【図８】本発明の一実施例装置に適用される支持基板の
製造工程の一例を示す側面図（その１）である。

【図９】本発明の一実施例装置に適用される支持基板の
製造工程の一例を示す側面図（その２）である。

【図１０】本発明の一実施例装置に適用される支持基板
の製造工程の一例を示す側面図（その３）である。

【図１１】本発明の一実施例装置に適用される支持基板
の製造工程の他の例を示す側面図である。

【図１２】光電変換装置の一例を示す概要構成図であ
る。

【図１３】受光器の一例を示す外観図である。

【図１４】従来装置の一例を示す断面図である。

【図１５】従来装置に使用される反射鏡の一例を示す側
面図である。

【符号の説明】

１光電変換装置２パッケージ３硝子板４封止窓５受光器５ａ，ｂ受光素子５ｃ接着領域６、８配線基板７マイクロ波増幅器９支持基板１０鏡面１１反射膜１２〜１４リード端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光進行方向に対して４５度の角度で傾斜さ
れた鏡面（１０）を一端に有する支持基板（９）と、前記鏡面（１０）の上に張り出される受光領域を下面側
とする受光素子（５ａ，５ｂ）を備え、かつ、該受光領
域を前記鏡面（１０）に張り出した状態で前記支持基板
（９）に接着される接着領域（５ｅ）を有する受光器
（５）とを備えたことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】前記支持基板（９）が金属以外の材料に
より形成され、前記鏡面（１０）の上に反射膜（１１）
が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光電
変換装置。