KR20030087932A - 반도체 레이져, 그 제조 방법 및 광 픽업 장치 - Google Patents

Abstract

평면형상이 거의 원형인 베이스에 그 하나의 직경에 대해 일정 간격을 사이에 두고 2개의 리드가 고정되고, 베이스의 일측면에 2개의 리드와 평행으로 베이스와 수직인 하나의 면을 가지는 히트싱크가 설치됨으로써 스템이 형성된다. 히트싱크의 하나의 면에 레이져 칩이 마운트되고, 그 주위가 캡으로 피복되어 있다. 히트싱크는 레이져 칩의 레이져 광 출사 위치가 베이스의 중심이 되도록 고착되어 있다. 그 결과, 고출력 레이져 칩과 같이 칩 사이즈가 크고 발열량이 큰 레이져 칩의 경우라도 히트싱크를 크게하여 방열특성을 향상시키면서 외경이 작고 저렴한 가격으로 간편하게 제조할 수 있는 구조의 반도체 레이져를 얻을 수 있고, 박형의 광 픽업이 얻어진다.

Description

반도체 레이져, 그 제조 방법 및 광 픽업 장치{Semiconductor laser, manufacturing method of the semiconductor laser, and optical pickup device}

본 발명은 DVD(Digital Versatile Disk), DVD-ROM, 데이터 기록이 가능한 CD-R/RW(재기록이 가능한 CD) 등의 픽업용 광원에 사용하기에 적합하게 소형 및 저렴한 가격으로 제조가 가능한 구조의 반도체 레이져에 관한 것이다. 보다 상세하게는, DVD용 또는 CD-R/RW용 등의 레이져 칩이 커져도 작은 외형 및 저렴한 가격으로 간편하게 형성할 수 있는 스템(stem)타입 구조의 반도체 레이져, 그 제조 방법 및 그 반도체 레이져를 사용한 광 픽업장치에 관한 것이다.

종래 CD용의 픽업등에 사용되는 스템타입의 반도체 레이져는 도 8에 도시된 바와 같은 구조로 되어 있다. 즉, 철 등의 금속재료를 냉간 단조법으로 성형하고, 베이스(21)의 중심부의 일부를 쌓아 올려서 히트싱크(heat sink)부(22)를 형성하고, 리드(23, 25)를 유리(26) 등을 이용해 고정한 스템(20)이 사용되며, 이 히트싱크부(22)에 레이져 칩(31)이 실리콘 기판 등으로 이루어지는 서브 마운트(34)를 통하여 마운트(mount) 되고, 한쪽의 전극(칩(31)의 뒷측)이 서브 마운트(34)의 중계부(38)를 통하여 와이어(33)에 의해 리드(23)와 전기적으로 접속되고, 다른쪽의 전극은 와이어(33)를 통하여 서브 마운트(34)에 접속되며, 그 이면을 통하여 히트싱크부(22) 및 베이스(21)를 거쳐서 커먼 리드(24)와 전기적으로 접속되어 있다.

또한, 참조번호 32는 모니터용의 수광소자로, 한쪽의 전극은 와이어(33)를 통하여 리드(25)와 접속되어 있고 다른쪽의 전극은 서브 마운트(34), 히트싱크부(22) 및 베이스(21)를 통하여 커먼 리드(24)와 전기적으로 접속되어 있다. 그리고 그 주위에 캡(35)이 씌워짐으로써 형성되어 있다. 캡(35)의 정점부(頂部) 중앙부에는 레이져 칩(31)에 의해 발광하는 빛이 투과되도록 관통공(35a)이 설치되고, 유리판(36)이 접착제(37)에 의해 봉착(封着)되어 있다.

이러한 구조에서는, 리드(23, 25) 사이에 히트싱크부(22)를 형성해야 함에도 불구하고, 리드(23, 25)를 유리(26) 등에 의해 봉착하지 않으면 안되기 때문에 스템(20)의 지름을 작게 할 수 없다. 그 때문에, 종래에는 외형이 5.6 ㎜정도의 것 밖에 만들지 못하고 있다.

한편, 최근의 CD나 DVD 등의 픽업은 노트형 퍼스널 컴퓨터 등으로 대표되는 바와 같이, 전자기기의 경박 단소화에 수반하여 대단히 박형의 것이 요구되며, 픽업에서는 횡방향으로 하여 사용되는 반도체 레이져는 그 외경이 작은 것이 요구되고, 외경을 3.5 ㎜정도 이하로 하는 것이 요구되고 있으며, 도 9에 도시된 바와 같이, 판상체를 드로잉 가공하여 링(27) 및 히트 싱크로 하는 대좌부(28)를 일체형으로 형성하고, 그 링(27) 안에 유리(29) 등으로 리드(23, 25)를 직접 봉착하여 스템(20)을 형성하고, 캡(35)을 그 스템(20)의 외주(外周)에 압입(壓入)하여 씌우는 타입의 것도 개발되고 있다(예를 들면 USP 5878069 참조). 이와 같은 구조로 형성함으로써, 스템의 베이스에 직접 히트 싱크를 형성할 필요가 없고, 캡을 용접할 스페이스를 필요로 하지 않기 때문에 3.3 ㎜정도의 것이 가능하게 된다. 또한, 도 8과 동일한 부분에는 동일한 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.

그러나, 이러한 구조에서는 리드(23, 25) 사이에 히트싱크(22)를 형성하고 있기 때문에, 소형화에 수반하여 히트싱크도 필연적으로 작아지게 되고 만다. 칩 사이즈가 0.25 ㎜ ×0.25 ㎜ 각(角) 정도로 작고 동작전류도 작은 CD 용의 레이져 칩에서는 히트싱크의 형상이 작아져도 무방하나, 칩 사이즈가 0.25 ㎜ ×0.5 ㎜ 각 정도로 크고 발열량도 큰 DVD 용의 레이져 칩에서는 방열이 충분하지 않으면 레이져 칩이 발광하지 않게 되는 문제가 있다.

그래서, 본 발명자는 전술한 도 8의 스템타입과 동등한 정도의 히트싱크의 크기를 확보하면서 방열 특성을 악화시키지 않고 패키지 전체의 소형화의 요구도 충족시킬 수 있는 반도체 레이져를 개발하였다(예를 들면 특개 2001-111152호 공보 참조). 즉, 도 10에 나타낸 바와 같이, 적어도 2개의 리드(23, 25)가 양측으로 돌출하도록 고정되는 베이스(21)의 일측면에 설치되는 히트싱크(22)를, 베이스와 고착되는 지지부(22a)와 레이져 칩의 마운트부로 형상을 다르게 하고, 그 지지부(22a)의 상부에서 돌출된 2개의 리드(23, 25) 측으로 연장되도록 히트싱크(22)가 형성되어 있다. 이와 같은 구조로 형성함으로써, 레이져 칩 마운트면을 폭넓게 형성할 수 있고 방열성이 향상되며, 리드(23, 25)의 간격을 좁게 할 수 있다. 그 결과, 스템(20)의 지름을 작게 할 수 있어 3.3 ㎜정도의 크기라도 DVD 용의 레이져 칩을 탑재할 수 있게 된다. 또한, 도 8과 동일한 부분에는 동일한 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.

DVD 등의 픽업의 박형화에 수반하여, 최근에는 노트형 퍼스널 컴퓨터에도 DVD가 범용품으로서 표준 탑재되도록 되어 있으나, 노트형 퍼스널 컴퓨터의 저가격화에 수반하여 픽업, 반도체 레이져도 저렴한 가격으로 하는 것이 요구되고 있다. 그러나, 종래의 소형화와 방열특성의 양면을 확보한 구조에서는, 평면적으로 보아 히트싱크와 리드(리드를 고착하는 유리부를 포함)가 겹쳐지는 구조(오버행)로 되어 있기 때문에, 히트싱크가 2 부품으로 되는 일이 많고, 또한, 1 부품으로 하더라도 복잡한 형상으로 되는 일이 많아 제조공정이 복잡화되거나, 1 부품으로서 제작해도 비용이 높아지는 문제가 있다.

더욱이, 최근의 기록미디어 시장의 발전에 의해 CD-R/RW가 급속히 보급되어 DVD와 마찬가지로 퍼스널 컴퓨터의 표준장비로 되어가고 있다. CD-R/RW용의 레이져로서는 고출력 반도체 레이져가 사용되고 있고, 고출력을 달성하기 위해 칩 사이즈가 0.25 ㎜ ×0.8 ㎜ 각(角) 정도로 DVD용의 레이져 칩보다도 더욱 크고 동작전류도 CD용의 4 ∼ 5배 정도로 크다. 따라서, 고출력 반도체 레이져를 소형화 할 때에도 방열 특성이 나쁘면 원하는 광 출력을 달성할 수 없게 되는 문제도 있다.

본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 고출력 레이져 칩과 같이 칩 사이즈가 크고 발열량이 큰 레이저 칩의 경우라도, 히트싱크를 크게 하여 방열특성을 향상시키면서 외경이 작고 저렴한 가격으로 간편하게 제조할 수 있는 구조의 반도체 레이져를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은 픽업의 회로 기판의 설계 변경 및 하우징의 형상 변경없이도 사용할 수 있는 구조의 반도체 레이져를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 CD-R/RW용과 같은 고출력으로 칩 사이즈가 크고 발열량이 큰 레이져 칩의 경우라도, 외경이 작은 스템의 리드 사이에 레이져 칩을 마운트할 수 있도록 함으로써 높이가 낮은 반도체 레이져를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 커다란 레이져 칩을 탑재하면서 외경이 작고 높이도 낮게 할 수 있는 반도체 레이져의 제조방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 노트형 퍼스널 컴퓨터 등에 사용되는 것과 같은 광 픽업을 박형화하여 전자기기의 박형화를 달성할 수 있는 염가의 광 픽업 장치를 제공하는 것에 있다.

도 1(a) 내지 도 1(c)는 본 발명에 따른 반도체 레이져의 일 실시형태의 구조를 나타내는 단면 및 캡을 제거한 사시도 및 평면도.

도 2(a) 내지 도 2(c)는 도 1의 반도체 레이져에 있어서의 리드의 위치관계를 나타내는 설명도.

도 3은 본 발명의 반도체 레이져에 있어서의 다른 실시형태의 구조를 나타내는 설명도.

도 4(a) 및 도 4(b)는 본 발명의 반도체 레이져에 있어서의 다른 실시형태의 구조를 나타내는 단면 및 캡을 제거한 사시도.

도 5(a) 내지 도 5(e)는 도 4의 스템을 형성하는 일 실시형태를 나타내는 공정 설명도.

도 6(a) 및 도 6(b)는 도 4에 도시된 구조의 반도체 레이져를 사용하여 광 픽업 장치를 소형화할 수 있음을 설명하는 도면.

도 7은 본 발명에 따른 광 픽업 장치의 구성을 나타내는 설명도.

도 8은 종래 반도체 레이져에 대한 구성예를 나타내는 설명도.

도 9(a) 및 도 9(b)는 종래 반도체 레이져에 대한 구성예를 나타내는 설명도.

도 10은 종래 반도체 레이져의 구성을 나타내는 설명도.

위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 레이져는 평면형상이 거의 원형인 베이스와 상기 베이스에 각각 절연체로 고정되는 2개의 리드와, 상기 베이스의 일측면에 설치되며 상기 2개의 리드로 형성되는 면과 평행으로 상기 베이스와 수직인 하나의 면을 가지는 히트싱크와, 상기 히트싱크의 상기 하나의 면에 고착되는 레이져 칩으로 이루어지며, 상기 2개의 리드가 상기 베이스의 하나의 직경에 대해 일정 간격을 사이에 두고 거의 평행이 되도록 설치되고, 상기 히트싱크는 상기 리드를 고정하는 절연체와 접촉하지 않도록 상기 베이스에 고착되고, 상기 레이져 칩의 출사 위치가 상기 베이스의 중심이 되도록 고착되어 있다.

여기에서 거의 원형의 베이스란, 완전한 원형만을 의미하는 것은 아니며, 위치결정을 위한 슬롯이 베이스 주단부(周端部)에 여러곳 형성되고 있는 것, 베이스주단부의 일부가 누락되어 있는 것 등도 포함한다. 또한, 이 베이스의 하나의 직경에는 위치결정 슬롯에 의해 단부(端部)가 일부 누락되어 있는 경우에는 누락이 없는 것으로 하여 고려되는 직경을 포함한다.

이러한 구조로 구성함으로써, 평면적으로 보아(스템을 윗면에서 보아) 2개의 리드가 히트싱크의 레이져 칩을 본딩하는 하나의 면으로부터 이간되어 형성되며, 좁은 리드 간격으로 하여도 충분히 히트싱크의 체적을 확보할 수 있고, 리드와 히트싱크를 오버행 시킬 필요가 없어지며, 히트싱크를 단순 형상의 1 부품으로 형성할 수 있게 된다. 그 결과, 외경이 3.5 ㎜정도가 되도록 좁은 리드 간격으로 하여도 열 방산에 충분한 히트싱크를 설치할 수 있고, CD-R/RW용과 같이 더욱 칩 사이즈가 커서 발열이 큰 레이져 칩이라도 소형의 패키지로 할 수 있는 동시에, 간편한 제조공정에 의해 제조할 수 있으며 히트싱크의 제작도 용이하며 제조비용을 절감할 수 있게 된다.

또한, 상기 베이스의 타측면에 커먼리드가 설치되고, 이 커먼리드는 평면적으로 보아 상기 2개의 리드의 중심선 상에서, 상기 베이스의 주단부로부터, 상기 일정간격만큼 상기 베이스의 중심측에 어긋난 위치에 고착(固着)되는 구조로 함으로써, 커먼리드와 다른 리드의 간격은 본 발명에서도 종래 구조와 변함이 없고, 반도체 레이져를 사용하는 픽업 중의 회로기판의 설계변경을 필요로 하지 않는 동시에, 종래 타입의 반도체 레이져를 사용할 수도 있으며, 회로 기판의 상호 교환성도 확보할 수 있다.

상기 2개의 리드의 상기 일측면 측의 단부에 있어서의 간격이 이 단부 이외의 상기 2개의 리드의 간격보다 커지도록 상기 2개의 리드의 선단부의 형상이 변형됨으로써, 고출력으로 대형의 레이져 칩이라도 리드 사이에 레이져 칩을 마운트할 수 있고, 리드 단부로부터 상부측에 레이져 칩을 마운트할 수 있도록 히트싱크를 높게 하지 않아도 되기 때문에, 외경이 작아짐과 동시에 높이도 낮은 고출력용의 반도체 레이져를 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 레이져의 다른 형태는 평면형상이 거의 원형인 베이스와, 상기 베이스에 각각 절연체로 고정되는 2개의 리드와, 상기 베이스의 일측면에 설치되며 상기 2개의 리드로 형성되는 면과 평행하며 상기 베이스와 수직인 하나의 면을 가지는 히트싱크와, 상기 히트싱크의 상기 하나의 면에 고착되는 레이져 칩으로 이루어지며, 상기 2개의 리드의 상기 일측면 측의 단부에 있어서의 간격이 이 단부 이외의 상기 2개의 리드의 간격보다 커지도록 상기 2개의 리드의 선단부의 형상이 변형되어 있다.

상기 레이져 칩이 서브 마운트를 통해 상기 히트싱크에 고착되고, 상기 서브 마운트는 AlN(Aluminum Nitride)으로 이루어지며, 상기 서브 마운트 표면에 설치되는 중계용 도전성 부재를 통하고, 와이어 본딩에 의해 상기 레이져 칩의 1개의 전극이 상기 히트싱크와 전기적으로 접속되는 구조로 할 수 있다. 즉, 리드의 간격에 의해 제한받지 않고 큰 히트싱크를 형성할 수 있고, 또한 단순한 형상으로 히트싱크를 형성할 수 있기 때문에, 레이져 칩을 본딩하는 히트싱크의 평탄면을 충분히 크게 할 수 있으며, 와이어 본딩의 스페이스를 확보할 수 있다. 그 결과, 열 전도율이 큰 AlN으로 이루어지는 히트싱크를 이용하면서, AlN에 텅스텐비어를 형성한고가의 서브 마운트를 사용하지 않고도 저렴한 가격으로 고특성의 반도체 레이져를 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 레이져의 제조방법은, 금속제의 베이스에 상기 베이스를 관통하도록 2개의 리드를 절연성 부재를 이용하여 고정하고, 상기 베이스의 일측면에 있어서의 상기 2개의 리드의 단부를 프레스 가공에 의해 변형시킴으로써, 상기 단부에 있어서의 리드의 간격이 상기 단부 이외의 리드의 간격보다 넓게 되도록 하고, 상기 2개의 리드와 나란히 서서 상기 베이스의 일측면에 설치되는 히트싱크에 레이져 칩을 고착하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 광 픽업 장치는 반도체 레이져와, 회절격자와, 상기 반도체 레이져로부터 출사하는 광 및 반사하여 돌아오는 광을 분리하는 빔 스플리터와, 상기 반도체 레이져로부터의 빔을 평행광으로 만드는 콜리메이트 렌즈와, 상기 반도체 레이져로부터의 빔을 직각 방향으로 반사시키는 반사경과, 상기 빔을 디스크상에 집속시키는 대물렌즈와, 상기 디스크로부터의 반사광을 상기 빔 스플리터로 분리하여 검출하는 광 검출기로 이루어지며, 상기 반도체 레이져가 청구항 1 또는 8에 기재된 반도체 레이져로 이루어져 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 반도체 레이져에 대하여 설명한다. 본 발명의 반도체 레이져는 그 일 실시형태의 단면 설명도 및 그 스템부의 사시 및 평면 설명도가 도 1(a) ∼ 1(c)에 각각 도시된 바와 같이, 평면형상이 거의 원형인 베이스(11)의 하나의 직경에 대해 일정 간격을 사이에 두고 거의 평행이 되도록 베이스(11)에 절연체(16)를 개재하여 2개의 리드(13, 15)가 고정되고,베이스(11)의 일측면에 2개의 리드(13, 15)로 형성되는 면과 평행하며 베이스(11)와 수직인 하나의 면(12a)을 갖는 히트싱크(12)가 설치됨으로써 스템(1)이 형성된다. 히트싱크(12)의 하나의 면(12a)에 레이져 칩(2)이 마운트되고, 그 주위는 캡(5)으로 피복되어 있다. 히트싱크(12)는 리드(13, 15)를 고정하는 절연체(16)와 접촉되지 않도록 베이스(11)에 고정되고 레이져 칩(2)의 레이져 광 출사 위치가 베이스(11)의 중심이 되도록 고착되어 있다.

스템(1)은 베이스(11), 히트싱크(12) 및 베이스(11)에 설치된 관통공에 연질유리(16) 등으로 봉착된 리드(13, 15)와, 베이스(11)에 직접 용접 등으로 설치된 커먼리드(14)로 이루어진다. 본 발명에서는, 베이스(11)에 봉착되는 리드(13, 15)가 베이스 중심선(직경) 상이 아닌, 하나의 중심선으로부터 평행하게 일정간격(d)(도 2(b) 참조)만큼 어긋나게 설치되고, 그에 수반하여 히트싱크(12)의 레이져 칩(2)이 마운트되는 하나의 면(12a)이 베이스(11) 면으로부터 동일한 폭으로 수직으로 입상(立上)하고, 레이져 칩(2)의 레이져 광 출사 위치가 스템(1)의 중심 위치가 되도록 히트싱크(12)가 설치되어 있는 것에 특징이 있다. 즉, 종래 이러한 종류의 스템에 있어서, 2개의 리드(13, 15)는 베이스의 중심선 상에 설치되는 것이 일반적이었으나, 본 발명에서는 그러한 개념을 깨고 중심선으로부터 어긋나게 설치되어 있다.

도 1에 도시된 베이스(11)의 두께는 예컨대 1 ㎜ 정도, 그 지름은 3.5 ㎜정도, 리드(13, 15)를 고착하는 관통공의 지름은 예컨대 0.75 ㎜정도, 그 간격은 1.1 ㎜정도로 각각 형성된다.

2개의 리드(13, 15)의 간격은 도 10에 도시된 종래의 구조와 동일하게 1.1 ㎜이나, 하나의 직경(A)(도 2(b) 참조)으로부터 평행하게 일정간격(d), 예컨대 0.3 ㎜만큼 어긋나게 형성되어 있다. 그 결과, 후술하는 바와 같이, 커먼리드(14)도 그 거리(d) 만큼 베이스(11)의 중심측에 어긋나게 설치하면, 3개의 리드의 관계를 종래 구조와 동일한 관계를 유지하면서 히트싱크(12)를 크게 할 수 있다.

리드(13, 15)는 예컨대 0.3 ㎜정도의 Fe-Ni 합금봉 등으로 이루어지며, 연질유리(16) 등으로 이루어지는 유리비즈(glass beads)에 의해 베이스(11)의 관통공에 봉착된다. 커먼리드(14)는 예컨대 코발(등록상표)로 이루어지며, 베이스(11)와 전기적으로 접속하기 위해 직접 베이스(11)의 다른면(裏面)에 용접 등에 의해 고착된다.

이 커먼리드(14)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 평면적으로 볼 때 2개의 리드(13, 15)의 중심선 상에서 베이스(11)의 주단부로부터 2개의 리드(13, 15)가 베이스(11)의 하나의 중심선(직경)(A)에 대하여 평행 이동한 거리(d)와 동일한 거리(d) 만큼 떨어진 위치에 고착되는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 배치하면, 커먼리드(14)와 다른 리드(13, 15)와의 관계는 종래 구조와 동일하게 되고, 반도체 레이져를 사용하는 픽업 중의 회로기판의 설계변경을 할 필요가 없어지는 동시에, 종래 타입의 반도체 레이져를 사용할 수 도 있고, 회로기판의 호환성도 확보할 수 있기 때문이다.

히트싱크(12)는, 도 1에 도시된 실시예에 있어서는, 열전도가 양호한 동(銅)블록 등으로 이루어지며, 레이져 칩(2)을 마운트하는 거의 평면형상의 하나의 면인 레이져 칩 마운트면(12a)을 가지는 동시에, 다른 면은 가령 단면형상이 원호형상으로 바닥면에서 윗면까지 거의 동일한 단면형상으로 형성되고, 그 바닥면은 베이스(11)에 납땜 등에 의해 고착된다. 레이져 칩 마운트면(12a)은 그 폭이 1.4 ㎜ 정도로 형성되어 있다. 이 면은 서브 마운트(3)를 마운트 하거나 와이어 본딩을 하는 경우에는, 특히 그 평면도가 요구되기 때문에 베이스에 고정한 후에 평탄화 가공이 행해지나, 본 발명에서는 히트싱크(12)가 단순한 형상이기 때문에 넓은 평탄면의 면적을 얻기 쉽고, 후술하는 다른 실시 형태(도 4)로 나타낸 바와 같이 서브 마운트(3)에 AlN을 사용하면, 와이어 본딩에 의해 히트싱크(12)와의 전기적 접속을 할 수 있다.

히트싱크(12)는 동(銅) 블록 대신에 철 블록을 사용해도 방열성에 여력이 있으면 별 문제 없이 저렴한 가격으로 제조할 수 있는 잇점도 있다. 또한, 철판 등으로 냉간 단조법에 의해 베이스(11)와 함께 히트싱크(12)를 일체로 형성할 수 있다. 일체로 형성하면, 히트싱크(12)를 고착할 필요가 없어 정밀하게 제조할 수 있는 잇점이 있다. 또한, 히트싱크(12)는 다른 면의 단면형상이 원호형상으로 한정되는 것은 아니며, 바닥면에서부터 윗면까지 거의 동일한 단면형상으로 형성되며, 상술한 레이져 칩 마운트면(12(a))을 가지고 있으면 문제 없다.

또한 다른 예로서, 도 3에 동일한 스템부의 사시 설명도가 나타내는 바와 같이, 히트싱크(12)를 동판의 타발(打拔)과 절곡 등에 의해 형성하고, 히트싱크(12)를 베이스에 용접 또는 납땜 등으로 고정시키는 구조로 하여도 된다. 또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 히트싱크부를 절곡함으로써 한정된 공간에서 그 표면적을 크게 형성할 수 있고 방열특성을 향상시킬 수 있다. 다른 부분은 전술한 예와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.

레이져 칩(2)은 레이져 광을 출사하도록 형성되어 있으며, 그 크기는 CD 용에서는 250 ㎛ ∼ 250 ㎛ 정도, DVD 용에서는 250 ㎛ ∼ 500 ㎛ 정도, CD-R/RW 용에서는 250 ㎛ ∼ 800 ㎛ 정도로 된다. 그러나, 대단히 작고 그 취급이 용이하도록 하며 방열성을 확보하기 위해 통상 0.8 ㎜ ×1 ㎜ 정도 크기의 실리콘 기판 또는 AlN 등으로 이루어지는 서브 마운트(3) 상에 본딩된다. 그리고, 도 1(a)에 도시된 바와 같이, 한쪽의 전극은 서브 마운트(3)에 금선(8) 등의 와이어 본딩에 의해 접속되어 그 이면(裏面)으로부터 도전성 접착제에 의해 히트싱크(12), 베이스(11)를 통하여 커먼리드(14)에 접속되고, 다른쪽의 전극(裏面電極)은 서브 마운트(3) 상의 접속부(3a)를 통하여 금선(8) 등의 와이어 본딩에 의해 리드(13)와 접속된다.

이 레이져 칩(2)이 본딩된 서브 마운트(3)는 다이본 콜릿(collet)(흡착 콜릿)에 의해 반송되어 히트싱크(12)에 마운트된다. 또한, 레이져 칩(2)의 발광 출력을 모니터하기 위한 수광소자(4)가 동일하게 서브 마운트(3)에 설치되고, 그 한쪽의 전극은 히트싱크(12) 등을 통하여 커먼리드(14)에 접속되며, 다른쪽의 전극은 금선(8) 등의 와이어 본딩에 의해 리드(15)와 전기적으로 접속된다. 또한, 이 수광소자(4)는 서브 마운트(12)와는 다른 곳에 설치되어도 무방하며, 수광소자(4)를 필요로 하지 않는 경우에는 수광소자(4)는 없어도 된다.

레이져 칩(2)의 주위에는 캡(shell)(5)이 스템(1)에 용접되어 설치된다. 즉, 캡(5)의 바닥면(베이스(11)와 접하는 부분)에 프로젝션(돌기부)이 전둘레에 걸쳐 설치되며, 그 부분에 전류가 집중되도록 하여 저항 용접 등에 의해 전둘레가 허메틱(hermetic)으로 봉착된다. 캡(5)은 동(銅) 등의 열전도가 좋은 재료로 이루어지는 것이 바람직하나, 철이나 코발(등록상표) 등의 용접성이 양호한 금속이라도 무방하다. 또한, 무광택 은도금 등을 행하는 것이 내면에서의 빛의 난반사를 방지하기 위해 바람직하다. 또한, 캡(5)의 정점부의 중심부에는 레이져 광이 통과하는 창부(관통공)(5a)가 설치되고, 그 창부(5a)에는 유리 등의 투명판(6)이 저융점 유리 등의 접착제(7)로 접착된다.

본 발명의 반도체 레이져에 의하면, 리드 위치를 히트싱크의 레이져 칩 마운트면의 앞면측에 이간하여 어긋나게 배치하고 있기 때문에, 리드와 히트싱크를 오버행 시킬 필요가 없어지고, 히트싱크는 단순형상의 1 부품으로 형성할 수 있다. 그 결과 단순형상의 1 부품화가 가능하게 되고, 2 부품의 고착공정을 필요로 하지 않는 간편한 제조공정에 의해 제조할 수 있는 구조로 되며, 히트싱크부의 제작이 용이하고 제조비용의 절감이 도모된다. 즉, 종래 구조에서는 리드간격을 작게 하고 히트싱크를 크게 하기 위해, 리드와 히트싱크가 오버행 하는 구조이며, 히트싱크가 2 부품으로 되거나 1 부품이라 하더라도 복잡한 형상으로 되고, 또한 히트싱크의 스템 고정측의 형상을 작게하지 않으면 안되었으며, 어느 정도 히트싱크 체적이 작아지는 문제가 있었던 것에 비해, 본 발명에 의하면 단순형상의 1 부품화가 가능하게 되고, 2 부품의 고착공정을 필요로 하지 않는 간편한 제조공정으로 제조할 수 있는 구조로 되며, 히트싱크의 제작이 용이하고 제조비용의 절감이 가능하게 된다.

또한, 3.5 ㎜정도의 외경으로 하기 위한 좁은 리드간격으로도, 히트싱크 체적을 작게 함이 없이 오히려 크게 할 수 있고, 열 방산에 충분한 히트싱크를 설치할 수 있다. 그 결과, CD-R/RW용과 같이 칩 사이즈가 더욱 크고 발열이 큰 레이져 칩이라도 소형의 패키지로 할 수 있다.

전술한 예는, 서브 마운트(3)가 리드(13, 15)의 선단부로부터 윗측의 히트싱크(12) 상에 마운트될 수 있도록 히트싱크(12)의 높이가 높게 형성되어 있다. 이는, 2개의 리드(13, 15)의 피치가 1.1 ㎜ 정도로, 선단을 압축하여 넓혔기 때문에, 선단부의 간격이 0.8 ㎜ 보다 좁아지고, 서브 마운트(3)의 폭이 0.8 ㎜ 정도이기 때문에 다이본 콜릿에 의해 서브 마운트(3)를 흡착하여 마운트 할 때에, 리드간격을 통과하여 마운트 할 수 없기 때문이다. 그 결과, 캡(5)을 씌운 반도체 레이저 전체의 높이도 높아지고, 근래의 전자기기의 경박 단소화의 요구에 충분하게 대응하고 있지 못하다. 이와 같은 점을 감안하여, 더욱 소형화를 가능하게 하는 구조가 도 4(a) ∼ 4(b)에 도 1(a) 및 도 1(b)와 동일한 도면으로 도시되어 있다.

즉, 도 4(a) ∼ 4(b)에 도시된 구조는 리드(13, 15)의 레이져 칩(2) 측(캡(5)으로 피복되는 측:내부리드)의 선단부(先端部)가 그 간격이 커지도록 프레스 가공에 의해 변형되어 있고 그 확산된 리드 사이의 스페이스에 서브 마운트(3)가 배치되는 구조로 함으로써, 히트싱크(12)의 높이가 낮게 형성되어 있다. 또한, 도 4에 도시된 예에서는, 레이져 칩(2)으로서 CD-R/RW용의 고출력 레이져 칩(예컨대, 세로 ×가로가 0.8 ㎜ ×0.25 ㎜)이 사용되며, 서브 마운트(3)로서 실리콘 기판이 아니라, 더욱 열전도율이 우수한 AlN이 사용되고 있다. 그 밖의 구조는 도 1에 나타내는 구조와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 참조부호를 부여하여 그 설명을 생략한다. 또한, 이러한 종류의 고출력용 반도체 레이져가 사용되는 광 픽업 장치에서는, 모니터용 수광소자는 반도체 레이져와는 별개로 설치되는 것이 일반적이며, 도 4에서도 수광소자는 도시되어 있지 않다.

도 4에 도시된 실시예에서는 리드(13, 15)의 레이져 칩(21) 측 선단부(내부리드의 선단부)의 간격이 베이스(11)의 반대측의 리드(외부리드)(13, 15)의 간격보다 넓게 되도록 내부리드 선단부가 프레스 가공되어 있다. 예를 들면, 외부리드의 간격은 0.8 ㎜ 정도(리드 피치는 1.1 ㎜이고 리드 굵기는 0.3 ㎜)이며, 내부리드 선단부의 간격(W)(도 4(b) 참조)은 1.05 ㎜ ∼ 1.15 ㎜ 정도로 되어 있다. 이와 같은 리드 선단부의 가공은, 예를 들면 도 5(a) ∼ 5(e)에 도시되어 있는 바와 같은 공정에서 프레스 가공에 의해 형성할 수 있다.

즉, 먼저 종래의 스템 형성과 동일하게 베이스(11)의 관통구멍에, 예를 들어 Fe-Ni 합금으로 이루어지는 리드(13, 15)를 연질유리(16)(도 4(a) 참조) 등으로 봉착한다. 그리고, 도 5(a)에 도시된 바와 같이, 홈부가 형성된 다이(41)를 양 리드 선단부의 외측(2개의 리드가 정열하는 면에서 다른쪽의 리드와 반대측)에 각각 배치하고, 리드의 내측(2개의 리드 사이)으로 리드 선단부에만 닿는 펀치(42)로 압접(壓接)한다. 이때의 리드 간격(W₁)은, 예를 들면 0.8 ㎜ 정도이기 때문에 0.5㎜ 정도의 판상체로 되나, 초경 합금 등의 기계적 강도가 큰 재료로 펀치(42)를 형성함으로써, 가늘고 부드러운 리드(13, 15) 선단의 가공을 할 수 있다. 또한, 펀치(42)는 한 방향으로만 압접하는 구조로서, 1개의 리드 선단부를 변형한 후에 스템을 180°회전시켜서 다른 쪽의 리드를 동일하게 변형시켜도 된다.

그 결과, 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 리드 선단부의 펀치(42)에 의해 압접된 부분만이 외측에 압출되고, 내측 단부는 본래의 리드의 중심선 근방 또는 그것보다 외측이 되도록 변형한다.

다음에, 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 확산된 리드간격에 상당하는 폭을 갖는 볼록부(43a)와 그 볼록부(43a)와 수직인 평면(43b)을 갖는 제 2 펀치(43)를 리드 사이에 삽입하고, 제 2 펀치(43)의 볼록부(43a)에 대응되는 오목부(44a)를 갖는 동시에 평면(43b)에 대향하는 평면(44b)이 형성된 제 2 다이스(44)를 압접한다. 그 결과, 제 2 펀치(43)의 평면(43b)과 제 2 다이스(44)의 평면(44b)으로 리드(13, 15)가 눌려지나, 제 2 펀치(43)의 볼록부(43a)에 의해 리드(13, 15)의 간극(間隙)부 측으로는 압출되지 않고 외측으로만 압출된다(도 5(d) 참조). 그리고, 제 2 펀치(43)와 제 2 다이스(44)를 떼어내면, 도 5(e)에 도시된 바와 같이 간격(W₂)이 예를 들면 1.1 ㎜ 정도로 확산되고, 더욱이 선단부에 평면부가 형성되어 와이어 본딩이 가능한 리드 형상으로 성형할 수 있게 된다.

이상과 같은 프레스 성형 가공에 의해, 도 4에 도시된 바와 같이, 리드(13, 15)의 선단부의 간격(W)이 1.1 ㎜ 정도로 확산되고, 0.8 ㎜ 폭의 서브 마운트를0.9 ㎜ 정도의 폭이 있는 다이본 콜릿으로 운반하여 히트싱크(12) 상에 마운트하는 경우라도, 위치 어긋남의 오차를 고려해도 리드 사이에 마운트할 수 있다. 그 결과, 도 4에 도시된 바와 같이, 베이스(11) 측에 가까운 위치에 마운트할 수 있고, 히트싱크(12)를 그 만큼 낮게 할 수 있다. 이러한 경우 히트싱크(12)의 높이(H)는 1.3 ㎜ 정도로, 도 1에 도시된 경우의 2.45 ㎜ 보다도 1.15 ㎜ 낮게 할 수 있었다. 또한, 리드 선단의 가공은 도 5에 도시된 방법에 한정되는 것은 아니며, 외측으로 구부리는 가공과 평탄부를 형성하는 가공을 한번의 성형 금형에 의해 행해도 되고, 미리 가공한 리드를 베이스에 고정하여도 된다. 한편, 베이스(11)의 반대측 리드, 즉 외부리드의 간격은 도 1에 도시된 구조와 동일하며, 반도체 레이져의 측정 공정이나 광 픽업 장치를 조립할 때의 소켓에 아무런 변경을 하지 않아도 된다.

도 4에 도시된 예에서는, 전술한 바와 같이 서브 마운트(3)로서 AlN이 사용되고 있다. 이는 CD-R/RW와 같이 대단히 고출력의 레이져 칩에서는 열의 발생량이 크기 때문으로, 실리콘 보다도 열전도가 양호한 재료가 바람직하기 때문이다. 이 AlN을 사용하는 경우, 일반적으로는 AlN 기판을 관통하여 설치되는 텅스텐 비어라 불리는 도전체가 매립된 것이 사용되고 있다. 이는, 평면적인 스페이스를 취함이 없이 절연성의 AlN의 이면(裏面)에 전기적으로 접속할 수 있기 때문이나, 이와 같은 텅스텐 비어가 형성된 AlN 기판은 대단히 고가인 문제가 있다.

그러나, 도 4에 도시된 실시 형태에서는 이와 같은 텅스텐 비어가 형성된 AlN 기판이 아니라, 비어가 없는 AlN 기판을 이용하여 서브 마운트(3) 표면에 형성된 중계용 도전성 부재(금속화 층)(3b)를 통하여 금선(8) 등을 와이어 본딩함으로써, 레이저 칩(2)의 한쪽의 단자가 히트싱크(12)를 통하여 리드(14)와 전기적으로 접속되어 있다. 이와 같은 소형의 반도체 레이져로 텅스텐 비어가 형성되어 있지 않은 AlN 기판을 이용하여 와이어 본딩으로 접속할 수 있는 것은 다음의 이유에 의한다.

즉, 전술한 도 1의 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 리드(13, 15)를 베이스(11)의 중심선(직경의 위치)으로부터 어긋나게 함으로써, 히트싱크를 간단한 형상으로 크게 형성할 수 있기 때문에, 서브 마운트(3)의 마운트 면적 뿐만 아니라 와이어 본딩을 하기 위한 면적에 대해서도 히트싱크(12)의 평탄면을 형성할 수 있다. 그 때문에, 도 4에 도시된 바와 같이, 서브 마운트(3)의 옆의 히트싱크(12) 상에 와이어 본딩을 할 수 있다. 그 결과, 고가인 텅스텐 비어가 매립된 AlN 기판이 아니라, 비어가 없는 AlN 기판에서 와이어 본딩에 의해 레이져 칩(2)의 한쪽의 단자를 히트싱크(12)를 통하여 리드(14)와 전기적으로 접속할 수 있다.

또한, 도 4에 있어서, 참조부호 3c는 다이본 용 금속화층으로 레이져 칩(2)이 그 표면에 Au-Sn 납재료 등에 의해 본딩되며, 레이져 칩(2)의 다른쪽의 전극 단자가 다이본 용 금속화층(3c)를 통하여 금선(8) 등의 와이어 본딩에 의해 리드(13)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 참조부호 3d는 부품 등의 위치결정을 행하는 얼라인먼트 마크로 다른 부분은 AlN이 노출되어 있다.

도 4에 도시된 구조로 형성함으로써, 리드 선단부의 높이 위치에도 서브 마운트(3)를 탑재할 수 있기 때문에, 히트싱크(12)의 높이(H)를 낮게 할 수 있고, 전술한 바와 같이 그 높이를 1.3 ㎜ 정도로 할 수 있다. 그 결과, 캡(5)의 높이도 낮게 할 수 있어 반도체 레이져 전체의 높이를 낮게 할 수 있다. 그 때문에, 광 픽업 장치의 두께를 얇게 할 수 있을 뿐만 아니라 외형을 작게 할 수 있다.

즉, 광 픽업 장치의 구성은 도 7을 참조하여 후술하나, 그 평면적으로 본 개요도가 도 6(a) ∼ 6(b)에 도시된 바와 같이, 반도체 레이져(50)를 횡방향으로 배치하고, 프리즘 미러(54)로 빔의 방향을 90°횡으로 반사시켜 대물렌즈(55)에 의해 디스크 상에 집속시키나, 반도체 레이져(50)의 높이가 짧아짐으로써, 광 픽업 장치의 길이(L)를, 즉 전술한 1.15 ㎜ 만큼 단축할 수 있다. 또한, 반도체 레이져의 스템의 지름을 작게 하는 것은 도 6의 지면에 수직 방향, 즉 두께를 얇게 하는 것에 기여한다.

이상과 같이, 도 4에 도시된 구조로 함으로써, 반도체 레이져의 외경을 작게 할 수 있기 때문에, 광 픽업 장치를 얇게 할 수 있을 뿐만 아니라, 높이도 낮게 할 수 있어 광 픽업 장치의 길이도 단축할 수 있고, 광 픽업 장치를 상당히 소형화할 수 있다. 더구나, 외부로 나타나는 리드(외부리드)의 간격이 종래와 다르지 않아 전원과 접속하는 접속용 소켓은 종래와 동일한 것을 사용할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 리드의 위치를 어긋나게 함으로써 소형 패키지 이면서 히트싱크를 간단한 형상으로 크게 형성할 수 있기 때문에, 와이어 본딩을 할 수 있는 평탄한 스페이스를 히트싱크의 마운트 면에 확보할 수 있고, 열 전도성이 우수한 AlN을 서브 마운트로 하여 사용하는 경우에도 텅스텐 비어가 매립된 고가의 것을 사용하지 않고 대단히 저렴한 가격으로 고출력용의 반도체 레이져를 얻을 수있다.

전술한 도 4에 도시된 구조는, 고출력용(DVD용이나 CD-R/RW용)에 한하지 않고, CD용과 같은 저 출력용의 경우라도 서브 마운트의 폭은 동일하며(레이져 칩의 폭은 동일하며 길이는 출력에 의해 다르다), 리드 선단부의 폭을 넓힘으로써, 서브 마운트를 베이스에 근접시켜 마운트할 수 있다. 소출력용의 경우에는, 히트싱크를 그다지 크게 하지 않아도 문제가 없으며, 서브 마운트로서 실리콘 기판을 사용할 수 있기 때문에 도 1 이나 도 4에 도시된 바와 같이 리드를 베이스의 중심선으로부터 어긋나게 형성하지 않을 수도 있다.

도 7은 이처럼 외경이 작은 반도체 레이져를 사용하여 박형의 광 픽업 장치를 구성하는 실시예를 개략적으로 나타내는 설명도이다. 즉, 반도체 레이져(50)를 횡방향으로 배치하고, 반도체 레이져로부터의 빛을 회절격자(51)로 분할(예를 들면 3빔법으로 3분할)하고, 출사광과 반사광을 분리하는 빔 스플리터(52)를 통하여 콜리메이트 렌즈(53)로 평행빔으로 만들고, 프리즘 미러(반사경)(54)로 90°(z축 방향)로 빔을 반사시켜 대물렌즈(55)에 의해 DVD나 CD 등의 디스크(56)의 표면에 초점을 연결하게 한다. 그리고, 디스크(56)로부터의 반사광을 빔 스플리터(52)를 통하여 오목렌즈(57) 등을 거쳐 광 검출기(58)로 검출하는 구성으로 되어 있다. 또한, 도 7에서 반도체 레이져(50)와 광 검출기(58)는 거의 동일면(xy면)안에 있다.

이와 같이, 반도체 레이져(50)를 횡방향으로 배치하고 DVD나 CD 등과 평행한 방향으로 레이져 빔을 발사하면서 DVD 등의 표면의 요철(오목ㆍ볼록)을 검출하는 구성, CD의 표면을 프린트하는 구성으로 함으로써, 광 픽업 장치의 박형화는 반도체 레이져의 외경에 의존하고, 그 외경을 작게 함으로써 대단히 박형의 광 픽업 장치를 구성할 수 있다. 전술한 바와 같이, 외경이 3.5 ㎜정도의 본 발명에 따른 반도체 레이져를 사용함으로써 두께가 5㎜ 정도의 광 픽업 장치를 얻을 수 있었다.

본 발명에 따르면, 냉간 단조법으로 형성하는 것과 같은 금속성 베이스를 가지는 스템을 사용하여도, 3.5 ㎜정도로 대단히 소형이면서, 칩 사이즈가 크고 발열량도 큰 DVD나 그것보다도 칩 사이즈가 크고 발열량이 큰 CD-R/RW용의 고출력 레이져 칩을 사용한 반도체 레이져를 얻을 수 있다. 또한, 히트싱크를 제조공정의 복잡화를 초래하지 않고 단순형상의 1 부품으로 형성할 수 있기 때문에, 저렴한 가격으로 제조가 가능한 동시에 히트싱크의 체적을 크게 할 수 있어, 방열성이 우수하고 신뢰성이 높은 반도체 레이져를 얻을 수 있다.

또한, 내부리드의 선단부의 형상을 그 리드간격이 다른 부분의 리드간격보다도 넓게 되도록 형성함으로써, 레이져 칩을 본딩한 서브 마운트를 베이스에 상당히 접근시켜서 마운트할 수 있기 때문에 히트싱크의 높이를 낮게 할 수 있고, 반도체 레이져의 높이를 낮게 할 수 있다. 또한, 서브 마운트로서 AlN과 같은 절연기판을 사용하는 경우라도 히트싱크에 와이어 본딩하는 스페이스를 확보할 수 있고, 텅스텐 비어를 매립한 고가의 것을 사용할 필요가 없으며, 고출력용의 반도체 레이져라도 신뢰성이 우수한 것을 대단히 저렴한 가격으로 얻을 수 있다.

그 결과, DVD용이나 CD-R/RW용 등의 광 픽업 장치라도 대단히 박형으로 소형의 광 픽업 장치를 형성할 수 있다. 또, 본 발명의 반도체 레이져를 사용한 광 픽업 장치에 의하면, 노트형 퍼스널 컴퓨터 등 레이져 광원을 사용하는 전자기기의 박형화 및 소형화에 대단히 기여한다.

Claims (10)

1. 평면형상이 거의 원형인 베이스와;

   상기 베이스에 각각 절연체로 고정되는 2개의 리드와;

   상기 베이스의 일측면에 설치되고 상기 2개의 리드로 형성되는 면과 평행으로 상기 베이스와 수직인 하나의 면을 가지는 히트싱크와;

   상기 히트싱크의 상기 하나의 면에 고착되는 레이져 칩으로 이루어지며,

   상기 2개의 리드가 상기 베이스의 하나의 직경에 대해 일정간격을 사이에 두고 거의 평행이 되도록 설치되고,

   상기 히트싱크는 상기 리드를 고정하는 절연체와 접촉하지 않도록 상기 베이스에 고착되며,

   상기 레이져 칩의 출사위치가 상기 베이스의 중심이 되도록 고착되어 이루어지는 반도체 레이져.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 베이스의 타측면에 커먼리드가 설치되고, 상기 커먼리드는 평면적으로 보아 상기 2개의 리드의 중심선 상에서, 상기 베이스의 주단부(周端部)로부터, 상기 일정간격만큼 상기 베이스의 중심측에 어긋난 위치에 고착되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 2개의 리드의 상기 일측면의 단부에 있어서의 간격은, 상기 단부 이외의 상기 2개의 리드의 간격보다 커지도록 상기 2개의 리드의 선단부의 형상이 변형되어서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 히트싱크는 동(銅) 블럭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 히트싱크는 동판의 타발과 절곡에 의해 형성된 판재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 레이져 칩이 서브 마운트를 통하여 상기 히트싱크에 고착되고, 상기 서브 마운트는 AlN으로 이루어지며, 상기 서브 마운트 표면에 설치되는 중계용 도전성 부재를 통하고, 와이어 본딩에 의해 상기 레이져 칩의 하나의 전극이 상기 히트싱크와 전기적으로 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 레이져 칩은 DVD용 또는 CD-R/RW용인 것을 특징으로 하는 반도체 레이져.
8. 평면형상이 거의 원형인 베이스와;

   상기 베이스에 각각 절연체를 통하여 고정되는 2개의 리드와;

   상기 베이스의 일측면에 설치되고 상기 2개의 리드로 형성되는 면과 평행으로 상기 베이스와 수직인 하나의 면을 가지는 히트싱크와;

   상기 히트싱크의 상기 하나의 면에 고착되는 레이져 칩으로 이루어지며,

   상기 2개의 리드의 상기 일측면의 단부에 있어서의 간격은 상기 단부 이외의 상기 2개의 리드의 간격보다 커지도록 상기 2개의 리드의 선단부의 형상이 변형되어 이루어지는 반도체 레이져.
9. 금속제의 베이스에, 상기 베이스를 관통하도록 2개의 리드를 절연성 부재로 고정하고, 상기 베이스의 일측면에 있어서의 상기 2개의 리드의 단부를 프레스 가공에 의해 변형시킴으로써, 상기 단부에 있어서의 리드의 간격이 이 단부 이외의 리드의 간격보다 넓게 되도록 하고, 상기 2개의 리드와 나란하게 상기 베이스의 일측면에 설치되는 히트싱크에 레이져 칩을 고착하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이져의 제조방법.
10. 반도체 레이져와;

    회절격자와;

    상기 반도체 레이져로부터 출사되는 광과 반사되어 돌아오는 광을 분리하는 빔 스플리터와;

    상기 반도체 레이져로부터의 빔을 평행광으로 하는 콜리메이트 렌즈와;

    상기 반도체 레이져로부터의 빔을 직각 방향으로 반사시키는 반사경과;

    상기 빔을 디스크상에 집속시키는 대물렌즈와;

    상기 디스크로부터의 반사광을 상기 빔 스플리터로 분리하여 검출하는 광 검출기로 이루어지며,

    상기 반도체 레이져는 상기 1항 내지 8항 중 어느 한 항의 반도체 레이져인 광 픽업 장치.