JP2012256853A - アレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバ - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 74
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明に係るアレイ型受光装置は、第1導電型電極と第2導電型電極とを備える受光素子部が複数備えられる受光素子アレイと、キャリアと、を備えるアレイ型受光装置であって、前記キャリアは、前記各受光素子部の前記第1導電型電極に接続される第1導電型配線と、該受光素子部の前記第2導電型電極に接続される第2導電型配線と、からそれぞれなる複数の配線対と、前記複数の配線対の一の配線対と該配線対の隣に位置する配線対との間を延伸する第1の接地電極と、前記背面の少なくとも一部に形成されるとともに前記第1の接地電極と電気的に接続される第2の接地電極と、を備える。
【選択図】図3A
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係るアレイ型受光装置1を前面側より見た斜視図である。当該実施形態に係るアレイ型受光装置1は、キャリア2と、キャリア2に保持される受光素子アレイ3と、を備えている。受光素子アレイ3に2個の受光素子部が並んで半導体基板上に形成される、2チャンネル受光素子アレイである。受光素子アレイ3の2対の電極が、キャリア2に形成される2対の配線対とそれぞれ接続される。受光素子アレイ3の半導体基板の裏面には受光窓19が備えられ、受光素子アレイ3は受光窓19に入射する光を受光して電気信号に変換している。電気信号は、後述する前置増幅回路などによって増幅され、光電流として検出される。2個の受光素子部を、図の右側から順に、第1の受光素子部、第2の受光素子部とする。2個の受光素子部の受光窓19が、図の右側から順に、受光窓19a,19bとして、示されている。
本発明の第の実施形態に係るアレイ型受光装置9の基本的な構成は、第1の実施形態に係るアレイ型受光装置1と同じである。当該実施形態に係るアレイ型受光装置9は、第1の実施形態に係るアレイ型受光装置1と、キャリア10の前面及び上面の形状が主に異なっている。
図8は、本発明の第3の実施形態に係るアレイ型受光装置6を前面側より見た斜視図である。当該実施形態に係るアレイ型受光装置6は、第1の実施形態に係るアレイ型受光装置1と同様に、キャリア7と、キャリア7に保持される受光素子アレイ8と、を備えている。受光素子アレイ8に4個の受光素子部が並んで半導体基板上に形成される、4チャンネル受光素子アレイである。第1の実施形態に係る受光素子アレイ3と同様に、受光素子アレイ8の半導体基板の裏面には受光窓59が備えられている。4個の受光素子部を、図の右側から順に、第1の受光素子部、第2の受光素子部、第3の受光素子部、第4の受光素子部とする。4個の受光素子部の受光窓59が、図の右側から順に、受光窓59a,59b,59c,59dとして、示されている。なお、当該実施形態に係る光受信モジュールは、当該実施形態に係るアレイ型受光装置6を内蔵する光受信モジュールであり、当該実施形態に係る光トランシーバは、当該実施形態に係る光受信モジュールを備える光トランシーバである。
8に示す受光素子アレイ8の各受光素子部において、図の左右の両側に、P型電極メサ部54とN型電極メサ部55が形成されている。さらに、P型電極メサ部54にP型電極56(第1導電型電極)が、N型電極メサ部55にN型電極57(第2導電型電極)が、それぞれ形成されている。
Claims (17)
- 第1導電型電極と第2導電型電極とを備え入力される光信号を電気信号に変換する受光素子部が複数並んで半導体基板上に備えられる、受光素子アレイと、
前記受光素子アレイが接続配置される前面と、前記前面の反対側に位置する背面と、を有するキャリアと、
を備えるアレイ型受光装置であって、
前記キャリアは、
前記各受光素子部の前記第1導電型電極に接続され、前記前面の一部に形成される第1導電型配線と、該受光素子部の前記第2導電型電極に接続され、該第1導電型配線と並んで前記前面の一部に形成される第2導電型配線と、からそれぞれなる複数の配線対と、
前記前面の一部に形成され、さらに、前記複数の配線対の一の配線対と、該配線対の隣に位置する配線対との間を、延伸する、第1の接地電極と、
前記背面の少なくとも一部に形成されるとともに前記第1の接地電極と電気的に接続される第2の接地電極と、を備える、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1に記載のアレイ型受光装置であって、
前記複数の受光素子部は、前記一の配線対となる第1の受光素子部と前記隣に位置する配線対となる第2の受光素子部であり、
前記複数の配線対は、前記第1の受光素子部と接続される第1の配線対と、前記第2の受光素子部と接続される第2の配線対であり、
前記第1の配線対及び前記第2の配線対において、間を延伸する前記第1の接地電極に対して内側に配置される配線は、ともに前記第1導電型配線である、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1又は請求項2に記載のアレイ型受光装置であって、
前記キャリアは、前記前面の上縁と前記背面の上縁との間に位置する上面を、さらに有し、
各前記配線対の前記第1導電型配線と前記第2導電型配線は、ともに、前記前面の上縁へ延伸し、さらに、該上縁を亘って前記上面のそれぞれ一部に形成され、
前記第1の接地電極は、前記一の配線対と前記隣に位置する配線対との間を、前記前面の上縁へ延伸し、さらに、該上縁を亘って前記上面の一部に形成される、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1に記載のアレイ型受光装置であって、
前記第1の接地電極は、隣り合って並ぶ2対の前記配線対の間それぞれを、延伸する、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項4に記載のアレイ型受光装置であって、
前記キャリアは、前記前面の上縁と前記背面の上縁との間に位置する上面を、さらに有し、
各前記配線対の前記第1導電型配線と前記第2導電型配線は、ともに、前記前面の上縁へ延伸し、さらに、該上縁を亘って前記上面のそれぞれ一部に形成され、
前記第1の接地電極は、隣り合って並ぶ2対の前記配線対の間それぞれを、前記前面の上縁へ延伸し、さらに、該上縁を亘って前記上面の一部に形成される、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項3に記載のアレイ型受光装置であって、
各前記配線対の前記第1導電型配線が前記上面の一部に形成される部分と、該配線対の前記第2導電型配線が前記上面の一部に形成される部分とは、切削溝によって電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項6に記載のアレイ型受光装置であって、
前記第1の接地電極が前記上面の一部に形成される部分が内側切削溝に含まれ、前記内側切削溝の両側に広がる外側切削溝それぞれによって、さらに外側に位置する前記一の配線対及び前記隣に位置する配線対の該部分に対してそれぞれ内側に配置される配線と、前記第1の接地電極が前記上面の一部に形成される部分とは電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項6に記載のアレイ型受光装置であって、
前記第1の接地電極が前記上面の一部に形成される部分は、両側に位置する前記一の配線対及び前記隣に位置する配線対の該部分に対してそれぞれ内側に配置される配線と、切削溝によってそれぞれ電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項5に記載のアレイ型受光装置であって、
各前記配線対の前記第1導電型配線が前記上面の一部に形成される部分と、該配線対の前記第2導電型配線が前記上面の一部に形成される部分とは、切削溝によって電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項9に記載のアレイ型受光装置であって、
前記第1の接地電極が前記上面の一部に形成される部分それぞれは、内側切削溝それぞれに含まれ、前記内側切削溝の両側に広がる外側切削溝それぞれによって、さらに外側に位置する隣り合って並ぶ2対の前記配線対の該部分に対してそれぞれ内側に配置される配線と、前記第1の接地電極が前記上面の一部に形成される部分それぞれとは電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項9に記載のアレイ型受光装置であって、
前記第1の接地電極が前記上面の一部に形成される部分それぞれは、両側に位置する隣り合って並ぶ2対の前記配線対の該部分に対してそれぞれ内側に配置される配線と、切削溝によってそれぞれ電気的に絶縁されている、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1に記載のアレイ型受光装置であって、
各前記受光素子部は、前記半導体基板の裏面に入射する光を受光するPN接合部を、さらに備え、
前記第1導電型電極は、該PN接合部の一方側に導通し、
前記第2導電型電極は、該PN接合部の他方側に導通する、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1に記載のアレイ型受光装置であって、
前記キャリアは、前記第1の接地電極が前記前面に形成される領域の内部と前記第2の接地電極が前記背面に形成される領域の内部とを貫通する、1又は複数の貫通穴を有し、
前記1又は複数の貫通穴それぞれの側面に形成され、前記第1の接地電極及び前記第2の接地電極とそれぞれ接している、1又は複数の第3の接地電極を、さらに備える、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1に記載のアレイ型受光装置であって、
前記キャリアは、前記前面の下縁と前記背面の下縁との間に位置する底面を、さらに有し、
前記第1の接地電極と前記前面の下縁を亘って接し、前記第2の接地電極と前記背面の下縁を亘って接するとともに、前記底面の少なくとも一部に形成される、第3の接地電極を、さらに備える、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項5に記載のアレイ型受光装置であって、
前記第1の接地電極が上記上面の一部に形成される部分は、前記背面の上縁へ延伸し、前記背面の上縁を亘って、前記第2の接地電極と接している、
ことを特徴とする、アレイ型受光装置。 - 請求項1乃至請求項15のいずれかに記載の受光装置を内蔵する、光受信モジュール。
- 請求項16に記載の光受信モジュールを備える、光トランシーバ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012087431A JP5971843B2 (ja) | 2011-05-18 | 2012-04-06 | アレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバ |
US13/465,260 US8907266B2 (en) | 2011-05-18 | 2012-05-07 | Light-receiving device array, optical receiver module, and optical transceiver |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011111196 | 2011-05-18 | ||
JP2011111196 | 2011-05-18 | ||
JP2012087431A JP5971843B2 (ja) | 2011-05-18 | 2012-04-06 | アレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012256853A true JP2012256853A (ja) | 2012-12-27 |
JP5971843B2 JP5971843B2 (ja) | 2016-08-17 |
Family
ID=47174332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012087431A Active JP5971843B2 (ja) | 2011-05-18 | 2012-04-06 | アレイ型受光装置、光受信モジュール、及び光トランシーバ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8907266B2 (ja) |
JP (1) | JP5971843B2 (ja) |
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-
2012
- 2012-04-06 JP JP2012087431A patent/JP5971843B2/ja active Active
- 2012-05-07 US US13/465,260 patent/US8907266B2/en active Active
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US20120292731A1 (en) | 2012-11-22 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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