JP2003224408A

JP2003224408A - 高周波用配線基板

Info

Publication number: JP2003224408A
Application number: JP2002022388A
Authority: JP
Inventors: Hisayoshi Wada; 久義和田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-01-30
Filing date: 2002-01-30
Publication date: 2003-08-08

Abstract

(57)【要約】【課題】差動信号線路間における２つの信号線路間の
浮遊容量、上下差動信号線路における上面側差動線路間
の浮遊容量、および下面側差動線路間の浮遊容量によっ
て発生する電界のカップリング放射を抑制し、アイソレ
ーション特性等を改善して広帯域にわたって伝送特性を
良好なものとすること。【解決手段】誘電体基板２の上面に略平行に複数形成
された、略平行な２つの信号線路３，４から成る差動信
号線路８と、差動信号線路８の両側に形成された同一面
導体層５と、誘電体基板２の下面の略全面に形成された
下面側導体層６と、同一面導体層５および下面側導体層
６を電気的に接続するとともに差動信号線路８の線路方
向に並ぶように形成された複数の貫通導体７とを具備
し、線路方向における貫通導体７間の間隔および誘電体
基板２の厚みが差動信号線路８で伝送される高周波信号
の波長の４分の１以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、10ＧＨｚ以上の高
周波帯域で使用されるＩＣ，ＬＳＩ等の高周波回路部品
または高周波回路装置と入出力部との間にインピーダン
ス整合等の目的で設けられる高周波用配線基板に関し、
特に高周波信号の伝送特性を改善した差動信号線路構造
を有する高周波用配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の光通信の高周波および大容量化に
伴いＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＰＤ）等の光通信用
デバイスがより高周波で動作するようになってきてお
り、この光通信用デバイスを搭載するパッケージやそれ
を実装する回路基板に形成される信号配線においても、
より高周波の高周波信号を低損失で伝送させる必要があ
る。このため、光通信用デバイスのパッケージ内の信号
配線や回路基板の信号配線を、高周波用の伝送線路とし
て作製しなければならない。また、ＭＵＸ（Multiplexe
r：多重回路），ＤＥＭＵＸ（Demultiplexer：多重分離
回路）等の光通信用デバイスの入出力端子数の増加に伴
い、パッケージおよび回路基板の信号配線数が飛躍的に
増加している。そのため、信号配線を高密度に形成しな
ければならず、自ずと信号配線間の間隔も狭くなる。し
かしながら、高周波信号を伝送する信号配線同士を近接
して配置すると、信号配線間に発生する寄生成分、特に
信号配線間の電気的容量（浮遊容量）や相互インダクタ
ンスによりノイズが発生して、アイソレーションの劣
化、クロストークの発生等によって伝送損失が増大する
という問題があった。

【０００３】そこで、電源面と接地面との間の層内に複
数のペアの信号線が設けられている多層配線基板におい
て、ペアの信号線間に、信号伝送方向に沿って交互に電
源面と接地面に接続されるビアを、所定の間隔で形成す
ることにより、隣接するペアの信号線間の電磁気的干渉
によるノイズを小さくするものが提案されている（特開
平11−121928号公報参照）。

【０００４】また、図５，図６に示すように、高周波用
配線基板11のアイソレーションの劣化やクロストーク発
生による伝送損失を低減させるために、誘電体基板12の
上面に、互いに異なる位相（例えば逆位相）の高周波信
号をそれぞれ伝送させる第１の信号線路13と第２の信号
線路14とから成る差動信号線路20が複数形成され、差動
信号線路20の両側に同一面接地導体層または同一面電源
層としての同一面導体層15が設けられていることより、
クロストーク等によるノイズを抑制すると共にインビー
ダンスを所定範囲になるように制御することが可能にな
り、伝送損失を低減できる。

【０００５】同様の目的で、配線基板11ａとして、図
７，図８のように、誘電体基板12の上下面に略平行に複
数形成された、上面側信号線路13ａおよび下面側信号線
路14ａを略平行かつ対向するように設けて成る上下差動
信号線路21と、上面側信号線路13ａの両側および下面側
信号線路14ａの両側にそれぞれ形成された、上面側同一
面接地導体層または上面側同一面電源層としての上面側
同一面導体層15ａ、および下面側同一面接地導体層また
は下面側同一面電源層としての下面側同一面導体層16ａ
とが設けられたものがある。この構成では、図５，図６
のように、同一面に隣接して配置された第１の信号線路
13および第２の信号線路14から成る差動信号線路20に比
べて、電流が流れる信号線路の断面積が広くなる。その
結果、抵抗成分が小さくなり、高周波信号の伝送損失が
小さくなる。これら図５〜図８の構成のものは特開2001
−74581に提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の配線基板11,11ａにおいては、10ＧＨｚ以上の高周
波帯域で、図５の第１の信号線路13と第２の信号線路14
との間の浮遊容量、図７の上面側同一面導体層15ａを挟
んで形成されている上面側信号線路13ａ間の浮遊容量、
および図７の下面側同一面導体層16ａを挟んで形成され
ている下面側信号線路14ａ間の浮遊容量によって、電界
のカップリング放射が生じ、アイソレーションの劣化や
クロストーク等のノイズが生じ、高周波信号の伝送損失
が増大するという問題点があった。

【０００７】従って、本発明は上記問題点に鑑みて完成
されたものであり、その目的は、差動信号線路における
第１の信号線路と第２の信号線路との間の浮遊容量、上
下差動信号線路における上面側同一面導体層を挟んで形
成されている上面側信号線路間の浮遊容量、および下面
側同一面導体層を挟んで形成されている下面側信号線路
間の浮遊容量によって発生する電界のカップリング放射
を抑制し、アイソレーションの劣化やクロストーク等の
ノイズを低減することができ、広帯域にわたって伝送特
性の良好な高周波用配線基板を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波用配線基
板は、誘電体基板の上面に略平行に複数形成された、略
平行な２つの信号線路から成る差動信号線路と、前記差
動信号線路の両側に形成された同一面導体層と、前記誘
電体基板の下面の略全面に形成された下面側導体層と、
前記同一面導体層および前記下面側導体層を電気的に接
続するとともに前記差動信号線路の線路方向に並ぶよう
に形成された複数の貫通導体とを具備しており、前記線
路方向における前記貫通導体間の間隔が前記差動信号線
路で伝送される高周波信号の波長の４分の１以下であ
り、かつ前記誘電体基板の厚みが前記高周波信号の波長
の４分の１以下であることを特徴とする。

【０００９】本発明の高周波用配線基板は、上記の構成
により、２つの信号線路間の浮遊容量によって生じる電
界のカップリング放射を抑制することができ、その結
果、広帯域にわたって高周波信号の伝送特性が良好な差
動信号線路を有するものとなる。

【００１０】また本発明の高周波用配線基板は、誘電体
基板の上下面に略平行に複数形成された、上面側信号線
路および下面側信号線路を略平行かつ対向するように設
けて成る上下差動信号線路と、前記上面側信号線路の両
側および前記下面側信号線路の両側にそれぞれ形成され
た上面側同一面導体層および下面側同一面導体層と、前
記上面側同一面導体層および前記下面側同一面導体層を
電気的に接続するとともに前記上下差動信号線路の線路
方向に並ぶように形成された複数の貫通導体とを具備し
ており、前記線路方向における前記貫通導体間の間隔が
前記上下差動信号線路で伝送される高周波信号の波長の
４分の１以下であり、かつ前記誘電体基板の厚みが前記
高周波信号の波長の４分の１以下であることを特徴とす
る。

【００１１】本発明の高周波用配線基板は、上記の構成
により、上下差動信号線路が上面側信号線路および下面
側信号線路から成ることから、電流の流れる信号線路の
断面積が広くなって信号線路の電気抵抗が小さくなり、
高周波信号の伝送損失が小さくなる。また、上面側同一
面導体層を挟んで形成されている上面側信号線路間の浮
遊容量、および下面側同一面導体層を挟んで形成されて
いる下面側信号線路間の浮遊容量によって発生する電界
のカップリング放射を抑制し、アイソレーションの劣化
やクロストーク等のノイズを低減することができ、さら
に広帯域にわたって伝送特性の良好な高周波用配線基板
となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の高周波用配線基板（以
下、高周波基板ともいう）について以下に詳細に説明す
る。図１，図２は、本発明の高周波基板について実施の
形態の一例を示す断面図および平面図である。これらの
図において、１は高周波基板、２は誘電体基板、３は差
動信号線路８を成す第１の信号線路、４は差動信号線路
８を成す第２の信号線路、５は同一面接地導体層または
同一面電源層としての同一面導体層、６は下面側接地導
体層または下面側電源層としての下面側導体層、７は貫
通導体である。

【００１３】本発明の高周波基板は、誘電体基板２の上
面に略平行に複数形成された、略平行な２つの信号線路
３，４から成る差動信号線路８と、差動信号線路８の両
側に形成された同一面導体層５と、誘電体基板２の下面
の略全面に形成された下面側導体層６と、同一面導体層
５および下面側導体層６を電気的に接続するとともに差
動信号線路８の線路方向に並ぶように形成された複数の
貫通導体７とを具備し、差動信号線路８の線路方向にお
ける貫通導体７間の間隔および誘電体基板２の厚みが、
差動信号線路８で伝送される高周波信号の波長の４分の
１以下である構成である。これにより、差動信号線路８
と同一面導体層５と下面側導体層６とでコプレーナ線路
を構成している。

【００１４】そして、差動信号線路８の線路方向におけ
る貫通導体７間の間隔が差動信号線路８で伝送される高
周波信号の波長λの４分の１以下であることにより、差
動信号線路８間に擬似的な導体壁が形成されたことにな
り、差動信号線路８間の容量結合が低減でき、第１の信
号線路４と第２の信号線路３との間の浮遊容量によって
発生する電界のカップリング放射を大幅に抑制すること
ができる。その結果、第１の信号線路３と第２の信号線
路４の電界のカップリングが強くなり、差動信号線路８
間のクロストークノイズが低減される。

【００１５】また、誘電体基板２の厚みが差動信号線路
８で伝送される高周波信号の波長λの４分の１以下であ
ることにより、差動信号線路８と下面側導体層６の間で
電磁結合が強くなり、差動信号線路８間の容量結合が低
減でき、第１の信号線路４と第２の信号線路３との間の
浮遊容量によって発生する電界のカップリング放射を大
幅に抑制することができる。その結果、第１の信号線路
３と第２の信号線路４の電界のカップリングが強くな
り、従ってコプレーナ線路構造とされた差動信号線路８
において良好な高周波信号の伝送特性が実現される。

【００１６】なお、差動信号線路８を構成する第１の信
号線路３と第２の信号線路４は、それぞれ位相の異なる
（例えば逆位相の）高周波信号が伝送されるものであ
り、これにより、第１の信号線路３で伝送される高周波
信号のノイズと第２の信号線路４で伝送される高周波信
号のノイズとが打ち消し合い、高周波信号の伝送特性が
向上するというものである。これらの第１の信号線路３
と第２の信号線路４との間の間隔は、λ／４以下になっ
ているのがよく、第１の信号線路３と第２の信号線路４
とが電磁的に結合して差動信号線路として機能すること
となる。

【００１７】また、差動線路８を挟んで形成される左右
の同一面導体層５と下面側導体層６とを接続する左右の
貫通導体７間の距離は波長λ以下が好ましい。その結
果、第１の信号線路３と第２の信号線路４の電界のカッ
プリングがさらに強くなり、コプレーナ線路構造とされ
た差動信号線路８においてさらに良好な高周波信号の伝
送特性が実現される。

【００１８】また、誘電体基板２は、第１の信号線路３
と第２の信号線路４が形成された上面側の誘電体層を下
面側の誘電体層よりも低誘電率とすることが好ましい。
これにより、第１の信号線路３および第２の信号線路４
から下方に放射される電界（電気力線）が広がりにくく
なり、第１の信号線路３および第２の信号線路４のカッ
プリングが強化されて、差動信号線路８においてさらに
良好な高周波信号の伝送特性が実現される。

【００１９】次に、図３，図４に、本発明の高周波基板
について実施の形態の他の例を示す。図３は高周波基板
１ａの断面図、図４は高周波基板１ａの平面図である。

【００２０】この高周波基板１ａは、誘電体基板２の上
下面に略平行に複数形成された、上面側信号線路３ａお
よび下面側信号線路４ａを略平行かつ対向するように設
けて成る上下差動信号線路９と、上面側信号線路３ａの
両側および下面側信号線路４ａの両側にそれぞれ形成さ
れた上面側同一面導体層５ａおよび下面側同一面導体層
６ａと、上面側同一面導体層５ａおよび下面側同一面導
体層６ａを電気的に接続するとともに上下差動信号線路
９の線路方向に並ぶように形成された複数の貫通導体７
とを具備し、線路方向における貫通導体７間の間隔およ
び誘電体基板２の厚みが上下差動信号線路９で伝送され
る高周波信号の波長の４分の１以下である構成である。
これにより、上下差動信号線路９と上面側同一面導体層
５ａと下面側同一面導体層６ａとでコプレーナ線路を構
成する。

【００２１】そして、上下差動信号線路９の線路方向に
おける貫通導体７間の間隔および誘電体基板２の厚みが
上下差動信号線路９で伝送される高周波信号の波長λの
４分の１以下であることにより、上下差動信号線路９同
士の間に擬似的な導体壁が形成されたことになり、上下
差動信号線路９同士の間の容量結合が低減し、上面側同
一面導体層５ａを挟んで形成されている上面側信号線路
３ａ間の浮遊容量、および下面側同一面導体層６ａを挟
んで形成されている下面側信号線路４ａ間の浮遊容量に
よって生じる電界のカップリング放射を大幅に抑制する
ことができる。その結果、第１の信号線路３ａと第２の
信号線路４ａの電界のカップリングが強くなり、上下差
動信号線路９同士の間のアイソレーションが低減して上
下差動信号線路９同士の間のクロストークノイズが低減
される。

【００２２】また、上下差動信号線路９を構成する上面
側信号線路３ａと下面側信号線路４ａは、それぞれ位相
の異なる（例えば逆位相の）高周波信号が伝送されるも
のであり、これにより、上面側信号線路３ａで伝送され
る高周波信号のノイズと下面側信号線路４ａで伝送され
る高周波信号のノイズとが打ち消し合い、高周波信号の
伝送特性が向上するというものである。これらの上面側
信号線路３ａと下面側信号線路４ａとの間の間隔、即ち
誘電体基板２の厚さは、λ／４以下になっており、上面
側信号線路３ａと下面側信号線路４ａとが電磁的に結合
して差動信号線路として機能する。

【００２３】従って、コプレーナ線路構造とされた上下
差動信号線路９部で良好な高周波信号の伝送特性が実現
される。また、上下差動信号線路９は上面側信号線路３
ａおよび下面側信号線路４ａから成ることから、電流の
流れる信号線路の断面積が広くなって信号線路の電気抵
抗が小さくなり、高周波信号の伝送損失が小さくなり伝
送特性が向上する。

【００２４】本発明の高周波基板１，１ａにおける誘電
体基板２の材料としては、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）セラミ
ックスやムライト（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）セラミッ
クス等のセラミックス，ガラスセラミックス等の無機材
料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレ
ン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹
脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；Ｅ
ＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシ
エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフ
ルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等
のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリフェニレンエ
ーテル樹脂，液晶ポリエステル，ポリイミド等の樹脂材
料などが用いられる。また、誘電体基板２の形状、寸法
（厚み、幅、長さ）は、高周波信号の周波数や特性イン
ピーダンスなどに応じて適宜設定される。

【００２５】本発明の第１の信号線路３、第２の信号線
路４、上面側信号線路３ａ、下面側信号線路４ａは、高
周波信号伝送用として適した金属の導体層から成り、例
えばＣｕ層、Ｍｏ−Ｍｎ層、Ｗ層、Ｍｏ−Ｍｎメタライ
ズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させた
もの、Ｗメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッ
キ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ合金層、Ｃｒ−Ｃｕ
合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させ
たもの、Ｔａ₂Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕメ
ッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、またはＮｉ−Ｃｒ合金層上
にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたものから成
り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成法やメッキ処理
法などにより形成される。その厚みや幅も伝送される高
周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設
定される。

【００２６】また、同一面導体層５、下面側導体層６、
下面側同一面導体層５ａ、下面側同一面導体層６ａは、
第１の信号線路３や第２の信号線路４等と同様の材料で
同様の方法により形成すればよく、差動信号線路８と同
一面導体層５との間隔、差動信号線路８と下面側導体層
６との間隔、上下差動信号線路９と上面側同一面導体層
５ａ，下面側同一面導体層６ａとの間隔は、高周波信号
の周波数や差動信号線路８の特性インピーダンスなどに
応じて適宜設定される。

【００２７】また、同一面導体層５と下面側導体層６と
を電気的に接続する複数の貫通導体７、および上面側同
一面導体層５ａと下面側同一面導体層６ａとを電気的に
接続する複数の貫通導体７は、スルーホール導体やビア
ホール導体から成り、または金属板、金属棒、金属パイ
プ等を埋設することにより設けられる。

【００２８】本発明の高周波基板１，１ａの作製は以下
のように行なう。誘電体基板２がアルミナセラミックス
からなる場合、まず誘電体基板２となるアルミナセラミ
ックスのグリーンシートを準備し、これに所定の打ち抜
き加工を施して貫通導体７となる貫通孔を形成する。そ
の後、スクリーン印刷法によりＷやＭｏなどの導体ペー
ストを貫通孔に充填するとともに、第１の信号線路３や
第２の信号線路４等となる導体パターンおよびその他の
導体層となる導体パターンを印刷塗布する。次に、1600
℃で焼成を行い、最後に各導体層上にＮｉメッキおよび
Ａｕメッキを施す。

【００２９】本発明において、高周波信号の周波数は３
０ＧＨｚ程度以上がよく、その場合に上記本発明の効果
が顕著なものとなる。

【００３０】

【実施例】本発明の高周波基板の具体的な実施例を以下
に説明する。

【００３１】図１，図２の本発明の高周波基板を以下の
ように構成した。誘電体基板２として、比誘電率が６の
ガラスセラミックスからなり、厚みが0.381ｍｍのもの
を用い、その下面の略全面に下面側接地導体層としてＣ
ｕから成るメタライズ層、Ｎｉメッキ層およびＡｕメッ
キ層を順次形成した下面側導体層６を形成した。誘電体
基板２の上面には、第１の信号線路３と第２の信号線路
４として、0.1ｍｍの線幅のＣｕから成るメタライズ層
上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を順次被着したも
のを形成した。差動信号線路８の両側に、同一面接地導
体層として0.1ｍｍの間隔をおいて同一面導体層５を形
成した。即ち、第１の信号線路３と同一面導体層５との
間隔および第２の信号線路４と同一面導体層５との間隔
をそれぞれ0.1ｍｍとした。また、第１の信号線路３と
第２の信号線路４との間隔を0.1ｍｍとした。

【００３２】同一面導体層５と下面側導体層６とを接続
する貫通導体７は、貫通孔にＣｕのメタライズを充填し
焼成したものからなり、その断面形状は直径0.1ｍｍの
円形であり、差動信号線路８の線路方向（高周波信号の
伝送方向）に並ぶように、一つの同一面導体層５におい
て４個形成した。貫通導体７間の間隔は0.25mmとした。
このようにして本発明の高周波基板の試料Ａを得た。

【００３３】また、比較例として、図５，図６に示すよ
うに、同一面導体層５と下面側導体層６とがない以外は
上記試料Ａと同様にして作製したものを試料Ｂとした。
即ち、試料Ｂは、誘電体基板12の上面に第１の信号線路
13、第２の信号線路14、同一面接地導体層15を形成した
従来の高周波基板である。

【００３４】そして、試料Ａと試料Ｂについて、差動線
路８同士の間での第１の信号線路３と第２の信号線路４
とのアイソレーション、および差動線路20同士の間での
第１の信号線路13と第２の信号線路14とのアイソレーシ
ョンをシミュレーションによって求めた。その結果、周
波数30ＧＨｚにおいて、試料Ａは−45ｄＢ、試料Ｂは−
20ｄＢであり、本発明の試料Ａは格段にアイソレーショ
ンが改善されていることが判った。

【００３５】なお、本発明は上記実施の形態および実施
例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲内で種々の変更を行っても何等差し支えない。

【００３６】

【発明の効果】本発明の高周波用配線基板は、誘電体基
板の上面に略平行に複数形成された、略平行な２つの信
号線路から成る差動信号線路と、差動信号線路の両側に
形成された同一面導体層と、誘電体基板の下面の略全面
に形成された下面側導体層と、同一面導体層および下面
側導体層を電気的に接続するとともに差動信号線路の線
路方向に並ぶように形成された複数の貫通導体とを具備
し、線路方向における貫通導体間の間隔が差動信号線路
で伝送される高周波信号の波長の４分の１以下であり、
かつ誘電体基板の厚みが高周波信号の波長の４分の１以
下であることにより、２つの信号線路間の浮遊容量によ
って生じる電界のカップリング放射を抑制することがで
き、その結果、広帯域にわたって高周波信号の伝送特性
が良好な差動信号線路を有するものとなる。

【００３７】また本発明の高周波用配線基板は、誘電体
基板の上下面に略平行に複数形成された、上面側信号線
路および下面側信号線路を略平行かつ対向するように設
けて成る上下差動信号線路と、上面側信号線路の両側お
よび下面側信号線路の両側にそれぞれ形成された上面側
同一面導体層および下面側同一面導体層と、上面側同一
面導体層および下面側同一面導体層を電気的に接続する
とともに上下差動信号線路の線路方向に並ぶように形成
された複数の貫通導体とを具備し、線路方向における貫
通導体間の間隔が上下差動信号線路で伝送される高周波
信号の波長の４分の１以下であり、かつ誘電体基板の厚
みが高周波信号の波長の４分の１以下であることによ
り、上下差動信号線路が上面側信号線路および下面側信
号線路から成ることから、電流の流れる信号線路の断面
積が広くなって信号線路の電気抵抗が小さくなり、高周
波信号の伝送損失が小さくなる。また、上面側同一面導
体層を挟んで形成されている上面側信号線路間の浮遊容
量、および下面側同一面導体層を挟んで形成されている
下面側信号線路間の浮遊容量によって発生する電界のカ
ップリング放射を抑制し、アイソレーションの劣化やク
ロストーク等のノイズを低減することができ、さらに広
帯域にわたって伝送特性の良好な高周波用配線基板とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の例を示す断面図である。

【図２】図１の高周波用配線基板の平面図である。

【図３】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す断面図である。

【図４】図３の高周波用配線基板の平面図である。

【図５】従来の高周波用配線基板の例を示す断面図であ
る。

【図６】図５の高周波用配線基板の平面図である。

【図７】従来の高周波用配線基板の他の例を示す断面図
である。

【図８】図７の高周波用配線基板の平面図である。

【符号の説明】

１：高周波用配線基板２：誘電体基板３：第１の信号線路４：第２の信号線路５：同一面導体層６：下面側導体層７：貫通導体８：差動信号線路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体基板の上面に略平行に複数形成さ
れた、略平行な２つの信号線路から成る差動信号線路
と、前記差動信号線路の両側に形成された同一面導体層
と、前記誘電体基板の下面の略全面に形成された下面側
導体層と、前記同一面導体層および前記下面側導体層を
電気的に接続するとともに前記差動信号線路の線路方向
に並ぶように形成された複数の貫通導体とを具備してお
り、前記線路方向における前記貫通導体間の間隔が前記
差動信号線路で伝送される高周波信号の波長の４分の１
以下であり、かつ前記誘電体基板の厚みが前記高周波信
号の波長の４分の１以下であることを特徴とする高周波
用配線基板。
【請求項２】誘電体基板の上下面に略平行に複数形成
された、上面側信号線路および下面側信号線路を略平行
かつ対向するように設けて成る上下差動信号線路と、前
記上面側信号線路の両側および前記下面側信号線路の両
側にそれぞれ形成された上面側同一面導体層および下面
側同一面導体層と、前記上面側同一面導体層および前記
下面側同一面導体層を電気的に接続するとともに前記上
下差動信号線路の線路方向に並ぶように形成された複数
の貫通導体とを具備しており、前記線路方向における前
記貫通導体間の間隔が前記上下差動信号線路で伝送され
る高周波信号の波長の４分の１以下であり、かつ前記誘
電体基板の厚みが前記高周波信号の波長の４分の１以下
であることを特徴とする高周波用配線基板。