JP2003163363A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】広帯域かつ高量子効率を実現することができ、
装置サイズを小さくすることが可能な半導体受光装置を
提供する。 【解決手段】 支持基板の表面上に、半導体素子が一列
に配列し、各々が入射光の強度に応じた電気信号を発生
する。接続用光導波路が、複数の半導体素子のうち相互
に隣り合う素子を光学的に結合させ、光が半導体素子を
前段から後段に向かって順番に通過させる。電気信号伝
送路が、半導体素子の各々に接続された一対の導体で構
成されており、半導体素子で発生した電気信号を伝搬さ
せる。電気信号伝送路の一方の導体が、相互に隣り合う
前記半導体素子の間において、支持基板の上方の空中に
支持されている。
装置サイズを小さくすることが可能な半導体受光装置を
提供する。 【解決手段】 支持基板の表面上に、半導体素子が一列
に配列し、各々が入射光の強度に応じた電気信号を発生
する。接続用光導波路が、複数の半導体素子のうち相互
に隣り合う素子を光学的に結合させ、光が半導体素子を
前段から後段に向かって順番に通過させる。電気信号伝
送路が、半導体素子の各々に接続された一対の導体で構
成されており、半導体素子で発生した電気信号を伝搬さ
せる。電気信号伝送路の一方の導体が、相互に隣り合う
前記半導体素子の間において、支持基板の上方の空中に
支持されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体受光装置に
関し、特に広帯域光通信システムに用いられる半導体受
光装置に関する。インターネットの発展によって、より
高速の光通信システム実現に対する要求が強くなってき
ている。光通信システムには、４０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の
情報伝達速度が要求され、高速動作可能な半導体受光装
置が必要とされている。
関し、特に広帯域光通信システムに用いられる半導体受
光装置に関する。インターネットの発展によって、より
高速の光通信システム実現に対する要求が強くなってき
ている。光通信システムには、４０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の
情報伝達速度が要求され、高速動作可能な半導体受光装
置が必要とされている。
【０００２】
【従来の技術】図１５（Ａ）に、特開２００１−１２７
３３３号公報に開示された第１の従来例による半導体受
光装置の斜視図を示し、図１５（Ｂ）に、概略断面図を
示す。半絶縁性のＩｎＰ基板５００の表面上に、テーパ
状光導波路５０１が形成されている。テーパ状光導波路
５０１の出力端にｐｉｎ型フォトダイオード５０２が結
合している。ｐｉｎ型フォトダイオード５０２に、ｎ側
電極５０５及びｐ側電極５０６が接続されている。テー
パ状光導波路５０１は、入力端から出力端に近づくに従
って徐々に厚くなっている。
３３３号公報に開示された第１の従来例による半導体受
光装置の斜視図を示し、図１５（Ｂ）に、概略断面図を
示す。半絶縁性のＩｎＰ基板５００の表面上に、テーパ
状光導波路５０１が形成されている。テーパ状光導波路
５０１の出力端にｐｉｎ型フォトダイオード５０２が結
合している。ｐｉｎ型フォトダイオード５０２に、ｎ側
電極５０５及びｐ側電極５０６が接続されている。テー
パ状光導波路５０１は、入力端から出力端に近づくに従
って徐々に厚くなっている。
【０００３】テーパ状光導波路５０１の入力端から導入
された光信号が、テーパ状光導波路５０１内を伝搬し、
フォトダイオード５０２に達する。フォトダイオード５
０２は、入力された光信号を電気信号に変換する。変換
された電気信号が、電極５０５及び５０６に出力され
る。
された光信号が、テーパ状光導波路５０１内を伝搬し、
フォトダイオード５０２に達する。フォトダイオード５
０２は、入力された光信号を電気信号に変換する。変換
された電気信号が、電極５０５及び５０６に出力され
る。
【０００４】このテーパ状光導波路を用いた半導体受光
装置により、４０ＧＨｚの応答特性が得られている。ま
た、高効率で偏波依存性のない装置が試作されている
（Ｎ．ＹＡＳＵＤＡ ｅｔ ａｌ， ＣＰＴ２００１
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ，（２００１） ｐ
ｐ．１０５）。
装置により、４０ＧＨｚの応答特性が得られている。ま
た、高効率で偏波依存性のない装置が試作されている
（Ｎ．ＹＡＳＵＤＡ ｅｔ ａｌ， ＣＰＴ２００１
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ，（２００１） ｐ
ｐ．１０５）。
【０００５】図１６（Ａ）に、米国特許第５，２７０，
５３２号及び文献「Ｋｉｒｋ Ｓ．Ｇｉｂｏｎｅｙ；
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳ．ＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ Ｔ
ＨＥＯＲＹ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ，Ｖｏｌ．
４５，Ｎｏ．８（１９９７） ｐｐ．１３１０−１３１
９」に開示された第２の従来例による進行波型受光装置
の平面図を示す。図１６（Ｂ）及び（Ｃ）に、それぞれ
図１６（Ａ）の一点鎖線Ｂ１６−Ｂ１６及びＣ１６−Ｃ
１６における断面図を示す。
５３２号及び文献「Ｋｉｒｋ Ｓ．Ｇｉｂｏｎｅｙ；
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳ．ＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ Ｔ
ＨＥＯＲＹ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ，Ｖｏｌ．
４５，Ｎｏ．８（１９９７） ｐｐ．１３１０−１３１
９」に開示された第２の従来例による進行波型受光装置
の平面図を示す。図１６（Ｂ）及び（Ｃ）に、それぞれ
図１６（Ａ）の一点鎖線Ｂ１６−Ｂ１６及びＣ１６−Ｃ
１６における断面図を示す。
【０００６】半絶縁性の半導体基板５１０の表面上に、
ｎ型半導体層５２０、真性半導体からなる受光層５１
１、ｐ型半導体層５２１がこの順番に積層された積層構
造体が配置されている。この積層構造体は、１本の直線
に沿って延在する。ｐ型半導体層５２１の表面上に、中
央電極５１２が配置されている。半導体基板５１０の表
面上に形成されたグランド電極５１３が、ｎ型半導体層
５２０に接続されている。
ｎ型半導体層５２０、真性半導体からなる受光層５１
１、ｐ型半導体層５２１がこの順番に積層された積層構
造体が配置されている。この積層構造体は、１本の直線
に沿って延在する。ｐ型半導体層５２１の表面上に、中
央電極５１２が配置されている。半導体基板５１０の表
面上に形成されたグランド電極５１３が、ｎ型半導体層
５２０に接続されている。
【０００７】ｎ型半導体層５２０、受光層５１１、ｐ型
半導体層５２１の３層からなる積層構造体が光導波路型
受光素子を構成している。グランド電極５１３と中央電
極５１２とが、光導波路型受光素子に並走する電気信号
伝送路を構成している。受光層５１１の入力端から光信
号が入力される。グランド電極５１３の出力端にグラン
ドパッド５２３が接続されている。中央電極５１２の出
力端に出力パッド５２４が接続されている。
半導体層５２１の３層からなる積層構造体が光導波路型
受光素子を構成している。グランド電極５１３と中央電
極５１２とが、光導波路型受光素子に並走する電気信号
伝送路を構成している。受光層５１１の入力端から光信
号が入力される。グランド電極５１３の出力端にグラン
ドパッド５２３が接続されている。中央電極５１２の出
力端に出力パッド５２４が接続されている。
【０００８】受光層５１１で構成された光導波路の入力
端から受光層５１１内に光信号が導入され、光導波路内
を光信号が伝搬する。光信号の伝搬によって、ｎ型半導
体層５２０とｐ型半導体層５２１との間に電気信号が発
生し、この電気信号が、グランド電極５１３と中央電極
５１２とで構成された電気信号伝送路を伝搬する。光信
号の伝搬速度と電気信号の伝搬速度とを整合させること
により、広帯域かつ高量子効率を実現することができ
る。
端から受光層５１１内に光信号が導入され、光導波路内
を光信号が伝搬する。光信号の伝搬によって、ｎ型半導
体層５２０とｐ型半導体層５２１との間に電気信号が発
生し、この電気信号が、グランド電極５１３と中央電極
５１２とで構成された電気信号伝送路を伝搬する。光信
号の伝搬速度と電気信号の伝搬速度とを整合させること
により、広帯域かつ高量子効率を実現することができ
る。
【０００９】図１７（Ａ）に、文献「Ｍ．Ｓ．Ｉｓｌａ
ｍ ｅｔ ａｌ．；Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ２０００
Ｏｘｆｏｒｄ，ＵＫ ｐｐ．２１７」、文献「Ｔ．Ｃ
ｈａｕ ｅｔ ａｌ．；ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．１
２ Ｎｏ．８（２０００）ｐｐ．１０５５−１０５
７」、及び米国特許第５，５７２，０１４に開示されて
いる第３の従来例による速度整合された進行波型受光装
置の概略斜視図を示す。図１７（Ｂ）にその側面図を示
し、図１７（Ｃ）に、光の伝搬方向に垂直な断面図を示
す。
ｍ ｅｔ ａｌ．；Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ２０００
Ｏｘｆｏｒｄ，ＵＫ ｐｐ．２１７」、文献「Ｔ．Ｃ
ｈａｕ ｅｔ ａｌ．；ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ
ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．１
２ Ｎｏ．８（２０００）ｐｐ．１０５５−１０５
７」、及び米国特許第５，５７２，０１４に開示されて
いる第３の従来例による速度整合された進行波型受光装
置の概略斜視図を示す。図１７（Ｂ）にその側面図を示
し、図１７（Ｃ）に、光の伝搬方向に垂直な断面図を示
す。
【００１０】半絶縁性半導体基板５３０の上に、光導波
路５３１が形成されている。光導波路５３１の上面の上
に、光の伝搬方向に離散的に並んだ複数のフォトダイオ
ード５３２が配置されている。フォトダイード５３２の
各々は、光導波路５３１にエバネッセント結合（ｅｖａ
ｎｅｓｃｅｎｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）している。光導波
路５３１の両側に、それぞれ導電膜５３３及び５３４が
配置されている。導電膜５３３及び５３４は、電気信号
伝送路を構成している。フォトダイード５３２の各々の
一方の電極が導電膜５３３に接続され、他方の電極が導
電膜５３４に接続されている。
路５３１が形成されている。光導波路５３１の上面の上
に、光の伝搬方向に離散的に並んだ複数のフォトダイオ
ード５３２が配置されている。フォトダイード５３２の
各々は、光導波路５３１にエバネッセント結合（ｅｖａ
ｎｅｓｃｅｎｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）している。光導波
路５３１の両側に、それぞれ導電膜５３３及び５３４が
配置されている。導電膜５３３及び５３４は、電気信号
伝送路を構成している。フォトダイード５３２の各々の
一方の電極が導電膜５３３に接続され、他方の電極が導
電膜５３４に接続されている。
【００１１】光導波路５３１を伝搬する光信号により、
フォトダイオード５３２に電気信号が発生する。この電
気信号が、導電膜５３３と５３４とで構成された電気信
号伝送路を伝搬する。光信号の伝搬速度と、電気信号の
伝搬速度とを整合させることにより、数十ＧＨｚの応答
特性が得られている。
フォトダイオード５３２に電気信号が発生する。この電
気信号が、導電膜５３３と５３４とで構成された電気信
号伝送路を伝搬する。光信号の伝搬速度と、電気信号の
伝搬速度とを整合させることにより、数十ＧＨｚの応答
特性が得られている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図１５に示した第１の
従来例では、動作の高速化のためにフォトダイオード５
０２の静電容量を小さくする必要がある。光の進行方向
に関して、フォトダイオード５０２を短くすると、静電
容量を小さくすることができる。
従来例では、動作の高速化のためにフォトダイオード５
０２の静電容量を小さくする必要がある。光の進行方向
に関して、フォトダイオード５０２を短くすると、静電
容量を小さくすることができる。
【００１３】図１８（Ａ）に、フォトダイオード５０２
の長さと、静電容量との関係を示す。横軸は、フォトダ
イオード５０２の長さを単位「μｍ」で表し、縦軸は、
静電容量を単位「ｆＦ」で表す。なお、フォトダイオー
ド５０２の幅は４μｍである。フォトダイオード５０２
を短くすることにより、静電容量が減少していることが
わかる。フォトダイオード５０２の長さが３μｍのと
き、静電容量は約１５ｆＦになる。フォトダイオード５
０２の後段に接続される電気回路の入力インピーダンス
が５０Ωであるとき、ＣＲ時定数から求まる遮断周波数
は３００ＧＨｚになり、高速動作が可能である。
の長さと、静電容量との関係を示す。横軸は、フォトダ
イオード５０２の長さを単位「μｍ」で表し、縦軸は、
静電容量を単位「ｆＦ」で表す。なお、フォトダイオー
ド５０２の幅は４μｍである。フォトダイオード５０２
を短くすることにより、静電容量が減少していることが
わかる。フォトダイオード５０２の長さが３μｍのと
き、静電容量は約１５ｆＦになる。フォトダイオード５
０２の後段に接続される電気回路の入力インピーダンス
が５０Ωであるとき、ＣＲ時定数から求まる遮断周波数
は３００ＧＨｚになり、高速動作が可能である。
【００１４】ところが、フォトダイオード５０２を短く
すると、光の吸収率が低下してしまう。
すると、光の吸収率が低下してしまう。
【００１５】図１８（Ｂ）に、フォトダイオード５０２
の長さと、内部量子効率との関係を示す。横軸は、フォ
トダイオード５０２の長さを単位「μｍ」で表し、縦軸
は、内部量子効率を単位「％」で表す。フォトダイオー
ド５０２を短くすると、内部量子効率が低下することが
わかる。このため、第１の従来例による受光装置では、
高速化と高効率化とを同時に実現することが困難であ
る。
の長さと、内部量子効率との関係を示す。横軸は、フォ
トダイオード５０２の長さを単位「μｍ」で表し、縦軸
は、内部量子効率を単位「％」で表す。フォトダイオー
ド５０２を短くすると、内部量子効率が低下することが
わかる。このため、第１の従来例による受光装置では、
高速化と高効率化とを同時に実現することが困難であ
る。
【００１６】図１６に示した第２の従来例では、ｎ型半
導体層５２０とｐ型半導体層５２１との間の静電容量に
関わらず、高速動作を実現することができる。この半導
体受光装置の後段に接続される電気回路の入力のインピ
ーダンスと整合させるために、光導波路型受光素子の特
性インピーダンスを５０Ωに調節することが好ましい。
受光層５１１の厚さが０．２μｍ程度である場合、電気
信号伝送路の特性インピーダンスを５０Ωにするために
は、光導波路型受光素子の幅を約１μｍにしなければな
らない。光導波路型受光素子が細くなるため、この上面
の上に中央電極５１２を形成することが困難である。
導体層５２０とｐ型半導体層５２１との間の静電容量に
関わらず、高速動作を実現することができる。この半導
体受光装置の後段に接続される電気回路の入力のインピ
ーダンスと整合させるために、光導波路型受光素子の特
性インピーダンスを５０Ωに調節することが好ましい。
受光層５１１の厚さが０．２μｍ程度である場合、電気
信号伝送路の特性インピーダンスを５０Ωにするために
は、光導波路型受光素子の幅を約１μｍにしなければな
らない。光導波路型受光素子が細くなるため、この上面
の上に中央電極５１２を形成することが困難である。
【００１７】図１７に示した第３の従来例では、電気信
号伝送路の特性インピーダンスを５０Ωに調節するとと
もに、さらに多くのパラメータを調節する必要がある。
また、電気信号の伝搬速度と光信号の伝搬速度とを整合
させるために、相互に隣り合う２つのフォトダイオード
５３２の間隔を０．１５ｍｍ程度にする必要がある。高
い量子効率を実現するためにフォトダイオード５３２を
１０個配置すると、装置の長さが１．５ｍｍ以上になっ
てしまう。
号伝送路の特性インピーダンスを５０Ωに調節するとと
もに、さらに多くのパラメータを調節する必要がある。
また、電気信号の伝搬速度と光信号の伝搬速度とを整合
させるために、相互に隣り合う２つのフォトダイオード
５３２の間隔を０．１５ｍｍ程度にする必要がある。高
い量子効率を実現するためにフォトダイオード５３２を
１０個配置すると、装置の長さが１．５ｍｍ以上になっ
てしまう。
【００１８】本発明の目的は、広帯域かつ高量子効率を
実現することができ、装置サイズを小さくすることが可
能な半導体受光装置を提供することである。
実現することができ、装置サイズを小さくすることが可
能な半導体受光装置を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、支持基板の表面上に一列に配列し、各々が入射光の
強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学
的に結合させ、光が前記半導体素子を前段から後段に向
かって順番に通過するように配置された接続用光導波路
と、前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構
成され、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させ
る電気信号伝送路であって、一方の第１の導体が、相互
に隣り合う前記半導体素子の間において、前記支持基板
の上方の空中に支持されている該電気信号伝送路とを有
する半導体受光装置が提供される。
と、支持基板の表面上に一列に配列し、各々が入射光の
強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学
的に結合させ、光が前記半導体素子を前段から後段に向
かって順番に通過するように配置された接続用光導波路
と、前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構
成され、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させ
る電気信号伝送路であって、一方の第１の導体が、相互
に隣り合う前記半導体素子の間において、前記支持基板
の上方の空中に支持されている該電気信号伝送路とを有
する半導体受光装置が提供される。
【００２０】半導体装置を光信号が順番に通過すること
により、電気信号伝送路に電気信号が誘起される。この
電気信号が、電気信号伝送路を伝搬する。第１の導体を
空中に支持することにより、第１の導体のインダクタン
スを調整して、電気信号の伝搬速度を光信号の伝搬速度
に整合させ、かつ後段の電気回路とのインピーダンス整
合を行うことが可能になる。
により、電気信号伝送路に電気信号が誘起される。この
電気信号が、電気信号伝送路を伝搬する。第１の導体を
空中に支持することにより、第１の導体のインダクタン
スを調整して、電気信号の伝搬速度を光信号の伝搬速度
に整合させ、かつ後段の電気回路とのインピーダンス整
合を行うことが可能になる。
【００２１】本発明の他の観点によると、支持基板の表
面上に形成され、第１導電型の半導体からなる第１の導
電層と、前記第１の導電層の表面上に一列に配列し、各
々が受光層と、前記第１導電型と反対の第２導電型の半
導体からなる第２の導電層との積層構造を含み、受光層
に光信号が導入されると、前記第１の導電層と該第２の
導電層との間に電気信号を発生する複数の積層構造体
と、前記第１の導電層の上に配置され、相互に隣り合う
前記積層構造体の受光層同士を光学的に結合させる接続
用光導波路と、前記複数の積層構造体の該第２の導電層
を順番に接続し、発生した電気号を伝搬させる導電性細
線とを有する半導体受光装置が提供される。
面上に形成され、第１導電型の半導体からなる第１の導
電層と、前記第１の導電層の表面上に一列に配列し、各
々が受光層と、前記第１導電型と反対の第２導電型の半
導体からなる第２の導電層との積層構造を含み、受光層
に光信号が導入されると、前記第１の導電層と該第２の
導電層との間に電気信号を発生する複数の積層構造体
と、前記第１の導電層の上に配置され、相互に隣り合う
前記積層構造体の受光層同士を光学的に結合させる接続
用光導波路と、前記複数の積層構造体の該第２の導電層
を順番に接続し、発生した電気号を伝搬させる導電性細
線とを有する半導体受光装置が提供される。
【００２２】第１の導電層、受光層、及び第２の導電層
の３層により、フォトダイオードが構成される。フォト
ダイオードに発生した電気信号が、導電性細線を伝搬す
る。
の３層により、フォトダイオードが構成される。フォト
ダイオードに発生した電気信号が、導電性細線を伝搬す
る。
【００２３】本発明の他の観点によると、支持基板の表
面上に一列に配列し、各々が入射光の強度に応じた電気
信号を発生する複数の半導体素子と、前記複数の半導体
素子のうち相互に隣り合う素子を光学的に結合させ、光
が前記半導体素子を前段から後段に向かって順番に通過
するように配置され、該半導体素子にバットカップリン
グする接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に接続
された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発生し
た電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有する半導
体受光装置が提供される。
面上に一列に配列し、各々が入射光の強度に応じた電気
信号を発生する複数の半導体素子と、前記複数の半導体
素子のうち相互に隣り合う素子を光学的に結合させ、光
が前記半導体素子を前段から後段に向かって順番に通過
するように配置され、該半導体素子にバットカップリン
グする接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に接続
された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発生し
た電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有する半導
体受光装置が提供される。
【００２４】バットカップリング構造を採用することに
より、光結合効率を高めることができる。
より、光結合効率を高めることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）及び（Ｂ）に、それぞ
れ本発明の第１の実施例による半導体受光装置の断面図
及び平面図を示す。図１（Ｂ）の一点鎖線Ａ１−Ａ１に
おける断面図が図１（Ａ）に相当する。
れ本発明の第１の実施例による半導体受光装置の断面図
及び平面図を示す。図１（Ｂ）の一点鎖線Ａ１−Ａ１に
おける断面図が図１（Ａ）に相当する。
【００２６】図１（Ａ）に示すように、半絶縁性のＩｎ
Ｐからなる半導体基板１の表面の一部の領域上に、ｎ+
型ＩｎＰからなる厚さ約２μｍのｎ型層２が形成されて
いる。図１（Ｂ）において、半導体基板１の表面のうち
左側の約２／３の領域がｎ型層２で覆われている。
Ｐからなる半導体基板１の表面の一部の領域上に、ｎ+
型ＩｎＰからなる厚さ約２μｍのｎ型層２が形成されて
いる。図１（Ｂ）において、半導体基板１の表面のうち
左側の約２／３の領域がｎ型層２で覆われている。
【００２７】ｎ型層２の上に、第１段目積層構造体１０
Ａ、第２段目積層構造体１０Ｂ、及び第３段目積層構造
体１０Ｃが、図において左から右に一列に配置されてい
る。積層構造体１０Ａ〜１０Ｃの各々とｎ型層２とで一
つのフォトダイオードが構成される。以下、積層構造体
１０Ａ〜１０Ｃを、フォトダイオードと呼ぶ。フォトダ
イオード１０Ａ〜１０Ｃの各々は、受光層、ｐ型層、キ
ャップ層の３層構造を有する。これらの詳細な構造につ
いては、後に図２を参照して説明する。
Ａ、第２段目積層構造体１０Ｂ、及び第３段目積層構造
体１０Ｃが、図において左から右に一列に配置されてい
る。積層構造体１０Ａ〜１０Ｃの各々とｎ型層２とで一
つのフォトダイオードが構成される。以下、積層構造体
１０Ａ〜１０Ｃを、フォトダイオードと呼ぶ。フォトダ
イオード１０Ａ〜１０Ｃの各々は、受光層、ｐ型層、キ
ャップ層の３層構造を有する。これらの詳細な構造につ
いては、後に図２を参照して説明する。
【００２８】第１段目フォトダイオード１０Ａから図の
左に向かってテーパ状光導波路１１Ａが延びている。テ
ーパ状光導波路１１Ａは、第１段目フォトダイオード１
０Ａに近づくに従って徐々に厚くなっている。第１段目
フォトダイオード１０Ａと第２段目フォトダイオード１
０Ｂとの間に接続用光導波路１１Ｂが配置され、第２段
目フォトダイオード１０Ｂと第３段目フォトダイオード
１０Ｃとの間に接続用光導波路１１Ｃが配置されてい
る。テーパ状光導波路１１Ａ、接続用光導波路１１Ｂ及
び１１Ｃは、アンドープのＩｎＧａＡｓＰで形成されて
いる。
左に向かってテーパ状光導波路１１Ａが延びている。テ
ーパ状光導波路１１Ａは、第１段目フォトダイオード１
０Ａに近づくに従って徐々に厚くなっている。第１段目
フォトダイオード１０Ａと第２段目フォトダイオード１
０Ｂとの間に接続用光導波路１１Ｂが配置され、第２段
目フォトダイオード１０Ｂと第３段目フォトダイオード
１０Ｃとの間に接続用光導波路１１Ｃが配置されてい
る。テーパ状光導波路１１Ａ、接続用光導波路１１Ｂ及
び１１Ｃは、アンドープのＩｎＧａＡｓＰで形成されて
いる。
【００２９】テーパ状光導波路１１Ａ、接続用光導波路
１１Ｂ及び１１Ｃの上に、アンドープのＩｎＰからなる
クラッド層１２が配置されている。テーパ状光導波路１
１Ａ、第１段目フォトダイオード１０Ａの受光層、接続
用光導波路１１Ｂ、第２段目フォトダイオード１０Ｂの
受光層、接続用光導波路１１Ｃ、及び第３段目フォトダ
イオード１０Ｃの受光層が、順番にバットカップリング
（ｂｕｔｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）した一つの光導波路を
構成している。
１１Ｂ及び１１Ｃの上に、アンドープのＩｎＰからなる
クラッド層１２が配置されている。テーパ状光導波路１
１Ａ、第１段目フォトダイオード１０Ａの受光層、接続
用光導波路１１Ｂ、第２段目フォトダイオード１０Ｂの
受光層、接続用光導波路１１Ｃ、及び第３段目フォトダ
イオード１０Ｃの受光層が、順番にバットカップリング
（ｂｕｔｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）した一つの光導波路を
構成している。
【００３０】テーパ状光導波路１１Ａ、接続用光導波路
１１Ｂ及び１１Ｃの上面及び側面が、鉄（Ｆｅ）ドープ
の半絶縁性ＩｎＰからなる被覆層１５で覆われている。
フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の上面に、それ
ぞれＡｕ／Ｚｎ／Ａｕの３層構造を有するコンタクト層
１６が形成されている。フォトダイオード１０Ａ〜１０
Ｃの上のコンタクト層１６を、導電性細線２０が順番に
接続する。導電性細線２０は、半導体基板１の表面上に
形成されたパッド２１に接続されている。
１１Ｂ及び１１Ｃの上面及び側面が、鉄（Ｆｅ）ドープ
の半絶縁性ＩｎＰからなる被覆層１５で覆われている。
フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の上面に、それ
ぞれＡｕ／Ｚｎ／Ａｕの３層構造を有するコンタクト層
１６が形成されている。フォトダイオード１０Ａ〜１０
Ｃの上のコンタクト層１６を、導電性細線２０が順番に
接続する。導電性細線２０は、半導体基板１の表面上に
形成されたパッド２１に接続されている。
【００３１】図１（Ｂ）に示すように、フォトダイオー
ド１０Ａ〜１０Ｃが配列した光電変換部の両側（図にお
いて上側と下側）の、ｎ型層２が露出した領域上に、コ
ンタクト層３０が形成されている。コンタクト層３０
は、ＡｕＧｅ層とＡｕ層とが積層された２層構造を有
し、ｎ型層２にオーミック接触している。半導体基板１
の表面上に形成されたコプレーナ電極３１が、コンタク
ト層３０に接続されている。
ド１０Ａ〜１０Ｃが配列した光電変換部の両側（図にお
いて上側と下側）の、ｎ型層２が露出した領域上に、コ
ンタクト層３０が形成されている。コンタクト層３０
は、ＡｕＧｅ層とＡｕ層とが積層された２層構造を有
し、ｎ型層２にオーミック接触している。半導体基板１
の表面上に形成されたコプレーナ電極３１が、コンタク
ト層３０に接続されている。
【００３２】図２に、図１（Ａ）の光電変換部の詳細な
断面図を示す。フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々
は、アンドープのＩｎＧａＡｓからなる厚さ０．０６〜
０．３μｍの受光層３、ｐ型ＩｎＰからなる厚さ約２μ
ｍのｐ型層４、及びｐ型ＩｎＧａＡｓからなる厚さ０．
０５μｍのキャップ層５がこの順番に積層された３層構
造を有する。フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の
ｐ型層５の上に、コンタクト層１６が形成されている。
断面図を示す。フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々
は、アンドープのＩｎＧａＡｓからなる厚さ０．０６〜
０．３μｍの受光層３、ｐ型ＩｎＰからなる厚さ約２μ
ｍのｐ型層４、及びｐ型ＩｎＧａＡｓからなる厚さ０．
０５μｍのキャップ層５がこの順番に積層された３層構
造を有する。フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の
ｐ型層５の上に、コンタクト層１６が形成されている。
【００３３】第１段目〜第３段目フォトダイオード１０
Ａ〜１０Ｃ上のコンタクト層１６の上に、それぞれ導電
性部材１９Ａ〜１９Ｃが配置され、コンタクト層１６に
オーミック接触している。第１段目の導電性部材１９Ａ
と第２段目の導電性部材１９Ｂとを、導電性細線２０Ａ
が接続している。第２段目の導電性部材１９Ｂと第３段
目の導電性部材１９Ｃとを、導電性細線２０Ｂが接続し
ている。第３段目の導電性部材１９Ｃとパッド２１と
を、導電性細線２０Ｃが接続している。導電性細線２０
Ａ〜２０Ｃの各々は、半導体基板１の上方の空中に支持
されている。導電性細線２０Ａ〜２０Ｃと、ｎ型層２と
が、電気信号伝送路を構成している。
Ａ〜１０Ｃ上のコンタクト層１６の上に、それぞれ導電
性部材１９Ａ〜１９Ｃが配置され、コンタクト層１６に
オーミック接触している。第１段目の導電性部材１９Ａ
と第２段目の導電性部材１９Ｂとを、導電性細線２０Ａ
が接続している。第２段目の導電性部材１９Ｂと第３段
目の導電性部材１９Ｃとを、導電性細線２０Ｂが接続し
ている。第３段目の導電性部材１９Ｃとパッド２１と
を、導電性細線２０Ｃが接続している。導電性細線２０
Ａ〜２０Ｃの各々は、半導体基板１の上方の空中に支持
されている。導電性細線２０Ａ〜２０Ｃと、ｎ型層２と
が、電気信号伝送路を構成している。
【００３４】テーパ状導波路１１Ａから第１段目フォト
ダイオード１０Ａの受光層３に光信号が入力される。第
１段目フォトダイオード１０Ａの受光層３を通過した光
信号が、接続用光導波路１１Ｂ、第２段目フォトダイオ
ード１０Ｂの受光層３、接続用光導波路１１Ｃ、及び第
３段目フォトダイオード１０Ｃの受光層３を順番に通過
する。光信号がフォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの受光
層３を通過するとき、その一部が電気信号に変換され
る。
ダイオード１０Ａの受光層３に光信号が入力される。第
１段目フォトダイオード１０Ａの受光層３を通過した光
信号が、接続用光導波路１１Ｂ、第２段目フォトダイオ
ード１０Ｂの受光層３、接続用光導波路１１Ｃ、及び第
３段目フォトダイオード１０Ｃの受光層３を順番に通過
する。光信号がフォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの受光
層３を通過するとき、その一部が電気信号に変換され
る。
【００３５】第１段目フォトダイオード１０Ａで発生し
た電気信号が、導電性細線１１Ａを伝わり、第２段目及
び第３段目のフォトダイオード１０Ｂ及び１０Ｃで発生
した電気信号と合流してパッド２１に到達する。接続用
光導波路１１Ｂ及び１１Ｃを伝搬する光信号の伝搬速度
と、導電性細線１１Ａ及び１１Ｂを伝搬する電気信号の
伝搬速度とが整合すると、高い変換効率を実現すること
ができる。
た電気信号が、導電性細線１１Ａを伝わり、第２段目及
び第３段目のフォトダイオード１０Ｂ及び１０Ｃで発生
した電気信号と合流してパッド２１に到達する。接続用
光導波路１１Ｂ及び１１Ｃを伝搬する光信号の伝搬速度
と、導電性細線１１Ａ及び１１Ｂを伝搬する電気信号の
伝搬速度とが整合すると、高い変換効率を実現すること
ができる。
【００３６】図３に、第１の実施例による半導体受光装
置の等価回路図を示す。３個のフォトダイオード１０Ａ
〜１０ＣがキャパシタＣで表され、導電性細線１１Ａ〜
１１Ｃが、インダクタＬで表され、ｎ型層２が一本の配
線で表される。通常、パッド２１及び３１に、入力イン
ピーダンス５０Ωの後段の電気回路４０が接続される。
このため、キャパシタＣとインダクタＬとで構成される
電気信号伝送路の特性インピーダンスが５０Ωになるよ
うに設計することが好ましい。
置の等価回路図を示す。３個のフォトダイオード１０Ａ
〜１０ＣがキャパシタＣで表され、導電性細線１１Ａ〜
１１Ｃが、インダクタＬで表され、ｎ型層２が一本の配
線で表される。通常、パッド２１及び３１に、入力イン
ピーダンス５０Ωの後段の電気回路４０が接続される。
このため、キャパシタＣとインダクタＬとで構成される
電気信号伝送路の特性インピーダンスが５０Ωになるよ
うに設計することが好ましい。
【００３７】この電気信号伝送路は、一つのフォトダイ
オードと一つの導電性細線からなる回路を単位セグメン
トとし、数個（第１の実施例では３個）のセグメントが
縦続接続された伝送路と考えることができる。単位セグ
メントの長さは高々１００μｍ程度である。このため、
伝搬する電気信号の周波数が８０〜１６０ＧＨｚとする
と、単位セグメントを集中定数回路と考えることができ
る。
オードと一つの導電性細線からなる回路を単位セグメン
トとし、数個（第１の実施例では３個）のセグメントが
縦続接続された伝送路と考えることができる。単位セグ
メントの長さは高々１００μｍ程度である。このため、
伝搬する電気信号の周波数が８０〜１６０ＧＨｚとする
と、単位セグメントを集中定数回路と考えることができ
る。
【００３８】まず、伝送路の特性インピーダンスについ
て説明する。図３に示した伝送路の特性インピーダンス
をＺ、電気信号の角周波数をωとすると、特性インピー
ダンスＺは、
て説明する。図３に示した伝送路の特性インピーダンス
をＺ、電気信号の角周波数をωとすると、特性インピー
ダンスＺは、
【００３９】
【数１】Ｚ＝ｉωＬ／２＋（Ｌ／Ｃ−ω2Ｌ2／４）1/2
と表される。動作周波数の領域では、上式の実数部の平
方根内の第２項が無視できるため、特性インピーダンス
は、近似的に（Ｌ／Ｃ）1/2と表される。従って、
方根内の第２項が無視できるため、特性インピーダンス
は、近似的に（Ｌ／Ｃ）1/2と表される。従って、
【００４０】
【数２】（Ｌ／Ｃ）1/2＝５０
が満足されるとき、高周波電気信号の減衰及び反射が抑
制され、後段の電気回路に効率よく電気信号を伝搬させ
ることができる。
制され、後段の電気回路に効率よく電気信号を伝搬させ
ることができる。
【００４１】次に、光信号の伝搬速度と、電気信号の伝
搬速度との整合条件について説明する。
搬速度との整合条件について説明する。
【００４２】光信号が、図２に示した接続用光導波路１
１Ｂ及び１１Ｃの各々を伝搬する時間Ｔ１は、
１Ｂ及び１１Ｃの各々を伝搬する時間Ｔ１は、
【００４３】
【数３】Ｔ１＝（ｎeff／ｃ0）（Ｌpin＋Ｌgap）
と表される。ここで、ｎeffは接続用光導波路１１Ｂ及
び１１Ｃの有効屈折率、ｃ0は真空中の光速、Ｌpinはフ
ォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の長さ、Ｌ gapは
相互に隣り合うフォトダイオードの間隔である。
び１１Ｃの有効屈折率、ｃ0は真空中の光速、Ｌpinはフ
ォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の長さ、Ｌ gapは
相互に隣り合うフォトダイオードの間隔である。
【００４４】発生した電気信号が、導電性細線１１Ａ及
び１１Ｂの各々を伝搬する時間Ｔ２は、
び１１Ｂの各々を伝搬する時間Ｔ２は、
【００４５】
【数４】Ｔ２＝（Ｌ・Ｃ）1/2
と表される。光信号と電気信号との速度を整合させるた
めには、時間Ｔ１とＴ２とを一致させる必要がある。す
なわち、下記の式
めには、時間Ｔ１とＴ２とを一致させる必要がある。す
なわち、下記の式
【００４６】
【数５】
（Ｌ・Ｃ）1/2＝（ｎeff／ｃ0）（Ｌpin＋Ｌgap）
が成立すればよい。
【００４７】上式（５）の有効屈折率ｎeffは、３．１
７０４である。導電性細線１１Ａ及び１１Ｂの各々の幅
を７μｍ、厚さを４μｍ、長さＬ1を４７μｍとする
と、単位セグメントのインダクタンスＬが０．０３４５
ｎＨになる。フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の
幅を４μｍ、長さＬpinを３μｍ、受光層３の厚さを
０．１５μｍとすると、単位セグメントのキャパシタン
スＣが０．０１５ｆＦになる。このとき、上式（２）が
満たされる。この前提条件の下で、フォトダイオードの
間隔Ｌgapを５５μｍに設定すると、上式（５）が満た
される。
７０４である。導電性細線１１Ａ及び１１Ｂの各々の幅
を７μｍ、厚さを４μｍ、長さＬ1を４７μｍとする
と、単位セグメントのインダクタンスＬが０．０３４５
ｎＨになる。フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの各々の
幅を４μｍ、長さＬpinを３μｍ、受光層３の厚さを
０．１５μｍとすると、単位セグメントのキャパシタン
スＣが０．０１５ｆＦになる。このとき、上式（２）が
満たされる。この前提条件の下で、フォトダイオードの
間隔Ｌgapを５５μｍに設定すると、上式（５）が満た
される。
【００４８】次に、受光感度について説明する。上記第
１の実施例のように、複数のフォトダイオードを光信号
が順番に通過するように配置し、フォトダイオード間を
接続用光導波路で接続することにより、前段のフォトダ
イオードで吸収されなかった光を、有効に後段のフォト
ダイオードに導くことができる。これにより、内部量子
効率の低下を防止することができる。
１の実施例のように、複数のフォトダイオードを光信号
が順番に通過するように配置し、フォトダイオード間を
接続用光導波路で接続することにより、前段のフォトダ
イオードで吸収されなかった光を、有効に後段のフォト
ダイオードに導くことができる。これにより、内部量子
効率の低下を防止することができる。
【００４９】接続用光導波路１１Ｂ内の幅方向及び厚さ
方向の電界分布と、フォトダイオード１０Ａ内の幅方向
及び厚さ方向の電界分布との重なり積分が最大になるよ
うに、接続用光導波路１１Ｂとフォトダイオード１０Ａ
とを設計することにより、両者の結合損失を少なくする
ことができる。例えば、光信号の波長が１．５５μｍで
あるとき、接続用光導波路１１Ｂの厚さを０．２５μｍ
とし、フォトダイオード１０Ａの受光層３の厚さを０．
１５μｍとして、両者をバットカップリングさせること
により、約９８％の結合効率を得ることができる。接続
用光導波路とフォトダイオードとの他の結合界面、及び
テーパ状光導波路１１Ａと第１段目フォトダイオード１
０Ａとの結合界面においても、同様に高い結合効率を得
ることができる。このため、比較的少ないフォトダイオ
ードで、高い変換効率を得ることができる。フォトダイ
オードの数を少なくできるため、装置の小型化を図るこ
とが可能になる。
方向の電界分布と、フォトダイオード１０Ａ内の幅方向
及び厚さ方向の電界分布との重なり積分が最大になるよ
うに、接続用光導波路１１Ｂとフォトダイオード１０Ａ
とを設計することにより、両者の結合損失を少なくする
ことができる。例えば、光信号の波長が１．５５μｍで
あるとき、接続用光導波路１１Ｂの厚さを０．２５μｍ
とし、フォトダイオード１０Ａの受光層３の厚さを０．
１５μｍとして、両者をバットカップリングさせること
により、約９８％の結合効率を得ることができる。接続
用光導波路とフォトダイオードとの他の結合界面、及び
テーパ状光導波路１１Ａと第１段目フォトダイオード１
０Ａとの結合界面においても、同様に高い結合効率を得
ることができる。このため、比較的少ないフォトダイオ
ードで、高い変換効率を得ることができる。フォトダイ
オードの数を少なくできるため、装置の小型化を図るこ
とが可能になる。
【００５０】図４に、フォトダイオードの数と、内部量
子効率との関係を示す。横軸はフォトダイオードの数を
表し、縦軸は内部量子効率を単位「％」で表す。フォト
ダイオードが１個の場合には、内部量子効率が約４０％
であるのに対し、フォトダイオードの数を３個にする
と、内部量子効率が約７０％まで高くなっていることが
分かる。第１の実施例による構造では、接続用光導波路
とフォトダイオードとの結合損失の合計が、計算上約５
％程度になる。このように、バットカップリング構造を
採用することにより、エバネッセントカップリング構造
の場合に比べて、少ないフォトダイオード数で、高い内
部量子効率を実現することができる。
子効率との関係を示す。横軸はフォトダイオードの数を
表し、縦軸は内部量子効率を単位「％」で表す。フォト
ダイオードが１個の場合には、内部量子効率が約４０％
であるのに対し、フォトダイオードの数を３個にする
と、内部量子効率が約７０％まで高くなっていることが
分かる。第１の実施例による構造では、接続用光導波路
とフォトダイオードとの結合損失の合計が、計算上約５
％程度になる。このように、バットカップリング構造を
採用することにより、エバネッセントカップリング構造
の場合に比べて、少ないフォトダイオード数で、高い内
部量子効率を実現することができる。
【００５１】図５〜図１１を参照して、第１の実施例に
よる半導体受光装置の製造方法を説明する。
よる半導体受光装置の製造方法を説明する。
【００５２】図５（Ａ）に示すように、半絶縁性のＩｎ
Ｐからなる半導体基板１の表面上に、ｎ+型ＩｎＰから
なる厚さ約２μｍのｎ型層２、アンドープのＩｎＧａＡ
ｓからなる厚さ０．０６〜０．３μｍの受光層３、ｐ型
ＩｎＰからなる厚さ２μｍのｐ型層４、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓからなる厚さ０．０５μｍのキャップ層５をこの順番
に成膜する。
Ｐからなる半導体基板１の表面上に、ｎ+型ＩｎＰから
なる厚さ約２μｍのｎ型層２、アンドープのＩｎＧａＡ
ｓからなる厚さ０．０６〜０．３μｍの受光層３、ｐ型
ＩｎＰからなる厚さ２μｍのｐ型層４、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓからなる厚さ０．０５μｍのキャップ層５をこの順番
に成膜する。
【００５３】これらの膜の成長は、例えば成長温度を６
３０℃、圧力を１．３３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒ
ｒ）とした有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）により
行うことができる。原料ガスとして、フォスフィン（Ｐ
Ｈ3）、アルシン（ＡｓＨ3）、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチル
ガリウム（ＴＥＧ）を用いることができる。
３０℃、圧力を１．３３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒ
ｒ）とした有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）により
行うことができる。原料ガスとして、フォスフィン（Ｐ
Ｈ3）、アルシン（ＡｓＨ3）、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチル
ガリウム（ＴＥＧ）を用いることができる。
【００５４】図５（Ｂ）に示すように、ＳｉＯ2等のマ
スクパターン６をマスクとして、キャップ層５から受光
層３までの３層をパターニングする。マスクパターン６
に覆われた領域に、受光層３、ｐ型層４及びキャップ層
５からなる積層構造体が残り、マスクパターン６に覆わ
れていない領域に、ｎ型層２が露出する。
スクパターン６をマスクとして、キャップ層５から受光
層３までの３層をパターニングする。マスクパターン６
に覆われた領域に、受光層３、ｐ型層４及びキャップ層
５からなる積層構造体が残り、マスクパターン６に覆わ
れていない領域に、ｎ型層２が露出する。
【００５５】図５（Ｃ）に、マクスパターン６の平面図
を示す。図５（Ｃ）の一点鎖線Ｂ５−Ｂ５における断面
図が図５（Ｂ）に相当する。図１（Ｂ）に示したテーパ
状光導波路１１Ａのうちフォトダイオード１０Ａからの
距離がＤ1以下の領域の両側、及びテーパ状光導波路１
１Ａをフォトダイオード１０Ａ側に延長した帯状の領域
の両側を、マスクパターン６が覆う。さらに、マスクパ
ターン６は、フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃに対応す
る領域を覆う。なお、テーパ状光導波路１１Ａに対応す
るマスクパターン６で覆われていない帯状領域の幅Ｇ1
は、最終的に形成されるテーパ状光導波路１１Ａの幅よ
りもやや広く設定されている。
を示す。図５（Ｃ）の一点鎖線Ｂ５−Ｂ５における断面
図が図５（Ｂ）に相当する。図１（Ｂ）に示したテーパ
状光導波路１１Ａのうちフォトダイオード１０Ａからの
距離がＤ1以下の領域の両側、及びテーパ状光導波路１
１Ａをフォトダイオード１０Ａ側に延長した帯状の領域
の両側を、マスクパターン６が覆う。さらに、マスクパ
ターン６は、フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃに対応す
る領域を覆う。なお、テーパ状光導波路１１Ａに対応す
るマスクパターン６で覆われていない帯状領域の幅Ｇ1
は、最終的に形成されるテーパ状光導波路１１Ａの幅よ
りもやや広く設定されている。
【００５６】図６（Ｄ）に示すように、アンドープのＩ
ｎＧａＡｓＰからなる光導波路層１１、及びアンドープ
のＩｎＰからなるクラッド層１２を、ｎ型層２の表面上
に、ＭＯＣＶＤにより選択成長させる。マスクパターン
６の上には、光導波路層１１及びクラッド層１２は成長
しない。成長温度は６３０℃、圧力は１．３３×１０ 4
Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）とする。原料ガスとして、フォ
スフィン、アルシン、モノシラン、トリメチルインジウ
ム、及びトリエチルガリウムを用いる。マスクパターン
６を図５（Ｃ）に示した形状にすることにより、図６
（Ｄ）の最も左の積層構造体から左に遠ざかるに従っ
て、光導波路層１１を徐々に薄くすることができる。選
択成長後、マスクパターン６を除去する。
ｎＧａＡｓＰからなる光導波路層１１、及びアンドープ
のＩｎＰからなるクラッド層１２を、ｎ型層２の表面上
に、ＭＯＣＶＤにより選択成長させる。マスクパターン
６の上には、光導波路層１１及びクラッド層１２は成長
しない。成長温度は６３０℃、圧力は１．３３×１０ 4
Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）とする。原料ガスとして、フォ
スフィン、アルシン、モノシラン、トリメチルインジウ
ム、及びトリエチルガリウムを用いる。マスクパターン
６を図５（Ｃ）に示した形状にすることにより、図６
（Ｄ）の最も左の積層構造体から左に遠ざかるに従っ
て、光導波路層１１を徐々に薄くすることができる。選
択成長後、マスクパターン６を除去する。
【００５７】図６（Ｅ）に示すように、クラッド層１２
の上に、ＳｉＮからなるマスクパターン７を形成する。
の上に、ＳｉＮからなるマスクパターン７を形成する。
【００５８】図６（Ｆ）に、マスクパターン７の平面図
を示す。図１（Ｂ）に示したテーパ状光導波路１１Ａ及
びそれを延長した帯状の領域を、マスクパターン７が覆
う。
を示す。図１（Ｂ）に示したテーパ状光導波路１１Ａ及
びそれを延長した帯状の領域を、マスクパターン７が覆
う。
【００５９】マスクパターン７をマスクとして、クラッ
ド層１２、光導波路層１１、及びキャップ層５から受光
層３までの３層をエッチングする。この３層のエッチン
グは、ＳｉＣｌ4とＡｒとの誘導結合プラズマを用いた
ドライエッチングにより行われる。
ド層１２、光導波路層１１、及びキャップ層５から受光
層３までの３層をエッチングする。この３層のエッチン
グは、ＳｉＣｌ4とＡｒとの誘導結合プラズマを用いた
ドライエッチングにより行われる。
【００６０】マスクパターン７で覆われている領域に、
テーパ状光導波路１１Ａ、フォトダイオード１０Ａ〜１
０Ｃ、及び接続用光導波路１１Ｂ、１１Ｃが残り、その
両側にｎ型層２が露出する。
テーパ状光導波路１１Ａ、フォトダイオード１０Ａ〜１
０Ｃ、及び接続用光導波路１１Ｂ、１１Ｃが残り、その
両側にｎ型層２が露出する。
【００６１】図７（Ｇ）に示すように、基板の全面上
に、Ｆｅドープの半絶縁性ＩｎＰからなる被覆層１５
を、ＭＯＣＶＤにより成長させる。被覆層１５のＦｅ濃
度は、５×１０16ｃｍ-3とする。成長温度は６３０℃、
圧力は１．３３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）とす
る。原料ガスとして、フォスフィン、トリメチルインジ
ウム、フェロセン、及び塩化メチルを使用する。
に、Ｆｅドープの半絶縁性ＩｎＰからなる被覆層１５
を、ＭＯＣＶＤにより成長させる。被覆層１５のＦｅ濃
度は、５×１０16ｃｍ-3とする。成長温度は６３０℃、
圧力は１．３３×１０4Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）とす
る。原料ガスとして、フォスフィン、トリメチルインジ
ウム、フェロセン、及び塩化メチルを使用する。
【００６２】図７（Ｈ）に示すように、フォトダイオー
ド１０Ａとテーパ状光導波路１１Ａとの境界よりも光電
変換部側の領域上の被覆膜１５を、厚さ方向の途中ま
で、誘導結合プラズマを用いてドライエッチングする。
エッチングガスとして、ＳｉＣｌ4とＡｒを用いること
ができる。
ド１０Ａとテーパ状光導波路１１Ａとの境界よりも光電
変換部側の領域上の被覆膜１５を、厚さ方向の途中ま
で、誘導結合プラズマを用いてドライエッチングする。
エッチングガスとして、ＳｉＣｌ4とＡｒを用いること
ができる。
【００６３】図７（Ｉ）に示すように、フォトダイオー
ド１０Ａとテーパ状光導波路１１Ａとの境界よりもフォ
トダイオード１０Ａ側の領域の被覆膜１５をウェットエ
ッチングし、フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの上面を
露出させる。エッチャントとして、塩素系エッチャント
を用いることができる。露出したフォトダイオード１０
Ａ〜１０Ｃのキャップ層５の表面上に、Ａｕ／Ｚｎ／Ａ
ｕの３層からなるコンタクト層１６を、リフトオフ法に
より形成する。
ド１０Ａとテーパ状光導波路１１Ａとの境界よりもフォ
トダイオード１０Ａ側の領域の被覆膜１５をウェットエ
ッチングし、フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの上面を
露出させる。エッチャントとして、塩素系エッチャント
を用いることができる。露出したフォトダイオード１０
Ａ〜１０Ｃのキャップ層５の表面上に、Ａｕ／Ｚｎ／Ａ
ｕの３層からなるコンタクト層１６を、リフトオフ法に
より形成する。
【００６４】図８（Ｊ）に示すように、基板の表面上
に、ＳｉＮからなるマスクパターン１７を形成する。マ
スクパターン１７は、図１（Ｂ）のテーパ状光導波路１
１Ａと第１段目フォトダイオード１０Ａとの境界よりも
テーパ状光導波路１１Ａ側の領域、及びフォトダイオー
ド１０Ａ〜１０Ｃ、接続用光導波路１１Ｂ、１１Ｃが配
置された光電変換部に対応する領域よりもやや広い領域
を覆う。
に、ＳｉＮからなるマスクパターン１７を形成する。マ
スクパターン１７は、図１（Ｂ）のテーパ状光導波路１
１Ａと第１段目フォトダイオード１０Ａとの境界よりも
テーパ状光導波路１１Ａ側の領域、及びフォトダイオー
ド１０Ａ〜１０Ｃ、接続用光導波路１１Ｂ、１１Ｃが配
置された光電変換部に対応する領域よりもやや広い領域
を覆う。
【００６５】図８（Ｋ）に示すように、マスクパターン
１７をマスクとして、クラッド層１２及び光導波路層１
１をエッチングする、図１（Ｂ）に示したフォトダイオ
ード１０Ａ〜１０Ｃを含む光電変換部の両側の領域（図
において、上側と下側の領域）においては、被覆膜１５
がエッチングされ、ｎ型層２が露出する。
１７をマスクとして、クラッド層１２及び光導波路層１
１をエッチングする、図１（Ｂ）に示したフォトダイオ
ード１０Ａ〜１０Ｃを含む光電変換部の両側の領域（図
において、上側と下側の領域）においては、被覆膜１５
がエッチングされ、ｎ型層２が露出する。
【００６６】図９（Ｌ）に示すように、エッチングされ
たクラッド層１２及び光導波路層１１の右端よりも右側
のｎ型層２をエッチングし、半導体基板１を露出させ
る。図１（Ｂ）のフォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃを含
む光電変換部の両側（図において、上側と下側）には、
ｎ型層２が残されている。
たクラッド層１２及び光導波路層１１の右端よりも右側
のｎ型層２をエッチングし、半導体基板１を露出させ
る。図１（Ｂ）のフォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃを含
む光電変換部の両側（図において、上側と下側）には、
ｎ型層２が残されている。
【００６７】図９（Ｍ）に示すように、マスクパターン
１７を除去する。図１（Ｂ）に示したコンタクト層３０
を、リフトオフ法により形成する。コンタクト層３０
は、ＡｕＧｅ層とＡｕ層とがこの順番に積層された２層
構造を有する。次に、コプレーナ電極３１を、リフトオ
フ法により形成する。コプレーナ電極３１は、Ｔｉ層、
Ｐｔ層、及びＡｕ層がこの順番に積層された３層構造を
有する。
１７を除去する。図１（Ｂ）に示したコンタクト層３０
を、リフトオフ法により形成する。コンタクト層３０
は、ＡｕＧｅ層とＡｕ層とがこの順番に積層された２層
構造を有する。次に、コプレーナ電極３１を、リフトオ
フ法により形成する。コプレーナ電極３１は、Ｔｉ層、
Ｐｔ層、及びＡｕ層がこの順番に積層された３層構造を
有する。
【００６８】図１（Ａ）及び図２に示すように、導電性
細線２０及びパッド２１を形成する。導電性細線２０及
びパッド２１の形成方法は、例えば特開２００１−１２
７３３３号公報の段落３３〜３５及び図７に説明されて
いる。以下に、この形成方法を簡単に説明する。
細線２０及びパッド２１を形成する。導電性細線２０及
びパッド２１の形成方法は、例えば特開２００１−１２
７３３３号公報の段落３３〜３５及び図７に説明されて
いる。以下に、この形成方法を簡単に説明する。
【００６９】基板の表面上にレジストパターンを形成す
る。このレジストパターンには、パッド２１に対応する
開口が形成されている。このレジストパターンの表面及
び開口の内面を覆うように、下地金属層を蒸着する。下
地金属層は、ＡｕＺｎ層とＡｕ層との２層構造を有す
る。開口以外の部分を２層目のレジストパターンで覆
う。下地金属層を電極として金メッキを行うことによ
り、開口内にパッド２１を形成する。第１層目及び第２
層目のレジストパターンを除去し、パッド２１を残す。
る。このレジストパターンには、パッド２１に対応する
開口が形成されている。このレジストパターンの表面及
び開口の内面を覆うように、下地金属層を蒸着する。下
地金属層は、ＡｕＺｎ層とＡｕ層との２層構造を有す
る。開口以外の部分を２層目のレジストパターンで覆
う。下地金属層を電極として金メッキを行うことによ
り、開口内にパッド２１を形成する。第１層目及び第２
層目のレジストパターンを除去し、パッド２１を残す。
【００７０】図１０に示すように、基板上に第１層目の
レジスト膜５０を形成する。レジスト膜５０に、コンタ
クト層１６及びパッド２１に対応する開口を形成する。
レジスト膜５０の表面及び開口の内面を覆うように、下
地金属層５１を蒸着する。下地金属層５１は、ＡｕＺｎ
層とＡｕ層との２層構造を有する。
レジスト膜５０を形成する。レジスト膜５０に、コンタ
クト層１６及びパッド２１に対応する開口を形成する。
レジスト膜５０の表面及び開口の内面を覆うように、下
地金属層５１を蒸着する。下地金属層５１は、ＡｕＺｎ
層とＡｕ層との２層構造を有する。
【００７１】下地金属層５１の上に第２層目のレジスト
膜５３を形成する。レジスト膜５３に、導電性部材１９
Ａ〜１９Ｃ、及びパッド２１に対応する開口を形成す
る。下地金属層５１を電極として金メッキを行い、開口
内に金を埋め込む。これにより、導電性部材１９Ａ〜１
９Ｃが形成される。また、パッド２１の上にも、導電性
部材１９Ａ〜１９Ｃと同程度の厚さの金膜５４が形成さ
れる。
膜５３を形成する。レジスト膜５３に、導電性部材１９
Ａ〜１９Ｃ、及びパッド２１に対応する開口を形成す
る。下地金属層５１を電極として金メッキを行い、開口
内に金を埋め込む。これにより、導電性部材１９Ａ〜１
９Ｃが形成される。また、パッド２１の上にも、導電性
部材１９Ａ〜１９Ｃと同程度の厚さの金膜５４が形成さ
れる。
【００７２】レジスト膜５３の上に、第２層目の下地金
属層５５を蒸着する。下地金属層５５の上に、第３層目
のレジスト膜５７を形成する。レジスト膜５７に、導電
性細線２０に対応する開口を形成する。第２層目の下地
金属層５５を電極として金メッキを行い、導電性細線２
０を形成する。
属層５５を蒸着する。下地金属層５５の上に、第３層目
のレジスト膜５７を形成する。レジスト膜５７に、導電
性細線２０に対応する開口を形成する。第２層目の下地
金属層５５を電極として金メッキを行い、導電性細線２
０を形成する。
【００７３】第３層目のレジスト膜５７を除去する。次
に、第２層目のレジスト膜５３を、その上に蒸着されて
いる第２層目の下地金属層５５とともに除去する。さら
に、第１層目のレジスト膜５０を、その上に蒸着されて
いる第１層目の下地金属層５１とともに除去する。導電
性部材１９Ａ〜１９Ｃ及び導電性細線２０は、除去され
ずに残る。
に、第２層目のレジスト膜５３を、その上に蒸着されて
いる第２層目の下地金属層５５とともに除去する。さら
に、第１層目のレジスト膜５０を、その上に蒸着されて
いる第１層目の下地金属層５１とともに除去する。導電
性部材１９Ａ〜１９Ｃ及び導電性細線２０は、除去され
ずに残る。
【００７４】次に、図１１〜図１３を参照して、第２〜
第４の実施例による半導体受光装置について説明する。
上記第１の実施例による半導体受光装置では、第１段目
フォトダイオード１０Ａに最も大きな光電流が流れ、後
段になるほど光電流が減少する。小面積の受光層に大量
の光電流が流れると、空間電荷効果により高速応答性が
損なわれる場合がある。以下に説明する第２〜第４の実
施例では、過度の光電流の発生を防止することができ
る。
第４の実施例による半導体受光装置について説明する。
上記第１の実施例による半導体受光装置では、第１段目
フォトダイオード１０Ａに最も大きな光電流が流れ、後
段になるほど光電流が減少する。小面積の受光層に大量
の光電流が流れると、空間電荷効果により高速応答性が
損なわれる場合がある。以下に説明する第２〜第４の実
施例では、過度の光電流の発生を防止することができ
る。
【００７５】図１１は、第２の実施例による半導体受光
装置の光電変換部の断面図を示す。第１段目、第２段
目、及び第３段目フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの受
光層３Ａ〜３Ｃの厚さが、それぞれ０．１μｍ、０．１
５μｍ、及び０．２μｍに設定されており、前段の受光
層が後段の受光層よりも薄い。すなわち、光信号が進行
するに従って、通過する受光層が徐々に厚くなってい
る。受光層が薄いと、光閉込効果が小さいため、光吸収
量が少なくなる。
装置の光電変換部の断面図を示す。第１段目、第２段
目、及び第３段目フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの受
光層３Ａ〜３Ｃの厚さが、それぞれ０．１μｍ、０．１
５μｍ、及び０．２μｍに設定されており、前段の受光
層が後段の受光層よりも薄い。すなわち、光信号が進行
するに従って、通過する受光層が徐々に厚くなってい
る。受光層が薄いと、光閉込効果が小さいため、光吸収
量が少なくなる。
【００７６】フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの幅は、
第１の実施例の場合と同様に４μｍ、長さＬpinは３μ
ｍである。第１段目フォトダイオード１０Ａと第２段目
フォトダイオード１０Ｂとの間隔Ｌgap1は６４μｍ、第
２段目フォトダイオード１０Ｂと第３段目フォトダイオ
ード１０Ｃとの間隔Ｌgap2は４７μｍである。第１段目
フォトダイオード１０Ａと第２段目フォトダイオード１
０Ｂとを接続する導電性細線２０Ａの長さＬ21は５４μ
ｍ、第２段目フォトダイオード１０Ｂと第３段目フォト
ダイオード１０Ｃとを接続する導電性細線２０Ｂの長さ
Ｌ22は４７μｍである。なお、導電性細線２０Ａ及び２
０Ｂの幅及び厚さは、第１の実施例の場合と同一であ
る。
第１の実施例の場合と同様に４μｍ、長さＬpinは３μ
ｍである。第１段目フォトダイオード１０Ａと第２段目
フォトダイオード１０Ｂとの間隔Ｌgap1は６４μｍ、第
２段目フォトダイオード１０Ｂと第３段目フォトダイオ
ード１０Ｃとの間隔Ｌgap2は４７μｍである。第１段目
フォトダイオード１０Ａと第２段目フォトダイオード１
０Ｂとを接続する導電性細線２０Ａの長さＬ21は５４μ
ｍ、第２段目フォトダイオード１０Ｂと第３段目フォト
ダイオード１０Ｃとを接続する導電性細線２０Ｂの長さ
Ｌ22は４７μｍである。なお、導電性細線２０Ａ及び２
０Ｂの幅及び厚さは、第１の実施例の場合と同一であ
る。
【００７７】受光層３の厚さが変わることにより、図３
に示した等価回路のキャパシタンスＣが変化する。キャ
パシタンスＣが変化しても、上述の式（２）及び（５）
が満たされるように、導電性細線２０の長さ及びフォト
ダイオード１０の間隔が調節されている。
に示した等価回路のキャパシタンスＣが変化する。キャ
パシタンスＣが変化しても、上述の式（２）及び（５）
が満たされるように、導電性細線２０の長さ及びフォト
ダイオード１０の間隔が調節されている。
【００７８】前段の受光層が後段の受光層よりも薄くさ
れているため、光吸収量を平準化することができる。こ
のため、特定のフォトダイオードに過度の光電流が流れ
ることを防止することができる。
れているため、光吸収量を平準化することができる。こ
のため、特定のフォトダイオードに過度の光電流が流れ
ることを防止することができる。
【００７９】次に、第２の実施例による半導体受光装置
の製造方法について説明する。第１の実施例の半導体受
光装置の製造方法の図５（Ａ）に示した工程において、
受光層３を、まず、最も薄い第１段目フォトダイオード
１０Ａの受光層３Ａの厚さになるまで全面に成長させ
る。次に、第１段目フォトダイオード１０Ａが配置され
る領域をＳｉＯ2等のマスクで覆い、第１段目フォトダ
イオード１０Ａの受光層３Ａと第２段目フォトダイオー
ド１０Ｂの受光層３Ｂとの厚さの差分だけ受光層を成長
させる。次に、第１段目フォトダイオード１０Ａ及び第
２段目フォトダイオード１０Ｂが配置される領域をマス
クで覆い、第２段目フォトダイオード１０Ｂの受光層３
Ｂと第３段目フォトダイオード１０Ｃの受光層３Ｃとの
厚さの差分だけ受光層を成長させる。その後の工程は、
第１の実施例の半導体受光装置の製造工程と同一であ
る。
の製造方法について説明する。第１の実施例の半導体受
光装置の製造方法の図５（Ａ）に示した工程において、
受光層３を、まず、最も薄い第１段目フォトダイオード
１０Ａの受光層３Ａの厚さになるまで全面に成長させ
る。次に、第１段目フォトダイオード１０Ａが配置され
る領域をＳｉＯ2等のマスクで覆い、第１段目フォトダ
イオード１０Ａの受光層３Ａと第２段目フォトダイオー
ド１０Ｂの受光層３Ｂとの厚さの差分だけ受光層を成長
させる。次に、第１段目フォトダイオード１０Ａ及び第
２段目フォトダイオード１０Ｂが配置される領域をマス
クで覆い、第２段目フォトダイオード１０Ｂの受光層３
Ｂと第３段目フォトダイオード１０Ｃの受光層３Ｃとの
厚さの差分だけ受光層を成長させる。その後の工程は、
第１の実施例の半導体受光装置の製造工程と同一であ
る。
【００８０】図１２は、第３の実施例による半導体受光
装置の光電変換部の断面図を示す。第１段目、第２段
目、及び第３段目フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの長
さＬpi n1〜Ｌpin3が、それぞれ１．５μｍ、２．０μ
ｍ、及び３．０μｍに設定されている。すなわち、光信
号が進行するに従って、通過する受光層が徐々に長くさ
れており、前段の受光層が後段の受光層よりも短い。受
光層が短いと、光吸収量が少なくなる。
装置の光電変換部の断面図を示す。第１段目、第２段
目、及び第３段目フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの長
さＬpi n1〜Ｌpin3が、それぞれ１．５μｍ、２．０μ
ｍ、及び３．０μｍに設定されている。すなわち、光信
号が進行するに従って、通過する受光層が徐々に長くさ
れており、前段の受光層が後段の受光層よりも短い。受
光層が短いと、光吸収量が少なくなる。
【００８１】フォトダイオード１０Ａ〜１０Ｃの幅は、
第１の実施例の場合と同様に４μｍ、受光層３Ａ〜３Ｃ
の厚さは０．１５μｍである。第１段目フォトダイオー
ド１０Ａと第２段目フォトダイオード１０Ｂとの間隔Ｌ
gap1は２３μｍ、第２段目フォトダイオード１０Ｂと第
３段目フォトダイオード１０Ｃとの間隔Ｌgap2は４１μ
ｍである。
第１の実施例の場合と同様に４μｍ、受光層３Ａ〜３Ｃ
の厚さは０．１５μｍである。第１段目フォトダイオー
ド１０Ａと第２段目フォトダイオード１０Ｂとの間隔Ｌ
gap1は２３μｍ、第２段目フォトダイオード１０Ｂと第
３段目フォトダイオード１０Ｃとの間隔Ｌgap2は４１μ
ｍである。
【００８２】第１段目フォトダイオード１０Ａと第２段
目フォトダイオード１０Ｂとを接続する導電性細線２０
Ａは、フォトダイオード１０Ａ及び１０Ｂとの接続部分
において高さＨ31だけ立ち上がっている。導電性細線２
０Ａの横方向の長さＬ31は２０μｍ、立ち上がり部の長
さＨ31は５μｍである。すなわち、導電性細線２０Ａの
全長は、３０μｍである。第２段目フォトダイオード１
０Ｂと第３段目フォトダイオード１０Ｃとを接続する導
電性細線２０Ｂの長さＬ32は３９μｍである。なお、導
電性細線２０Ａ及び２０Ｂの幅及び厚さは、第１の実施
例の場合と同一である。
目フォトダイオード１０Ｂとを接続する導電性細線２０
Ａは、フォトダイオード１０Ａ及び１０Ｂとの接続部分
において高さＨ31だけ立ち上がっている。導電性細線２
０Ａの横方向の長さＬ31は２０μｍ、立ち上がり部の長
さＨ31は５μｍである。すなわち、導電性細線２０Ａの
全長は、３０μｍである。第２段目フォトダイオード１
０Ｂと第３段目フォトダイオード１０Ｃとを接続する導
電性細線２０Ｂの長さＬ32は３９μｍである。なお、導
電性細線２０Ａ及び２０Ｂの幅及び厚さは、第１の実施
例の場合と同一である。
【００８３】受光層３の長さが変わることにより、図３
に示した等価回路のキャパシタンスＣが変化する。キャ
パシタンスＣが変化しても、上述の式（２）及び（５）
が満たされるように、導電性細線２０の長さ及びフォト
ダイオード１０の間隔が調節されている。
に示した等価回路のキャパシタンスＣが変化する。キャ
パシタンスＣが変化しても、上述の式（２）及び（５）
が満たされるように、導電性細線２０の長さ及びフォト
ダイオード１０の間隔が調節されている。
【００８４】前段の受光層が後段の受光層よりも短くさ
れているため、光吸収量を平準化することができる。こ
のため、特定のフォトダイオードに過度の光電流が流れ
ることを防止することができる。
れているため、光吸収量を平準化することができる。こ
のため、特定のフォトダイオードに過度の光電流が流れ
ることを防止することができる。
【００８５】次に、第２の実施例による半導体受光装置
の製造方法について説明する。導電性細線以外の部分
は、第１の実施例の半導体受光装置の製造方法と同様の
工程を経て形成される。フォトダイオード１０Ａ及び１
０Ｂとの接続部から立ち上がった導電性細線２０Ａは、
金メッキを施す前に、導電性細線２０Ａが配置される部
分にさらに、厚さＨ31のレジストパターンを配置してお
くことにより形成することができる。
の製造方法について説明する。導電性細線以外の部分
は、第１の実施例の半導体受光装置の製造方法と同様の
工程を経て形成される。フォトダイオード１０Ａ及び１
０Ｂとの接続部から立ち上がった導電性細線２０Ａは、
金メッキを施す前に、導電性細線２０Ａが配置される部
分にさらに、厚さＨ31のレジストパターンを配置してお
くことにより形成することができる。
【００８６】図１３は、第４の実施例による半導体受光
装置の光電変換部分の平面図を示す。第１段目フォトダ
イオード１０Ａの幅Ｗ1が３μｍ、第２段目フォトダイ
オード１０Ｂの幅Ｗ2が５μｍ、第３段目フォトダイオ
ード１０Ｃの幅Ｗ3が１０μｍに設定されている。第１
段目フォトダイオード１０Ａと第２段目フォトダイオー
ド１０Ｂとの間隔Ｌgap1は１５μｍ、第２段目フォトダ
イオード１０Ｂと第３段目フォトダイオード１０Ｃとの
間隔Ｌgap2は２０μｍである。
装置の光電変換部分の平面図を示す。第１段目フォトダ
イオード１０Ａの幅Ｗ1が３μｍ、第２段目フォトダイ
オード１０Ｂの幅Ｗ2が５μｍ、第３段目フォトダイオ
ード１０Ｃの幅Ｗ3が１０μｍに設定されている。第１
段目フォトダイオード１０Ａと第２段目フォトダイオー
ド１０Ｂとの間隔Ｌgap1は１５μｍ、第２段目フォトダ
イオード１０Ｂと第３段目フォトダイオード１０Ｃとの
間隔Ｌgap2は２０μｍである。
【００８７】フォトダイオード間を接続する接続用光導
波路１１Ｂ及び１１Ｃは、フォトダイオード１０Ａ〜１
０Ｃの幅に整合するように、後段に進むに従って徐々に
広がっている。その他の構成は、第１の実施例の半導体
受光装置の構成と同一である。
波路１１Ｂ及び１１Ｃは、フォトダイオード１０Ａ〜１
０Ｃの幅に整合するように、後段に進むに従って徐々に
広がっている。その他の構成は、第１の実施例の半導体
受光装置の構成と同一である。
【００８８】前段の受光層が後段の受光層よりも狭くさ
れているため、光吸収量を平準化することができる。こ
のため、特定のフォトダイオードに過度の光電流が流れ
ることを防止することができる。
れているため、光吸収量を平準化することができる。こ
のため、特定のフォトダイオードに過度の光電流が流れ
ることを防止することができる。
【００８９】次に、図１４を参照して、第５の実施例に
よる半導体受光装置について説明する。
よる半導体受光装置について説明する。
【００９０】図１４は、第５の実施例による半導体受光
装置の断面図を示す。第１の実施例では、図１（Ａ）に
示したように、ｎ型層２の上に、光導波路１１Ａ〜１１
Ｃ及び受光層３が直接形成されていた。第５の実施例で
は、ｎ型層２の上に、下側光導波路１４が形成され、そ
の上に、光導波路１１Ａ〜１１Ｃ及び受光層３が形成さ
れている。その他の構成は、第１の実施例の場合と同様
である。下側光導波路１４は、ｎ型のＩｎＰで形成され
る。
装置の断面図を示す。第１の実施例では、図１（Ａ）に
示したように、ｎ型層２の上に、光導波路１１Ａ〜１１
Ｃ及び受光層３が直接形成されていた。第５の実施例で
は、ｎ型層２の上に、下側光導波路１４が形成され、そ
の上に、光導波路１１Ａ〜１１Ｃ及び受光層３が形成さ
れている。その他の構成は、第１の実施例の場合と同様
である。下側光導波路１４は、ｎ型のＩｎＰで形成され
る。
【００９１】下側光導波路１４を配置することにより、
光導波路と受光層とのバットカップリング部における損
失を低減することができる。
光導波路と受光層とのバットカップリング部における損
失を低減することができる。
【００９２】上記第１〜第５の実施例では、３個のフォ
トダイオード１０Ａ〜１０Ｃを配列させたが、フォトダ
イオードの数を２個にしてもよいし、４個以上にしても
よい。また、上記実施例では、導電性細線２０を空中に
支持したが、基板上に形成した絶縁膜の表面上に配置し
てもよい。
トダイオード１０Ａ〜１０Ｃを配列させたが、フォトダ
イオードの数を２個にしてもよいし、４個以上にしても
よい。また、上記実施例では、導電性細線２０を空中に
支持したが、基板上に形成した絶縁膜の表面上に配置し
てもよい。
【００９３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００９４】上述の実施例から、以下の付記に示された
発明が導出される。 （付記１） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々が
入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体
素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素
子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子を前段から
後段に向かって順番に通過するように配置された接続用
光導波路と、前記半導体素子の各々に接続された一対の
導体で構成され、前記半導体素子で発生した電気信号を
伝搬させる電気信号伝送路であって、一方の第１の導体
が、相互に隣り合う前記半導体素子の間において、前記
支持基板の上方の空中に支持されている該電気信号伝送
路とを有する半導体受光装置。 （付記２） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前段
から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電気
信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合してい
る付記１に記載の半導体受光装置。 （付記３） 前記半導体素子と前記接続用光導波路とが
バットカップリングしている付記１または２に記載の半
導体受光装置。 （付記４） 前記半導体素子が、ｐ型領域、ｎ型領域、
及び該ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を含む
ｐｉｎ型フォトダイオードであり、前記電気信号伝送路
の他方の第２の導体が、前記支持基板の表面に密着する
ように形成され、平坦な上面を画定し、前記半導体素子
のｐ型領域及びｎ型領域の一方を兼ね、前記接続用光導
波路及び前記半導体素子の受光領域が、前記第２の導体
の上面の上に配置されている付記１〜３のいずれかに記
載の半導体受光装置。 （付記５） 前記半導体素子が、ｐ型領域、ｎ型領域、
及び該ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を含む
ｐｉｎ型フォトダイオードであり、前記電気信号伝送路
の他方の第２の導体が、前記支持基板の表面に密着する
ように形成され、平坦な上面を画定し、前記半導体素子
のｐ型領域及びｎ型領域の一方を兼ね、さらに、前記第
２の導体の表面上に形成され、該第２の導体と同一導電
型の半導体からなる下側光導波路を有し、前記接続用光
導波路及び前記半導体素子の受光領域が、前記下側光導
波路の上に配置されている付記１〜３のいずれかに記載
の半導体受光装置。 （付記６） さらに、前記複数の半導体素子のうち最も
前段の前記半導体素子に光学的に結合し、該半導体素子
に近づくに従って徐々に厚くなっている導入用光導波路
を有する付記１〜５のいずれかに記載の半導体受光装
置。 （付記７） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々が
入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体
素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該ｐ
型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半導
体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う
素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光領
域を、前段から後段に向かって順番に通過するように配
置された接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に接
続された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発生
した電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有し、後
段の前記半導体素子の受光領域が、前段の前記半導体素
子の受光領域よりも厚くなっている半導体受光装置。 （付記８） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前段
から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電気
信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合してい
る付記７に記載の半導体受光装置。 （付記９） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々が
入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体
素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該ｐ
型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半導
体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う
素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光領
域を、前段から後段に向かって順番に通過するように配
置された接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に接
続された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発生
した電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有し、後
段の前記半導体素子の受光領域が、前段の前記半導体素
子の受光領域よりも長くなっている半導体受光装置。 （付記１０） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前
段から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電
気信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合して
いる付記９に記載の半導体受光装置。 （付記１１） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該
ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半
導体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合
う素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光
領域を、前段から後段に向かって順番に通過するように
配置された接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に
接続された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発
生した電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有し、
後段の前記半導体素子の受光領域の幅が、前段の前記半
導体素子の受光領域の幅よりも広くなっている半導体受
光装置。 （付記１２） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前
段から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電
気信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合して
いる付記１１に記載の半導体受光装置。 （付記１３） 支持基板の表面上に形成され、第１導電
型の半導体からなる第１の導電層と、前記第１の導電層
の表面上に一列に配列し、各々が受光層と、前記第１導
電型と反対の第２導電型の半導体からなる第２の導電層
との積層構造を含み、受光層に光信号が導入されると、
前記第１の導電層と該第２の導電層との間に電気信号を
発生する複数の積層構造体と、前記第１の導電層の上に
配置され、相互に隣り合う前記積層構造体の受光層同士
を光学的に結合させる接続用光導波路と、前記複数の積
層構造体の該第２の導電層を順番に接続し、発生した電
気号を伝搬させる導電性細線とを有する半導体受光装
置。 （付記１４） さらに、前記第１の導電層の上に、該第
１の導電層と同一導電型の下側光導波路が形成されてお
り、前記接続用光導波路及び前記積層構造体が、前記下
側光導波路の上に配置されている付記１３に記載の半導
体受光装置。 （付記１５） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う
素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子を前段か
ら後段に向かって順番に通過するように配置され、該半
導体素子にバットカップリングする接続用光導波路と、
前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路とを有する半導体受光装置。
発明が導出される。 （付記１） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々が
入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体
素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素
子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子を前段から
後段に向かって順番に通過するように配置された接続用
光導波路と、前記半導体素子の各々に接続された一対の
導体で構成され、前記半導体素子で発生した電気信号を
伝搬させる電気信号伝送路であって、一方の第１の導体
が、相互に隣り合う前記半導体素子の間において、前記
支持基板の上方の空中に支持されている該電気信号伝送
路とを有する半導体受光装置。 （付記２） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前段
から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電気
信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合してい
る付記１に記載の半導体受光装置。 （付記３） 前記半導体素子と前記接続用光導波路とが
バットカップリングしている付記１または２に記載の半
導体受光装置。 （付記４） 前記半導体素子が、ｐ型領域、ｎ型領域、
及び該ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を含む
ｐｉｎ型フォトダイオードであり、前記電気信号伝送路
の他方の第２の導体が、前記支持基板の表面に密着する
ように形成され、平坦な上面を画定し、前記半導体素子
のｐ型領域及びｎ型領域の一方を兼ね、前記接続用光導
波路及び前記半導体素子の受光領域が、前記第２の導体
の上面の上に配置されている付記１〜３のいずれかに記
載の半導体受光装置。 （付記５） 前記半導体素子が、ｐ型領域、ｎ型領域、
及び該ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を含む
ｐｉｎ型フォトダイオードであり、前記電気信号伝送路
の他方の第２の導体が、前記支持基板の表面に密着する
ように形成され、平坦な上面を画定し、前記半導体素子
のｐ型領域及びｎ型領域の一方を兼ね、さらに、前記第
２の導体の表面上に形成され、該第２の導体と同一導電
型の半導体からなる下側光導波路を有し、前記接続用光
導波路及び前記半導体素子の受光領域が、前記下側光導
波路の上に配置されている付記１〜３のいずれかに記載
の半導体受光装置。 （付記６） さらに、前記複数の半導体素子のうち最も
前段の前記半導体素子に光学的に結合し、該半導体素子
に近づくに従って徐々に厚くなっている導入用光導波路
を有する付記１〜５のいずれかに記載の半導体受光装
置。 （付記７） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々が
入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体
素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該ｐ
型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半導
体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う
素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光領
域を、前段から後段に向かって順番に通過するように配
置された接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に接
続された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発生
した電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有し、後
段の前記半導体素子の受光領域が、前段の前記半導体素
子の受光領域よりも厚くなっている半導体受光装置。 （付記８） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前段
から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電気
信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合してい
る付記７に記載の半導体受光装置。 （付記９） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々が
入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導体
素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該ｐ
型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半導
体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う
素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光領
域を、前段から後段に向かって順番に通過するように配
置された接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に接
続された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発生
した電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有し、後
段の前記半導体素子の受光領域が、前段の前記半導体素
子の受光領域よりも長くなっている半導体受光装置。 （付記１０） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前
段から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電
気信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合して
いる付記９に記載の半導体受光装置。 （付記１１） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該
ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半
導体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合
う素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光
領域を、前段から後段に向かって順番に通過するように
配置された接続用光導波路と、前記半導体素子の各々に
接続された一対の導体で構成され、前記半導体素子で発
生した電気信号を伝搬させる電気信号伝送路とを有し、
後段の前記半導体素子の受光領域の幅が、前段の前記半
導体素子の受光領域の幅よりも広くなっている半導体受
光装置。 （付記１２） 前記接続用光導波路及び半導体素子を前
段から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電
気信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合して
いる付記１１に記載の半導体受光装置。 （付記１３） 支持基板の表面上に形成され、第１導電
型の半導体からなる第１の導電層と、前記第１の導電層
の表面上に一列に配列し、各々が受光層と、前記第１導
電型と反対の第２導電型の半導体からなる第２の導電層
との積層構造を含み、受光層に光信号が導入されると、
前記第１の導電層と該第２の導電層との間に電気信号を
発生する複数の積層構造体と、前記第１の導電層の上に
配置され、相互に隣り合う前記積層構造体の受光層同士
を光学的に結合させる接続用光導波路と、前記複数の積
層構造体の該第２の導電層を順番に接続し、発生した電
気号を伝搬させる導電性細線とを有する半導体受光装
置。 （付記１４） さらに、前記第１の導電層の上に、該第
１の導電層と同一導電型の下側光導波路が形成されてお
り、前記接続用光導波路及び前記積層構造体が、前記下
側光導波路の上に配置されている付記１３に記載の半導
体受光装置。 （付記１５） 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う
素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子を前段か
ら後段に向かって順番に通過するように配置され、該半
導体素子にバットカップリングする接続用光導波路と、
前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路とを有する半導体受光装置。
【００９５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の光電変換用半導体素子を一列に配列させ、各半導
体素子とバットカップリングする光導波路で、半導体素
子間を接続している。これにより、結合効率を高めるこ
とができる。また、所定のインダクタンスの導電性細線
で半導体素子を順番に接続することにより、導電性細線
で構成された伝送路の特性インピーダンスを５０Ωに
し、後段の電気回路とインピーダンスを整合させること
ができる。伝送路を伝搬する電気信号の速度を、一列に
配列した半導体素子を順番に伝搬する光信号の伝搬速度
に整合させることにより、周波数が高くなっても高い光
電変換効率を維持することができる。
複数の光電変換用半導体素子を一列に配列させ、各半導
体素子とバットカップリングする光導波路で、半導体素
子間を接続している。これにより、結合効率を高めるこ
とができる。また、所定のインダクタンスの導電性細線
で半導体素子を順番に接続することにより、導電性細線
で構成された伝送路の特性インピーダンスを５０Ωに
し、後段の電気回路とインピーダンスを整合させること
ができる。伝送路を伝搬する電気信号の速度を、一列に
配列した半導体素子を順番に伝搬する光信号の伝搬速度
に整合させることにより、周波数が高くなっても高い光
電変換効率を維持することができる。
【図１】 第１の実施例による半導体受光装置の断面図
及び平面図である。
及び平面図である。
【図２】 第１の実施例による半導体受光装置の光電変
換部の断面図である。
換部の断面図である。
【図３】 第１の実施例による半導体受光装置の光電変
換部の等価回路図である。
換部の等価回路図である。
【図４】 光電変換素子と内部量子効率との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】 第１の実施例による半導体受光装置の製造方
法を説明するための断面図及び平面図（その１）であ
る。
法を説明するための断面図及び平面図（その１）であ
る。
【図６】 第１の実施例による半導体受光装置の製造方
法を説明するための断面図及び平面図（その２）であ
る。
法を説明するための断面図及び平面図（その２）であ
る。
【図７】 第１の実施例による半導体受光装置の製造方
法を説明するための断面図（その３）である。
法を説明するための断面図（その３）である。
【図８】 第１の実施例による半導体受光装置の製造方
法を説明するための断面図（その４）である。
法を説明するための断面図（その４）である。
【図９】 第１の実施例による半導体受光装置の製造方
法を説明するための断面図（その５）である。
法を説明するための断面図（その５）である。
【図１０】 第１の実施例による半導体受光装置の製造
方法を説明するための断面図（その６）である。
方法を説明するための断面図（その６）である。
【図１１】 第２の実施例による半導体受光装置の光電
変換部の断面図である。
変換部の断面図である。
【図１２】 第３の実施例による半導体受光装置の光電
変換部の断面図である。
変換部の断面図である。
【図１３】 第４の実施例による半導体受光装置の光電
変換部の平面図である。
変換部の平面図である。
【図１４】 第５の実施例による半導体受光装置の断面
図である。
図である。
【図１５】 第１の従来例による半導体受光装置の斜視
図及び断面図である。
図及び断面図である。
【図１６】 第２の従来例による半導体受光装置の平面
図及び断面図である。
図及び断面図である。
【図１７】 第３の従来例による半導体受光装置の斜視
図及び断面図である。
図及び断面図である。
【図１８】 フォトダイオードの長さと静電容量との関
係を示すグラフ、及びフォトダイオードの長さと内部量
子効率との関係を示すグラフである。
係を示すグラフ、及びフォトダイオードの長さと内部量
子効率との関係を示すグラフである。
１ 半導体基板
２ ｎ型層
３ 受光層
４ ｐ型層
５ キャップ層
６、７、１７ マスクパターン
１０Ａ〜１０Ｃ フォトダイオード
１１Ａ テーパ状光導波路
１１Ｂ、１１Ｃ 光導波路
１２ クラッド層
１４ 下側光導波路
１５ 被覆層
１６、３０ コンタクト層
２０ 導電性細線
２１、３１ パッド
４０ 後段の電気回路
５０、５３、５７ レジスト膜
５１、５５ 下地金属層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA11 CA36 DA03 DA06
5F049 MA04 MB07 NA03 NB01 PA04
PA14 PA18 PA20 QA08 RA02
RA06 RA10 SE09 SE11
Claims (9)
- 【請求項１】 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子と、 前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学
的に結合させ、光が前記半導体素子を前段から後段に向
かって順番に通過するように配置された接続用光導波路
と、 前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路であって、一方の第１の導体が、相互に隣
り合う前記半導体素子の間において、前記支持基板の上
方の空中に支持されている該電気信号伝送路とを有する
半導体受光装置。 - 【請求項２】 前記接続用光導波路及び半導体素子を前
段から後段に向かって進行する光の伝搬速度が、前記電
気信号伝送路を進行する電気信号の伝搬速度と整合して
いる請求項１に記載の半導体受光装置。 - 【請求項３】 前記半導体素子と前記接続用光導波路と
がバットカップリングしている請求項１または２に記載
の半導体受光装置。 - 【請求項４】 さらに、前記複数の半導体素子のうち最
も前段の前記半導体素子に光学的に結合し、該半導体素
子に近づくに従って徐々に厚くなっている導入用光導波
路を有する請求項１〜３のいずれかに記載の半導体受光
装置。 - 【請求項５】 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該
ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半
導体素子と、 前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学
的に結合させ、光が前記半導体素子の受光領域を、前段
から後段に向かって順番に通過するように配置された接
続用光導波路と、 前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路とを有し、後段の前記半導体素子の受光領
域が、前段の前記半導体素子の受光領域よりも厚くなっ
ている半導体受光装置。 - 【請求項６】 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該
ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半
導体素子と、 前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学
的に結合させ、光が前記半導体素子の受光領域を、前段
から後段に向かって順番に通過するように配置された接
続用光導波路と、 前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路とを有し、後段の前記半導体素子の受光領
域が、前段の前記半導体素子の受光領域よりも長くなっ
ている半導体受光装置。 - 【請求項７】 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子であって、各々が、ｐ型領域、ｎ型領域、及び該
ｐ型領域とｎ型領域とで挟まれた受光領域を有する該半
導体素子と、前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合
う素子を光学的に結合させ、光が前記半導体素子の受光
領域を、前段から後段に向かって順番に通過するように
配置された接続用光導波路と、 前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路とを有し、後段の前記半導体素子の受光領
域の幅が、前段の前記半導体素子の受光領域の幅よりも
広くなっている半導体受光装置。 - 【請求項８】 支持基板の表面上に形成され、第１導電
型の半導体からなる第１の導電層と、 前記第１の導電層の表面上に一列に配列し、各々が受光
層と、前記第１導電型と反対の第２導電型の半導体から
なる第２の導電層との積層構造を含み、受光層に光信号
が導入されると、前記第１の導電層と該第２の導電層と
の間に電気信号を発生する複数の積層構造体と、 前記第１の導電層の上に配置され、相互に隣り合う前記
積層構造体の受光層同士を光学的に結合させる接続用光
導波路と、 前記複数の積層構造体の該第２の導電層を順番に接続
し、発生した電気号を伝搬させる導電性細線とを有する
半導体受光装置。 - 【請求項９】 支持基板の表面上に一列に配列し、各々
が入射光の強度に応じた電気信号を発生する複数の半導
体素子と、 前記複数の半導体素子のうち相互に隣り合う素子を光学
的に結合させ、光が前記半導体素子を前段から後段に向
かって順番に通過するように配置され、該半導体素子に
バットカップリングする接続用光導波路と、 前記半導体素子の各々に接続された一対の導体で構成さ
れ、前記半導体素子で発生した電気信号を伝搬させる電
気信号伝送路とを有する半導体受光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364665A JP2003163363A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体受光装置 |
| US10/106,188 US6906308B2 (en) | 2001-11-29 | 2002-03-27 | Semiconductor light receiving device in which optical and electric signal are propagated at matched velocities |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001364665A JP2003163363A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163363A true JP2003163363A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19174814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001364665A Pending JP2003163363A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 半導体受光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US6906308B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003163363A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191401A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8050351B2 (en) * | 2003-07-02 | 2011-11-01 | Celight, Inc. | Quadrature modulator with feedback control and optical communications system using the same |
| DE102005051571B4 (de) * | 2005-10-21 | 2013-06-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz |
| GB0606540D0 (en) * | 2006-03-31 | 2006-05-10 | Univ London | Photodetector |
| US10585239B2 (en) * | 2018-03-02 | 2020-03-10 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Photodiode device monolithically integrating waveguide element with photodiode element type of optical waveguide |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5054871A (en) * | 1990-07-02 | 1991-10-08 | Bell Communications Research, Inc. | Semiconductor waveguide and impedance-matched detector |
| US5270532A (en) | 1992-06-15 | 1993-12-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Traveling-wave photodetector |
| US5404006A (en) * | 1993-02-22 | 1995-04-04 | Hughes Aircraft Company | High power capacity optical receiver apparatus and method employing distributed photodetectors |
| US5572014A (en) | 1994-07-14 | 1996-11-05 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient, ultrafast optical-to-electrical converter and method of operating the same |
| DE19626130A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Sel Alcatel Ag | Optisches Halbleiterbauelement mit tiefem Rippenwellenleiter |
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| US6528776B1 (en) * | 1999-11-19 | 2003-03-04 | New Focus, Inc. | Electro optic converter having a passive waveguide and exhibiting impedance mismatch |
| US6310700B1 (en) * | 2000-09-15 | 2001-10-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Velocity matching electrode structure for electro-optic modulators |
-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001364665A patent/JP2003163363A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-27 US US10/106,188 patent/US6906308B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191401A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
| US8710614B2 (en) | 2011-03-20 | 2014-04-29 | Fujitsu Limited | Light receiving element with offset absorbing layer |
| US8860164B2 (en) | 2011-03-20 | 2014-10-14 | Fujitsu Limited | Light receiving device |
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|---|---|
| US20030098408A1 (en) | 2003-05-29 |
| US6906308B2 (en) | 2005-06-14 |
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