JP2833615B2 - 光半導体集積素子 - Google Patents
光半導体集積素子Info
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- JP2833615B2 JP2833615B2 JP2445696A JP2445696A JP2833615B2 JP 2833615 B2 JP2833615 B2 JP 2833615B2 JP 2445696 A JP2445696 A JP 2445696A JP 2445696 A JP2445696 A JP 2445696A JP 2833615 B2 JP2833615 B2 JP 2833615B2
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- waveguide
- optical
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- optical waveguide
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体集積素子に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】将来のビデオ−オン−ディマンド（ＶＯ
Ｄ）システムなどのマルチメディアシステムに欠くこと
の出来ない技術として、双方向光通信技術が注目されて
いる。この通信技術は従来の一方通行型の光通信と異な
り、一つの光端末が送信、受信両方の機能を合わせ持つ
特徴を有する。この様な光端末に用いる送受信光デバイ
スとして、レーザーダイオード（以下ＬＤ）、フォトダ
イオード（以下ＰＤ）等を石英系導波路と組みあわせた
モジュールなどが開発されている。
Ｄ）システムなどのマルチメディアシステムに欠くこと
の出来ない技術として、双方向光通信技術が注目されて
いる。この通信技術は従来の一方通行型の光通信と異な
り、一つの光端末が送信、受信両方の機能を合わせ持つ
特徴を有する。この様な光端末に用いる送受信光デバイ
スとして、レーザーダイオード（以下ＬＤ）、フォトダ
イオード（以下ＰＤ）等を石英系導波路と組みあわせた
モジュールなどが開発されている。
【０００３】このような送受信光モジュールの一例とし
て、“１９９３年電子情報通信学会秋季大会予稿集Ｃ−
１５８”に報告された例を図１１に示す。このモジュー
ルは１．３μｍ帯と１．５５μｍ帯の信号光を分波、受
信し、１．３μｍ帯の信号光を送信する機能を有する。
入出射端から１．３μｍ帯と１．５５μｍ帯の両方の信
号光が入射され、まず方向性結合器においてこれらが分
波される。１．３μｍ帯の信号光は石英系導波路により
１．３μｍ帯ＰＤへと導かれ、ここで光電変換され、電
気信号が取り出される。一方１．５５μｍ帯信号光は
１．５５μｍ帯信号光出射端からいったん出射された
後、光ファイバを介して外部におかれた１．５５μｍ帯
ＰＤに入射され、光電変換され、電気信号が取り出され
る。また、１．３μｍ帯ＬＤから出射された信号光は石
英系導波路に入射され、入出射端から出射される。
て、“１９９３年電子情報通信学会秋季大会予稿集Ｃ−
１５８”に報告された例を図１１に示す。このモジュー
ルは１．３μｍ帯と１．５５μｍ帯の信号光を分波、受
信し、１．３μｍ帯の信号光を送信する機能を有する。
入出射端から１．３μｍ帯と１．５５μｍ帯の両方の信
号光が入射され、まず方向性結合器においてこれらが分
波される。１．３μｍ帯の信号光は石英系導波路により
１．３μｍ帯ＰＤへと導かれ、ここで光電変換され、電
気信号が取り出される。一方１．５５μｍ帯信号光は
１．５５μｍ帯信号光出射端からいったん出射された
後、光ファイバを介して外部におかれた１．５５μｍ帯
ＰＤに入射され、光電変換され、電気信号が取り出され
る。また、１．３μｍ帯ＬＤから出射された信号光は石
英系導波路に入射され、入出射端から出射される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のような石英系導
波路を用いたモジュールでは、モジュールを構成する部
品数が多く、また、それぞれの光接続点に於いて高精度
なアラインメントが必要であるため、モジュール組立コ
ストが上昇するという欠点があった。
波路を用いたモジュールでは、モジュールを構成する部
品数が多く、また、それぞれの光接続点に於いて高精度
なアラインメントが必要であるため、モジュール組立コ
ストが上昇するという欠点があった。
【０００５】また、モジュールを構成する部品の内、特
に方向性結合器と石英系導波路の部分のサイズがセンチ
メートルオーダーであり、大型なので、部品数の多さと
も相まってモジュール全体のサイズの小型化が難しいと
いう欠点があった。
に方向性結合器と石英系導波路の部分のサイズがセンチ
メートルオーダーであり、大型なので、部品数の多さと
も相まってモジュール全体のサイズの小型化が難しいと
いう欠点があった。
【０００６】そこで、本発明は、前記従来の技術の欠点
を改良し、複数の異なる波長を用いた双方向光通信モジ
ュールのための光半導体集積素子において、その製作コ
ストが低廉で、素子が小型で、かつ入射光に対する受信
効率を低下させない構造を提供しようとするものであ
る。
を改良し、複数の異なる波長を用いた双方向光通信モジ
ュールのための光半導体集積素子において、その製作コ
ストが低廉で、素子が小型で、かつ入射光に対する受信
効率を低下させない構造を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するため、次の手段を採用する。
決するため、次の手段を採用する。
【０００８】（１）半導体基板上に、１本の光導波路を
２本の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分
岐光導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続された
レーザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオード
と、前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の
導波路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導
波路型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第
一、第二の出射光導波路が少なくとも集積され、前記第
一、第二の出射光導波路にそれぞれ接続された第一、第
二の出射端を備えた光半導体集積素子。
２本の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分
岐光導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続された
レーザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオード
と、前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の
導波路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導
波路型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第
一、第二の出射光導波路が少なくとも集積され、前記第
一、第二の出射光導波路にそれぞれ接続された第一、第
二の出射端を備えた光半導体集積素子。
【０００９】（２）前記レーザーダイオードの活性層
と、前記第一、第二の導波路型フォトダイオードの光吸
収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の出射光
導波路のコア層が一括して形成され、かつ各々を接続す
る領域においても光伝搬方向に連続して形成されている
前記（１）記載の光半導体集積素子。
と、前記第一、第二の導波路型フォトダイオードの光吸
収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の出射光
導波路のコア層が一括して形成され、かつ各々を接続す
る領域においても光伝搬方向に連続して形成されている
前記（１）記載の光半導体集積素子。
【００１０】（３）半導体基板上に、１本の光導波路を
２本の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分
岐光導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続された
レーザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオード
と、前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の
導波路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導
波路型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第
一、第二の出射光導波路と、前記第一、第二の出射光導
波路が両方接続された第三の導波路型フォトダイオード
が少なくとも集積され、前記第三の導波路型フォトダイ
オードの吸収端波長が、前記第一、第二の導波路型フォ
トダイオードの吸収端波長のいずれよりも長波長である
光半導体集積素子。
２本の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分
岐光導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続された
レーザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオード
と、前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の
導波路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導
波路型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第
一、第二の出射光導波路と、前記第一、第二の出射光導
波路が両方接続された第三の導波路型フォトダイオード
が少なくとも集積され、前記第三の導波路型フォトダイ
オードの吸収端波長が、前記第一、第二の導波路型フォ
トダイオードの吸収端波長のいずれよりも長波長である
光半導体集積素子。
【００１１】（４）前記レーザーダイオードの活性層
と、前記第一、第二の導波路型フォトダイオードの光吸
収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の出射光
導波路のコア層が一括した形成され、かつ各々を接続す
る領域においても光伝搬方向に連続して形成されている
前記（３）記載の光半導体集積素子。
と、前記第一、第二の導波路型フォトダイオードの光吸
収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の出射光
導波路のコア層が一括した形成され、かつ各々を接続す
る領域においても光伝搬方向に連続して形成されている
前記（３）記載の光半導体集積素子。
【００１２】（５）半導体基板上に、１本の光導波路を
２本の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分
岐光導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続された
レーザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオード
と、前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の
導波路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導
波路型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第
一、第二の出射光導波路と、前記第一、第二の出射光導
波路に各々接続された第三、第四の導波路型フォトダイ
オードが集積され、前記第三、第四の導波路型フォトダ
イオードの吸収端波長が、前記第一、第二の導波路型フ
ォトダイオードの吸収端波長のいずれよりも長波長であ
り、かつ前記第三、第四の導波路型フォトダイオードは
ｐ電極同士、ｎ電極同士が各々接続されている光半導体
集積素子。
２本の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分
岐光導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続された
レーザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオード
と、前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の
導波路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導
波路型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第
一、第二の出射光導波路と、前記第一、第二の出射光導
波路に各々接続された第三、第四の導波路型フォトダイ
オードが集積され、前記第三、第四の導波路型フォトダ
イオードの吸収端波長が、前記第一、第二の導波路型フ
ォトダイオードの吸収端波長のいずれよりも長波長であ
り、かつ前記第三、第四の導波路型フォトダイオードは
ｐ電極同士、ｎ電極同士が各々接続されている光半導体
集積素子。
【００１３】（６）前記レーザーダイオードの活性層
と、前記第一、第二、第三、第四の導波路型フォトダイ
オードの光吸収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、
第二の出射光導波路のコア層が一括して形成され、かつ
各々を接続する領域においても光伝搬方向に連続して形
成されている前記（５）記載の光半導体集積素子。
と、前記第一、第二、第三、第四の導波路型フォトダイ
オードの光吸収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、
第二の出射光導波路のコア層が一括して形成され、かつ
各々を接続する領域においても光伝搬方向に連続して形
成されている前記（５）記載の光半導体集積素子。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態については、
実施例の項で３つの実施例を挙げて述べることとする。
実施例の項で３つの実施例を挙げて述べることとする。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明による光半導体集積素子の、
第一実施例の外観図である。まず、素子全体の構成を説
明する。この素子は、１．３μｍ帯分布帰還型ＬＤ（以
下、ＤＦＢ−ＬＤ）、モニターＰＤ、１．３μｍ帯Ｐ
Ｄ、Ｙ分岐光導波路、二つの出射光導波路をその構成要
素とし、後述のようにこれらは全て同一の半導体基板上
にモノリシックに集積化されている。そしてこの素子は
１．３μｍ帯と１．５５μｍ帯の信号光を分波、受信
し、１．３μｍ帯の信号光を送信する機能を有する。入
出射端から入射された１．３μｍ帯の信号光はＹ分岐光
導波路を経て１．３μｍ帯ＰＤへ導かれ、そこで光電変
換され、電気信号が取り出される。この時１．３μｍ帯
信号光は、１．３μｍ帯ＰＤにおいて十分減衰され、そ
の後端に接続された１．５５μｍ帯信号光出射端からは
出射されない。また、Ｙ分岐光導波路の他方の分岐先で
あるＤＦＢ−ＬＤへと導かれた１．３μｍ帯信号光もＤ
ＦＢ−ＬＤで十分減衰されるため、その後端に接続され
た１．５５μｍ帯信号光出射端からは出射されない。一
方１．５５μｍ帯信号光は、入出射端から入射された
後、Ｙ分岐光導波路で分岐され、一方は１．３μｍ帯Ｄ
ＦＢ−ＬＤと導波路型モニターＰＤを通って、他方は
１．３μｍ帯ＰＤを通って２つの１．５５μｍ帯信号光
出射端から各々出力される。この時、１．３μｍ帯ＤＦ
Ｂ−ＬＤの活性層、導波路型モニターＰＤ、１．３μｍ
帯ＰＤの光吸収層の吸収端波長は１．３５μｍであり、
１．５５μｍより十分短波長であるので１．５５μｍ帯
信号光は吸収損失をほとんど受けない。そして１．５５
μｍ帯信号光は、外部におかれた１つのＰＤに同時に入
射され、電気信号が取り出される。この時、２つの１．
５５μｍ帯信号光出射端間の距離は、外部ＰＤ内での
１．５５μｍ帯光に対する実効吸収長よりも十分大きく
なるよう設計する。この時用いる外部ＰＤとしては、そ
の受光径、あるいはレンズなどの光学系により拡大され
たその有効受光径が前述の２つの１．５５μｍ帯信号光
出射端の間隔よりも広い面入射型ｐｉｎ−ＰＤ、または
アバランシェＰＤ、あるいはその導波路幅が前述の２つ
の１．５５μｍ帯信号光出射端の間隔よりも広い導波路
型ＰＤなどを用いることができる。また、１．３μｍ帯
ＤＦＢ−ＬＤからＹ分岐光導波路側に出射された信号光
はＹ分岐光導波路を通って入出射端から出射され、一
方、モニターＰＤ側に出射された信号光はモニターＰＤ
で光電変換され、モニター信号として取り出される。こ
の時、モニターＰＤの素子長は、１．３μｍ光に対する
実効吸収長よりも十分長く設計されており、１．３μｍ
帯のＤＦＢ−ＬＤからの１．３μｍ帯信号光は全てモニ
ターＰＤで吸収され、１．５５μｍ帯信号光出射端から
は出射されない。
第一実施例の外観図である。まず、素子全体の構成を説
明する。この素子は、１．３μｍ帯分布帰還型ＬＤ（以
下、ＤＦＢ−ＬＤ）、モニターＰＤ、１．３μｍ帯Ｐ
Ｄ、Ｙ分岐光導波路、二つの出射光導波路をその構成要
素とし、後述のようにこれらは全て同一の半導体基板上
にモノリシックに集積化されている。そしてこの素子は
１．３μｍ帯と１．５５μｍ帯の信号光を分波、受信
し、１．３μｍ帯の信号光を送信する機能を有する。入
出射端から入射された１．３μｍ帯の信号光はＹ分岐光
導波路を経て１．３μｍ帯ＰＤへ導かれ、そこで光電変
換され、電気信号が取り出される。この時１．３μｍ帯
信号光は、１．３μｍ帯ＰＤにおいて十分減衰され、そ
の後端に接続された１．５５μｍ帯信号光出射端からは
出射されない。また、Ｙ分岐光導波路の他方の分岐先で
あるＤＦＢ−ＬＤへと導かれた１．３μｍ帯信号光もＤ
ＦＢ−ＬＤで十分減衰されるため、その後端に接続され
た１．５５μｍ帯信号光出射端からは出射されない。一
方１．５５μｍ帯信号光は、入出射端から入射された
後、Ｙ分岐光導波路で分岐され、一方は１．３μｍ帯Ｄ
ＦＢ−ＬＤと導波路型モニターＰＤを通って、他方は
１．３μｍ帯ＰＤを通って２つの１．５５μｍ帯信号光
出射端から各々出力される。この時、１．３μｍ帯ＤＦ
Ｂ−ＬＤの活性層、導波路型モニターＰＤ、１．３μｍ
帯ＰＤの光吸収層の吸収端波長は１．３５μｍであり、
１．５５μｍより十分短波長であるので１．５５μｍ帯
信号光は吸収損失をほとんど受けない。そして１．５５
μｍ帯信号光は、外部におかれた１つのＰＤに同時に入
射され、電気信号が取り出される。この時、２つの１．
５５μｍ帯信号光出射端間の距離は、外部ＰＤ内での
１．５５μｍ帯光に対する実効吸収長よりも十分大きく
なるよう設計する。この時用いる外部ＰＤとしては、そ
の受光径、あるいはレンズなどの光学系により拡大され
たその有効受光径が前述の２つの１．５５μｍ帯信号光
出射端の間隔よりも広い面入射型ｐｉｎ−ＰＤ、または
アバランシェＰＤ、あるいはその導波路幅が前述の２つ
の１．５５μｍ帯信号光出射端の間隔よりも広い導波路
型ＰＤなどを用いることができる。また、１．３μｍ帯
ＤＦＢ−ＬＤからＹ分岐光導波路側に出射された信号光
はＹ分岐光導波路を通って入出射端から出射され、一
方、モニターＰＤ側に出射された信号光はモニターＰＤ
で光電変換され、モニター信号として取り出される。こ
の時、モニターＰＤの素子長は、１．３μｍ光に対する
実効吸収長よりも十分長く設計されており、１．３μｍ
帯のＤＦＢ−ＬＤからの１．３μｍ帯信号光は全てモニ
ターＰＤで吸収され、１．５５μｍ帯信号光出射端から
は出射されない。
【００１７】次に、本発明の第一実施例の製造工程を図
２、図３、図４を用いて説明する。図２は素子を基板表
面側から見た断面図、図３（ａ）、図４（ａ）は各工程
における素子のＹ分岐光導波路部、出射光導波路部にお
ける断面図、図３（ｂ）、図４（ｂ）は各工程における
素子のＤＦＢ−ＬＤ部、１．３μｍ帯ＰＤ部における断
面図である。まず、（００１）面を有するｎ型ＩｎＰ基
板１上に、ｎ- −ＩｎＰバッファ層２を２μｍ形成す
る。次に図２に示すように１．３μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤ部
３に干渉露光とエッチングによりグレーティング４を形
成した後、ＳｉＯ2 膜５を熱ＣＶＤ法によりｎ- −Ｉｎ
Ｐバッファ層２上に形成し、通常のフォトレジスト工
程、エッチング工程により図に示すような選択成長マス
クパターンを形成する。このマスクパターンはＤＦＢ−
ＬＤ部３、Ｙ分岐光導波路部６、モニターＰＤ部７、
１．３μｍ帯ＰＤ部８、出射光導波路部９からなる。曲
線の部分を除いてストライプ方向は［１１０］である。
また、ＤＦＢ−ＬＤ部３、モニターＰＤ部７、１．３μ
ｍ帯ＰＤ部８の素子長はそれぞれ６００μｍ、１５０μ
ｍ、１５０μｍで、集積素子全体の長さは３．５ｍｍ、
幅は３００μｍである。このパターンの、ストライプと
垂直方向の幅はＤＦＢ−ＬＤ部３、モニターＰＤ部７、
１．３μｍ帯ＰＤ部８では３０μｍで、その他の部分で
は６μｍである。また、一対のＳｉＯ2 膜５に挟まれた
領域の目開き幅は１．５μｍである。また、２つの１．
５５μｍ帯信号光出射端の間隔は２０μｍである。
２、図３、図４を用いて説明する。図２は素子を基板表
面側から見た断面図、図３（ａ）、図４（ａ）は各工程
における素子のＹ分岐光導波路部、出射光導波路部にお
ける断面図、図３（ｂ）、図４（ｂ）は各工程における
素子のＤＦＢ−ＬＤ部、１．３μｍ帯ＰＤ部における断
面図である。まず、（００１）面を有するｎ型ＩｎＰ基
板１上に、ｎ- −ＩｎＰバッファ層２を２μｍ形成す
る。次に図２に示すように１．３μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤ部
３に干渉露光とエッチングによりグレーティング４を形
成した後、ＳｉＯ2 膜５を熱ＣＶＤ法によりｎ- −Ｉｎ
Ｐバッファ層２上に形成し、通常のフォトレジスト工
程、エッチング工程により図に示すような選択成長マス
クパターンを形成する。このマスクパターンはＤＦＢ−
ＬＤ部３、Ｙ分岐光導波路部６、モニターＰＤ部７、
１．３μｍ帯ＰＤ部８、出射光導波路部９からなる。曲
線の部分を除いてストライプ方向は［１１０］である。
また、ＤＦＢ−ＬＤ部３、モニターＰＤ部７、１．３μ
ｍ帯ＰＤ部８の素子長はそれぞれ６００μｍ、１５０μ
ｍ、１５０μｍで、集積素子全体の長さは３．５ｍｍ、
幅は３００μｍである。このパターンの、ストライプと
垂直方向の幅はＤＦＢ−ＬＤ部３、モニターＰＤ部７、
１．３μｍ帯ＰＤ部８では３０μｍで、その他の部分で
は６μｍである。また、一対のＳｉＯ2 膜５に挟まれた
領域の目開き幅は１．５μｍである。また、２つの１．
５５μｍ帯信号光出射端の間隔は２０μｍである。
【００１８】次に図３（ａ）、（ｂ）に示したように、
この基板上にｎ+ −ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０（１×
１０18ｃｍ-3）、ｎ+ −ＩｎＰバッファ層１１（１×１
０18ｃｍ-3）、Ｙ分岐光導波路部６、出射光導波路部９
におけるＭＱＷ（ＩｎＧａＡｓＰウェル）コア層１２Ａ
（２×１０15ｃｍ-3）、ＤＦＢ−ＬＤ部３、１．３μｍ
帯ＰＤ部８におけるＭＱＷ（ＩｎＧａＡｓＰバリア）コ
ア層１２Ｂ（２×１０15ｃｍ-3）、ｐ+ −ＩｎＧａＡａ
Ｐ上部ＳＣＨ層１３（１×１０18ｃｍ-3）、ｐ+ −Ｉｎ
Ｐクラッド層１４（１×１０18ｃｍ-3）をＳｉＯ2 膜５
を選択成長マスクとして有機金属気相成長法により形成
する。このときＭＱＷコア層１２Ａ，１２Ｂそれぞれの
バンドギャップ波長はそれぞれ異なるものが得られ、Ｙ
分岐光導波路部６及び出射光導波路部９におけるＭＱＷ
コア層１２Ａでは１．１５μｍ、ＤＦＢ−ＬＤ部３及び
１．３μｍ帯ＰＤ部８におけるＭＱＷコア層１２Ｂでは
１．３５μｍとなる。
この基板上にｎ+ −ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０（１×
１０18ｃｍ-3）、ｎ+ −ＩｎＰバッファ層１１（１×１
０18ｃｍ-3）、Ｙ分岐光導波路部６、出射光導波路部９
におけるＭＱＷ（ＩｎＧａＡｓＰウェル）コア層１２Ａ
（２×１０15ｃｍ-3）、ＤＦＢ−ＬＤ部３、１．３μｍ
帯ＰＤ部８におけるＭＱＷ（ＩｎＧａＡｓＰバリア）コ
ア層１２Ｂ（２×１０15ｃｍ-3）、ｐ+ −ＩｎＧａＡａ
Ｐ上部ＳＣＨ層１３（１×１０18ｃｍ-3）、ｐ+ −Ｉｎ
Ｐクラッド層１４（１×１０18ｃｍ-3）をＳｉＯ2 膜５
を選択成長マスクとして有機金属気相成長法により形成
する。このときＭＱＷコア層１２Ａ，１２Ｂそれぞれの
バンドギャップ波長はそれぞれ異なるものが得られ、Ｙ
分岐光導波路部６及び出射光導波路部９におけるＭＱＷ
コア層１２Ａでは１．１５μｍ、ＤＦＢ−ＬＤ部３及び
１．３μｍ帯ＰＤ部８におけるＭＱＷコア層１２Ｂでは
１．３５μｍとなる。
【００１９】すなわち、本素子では波長１．３μｍ／
１．５５μｍの信号光を受信し、波長１．５５μｍの信
号光を出射するが、いずれの波長に対してもＹ分岐光導
波路部６、出射光導波路部９ではＭＱＷコア層１２Ａは
十分低損失なコア層として機能し、また、ＭＱＷコア層
同１２Ｂは１．３μｍ帯ＰＤ部８において１．３μｍの
入射信号光に対して十分高感度な光吸収層として、同時
にＤＦＢ−ＬＤ部３においては１．３μｍ光に対して十
分大きな利得を持つ活性層として機能する。ここでＭＱ
Ｗコア層１２Ａ，１２Ｂそれぞれのバンドギャップ波長
の差を生ずるのはＳｉ2 膜５のマスク幅のみに依存して
おり、これらは同時に且つ連結して形成される。この
後、図４（ａ）に示すように、Ｙ分岐光導波路部６及び
出射光導波路部９をｎ- −ＩｎＰ埋め込み層１５（２×
１０15ｃｍ-3）で埋め込む。また、同図（ｂ）に示すよ
うに、１．３μｍ帯ＰＤ部８、ＤＦＢ−ＬＤ部３をｐ+
−ＩｎＰ埋め込み層１６（１×１０18ｃｍ-3）で埋め込
み、さらにｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７（１×
１０19ｃｍ-3）を形成する。その後、絶縁膜としてのＳ
ｉＮ膜１８、ｐ電極としてのＴｉ／Ａｕ膜１９、ｎ電極
としてのＡｕＧｅＮｉ／ＡｕＮｉ膜２０を形成し、それ
ぞれ熱処理を施して素子を完成する。本実施例は請求項
１及び請求項２に対応する。
１．５５μｍの信号光を受信し、波長１．５５μｍの信
号光を出射するが、いずれの波長に対してもＹ分岐光導
波路部６、出射光導波路部９ではＭＱＷコア層１２Ａは
十分低損失なコア層として機能し、また、ＭＱＷコア層
同１２Ｂは１．３μｍ帯ＰＤ部８において１．３μｍの
入射信号光に対して十分高感度な光吸収層として、同時
にＤＦＢ−ＬＤ部３においては１．３μｍ光に対して十
分大きな利得を持つ活性層として機能する。ここでＭＱ
Ｗコア層１２Ａ，１２Ｂそれぞれのバンドギャップ波長
の差を生ずるのはＳｉ2 膜５のマスク幅のみに依存して
おり、これらは同時に且つ連結して形成される。この
後、図４（ａ）に示すように、Ｙ分岐光導波路部６及び
出射光導波路部９をｎ- −ＩｎＰ埋め込み層１５（２×
１０15ｃｍ-3）で埋め込む。また、同図（ｂ）に示すよ
うに、１．３μｍ帯ＰＤ部８、ＤＦＢ−ＬＤ部３をｐ+
−ＩｎＰ埋め込み層１６（１×１０18ｃｍ-3）で埋め込
み、さらにｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７（１×
１０19ｃｍ-3）を形成する。その後、絶縁膜としてのＳ
ｉＮ膜１８、ｐ電極としてのＴｉ／Ａｕ膜１９、ｎ電極
としてのＡｕＧｅＮｉ／ＡｕＮｉ膜２０を形成し、それ
ぞれ熱処理を施して素子を完成する。本実施例は請求項
１及び請求項２に対応する。
【００２０】次に本発明の第二実施例について説明す
る。図５は本発明の第二実施例の外観図である。第二実
施例では第一実施例と異なり、１．５５μｍ帯信号光出
射端がなく、代わりに同一基板上に集積化された１．５
５μｍ帯ＰＤを備える。また、図６は図５中の破線Ａ−
Ａ′における素子の断面模式図である。第二実施例の作
製工程はｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を形成す
るところまでは第一実施例と同様である。第二実施例で
はｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を形成した後、
１．５５μｍ帯ＰＤを形成する領域の結晶層をエッチン
グにより除去し、その領域にｎ+ −ＩｎＰバッファ層２
１（１×１０18ｃｍ-3）、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層
２２（２×１０15ｃｍ-3）、ｐ+ −ＩｎＰクラッド層２
３（１×１０18ｃｍ-3）を再成長により形成する。その
後の電極形成等の工程は第一実施例と同様である。本実
施例は請求項３及び請求項４に対応する。
る。図５は本発明の第二実施例の外観図である。第二実
施例では第一実施例と異なり、１．５５μｍ帯信号光出
射端がなく、代わりに同一基板上に集積化された１．５
５μｍ帯ＰＤを備える。また、図６は図５中の破線Ａ−
Ａ′における素子の断面模式図である。第二実施例の作
製工程はｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を形成す
るところまでは第一実施例と同様である。第二実施例で
はｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を形成した後、
１．５５μｍ帯ＰＤを形成する領域の結晶層をエッチン
グにより除去し、その領域にｎ+ −ＩｎＰバッファ層２
１（１×１０18ｃｍ-3）、ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層
２２（２×１０15ｃｍ-3）、ｐ+ −ＩｎＰクラッド層２
３（１×１０18ｃｍ-3）を再成長により形成する。その
後の電極形成等の工程は第一実施例と同様である。本実
施例は請求項３及び請求項４に対応する。
【００２１】次に本発明の第三実施例について説明す
る。図７は本発明の第三実施例の外観図である。第三実
施例では第一実施例と異なり、１．５５μｍ帯信号光出
射端がなく、代わりに二つの１．５５μｍ帯ＰＤ２４を
備える。この二つの１．５５μｍ帯ＰＤ２４はそのｐ電
極が互いに接続されている。２つの出射光導波路から入
力された１．５５μｍ帯信号光はこれら２つの１．５５
μｍ帯ＰＤ２４でそれぞれ光電変換され、電気信号の状
態で合流した後、取り出される。また、第三実施例では
その最初の選択成長工程において図８（第一実施例に於
ける図２に対応）に示すようなマスクパターンを用い
る。モニターＰＤ部７、１．３μｍ帯ＰＤ部８それぞれ
の後段に１．５５μｍ帯ＰＤ部２４があり、そのマスク
幅は５０μｍである。他の部分は第一実施例と同様であ
る。図９は１．５５μｍ帯ＰＤ部２４における選択成長
後の断面図である。ここで１．５５μｍ帯ＰＤ部２４に
おけるＭＱＷコア層１２Ｃのバンドギャップ波長は１．
５５μｍとなり、１．５５μｍ帯ＰＤの光吸収層として
機能する。他の素子製造工程は第一実施例と同様であ
る。本実施例は請求項５及び請求項６に対応する。
る。図７は本発明の第三実施例の外観図である。第三実
施例では第一実施例と異なり、１．５５μｍ帯信号光出
射端がなく、代わりに二つの１．５５μｍ帯ＰＤ２４を
備える。この二つの１．５５μｍ帯ＰＤ２４はそのｐ電
極が互いに接続されている。２つの出射光導波路から入
力された１．５５μｍ帯信号光はこれら２つの１．５５
μｍ帯ＰＤ２４でそれぞれ光電変換され、電気信号の状
態で合流した後、取り出される。また、第三実施例では
その最初の選択成長工程において図８（第一実施例に於
ける図２に対応）に示すようなマスクパターンを用い
る。モニターＰＤ部７、１．３μｍ帯ＰＤ部８それぞれ
の後段に１．５５μｍ帯ＰＤ部２４があり、そのマスク
幅は５０μｍである。他の部分は第一実施例と同様であ
る。図９は１．５５μｍ帯ＰＤ部２４における選択成長
後の断面図である。ここで１．５５μｍ帯ＰＤ部２４に
おけるＭＱＷコア層１２Ｃのバンドギャップ波長は１．
５５μｍとなり、１．５５μｍ帯ＰＤの光吸収層として
機能する。他の素子製造工程は第一実施例と同様であ
る。本実施例は請求項５及び請求項６に対応する。
【００２２】なお、上記第一、第二、第三の各実施例で
は、図４（ｂ）に示したようにＤＦＢ−ＬＤ部３、モニ
ターＰＤ部７、１．３μｍ帯ＰＤ部８、１．５５μｍ帯
ＰＤ部２４をｐ+ −ＩｎＰ埋め込み層１６のみで埋め込
む構造としているが、このような構造に限らず、図１０
に示すように、最初の選択成長で形成したメサの側壁部
にｎ−ＩｎＰ層２５、ｐ−ＩｎＰ層２６、ｎ−ＩｎＰ層
２７を形成し、これらを電流ブロック層とするような構
造でも良い。
は、図４（ｂ）に示したようにＤＦＢ−ＬＤ部３、モニ
ターＰＤ部７、１．３μｍ帯ＰＤ部８、１．５５μｍ帯
ＰＤ部２４をｐ+ −ＩｎＰ埋め込み層１６のみで埋め込
む構造としているが、このような構造に限らず、図１０
に示すように、最初の選択成長で形成したメサの側壁部
にｎ−ＩｎＰ層２５、ｐ−ＩｎＰ層２６、ｎ−ＩｎＰ層
２７を形成し、これらを電流ブロック層とするような構
造でも良い。
【００２３】
【発明の効果】本発明の効果について説明する。まず本
発明の第一実施例では、１．３μｍ帯ＰＤ、１．３μｍ
帯ＤＦＢ−ＬＤ、モニターＰＤは、１．３μｍ帯の光は
吸収し、１．５５μｍ帯の信号光は透過させるという、
それ自体でいわば分波フィルターの機能を有す。したが
って図１１の従来例に示したような、石英系導波路の方
向性結合器による分波フィルターが不要で、モジュール
の小型化が可能となる。従来例では石英系導波路部品だ
けでも、その大きさがセンチメートルオーダーであった
のに対し、本実施例ではＤＦＢ−ＬＤ、ＰＤなども含む
チップのサイズはわずか３．５ｍｍ×３００μｍであ
る。また、モジュールを構成する部品数が少なくなるの
で組立工数が削減される。また、１．３μｍ帯ＰＤ、
１．３μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤ、モニターＰＤを分波フィル
ターとして用いる場合の集積素子の構成として、１．３
μｍ帯ＰＤ、あるいはモニターＰＤどちらか一方の後端
にのみ１．５５μｍ帯ＰＤを接続しただけでは、１．５
５μｍ帯信号光はＹ分岐光導波路において分岐されるた
め、大きな分岐損が生じてしまう。しかし、本発明で
は、１．３μｍ帯ＰＤ、モニターＰＤ両方の後端から出
射された１．５５μｍ帯信号光を、同一のＰＤで受信す
る構成となっているので、分岐損のない高感度な受信が
可能となる。さらに、ＤＦＢ−ＬＤの活性層、１．３μ
ｍ帯ＰＤ、モニターＰＤの光吸収層、受動導波路のコア
層は一回の結晶成長で一括して、かつ連結して形成され
るので、素子作製工程が削減され、かつ各構成要素間の
高い結合効率が高い歩留まりで得られる。なお、２つの
１．５５μｍ帯信号光出射端の間で光の位相ずれが起こ
る場合があるが、出射端の間隔は２０μｍと、外部受光
器内部に於ける１．５５μｍ光の実効吸収長と比較して
十分大きく設計しているので、２つの信号光は光の状態
で互いに干渉する事はなく、従って打ち消し合うような
ことはない。また、ＤＦＢ−ＬＤから発した迷光が外部
受光器に入射し、漏話の問題を起こすことがあるが、そ
のようなときは外部受光器として導波路型ＰＤを用いる
ことで漏話を大きく低減できる。
発明の第一実施例では、１．３μｍ帯ＰＤ、１．３μｍ
帯ＤＦＢ−ＬＤ、モニターＰＤは、１．３μｍ帯の光は
吸収し、１．５５μｍ帯の信号光は透過させるという、
それ自体でいわば分波フィルターの機能を有す。したが
って図１１の従来例に示したような、石英系導波路の方
向性結合器による分波フィルターが不要で、モジュール
の小型化が可能となる。従来例では石英系導波路部品だ
けでも、その大きさがセンチメートルオーダーであった
のに対し、本実施例ではＤＦＢ−ＬＤ、ＰＤなども含む
チップのサイズはわずか３．５ｍｍ×３００μｍであ
る。また、モジュールを構成する部品数が少なくなるの
で組立工数が削減される。また、１．３μｍ帯ＰＤ、
１．３μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤ、モニターＰＤを分波フィル
ターとして用いる場合の集積素子の構成として、１．３
μｍ帯ＰＤ、あるいはモニターＰＤどちらか一方の後端
にのみ１．５５μｍ帯ＰＤを接続しただけでは、１．５
５μｍ帯信号光はＹ分岐光導波路において分岐されるた
め、大きな分岐損が生じてしまう。しかし、本発明で
は、１．３μｍ帯ＰＤ、モニターＰＤ両方の後端から出
射された１．５５μｍ帯信号光を、同一のＰＤで受信す
る構成となっているので、分岐損のない高感度な受信が
可能となる。さらに、ＤＦＢ−ＬＤの活性層、１．３μ
ｍ帯ＰＤ、モニターＰＤの光吸収層、受動導波路のコア
層は一回の結晶成長で一括して、かつ連結して形成され
るので、素子作製工程が削減され、かつ各構成要素間の
高い結合効率が高い歩留まりで得られる。なお、２つの
１．５５μｍ帯信号光出射端の間で光の位相ずれが起こ
る場合があるが、出射端の間隔は２０μｍと、外部受光
器内部に於ける１．５５μｍ光の実効吸収長と比較して
十分大きく設計しているので、２つの信号光は光の状態
で互いに干渉する事はなく、従って打ち消し合うような
ことはない。また、ＤＦＢ−ＬＤから発した迷光が外部
受光器に入射し、漏話の問題を起こすことがあるが、そ
のようなときは外部受光器として導波路型ＰＤを用いる
ことで漏話を大きく低減できる。
【００２４】次に、本発明の第二実施例では、図５に示
すように同一基板上に１．５５μｍ帯ＰＤが集積化され
ており、第一実施例では必要であった外部受光器が不要
となる。したがってモジュールを構成する部品数がさら
に減ってモジュール組立工数が削減される。
すように同一基板上に１．５５μｍ帯ＰＤが集積化され
ており、第一実施例では必要であった外部受光器が不要
となる。したがってモジュールを構成する部品数がさら
に減ってモジュール組立工数が削減される。
【００２５】次に、本発明の第三実施例では、図７、図
８を用いて前項で説明したように、１．５５μｍ帯ＰＤ
部２４の結晶層、電極などは、ＤＦＢ−ＬＤ部３、モニ
ターＰＤ部７、１．３μｍ帯ＰＤ部８のそれと同時に形
成されており、第二実施例と比較して素子作製工程が削
減される。また、ここで形成された２つの１．５５μｍ
帯ＰＤはｐ電極同士が互いに接続されており、またｎ電
極は共通であるので、それぞれのＰＤからの電気信号が
合流され、第一、第二各実施例と同様に１．５５μｍ帯
信号光について、分岐損のない高感度な受信が可能とな
る。
８を用いて前項で説明したように、１．５５μｍ帯ＰＤ
部２４の結晶層、電極などは、ＤＦＢ−ＬＤ部３、モニ
ターＰＤ部７、１．３μｍ帯ＰＤ部８のそれと同時に形
成されており、第二実施例と比較して素子作製工程が削
減される。また、ここで形成された２つの１．５５μｍ
帯ＰＤはｐ電極同士が互いに接続されており、またｎ電
極は共通であるので、それぞれのＰＤからの電気信号が
合流され、第一、第二各実施例と同様に１．５５μｍ帯
信号光について、分岐損のない高感度な受信が可能とな
る。
【００２６】また、第一、第二、第三いずれの実施例に
ついても、図１０で説明したような電流ブロック構造を
とることにより、ＤＦＢ−ＬＤ部３において、その活性
層に電流が注入される効率が高まり、特性が改善され
る。
ついても、図１０で説明したような電流ブロック構造を
とることにより、ＤＦＢ−ＬＤ部３において、その活性
層に電流が注入される効率が高まり、特性が改善され
る。
【図１】本発明の第一実施例の外観図である。
【図２】本発明の第一実施例を基板表面側から見た断面
図である。
図である。
【図３】本発明の第一実施例の製造工程における断面図
であり、（ａ）はＹ分岐光導波路部、（ｂ）はＤＦＢ−
ＬＤ部である。
であり、（ａ）はＹ分岐光導波路部、（ｂ）はＤＦＢ−
ＬＤ部である。
【図４】本発明の第一実施例の製造工程における断面図
であり、（ａ）は出射光導波路部、（ｂ）は１．３μｍ
帯ＰＤ部である。
であり、（ａ）は出射光導波路部、（ｂ）は１．３μｍ
帯ＰＤ部である。
【図５】本発明の第二実施例の外観図である。
【図６】図５の破線Ａ−Ａ′における断面模式図であ
る。
る。
【図７】本発明の第三実施例の外観図である。
【図８】本発明の第三実施例を基板表面側から見た断面
図である。
図である。
【図９】本発明の第三実施例の１．５５μｍ帯ＰＤ部２
４における選択成長後の断面図である。
４における選択成長後の断面図である。
【図１０】本発明の第一、第二、第三各実施例のいずれ
にも適用可能な、別の素子構造の断面図である。
にも適用可能な、別の素子構造の断面図である。
【図１１】従来の送受信光モジュールの一例を示す図で
ある。
ある。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ｎ- −ＩｎＰバッファ層 ３ １．３μｍ帯ＤＦＢ−ＬＤ部 ４ グレーティング ５ ＳｉＯ2 膜 ６ Ｙ分岐光導波路部 ７ モニターＰＤ部 ８ １．３μｍ帯ＰＤ部 ９ 出射光導波路部 １０ ｎ+ −ＩｎＧａＡｓＰガイド層 １１ ｎ+ −ＩｎＰバッファ層１２Ａ Ｙ分岐光導
波路部６、出射光導波路部９におけるＭＱＷコア層 １２Ｂ ＤＦＢ−ＬＤ部３、１．３μｍ帯ＰＤ部８に
おけるＭＱＷコア層 １２Ｃ １．５５μｍ帯ＰＤ部２４におけるＭＱＷコ
ア層 １３ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰ上部ＳＣＨ層 １４ ｐ+ −ＩｎＰクラッド層 １５ ｎ- −ＩｎＰ埋め込み層 １６ ｐ+ −ＩｎＰ埋め込み層 １７ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １８ ＳｉＮ膜 １９ Ｔｉ／Ａｕ膜 ２０ ＡｕＧｅＮｉ／ＡｕＮｉ膜 ２１ ｎ+ −ＩｎＰバッファ層 ２２ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ２３ ｐ+ −ＩｎＰクラッド層 ２４ １．５５μｍ帯ＰＤ部 ２５ ｎ−ＩｎＰ層 ２６ ｐ−ＩｎＰ層 ２７ ｎ−ＩｎＰ層
波路部６、出射光導波路部９におけるＭＱＷコア層 １２Ｂ ＤＦＢ−ＬＤ部３、１．３μｍ帯ＰＤ部８に
おけるＭＱＷコア層 １２Ｃ １．５５μｍ帯ＰＤ部２４におけるＭＱＷコ
ア層 １３ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓＰ上部ＳＣＨ層 １４ ｐ+ −ＩｎＰクラッド層 １５ ｎ- −ＩｎＰ埋め込み層 １６ ｐ+ −ＩｎＰ埋め込み層 １７ ｐ+ −ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １８ ＳｉＮ膜 １９ Ｔｉ／Ａｕ膜 ２０ ＡｕＧｅＮｉ／ＡｕＮｉ膜 ２１ ｎ+ −ＩｎＰバッファ層 ２２ ｎ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層 ２３ ｐ+ −ＩｎＰクラッド層 ２４ １．５５μｍ帯ＰＤ部 ２５ ｎ−ＩｎＰ層 ２６ ｐ−ＩｎＰ層 ２７ ｎ−ＩｎＰ層
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に、１本の光導波路を２本
の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分岐光
導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続されたレー
ザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオードと、
前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の導波
路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導波路
型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第一、
第二の出射光導波路が少なくとも集積され、前記第一、
第二の出射光導波路にそれぞれ接続された第一、第二の
出射端を備えたことを特徴とする光半導体集積素子。 - 【請求項２】 前記レーザーダイオードの活性層と、前
記第一、第二の導波路型フォトダイオードの光吸収層
と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の出射光導波
路のコア層が一括して形成され、かつ各々を接続する領
域においても光伝搬方向に連続して形成されていること
を特徴とする請求項１記載の光半導体集積素子。 - 【請求項３】 半導体基板上に、１本の光導波路を２本
の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分岐光
導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続されたレー
ザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオードと、
前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の導波
路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導波路
型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第一、
第二の出射光導波路と、前記第一、第二の出射光導波路
が両方接続された第三の導波路型フォトダイオードが少
なくとも集積され、前記第三の導波路型フォトダイオー
ドの吸収端波長が、前記第一、第二の導波路型フォトダ
イオードの吸収端波長のいずれよりも長波長であること
を特徴とする光半導体集積素子。 - 【請求項４】 前記レーザーダイオードの活性層と、前
記第一、第二の導波路型フォトダイオードの光吸収層
と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の出射光導波
路のコア層が一括した形成され、かつ各々を接続する領
域においても光伝搬方向に連続して形成されていること
を特徴とする請求項３記載の光半導体集積素子。 - 【請求項５】 半導体基板上に、１本の光導波路を２本
の光導波路に分岐するＹ分岐光導波路と、前記Ｙ分岐光
導波路の分岐後の２本の光導波路に各々接続されたレー
ザーダイオード、第一の導波路型フォトダイオードと、
前記レーザーダイオードの後端に接続された第二の導波
路型フォトダイオードと、前記第一、第二各々の導波路
型フォトダイオードの後端にそれぞれ接続された第一、
第二の出射光導波路と、前記第一、第二の出射光導波路
に各々接続された第三、第四の導波路型フォトダイオー
ドが集積され、前記第三、第四の導波路型フォトダイオ
ードの吸収端波長が、前記第一、第二の導波路型フォト
ダイオードの吸収端波長のいずれよりも長波長であり、
かつ前記第三、第四の導波路型フォトダイオードはｐ電
極同士、ｎ電極同士が各々接続されていることを特徴と
する光半導体集積素子。 - 【請求項６】 前記レーザーダイオードの活性層と、前
記第一、第二、第三、第四の導波路型フォトダイオード
の光吸収層と、前記Ｙ分岐光導波路、前記第一、第二の
出射光導波路のコア層が一括して形成され、かつ各々を
接続する領域においても光伝搬方向に連続して形成され
ていることを特徴とする請求項５記載の光半導体集積素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445696A JP2833615B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 光半導体集積素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445696A JP2833615B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 光半導体集積素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219508A JPH09219508A (ja) | 1997-08-19 |
| JP2833615B2 true JP2833615B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=12138675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2445696A Expired - Fee Related JP2833615B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 光半導体集積素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833615B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5189200B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2013-04-24 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体装置 |
| JP6641765B2 (ja) | 2015-08-05 | 2020-02-05 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光通信装置、及び、光モジュール |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP2445696A patent/JP2833615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09219508A (ja) | 1997-08-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
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